CN102131955A - 具有可移动屏蔽件的涂布室 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及操作涂布室的方法以及一种涂布室，该涂布室包括：涂布源；传输装置，其用于将适合于承载要被涂布的衬底的衬底支架相对于涂布源移动到至少一个涂布位置中，使得衬底可以被涂布；以及至少一个第一屏蔽件，其设置在衬底的涂布位置与涂布源之间的区域中，以防止除了要被涂布的衬底的表面之外的区域受到涂布，其中，第一屏蔽件包括移动设备和用于将第一屏蔽件与衬底支架相连接的连接设备，使得第一屏蔽件和衬底支架可以一同移动。

Description

具有可移动屏蔽件的涂布室
技术领域
本发明涉及涂布室以及操作涂布室的方法，并且特别地涉及其中可以执行薄膜沉积技术(比如化学气相沉积CVD处理、等离子增强化学气相沉积PECVD处理、物理气相沉积PVD处理或者溅射处理)的真空涂布室。
背景技术
涂布技术被广泛地用在工业中以制造不同的产品。例如，用于建筑用途或者用于结合显示装置(如薄膜晶体管TFT显示装置、有机发光二极管OLED显示装置等)使用的玻璃衬底需要被涂布有薄膜。
对于这些产品，期望实现均匀并一致的涂布。此外，为了保持成本低并获得有竞争力的产品，高效率的涂布处理是必要的。因此，已经在现有技术中提出了各种方法和设备以在合理的价格下获得高质量的涂层。
用于实施涂层沉积的各种方法可以被划分为三种不同类型。第一种类型是衬底的静止涂布。根据这种类型，在整个涂布处理过程中，要被涂布的衬底被保持在单个涂布位置。因此，由涂布源限定的涂布区域必须覆盖要被涂布的整个表面。虽然这种方法非常简单并且因此是成本有效的，并且也适合于各种应用，但是这种方法具有以下缺点：因为由于衬底表面的空间条件不同的区域可能被不同地涂布，所以所沉积的涂层可能不能在整个表面上均匀并一致。这些问题特别是在表面的边缘处可能发生。
第二种类型的涂布可以被叫做连续涂布，并且特征是这样的：通过可移动衬底托架使得要被涂布的衬底连续地移动通过由涂布源限定的涂布区域。通过这样做，可以均匀地涂布类似建筑玻璃的大面积衬底，因为要被涂布的衬底上的每个点由于衬底的连续移动而至少沿着传输方向行进通过涂布区域的不同区域，使得在整个衬底表面上实现类似的涂布条件。然而，这种方法是更费力的，因为必须提供允许衬底连续移动的传输装置。为了保护昂贵的设备(如传输装置和衬底支架)不受到涂布，必须设置屏蔽件。根据现有技术，必须提供设置在衬底支架上用来保持衬底支架的屏蔽件以及固定地设置在涂布室中用来保护传输机构的屏蔽件。这对于其中衬底被移动到不同的涂布位置或者在涂布操作中摆动的第三种类型的沉积处理也是正确的。然而，由于额外的屏蔽件，用于这种涂布方法的设备更加昂贵。此外，相应设备的操作可能导致与在每次运行通过不同的涂布站之后必须执行的衬底支架以及它们的屏蔽件的清洁有关的问题。
发明内容
本发明的目的
因此本发明的目的是提供一种涂布室以及用于操作涂布室(特别是用于连续和/或摆动涂布)的方法，其允许在使得所耗费的精力最小化的同时，完成高质量(特别是对于沉积涂层的均匀性和一致性)的涂层沉积。此外，涂布室应当设计和制造简单并且用途多样。通过高的用途多样性，操作应当也变得容易。
技术方案
通过具有权利要求1的特征的涂布室以及具有权利要求29的特征的操作涂布室的方法来实现这些目的。其他实施例是从属权利要求的主题。
本发明的技术方案的特征是这样的：在具有涂布源和其用于将衬底支架移动通过涂布室的传输装置的涂布室中，设置了至少一个可移动屏蔽件，该可移动屏蔽件包括移动设备和用于将屏蔽件与衬底支架相连接的连接设备，使得屏蔽件和衬底支架可以一同移动。移动设备被限定为与可移动屏蔽件相关联的具体组件，其允许屏蔽件移动，特别是允许屏蔽件与衬底或衬底支架独立地移动。因此，移动设备可以包括至少一个与衬底支架的传输装置不同和分离的组件。由于这种设计，可以省略设置在衬底支架处的屏蔽件，这可观地减少了所耗费的精力，因为不仅可以节省一个屏蔽件，并且可以节省在相应的设备中同时使用的与多个衬底支架相对应的多个屏蔽件。
此外，因为可以通过这种涂布室执行全部不同类型或模式的操作，所以这种涂布室的变化性也增加了。在屏蔽件保持静止时，可以执行静止涂布。在半静止涂布的情况下，即，特别是在摆动涂布的情况下(其中衬底在涂布源前方摆动)并且在连续涂布的情况下，屏蔽件可以和承载要被涂布的衬底的衬底支架一同移动。通过连接装置，可移动屏蔽件像是掩模那样固定到衬底支架。然而，可移动屏蔽件仅在该涂布室中的涂布处理过程中连接到衬底支架。因此，可以将屏蔽件的移动限制到靠近涂布区域的区域中，其中，涂布区域可以被限定为涂布速率高于预定值的区域。特别地，屏蔽件的移动设备可以被设计为使得屏蔽件仅能够在室内移动，而不能够通过移动设备移动到室中或者移动到室外。
根据本发明的涂布室可以被用于不同的沉积技术，可以被特别地设计为用于执行真空沉积技术(像是化学气相沉积CVD、等离子增强化学气相沉积PECVD、物理气相沉积PVD或特别地溅射处理)的真空室。然而，也可以使用其他的沉积技术，像是通过热蒸发的气相沉积。因此，涂布室可以包括设计为用于这种沉积技术的涂布源。特别地，涂布源可以包括处理工具，包括电极、磁控管电极、喷头电极、可旋转电机、双电极、微波源、加热器、溅射靶、气体入口、蒸发源等及其组合。通常，对层进行沉积或者执行涂布处理所需的全部处理工具可以被包括或者固定在涂布室中。涂布源可以仅包括单个处理工具(显示溅射磁控管电极，所谓的线状源)，或者可以包括数个处理工具，以形成在涂布室的特定区域上延伸的涂布源。这种二维涂布源例如可以包括设置为并排彼此相邻的电极的阵列，以使得可以实现更大的涂布区域。特别地，可以在电极的纵轴彼此平行并且与衬底的传输方向横交的状态下设置电极。因此，可以通过静止涂布处理来对比二维涂布源的尺寸具有更小尺寸的衬底进行涂布，而可以在半静止或连续涂布处理中对要被涂布的表面在传输方向上比二维涂布源的延伸范围更大的衬底进行涂布。
优选地，涂布源在长度方向上的延伸范围被选择为使得在这个维度上，要被涂布的衬底的尺寸小于涂布源。因此，在这个方向上确保了要被涂布的表面由涂布源的覆盖面积。因此，用于半静止或连续涂布的传输方向应当被选择为与长度方向横交的方向，以通过衬底的适当的移动来覆盖要被涂布的衬底的全部其他区域。
传输装置可以包括驱动器和/或引导装置。通过驱动器，衬底支架被驱动以执行用于半静止或连续涂布的衬底移动。为了有助于移动，引导装置可以在移动过程中引导并支撑衬底。
虽然本发明既适合于衬底的水平传输也适合于竖直传输，具体的实施例特别地设计为竖直地传输板状衬底，类似玻璃衬底等。
传输装置的引导装置可以包括限定了用于与衬底支架啮合的传输路径的支撑件以及相对的引导轨。支撑件可以由衬底支架在其上移动的支撑辊形成。一些支撑辊可以同时形成为用于对衬底支架进行驱动的驱动辊。引导装置可以包括无接触引导件，特别是磁性引导件，其中，由于磁力，在距离轨的壁一定距离的情况下在引导轨中引导衬底支架。
根据另一个实施例，传输装置可以包括限定了数个传输路径的数个引导装置。因此，数个衬底支架可以在传输装置中同时移动。通过这种方式，可以有利地增加产量。
可以平行地布置数个传输路径。通过平行地布置传输路径，有助于在传输路径上移动的衬底支架与涂布室的其他组件的相互作用。
可以与传输装置类似的方式设计用于可移动屏蔽件的移动设备。因此，移动设备可以至少包括一个驱动器和至少一个引导设备。
移动设备适合于移动围绕涂布区域的环状屏蔽件或者用于移动带状屏蔽件和/或数个屏蔽件。
移动设备的引导设备可以包括限定了传输路径的屏蔽件支撑件以及相对的屏蔽件引导轨。
与在传输装置中用于支撑和/或驱动衬底支架的辊类似地，移动设备也可以包括用于支撑和/或驱动屏蔽件的辊。因此，一些辊也可以是用于驱动屏蔽件的驱动辊。
传输装置和移动设备可以具有一个公共的驱动器或数个独立的驱动器。单个公共驱动器具有可以容易实现同步移动的优点。
用于连接可移动屏蔽件和衬底支架的连接装置可以包括用于连接可移动屏蔽件和衬底支架的不同的连接方式。一种允许容易操控的连接是通过形状配合连接而实现的。因此，连接装置可以包括形状配合元件，类似于销子和相应的凹陷等。
为了将屏蔽件与衬底支架相连接，形状配合元件可以彼此啮合。至少对于这些装置和设备的部分来说，这可以通过将传输装置和/或移动设备相对移动而容易地实现。这种移动可以是沿着涂布源的方向，即与衬底支架的传输方向横交的方向。为了有助于传输装置和/或移动设备相对移动，引导轨可以被设置在相对与传输装置和/或移动设备的传输路径不同的水平上。因此，轨在相对移动中不会抵触。在这个方面，传输装置的引导轨或移动设备的引导轨可以被设置为相比于另一者更加远离传输路径。
除了第一可移动屏蔽件之外，可以设置相对于涂布源固定的第二屏蔽件，用来保护移动设备以及可移动屏蔽件。
由于本发明的涂布室的设计，可以以不同的方式来使用涂布室，以增强用途的多样性。特别地，涂布室可以被用于静止涂布、连续涂布以及半静止涂布。由于屏蔽件的可移动性，在每个操作模式中，可以沉积对于均匀性和一致性的高质量的涂层。
附图说明
通过下文中参照附图的实施例的描述，本发明的其他的优点、特征和特性将会变得更加明显。附图示出了以下纯图解的形式：
图1是根据本发明的第一实施例的涂布室的局部的截面图；
图2是在第二操作状态下的图1中示出的涂布室的局部的截面图；
图3是在第三操作状态下的根据图1和2的涂布室的局部的截面图；
图4是在第四操作状态下的根据图1-3的涂布室的局部的截面图；
图5是根据本发明的第二实施例的涂布室局部的截面图；
图6是在第二操作状态下的根据图5的涂布室的局部的截面图；
图7是根据本发明的第三实施例的涂布室局部的截面图；并且
图8是在第二操作状态下的根据图7的涂布室的局部的截面图。
具体实施方式
图1以截面图示出了根据本发明的第一实施例的涂布室的局部。图1中示出的实施例的涂布室包括仅可以看到部分的室壁10。根据截面图，室壁10被划分为上室壁部分10a和下室壁部分10b。室壁部分10a和10b限定了由盖部9封闭的开口。在盖部9处设置涂布源8，例如用于溅射沉积的可旋转磁控管阴极。由于可拆卸地设置盖部9，所以可以容易地调换涂布源8。
与涂布源8相对，可以经由传输装置5设置容纳在衬底支架2上的衬底1。
根据截面图，衬底支架2示出为两个部分2a和2b。然而，将会理解衬底支架可以形成为环绕框架或板状接收器。也可以想到用于承载衬底的其他实施例。
用于支撑并移动衬底支架2的传输装置5包括引导装置6和驱动器13。引导装置6包括上引导轨24和下支撑辊15、16。支撑辊15、16的支承表面包括外周凹陷，以与设置在衬底支架2的下端处的滑动元件19相啮合。
如图1所示，引导装置包括两个支撑辊15、16以及设置为双引导轨的引导轨24，双引导轨包括用于接收衬底支架的上端28的两个啮合通道26和27。因此，引导轨24被设计为具有E字形截面形状的轮廓。
衬底支架2的上端28啮合到啮合通道26和27中的一者中。在图1中，衬底支架2示出为与引导轨24的啮合通道26相啮合，而啮合通道27不被使用。
为了提供无接触的引导，磁体25被设置在啮合通道26和27的侧壁处，以使其保持衬底支架2的上端在距离啮合通道26、27的侧壁一定距离的位置处与啮合通道26、27相啮合。由于这样，衬底支架2也可以包括合适的磁体或者可以由合适的材料制成。
在图1的实施例中，衬底支架2由支撑辊16支撑并且啮合到引导轨24的啮合通道26中。然而，第二衬底支架(未示出)可以设置在第二支撑辊16处以及设置在啮合通道27中，以使得除了由支撑辊16和啮合通道26限定的第一传输路径之外，由支撑辊15和啮合通道27来限定第二平行传输路径。
支撑辊15和16被设置在由驱动辊驱动的可旋转轴14上，其中驱动辊13连接到电动机(未示出)。因此，在驱动辊13旋转时，支撑辊15、16也由可旋转的轴驱动，以移动设置在支撑辊15、16上的衬底支架2。
与引导轨24类似，在沿着与绘图平面或横截面平面相垂直的方向延伸的多个支撑辊15、16被设置为沿着与绘图平面垂直的方向彼此并排相邻，以分别沿着与绘图平面或截面平面垂直的方向支撑和/或驱动板状衬底1或衬底支架2。
虽然全部的支撑辊都可以由驱动器驱动，但是没有必要驱动全部的支撑辊，因为由于衬底支架2的延伸，仅驱动沿直线设置的支撑辊中的一部分就足够了。
通过传输装置5，可以将衬底支架2和衬底1一同沿着与绘图平面相垂直的方向移动，因此衬底1可以仅设置在与涂布源8相对的一个或多个涂布位置处或者可以移动为使得衬底通过涂布源8一次或多次。
因为涂布源8被设计为使得沿着长度方向31的延伸范围至少与要被涂布的衬底1的延伸范围相同或甚至更大，所以在将衬底1设置为与涂布源8相对时，衬底1在该方向上可以被完全涂布。然而，由于要被涂布的衬底1的沿着与涂布源的长度方向垂直的方向(即，与绘图平面垂直的方向)上更大的延伸范围，衬底1在这个方向上可能不能被完全涂布。因此，在沉积过程中可以由传输装置5来移动衬底，使得在移动过程中，衬底的整个表面移动通过由涂布源8限定的涂布区域，并且因此被完全涂布。或者，可以将数个涂布源8设置为阵列，使得涂布源整体的涂布区域得到增加，以覆盖要被涂布的整个衬底表面。例如，可以沿着与绘图平面垂直的方向将形成这种放大的涂布源的多个处理工具设置为行。在一个实施例中，一系列的可旋转磁控管电极可以被在长度方向31平行的状态下并排彼此相邻地设置。
因此，根据涂布条件，可以在整个涂布处理过程中衬底支架2和衬底1被保持在一个位置或数个涂布位置的静止模式下对衬底1进行涂布。或者，衬底支架2和衬底1可以在涂布过程中沿着一个传输方向连续移动或者在交替的传输方向上振荡的方式移动。
为了防止涂布室的衬底支架2、传输装置5和/或其他组件受到不期望地涂布，与涂布室相关联的可移动屏蔽件3设置在涂布室壁上。屏蔽件3具有围绕涂布区域的环形形状，其中，由于图1到4的截面图，仅能够看到上部3a和下部3b。或者，其他形状的屏蔽件可以是值得考虑的，像是具有带状形状等的、仅在上部和下部中包括屏蔽功能的结构。图1中示出的屏蔽件3的截面是具有提供涂布孔径的开口的杯状或者凸缘状结构。
虽然可以以静止的方式使用屏蔽件3，即，在沉积过程中使得屏蔽件保持固定，但是将屏蔽件3设置在与用于衬底支架2的传输装置5类似的移动设备11中来提供移动的能力。
移动设备包括屏蔽件引导装置12和通常由传输装置5使用的驱动器13。屏蔽件引导装置12包括与传输装置的支撑辊15、16类似的支撑辊17以及与传输装置5的引导轨24部分类似的屏蔽件引导轨21。屏蔽件引导轨21仅包括一个啮合通道，其中屏蔽件3的上部23以无接触的方式啮合在该啮合通道中。
为了这个目的，屏蔽件引导轨21也在啮合通道的侧壁处包括磁体22。在截面图中，屏蔽件引导轨21具有U字形的形状。通过肘部20将屏蔽件引导轨21固定到腔室壁10。
在下部处，屏蔽件3被支撑在支撑辊17上，该支撑辊17也在支承表面中包括凹陷。与衬底支架2类似，屏蔽件3包括与支撑辊17的凹陷相啮合的滑动元件18。
以防扭转的方式将支撑辊17设置在轴14上，使得支撑辊17可以由驱动辊13驱动。此外，支撑辊17可以沿着轴14的纵轴滑动，使得轴14可以按照图1的左下部中示出的双箭头移动。由于这样，将轴可滑动地设置在腔室壁10中。
与轴14的移动类似，衬底支架2的传输装置5的引导轨24可以按照图1的右上部中示出的双箭头移动。因为支撑辊15、16固定地设置在轴14处，所以在轴14按照双箭头移动时，支撑辊15、16和轴14一同移动。引导轨24连接到轴14上，以使得引导轨24与轴14同步移动。
如可以从图1看到的，设置连接装置7以将屏蔽件3与衬底支架2相连接。连接装置7包括可以与设置在衬底支架2中的凹陷29相啮合的销子30，以提供形状配合的连接。由于轴14的移动以及因此引起的支撑辊16和引导轨24的移动，衬底支架2可以被移动为使得屏蔽件3的销子30与凹陷29相啮合。因此，可以实现屏蔽件3与衬底支架2的连接。在通过连接装置7将衬底支架2和屏蔽件3连接到一起时，可以通过传输装置5和移动设备11使得屏蔽件3和衬底支架2一同移动。因此，在涂布处理过程中执行衬底支架2和屏蔽件3的移动的操作模式下，通过屏蔽件3和衬底支架2的连接可以以简单的方式来设置仅用于涂布处理的可移动的屏蔽件。因此，虽然由涂布源8限定的涂布区域没有覆盖要被涂布的整个表面，仍然可以通过涂布源8来涂布衬底1的整个表面。特别地，衬底支架和屏蔽件3可以在位置之间摆动，使得可以实现均匀和一致的涂层。因为可移动屏蔽件3与涂布室相关联，所以屏蔽件3不能够在沉积之后和衬底支架2一同移动到涂布室之外并且不能和要被涂布的新衬底一同重新引入。此外，屏蔽件的数目可以减少。此外，可移动屏蔽件可以不仅用于其间发生衬底移动的操作模式中，但是也可以用于静止涂布。
为了保护移动设备11以使其不受到涂布材料的沉积，第二屏蔽件4固定到腔室壁10上。与屏蔽件3类似，第二屏蔽件4不被限制到如截面图1到4所示的上、下屏蔽臂4a和4b，而是可以包括环状结构。
根据本发明的涂布室的设计，可以有三个不同的涂布模式，即：静止涂布，在涂布处理期间衬底1处于一个涂布位置；连续涂布，在涂布期间衬底1沿着一个方向连续地移动；以及第三操作模式，其中衬底1在涂布过程中(特别是以摆动的方式)移动到不同的涂布位置。对于全部这三种操作模式，屏蔽件3提供将适当的保护，使得涂布材料不会沉积到不期望的区域，而同时实现高质量(特别是关于所沉积的涂层的均匀性和一致性)的涂层的沉积。虽然在静止操作过程中屏蔽件3处于静止位置，但是屏蔽件3可以以连续和半静止的操作模式和衬底支架2一同移动，在连续和半静止的操作模式过程中，衬底1移动到数个不同的涂布位置或者在涂布处理过程中摆动。
图2到4示出了与图1相同的涂布室，其区别仅在于在图2到4中没有示出盖部9和涂布源8。
此外，图2示出了衬底支架2和衬底1在第二传输路径中与支撑辊15和啮合通道27的布置。由于轴14和引导轨24的位移，衬底支架2和屏蔽件3也由连接装置7连接。
因为可以在将其他衬底从涂布位置移除的同时，将一个衬底设置在至少一个涂布位置，所以由于由传输装置5提供的两个平行传输路径，高产量的衬底成为可能。
图4示出了这种情况，其中在由传输装置5提供的两个传输路径中，通过传输装置5传输两个衬底1a和1b。因此，如图3所示，销子30没有啮合在衬底支架2a和2b的凹陷29a和29b中。
图5和图6示出了本发明的第二实施例的截面图，第二实施例的大部分与图1到4中示出的实施例相似。因此，为了简便而省略了整个实施例的重复的描述。在下文中只说明不同点。
图5和6中示出的实施例与图1到4中示出的实施例的区别于屏蔽件引导装置12的屏蔽件引导轨21和传输装置5的引导轨24的布置。根据图5和图6的实施例，屏蔽件引导轨21没有沿着涂布方向与引导轨24并排设置，而是相对于支撑件或轴处于引导轨的上方。因此，因为引导轨24可以移动德更加靠近屏蔽件3，所以实现了节省空间的设计。
图7和8中示出了类似的实施例。在该实施例中，引导轨24设置在屏蔽件引导轨21上方，使得特别是在使用引导轨24的啮合通道27时，可以实现非常节省空间的传输装置5的布置。
因此，本发明的特征在于包括以下特征：
1.一种涂布室，包括
涂布源，
传输装置，其用于将适合于承载要被涂布的衬底的衬底支架相对于所述涂布源移动到至少一个涂布位置中，使得所述衬底可以被涂布，以及
至少一个第一屏蔽件，其设置在所述衬底的涂布位置与所述涂布源之间的区域中，以防止除了要被涂布的所述衬底的表面之外的区域受到涂布，
其中，
所述第一屏蔽件包括移动设备和用于将所述第一屏蔽件与所述衬底支架相连接的连接装置，使得所述第一屏蔽件和所述衬底支架可以一同移动。
2.根据特征1所述的涂布室，
其中，所述涂布室是真空室。
3.根据特征1或2所述的涂布室，
其中，所述涂布源是从包括CVD源、PECVD源、PVD源、溅射源和气相沉积源的组中选择的。
4.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述涂布源限定了沉积速率高于预定值的涂布区域，所述涂布区域至少在一个维度上小于要被涂布的所述衬底表面。
5.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述涂布源包括分散在所述涂布源上方的一个或多个处理工具。
6.根据特征5所述的涂布室，
其中，所述处理工具是从包括电极、磁控管电极、喷头电极、可旋转电机、双电极、微波源、加热器、溅射靶、气体入口、蒸发源的组中选择的。
7.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于将所述衬底支架和要被涂布的所述衬底一同相对于所述涂布源设置在数个涂布位置。
8.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于使得所述衬底支架和所述衬底一同相对于所述涂布源摆动。
9.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置的传输方向与所述涂布源的长度方向横交。
10.根据特征4所述的涂布室，
其中，所述传输装置的传输方向与所述涂布区域沿着该方向小于要被涂布的所述衬底表面的方向平行。
11.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括驱动器和/或引导装置。
12.根据特征11所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于直立传输板状衬底和/或所述引导装置包括限定了传输路径的支撑件以及相对的引导轨。
13.根据特征11或12所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括用于支撑和/或驱动所述衬底支架的辊。
14.根据特征11或12所述的涂布室，
其中，所述引导装置包括无接触引导件或磁性引导件。
15.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括限定了被设置为彼此平行的数个传输路径的数个引导装置。
16.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，用于所述第一屏蔽件的所述移动设备包括至少一个驱动器和/或至少一个引导设备。
17.根据特征16所述的涂布室，
其中，所述移动设备适合于移动环状屏蔽件和/或引导设备包括限定了屏蔽件传输路径的屏蔽件支撑件以及相对的屏蔽件引导轨。
18.根据特征16或17所述的涂布室，
其中，所述移动设备包括用于支撑和/或驱动所述屏蔽件的辊。
19.根据特征16或17所述的涂布室，
其中，所述引导设备包括无接触引导件或磁性引导件。
20.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和所述移动设备具有一个公共的驱动器或数个独立的驱动器。
21.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述连接装置包括形状配合元件。
22.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备可以至少部分地相对于彼此移动或者相对于所述涂布源移动。
23.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备可以至少部分地与所述衬底支架的传输方向横向地移动和/或沿着从所述涂布源到要被涂布的所述衬底的涂布方向移动。
24.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备包括引导轨，所述引导轨彼此并排地设置并且与相对的支撑件具有相等的距离，或者所述引导轨中的一者被设置在其他者的后方并与相对的支撑件具有不同的距离。
25.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，设置至少一个第二屏蔽件，所述第二屏蔽件相对于所述涂布源固定。
26.根据特征25所述的涂布室，
其中，所述第二屏蔽件覆盖所述第一屏蔽件和/或所述移动设备。
27.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述第一屏蔽件覆盖围绕要被涂布的所述衬底的表面的区域和/或覆盖所述衬底支架。
28.根据前述特征中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述第一屏蔽件的所述移动设备被设计为使得所述第一屏蔽件仅在所述室内移动。
29.一种操作涂布室的方法，包括以下步骤：
在衬底支架上提供衬底，
从不同的操作模式中选择一个操作模式，其中
第一操作模式包括在所述涂布室的可移动屏蔽件在涂布过程中保持静止的状态下，所述衬底支架连续移动通过所述涂布室的涂布区域，
第二操作模式包括
将所述衬底支架和所述衬底一同移动到连接位置，
将所述衬底支架与设置在所述涂布室中的可移动屏蔽件相连接，以及
将所述衬底支架和所述可移动屏蔽件移动到至少一个其他的位置，使得所述衬底在相对于涂布源的至少两个不同的位置中得到涂布，以及
第三操作模式包括在所述涂布室的所述可移动屏蔽件在涂布期间保持静止的状态下对所述衬底进行静止的涂布。
30.根据特征29所述的方法，
其中，在所述第二操作模式中，所述衬底支架和所述可移动屏蔽件摆动，使得所述衬底支架和所述可移动屏蔽件重复地移动通过所述涂布室的涂布区域。
虽然已经参照具体实施例描述了本发明，但是本领域技术人员显然知道本发明不局限于这些实施例，而是可以覆盖变化和修改(例如通过省略单个特征或者通过所示出的特征的不同的结合)而不超出所附权利要求的范围。特别地，本发明覆盖这里描述的特征的全部的组合。

Claims (30)

1.一种涂布室，包括
涂布源，
传输装置，其用于将适合于能够承载要被涂布的衬底的衬底支架相对于所述涂布源移动到至少一个涂布位置中，使得所述衬底可被涂布，以及
至少一个第一屏蔽件，其设置在所述衬底的涂布位置与所述涂布源之间的区域中，以防止除了要被涂布的所述衬底的表面之外的区域受到涂布，
其中，
所述第一屏蔽件包括移动设备和用于将所述第一屏蔽件与所述衬底支架相连接的连接装置，使得所述第一屏蔽件和所述衬底支架可一同移动。
2.根据权利要求1所述的涂布室，
其中，所述涂布室是真空室。
3.根据权利要求1或2所述的涂布室，
其中，所述涂布源是从包括CVD源、PECVD源、PVD源、溅射源和气相沉积源的组中选择的。
4.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述涂布源限定了沉积速率高于预定值的涂布区域，所述涂布区域至少在一个维度上小于要被涂布的所述衬底表面。
5.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述涂布源包括分布在所述涂布源上方的一个或多个处理工具。
6.根据权利要求5所述的涂布室，
其中，所述处理工具是从包括电极、磁控管电极、喷头电极、可旋转电机、双电极、微波源、加热器、溅射靶、气体入口、蒸发源的组中选择的。
7.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于将所述衬底支架和要被涂布的所述衬底一同相对于所述涂布源设置在数个涂布位置。
8.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于使得所述衬底支架和所述衬底一同相对于所述涂布源摆动。
9.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置的传输方向与所述涂布源的长度方向横交。
10.根据权利要求4所述的涂布室，
其中，所述传输装置的传输方向与所述涂布区域小于要被涂布的所述衬底表面的方向平行。
11.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括驱动器和/或引导装置。
12.根据权利要求11所述的涂布室，
其中，所述传输装置适合于直立传输板状衬底和/或所述引导装置包括限定了传输路径的支撑件以及相对的引导轨。
13.根据权利要求11或12所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括用于支撑和/或驱动所述衬底支架的辊。
14.根据权利要求11或12所述的涂布室，
其中，所述引导装置包括无接触引导件或磁性引导件。
15.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置包括限定了被设置为彼此平行的数个传输路径的数个引导装置。
16.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，用于所述第一屏蔽件的所述移动设备包括至少一个驱动器和/或至少一个引导设备。
17.根据权利要求16所述的涂布室，
其中，所述移动设备适合于移动环状屏蔽件和/或引导设备包括限定屏蔽件传输路径的屏蔽件支撑件以及相对的屏蔽件引导轨。
18.根据权利要求16或17所述的涂布室，
其中，所述移动设备包括用于支撑和/或驱动所述屏蔽件的辊。
19.根据权利要求16或17所述的涂布室，
其中，所述引导设备包括无接触引导件或磁性引导件。
20.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和所述移动设备具有一个公共的驱动器或数个独立的驱动器。
21.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述连接装置包括形状配合元件。
22.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备可至少部分地相对于彼此移动或者相对于所述涂布源移动。
23.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备可至少部分地与所述衬底支架的传输方向横向地移动和/或沿着从所述涂布源到要被涂布的所述衬底的涂布方向移动。
24.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述传输装置和/或所述移动设备包括引导轨，所述引导轨彼此并排地设置并且与相对的支撑件具有相等的距离，或者所述引导轨中的一者被设置在其他者的后方并与相对的支撑件具有不同的距离。
25.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，设置至少一个第二屏蔽件，所述第二屏蔽件相对于所述涂布源固定。
26.根据权利要求25所述的涂布室，
其中，所述第二屏蔽件覆盖所述第一屏蔽件和/或所述移动设备。
27.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述第一屏蔽件覆盖围绕要被涂布的所述衬底的表面的区域和/或覆盖所述衬底支架。
28.根据前述权利要求中的任何一者所述的涂布室，
其中，所述第一屏蔽件的所述移动设备被设计为使得所述第一屏蔽件仅可在所述室内移动。
29.一种操作涂布室的方法，包括以下步骤：
在衬底支架上提供衬底，
从不同的操作模式中选择一个操作模式，其中
第一操作模式包括在所述涂布室的可移动屏蔽件在涂布过程中保持静止的状态下，所述衬底支架连续移动通过所述涂布室的涂布区域，
第二操作模式包括
将所述衬底支架和所述衬底一同移动到连接位置，
将所述衬底支架与设置在所述涂布室中的可移动屏蔽件相连接，以及
将所述衬底支架和所述可移动屏蔽件移动到至少一个其他的位置，使得所述衬底在相对于涂布源的至少两个不同的位置中得到涂布，以及
第三操作模式包括在所述涂布室的所述可移动屏蔽件在涂布期间保持静止的状态下对所述衬底进行静止的涂布。
30.根据权利要求29所述的方法，
其中，在所述第二操作模式中，所述衬底支架和所述可移动屏蔽件摆动，使得所述衬底支架和所述可移动屏蔽件重复地移动通过所述涂布室的涂布区域。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104073764A (zh) * 2014-06-17 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种用于oled蒸镀的旋转蒸发源装置
CN104321200A (zh) * 2012-04-12 2015-01-28 卡巴-诺塔赛斯有限公司 凹版印刷板涂覆设备

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2432008B1 (en) * 2010-09-17 2015-06-24 Applied Materials, Inc. Substrate processing system comprising a replaceable substrate masking on carrier and method for processing a substrate
DE102010052761A1 (de) * 2010-11-30 2012-05-31 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
CN104781448B (zh) * 2012-11-15 2018-04-03 应用材料公司 用于维护边缘排除屏蔽件的方法和系统
JP6303024B2 (ja) * 2013-12-23 2018-03-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、基板上に層を堆積する装置、及び保持アレンジメントを搬送する方法
CN107492478B (zh) * 2016-06-12 2019-07-19 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的成膜方法以及半导体设备的氮化铝成膜方法
US10643843B2 (en) 2016-06-12 2020-05-05 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus
EP3366804B1 (en) * 2017-02-22 2022-05-11 Satisloh AG Box coating apparatus for vacuum coating of substrates, in particular spectacle lenses
KR102107973B1 (ko) * 2017-07-24 2020-05-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 챔버 내의 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 시스템, 및 마스크 캐리어에 대해 기판 캐리어를 정렬하는 방법
WO2020001751A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 Applied Materials, Inc. Magnetic levitation system for transporting a carrier, carrier for a magnetic levitation system, apparatus for transportation of a carrier, processing system for vertically processing a substrate, and method of switching a transport path of a carrier
CN114457313A (zh) * 2022-04-12 2022-05-10 常州欣盛半导体技术股份有限公司 真空溅镀机用的遮挡装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1139957A (zh) * 1993-10-25 1997-01-08 维拉泰克薄膜股份有限公司 用于物品之薄膜涂层的方法及装置
US20060249372A1 (en) * 2005-04-11 2006-11-09 Intematix Corporation Biased target ion bean deposition (BTIBD) for the production of combinatorial materials libraries

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
KR100243784B1 (ko) * 1990-12-05 2000-02-01 조셉 제이. 스위니 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드
JP3119669B2 (ja) * 1991-02-22 2000-12-25 コニカ株式会社 蒸着装置
US5738767A (en) * 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
JP4034860B2 (ja) * 1997-10-31 2008-01-16 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ搬送式成膜装置及び補助チャンバー
JPH11317438A (ja) * 1997-11-12 1999-11-16 Intevac Inc 基板キャリアの磁気支持を利用する基板支持装置
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
US6837974B2 (en) * 2002-02-01 2005-01-04 Tokyo Electron Limited Single piece pod shield for vertical plenum wafer processing machine
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
EP1788112B1 (de) * 2005-10-26 2011-08-17 Applied Materials GmbH & Co. KG Vorrichtung zum Bedampfen von Substraten
JP5035499B2 (ja) * 2005-12-13 2012-09-26 大日本印刷株式会社 スパッタ装置および基板搬送用キャリア
JP5116525B2 (ja) * 2008-03-25 2013-01-09 株式会社アルバック スパッタ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1139957A (zh) * 1993-10-25 1997-01-08 维拉泰克薄膜股份有限公司 用于物品之薄膜涂层的方法及装置
US20060249372A1 (en) * 2005-04-11 2006-11-09 Intematix Corporation Biased target ion bean deposition (BTIBD) for the production of combinatorial materials libraries

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104321200A (zh) * 2012-04-12 2015-01-28 卡巴-诺塔赛斯有限公司 凹版印刷板涂覆设备
CN104321200B (zh) * 2012-04-12 2016-08-24 卡巴-诺塔赛斯有限公司 凹版印刷版涂覆设备
CN104073764A (zh) * 2014-06-17 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种用于oled蒸镀的旋转蒸发源装置
CN104073764B (zh) * 2014-06-17 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种用于oled蒸镀的旋转蒸发源装置
US9970097B2 (en) 2014-06-17 2018-05-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Rotary evaporation source apparatus for OLED evaporation

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