JP3235345B2 - 磁気記録ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気記録ディスクの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置に搭載さ
れる磁気記録ディスクの製造方法に関し、特に、Ｃｒ下
地膜とＣｏ合金磁性膜を有する磁気記録ディスクの製造
方法に関する。
れる磁気記録ディスクの製造方法に関し、特に、Ｃｒ下
地膜とＣｏ合金磁性膜を有する磁気記録ディスクの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な金属薄膜磁気記録ディスク（媒
体）の断面構造は、図１１に示すように、非磁性基板１
上に非磁性のＣｒ下地膜２を積層し、このＣｒ下地膜２
上に強磁性合金のＣｏ合金磁性膜３を薄膜状に積層した
後、この磁性膜３上にアモルファスカーボン又はダイヤ
モンドライクカーボンのカーボン保護膜４を積層形成
し、更にそのカーボン保護膜４の上に液体潤滑材からな
る潤滑膜５を設けたものである。非磁性基板１しては、
例えばアルミニウム基板を用い、この上にＮｉ−Ｐ（ニ
ッケル−リン）メッキ膜をコートし、その表面を研磨し
たものである。この非磁性基板１の上に、例えばＣｒか
らなる膜厚３００ｎｍのＣｒ下地膜２，Ｃｏ８０ａｔ
％，Ｃｒ１４ａｔ％，Ｐｔ６ａｔ％からなる膜厚５０ｎ
ｍのＣｏ合金磁性膜３，及びアモルファスカーボンから
なる膜厚２０ｎｍのカーボン保護膜４を順次スパッタ法
で積層形成する。そして、保護膜４上にフロロカーボン
系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して潤滑膜５を形成す
る。
体）の断面構造は、図１１に示すように、非磁性基板１
上に非磁性のＣｒ下地膜２を積層し、このＣｒ下地膜２
上に強磁性合金のＣｏ合金磁性膜３を薄膜状に積層した
後、この磁性膜３上にアモルファスカーボン又はダイヤ
モンドライクカーボンのカーボン保護膜４を積層形成
し、更にそのカーボン保護膜４の上に液体潤滑材からな
る潤滑膜５を設けたものである。非磁性基板１しては、
例えばアルミニウム基板を用い、この上にＮｉ−Ｐ（ニ
ッケル−リン）メッキ膜をコートし、その表面を研磨し
たものである。この非磁性基板１の上に、例えばＣｒか
らなる膜厚３００ｎｍのＣｒ下地膜２，Ｃｏ８０ａｔ
％，Ｃｒ１４ａｔ％，Ｐｔ６ａｔ％からなる膜厚５０ｎ
ｍのＣｏ合金磁性膜３，及びアモルファスカーボンから
なる膜厚２０ｎｍのカーボン保護膜４を順次スパッタ法
で積層形成する。そして、保護膜４上にフロロカーボン
系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して潤滑膜５を形成す
る。
【０００３】スパッタ成膜工程では成膜異方性（磁気デ
ィスク表面の異なる位置で異なる膜質が生じること）を
避けるため、基板を移動させながら異なるターゲットに
より連続的にスパッタする搬送型スパッタ装置ではな
く、成膜時は搬送基板をターゲット位置に静止させてス
パッタする静止型スパッタ装置（ＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置）が使用される。そして、磁気ディスク（基
板）がディスク穴を有しているため、プラズマ分布がド
ーナツ状分布となるように、円環状（同心円状）ターゲ
ットを用いた静止対向（両面）スパッタ装置が使用され
ている。これによって、磁気ディスクの円周方向のどの
位置もプラズマに接触する割合が平等化するので、円周
方向の磁気特性（Ｈｃ：保磁力、Ｂｒ・δ：残留磁束密
度、Ｓ，Ｓ*：角形比）が非常に揃って均一化してい
る。
ィスク表面の異なる位置で異なる膜質が生じること）を
避けるため、基板を移動させながら異なるターゲットに
より連続的にスパッタする搬送型スパッタ装置ではな
く、成膜時は搬送基板をターゲット位置に静止させてス
パッタする静止型スパッタ装置（ＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置）が使用される。そして、磁気ディスク（基
板）がディスク穴を有しているため、プラズマ分布がド
ーナツ状分布となるように、円環状（同心円状）ターゲ
ットを用いた静止対向（両面）スパッタ装置が使用され
ている。これによって、磁気ディスクの円周方向のどの
位置もプラズマに接触する割合が平等化するので、円周
方向の磁気特性（Ｈｃ：保磁力、Ｂｒ・δ：残留磁束密
度、Ｓ，Ｓ*：角形比）が非常に揃って均一化してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、円環状
ターゲットの中心に対して回転対称のプラズマ分布で
も、半径方向（放射方向）ではプラズマ分布が山形状に
なっているため、円環状ターゲットの内周と外周との中
間部位がプラズマ密度が高く、この部位がエロージョン
によって窪み、磁束密度が不均一となるので、ディスク
の半径方向（放射方向）では磁気特性のバラツキが生じ
ている。そのため、磁気記録媒体として使用した場合、
内周と外周とで磁気特性が異なり、実際の磁気ヘッドで
読み書き動作を行う電磁変換特性試験（ビットシフト）
でも、内周と外周とは異なる値を示す。
ターゲットの中心に対して回転対称のプラズマ分布で
も、半径方向（放射方向）ではプラズマ分布が山形状に
なっているため、円環状ターゲットの内周と外周との中
間部位がプラズマ密度が高く、この部位がエロージョン
によって窪み、磁束密度が不均一となるので、ディスク
の半径方向（放射方向）では磁気特性のバラツキが生じ
ている。そのため、磁気記録媒体として使用した場合、
内周と外周とで磁気特性が異なり、実際の磁気ヘッドで
読み書き動作を行う電磁変換特性試験（ビットシフト）
でも、内周と外周とは異なる値を示す。
【０００５】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、媒体の半径方向の磁気特性（保磁力と残留磁束密
度）が均一化できる磁気記録ディスクの製造方法を提供
することにある。
は、媒体の半径方向の磁気特性（保磁力と残留磁束密
度）が均一化できる磁気記録ディスクの製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の講じた手段は、プラズマ分布がドーナツ状
であって半径方向には山形状と成す円環状ターゲットを
用いた静止対向スパッタ装置にて、非磁性基板の上に、
Ｃｒ下地膜をスパッタ成膜してから、その上にＣｏ合金
磁性膜を積層してスパッタ成膜して成る磁気記録ディス
クの製造方法において、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜とそ
の後のＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜とを同一チャンバ
ー内で放電ガスであるＡｒのガス圧が等しい状態下で行
い、そのガス圧を１０mtorr 〜２０mtorr の範囲内に設
定することを特徴とする。かかる場合、ガス圧として
は、１２mtorr 〜１８mtorr の範囲内に設定することが
望ましい。
め、本発明の講じた手段は、プラズマ分布がドーナツ状
であって半径方向には山形状と成す円環状ターゲットを
用いた静止対向スパッタ装置にて、非磁性基板の上に、
Ｃｒ下地膜をスパッタ成膜してから、その上にＣｏ合金
磁性膜を積層してスパッタ成膜して成る磁気記録ディス
クの製造方法において、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜とそ
の後のＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜とを同一チャンバ
ー内で放電ガスであるＡｒのガス圧が等しい状態下で行
い、そのガス圧を１０mtorr 〜２０mtorr の範囲内に設
定することを特徴とする。かかる場合、ガス圧として
は、１２mtorr 〜１８mtorr の範囲内に設定することが
望ましい。
【０００７】
【作用】プラズマ分布がドーナツ状であって半径方向に
は山形状と成す円環状ターゲットを用いた静止対向スパ
ッタ装置において、Ｃｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜
の成膜をＡｒガス圧を等しくして同一のチャンバー内で
行った（同一チャンバー内にＣｒターゲットとＣｏ合金
ターゲットを搬送方向に並べて設け、成膜時には搬送基
板を各ターゲット位置で静止させる）。これはＣｒ下地
膜のスパッタの後、温度低下しない状態ですぐにＣｏ合
金磁性膜のスパッタを行うと、一般に、保磁力を大きく
できるからである。かかる場合、Ｃｒ下地膜のスパッタ
時のＡｒガス圧とＣｏ合金磁性膜のスパッタ時のＡｒガ
ス圧は等しい値である。そこで、このＡｒガス圧を変化
させて媒体の内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束
密度）の変化を調べた。保磁力は、Ａｒガス圧の低いと
き外周の方が高い傾向を示すが、Ａｒガス圧を高くして
いくと内周が徐々に高くなっていく。また残留磁束密度
は、保磁力とは逆の傾向を示し、Ａｒガス圧の低いとき
内周の方が高い傾向を示すものの、Ａｒガス圧を高くし
ていくと外周が徐々に高くなっていく。このように、保
磁力と残留磁束密度との間にはＡｒガス圧をパラメータ
とする逆相関関係があることを見出した。保磁力の適正
範囲から割り出されたＡｒガス圧の範囲と残留磁束密度
の適正範囲から割り出されたＡｒガス圧の範囲とのオー
バーラップ範囲、即ち、実験によると、低圧領域、即
ち、１０mtorr 〜２０mtorr にＡｒガス圧を設定する
と、内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束密度）が
実質的に同等と見做せるような磁気記録ディスクを製造
できることが判明した。
は山形状と成す円環状ターゲットを用いた静止対向スパ
ッタ装置において、Ｃｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜
の成膜をＡｒガス圧を等しくして同一のチャンバー内で
行った（同一チャンバー内にＣｒターゲットとＣｏ合金
ターゲットを搬送方向に並べて設け、成膜時には搬送基
板を各ターゲット位置で静止させる）。これはＣｒ下地
膜のスパッタの後、温度低下しない状態ですぐにＣｏ合
金磁性膜のスパッタを行うと、一般に、保磁力を大きく
できるからである。かかる場合、Ｃｒ下地膜のスパッタ
時のＡｒガス圧とＣｏ合金磁性膜のスパッタ時のＡｒガ
ス圧は等しい値である。そこで、このＡｒガス圧を変化
させて媒体の内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束
密度）の変化を調べた。保磁力は、Ａｒガス圧の低いと
き外周の方が高い傾向を示すが、Ａｒガス圧を高くして
いくと内周が徐々に高くなっていく。また残留磁束密度
は、保磁力とは逆の傾向を示し、Ａｒガス圧の低いとき
内周の方が高い傾向を示すものの、Ａｒガス圧を高くし
ていくと外周が徐々に高くなっていく。このように、保
磁力と残留磁束密度との間にはＡｒガス圧をパラメータ
とする逆相関関係があることを見出した。保磁力の適正
範囲から割り出されたＡｒガス圧の範囲と残留磁束密度
の適正範囲から割り出されたＡｒガス圧の範囲とのオー
バーラップ範囲、即ち、実験によると、低圧領域、即
ち、１０mtorr 〜２０mtorr にＡｒガス圧を設定する
と、内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束密度）が
実質的に同等と見做せるような磁気記録ディスクを製造
できることが判明した。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【０００９】まず、本発明者は、円環状ターゲットを用
いた静止成膜の対向スパッタ装置を使用して、同一のチ
ャンバー内でＣｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜の成膜
を行い、Ａｒガス圧を変化させて得た磁気記録媒体の磁
気特性と電磁変換特性を測定した。
いた静止成膜の対向スパッタ装置を使用して、同一のチ
ャンバー内でＣｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜の成膜
を行い、Ａｒガス圧を変化させて得た磁気記録媒体の磁
気特性と電磁変換特性を測定した。
【００１０】図１はＡｒガス圧の変化に対する保磁力Ｈ
ｃの変化を示すグラフである。磁気記録媒体は３．５イ
ンチの磁気ディスクとした。□印はディスク中心から２
３ｍｍ位置での内周側測定点で、＋印はディスク中心か
ら４１ｍｍ位置での外周測定点である。内周側及び外周
側の測定は同一の磁気ディクでそれぞれ２回行った。
ｃの変化を示すグラフである。磁気記録媒体は３．５イ
ンチの磁気ディスクとした。□印はディスク中心から２
３ｍｍ位置での内周側測定点で、＋印はディスク中心か
ら４１ｍｍ位置での外周測定点である。内周側及び外周
側の測定は同一の磁気ディクでそれぞれ２回行った。
【００１１】この図から判るように、Ａｒガス圧が低圧
の領域（５〜２５mtorr ）では内周側の保磁力特性と外
周側の保磁力特性とは、Ａｒガス圧約１０mtorr 付近で
交差しているが、両者の相加平均特性（図１の実線）は
上記低圧領域（５〜２５mtorr）ではやや右上がりであ
るものの、ほぼフラットな特性を示している。
の領域（５〜２５mtorr ）では内周側の保磁力特性と外
周側の保磁力特性とは、Ａｒガス圧約１０mtorr 付近で
交差しているが、両者の相加平均特性（図１の実線）は
上記低圧領域（５〜２５mtorr）ではやや右上がりであ
るものの、ほぼフラットな特性を示している。
【００１２】図２はＡｒガス圧の変化に対する残留磁束
密度Ｂｒ・δの変化を示すグラフである。この図から判
るように、Ａｒガス圧が低圧の領域（５〜２５mtorr ）
では内周側の残留磁束密度特性と外周側の残留磁束密度
特性とは、Ａｒガス圧約２０mtorr 付近で交差している
が、両者の相加平均特性（図２の実線）は上記低圧領域
（５〜２５mtorr ）ではやや右下がりを呈しているもの
の、ほぼフラットな特性を示している。
密度Ｂｒ・δの変化を示すグラフである。この図から判
るように、Ａｒガス圧が低圧の領域（５〜２５mtorr ）
では内周側の残留磁束密度特性と外周側の残留磁束密度
特性とは、Ａｒガス圧約２０mtorr 付近で交差している
が、両者の相加平均特性（図２の実線）は上記低圧領域
（５〜２５mtorr ）ではやや右下がりを呈しているもの
の、ほぼフラットな特性を示している。
【００１３】図３は図２の測定に基づいてＡｒガス圧の
変化に対する内周側（半径２３ｍｍ）の保磁力と外周側
（半径４１ｍｍ）の保磁力の差（保磁力の半径方向異方
性：ΔＨｃ） の変化を示すグラフである。Ａｒガス圧
が低いときは外周側の方が保磁力が高いが、Ａｒガス圧
が約１２mtorr で内周側と外周側の保磁力が等しくな
り、保磁力の半径方向異方性が消滅する。Ａｒガス圧が
更に高くなると、今度は内周側の方が保磁力が高くな
る。同一ディスクで半径方向の保磁力にバラツキがない
ものとして扱えるのは、保磁力の差ΔＨｃは通常±５０
（Ｏｅ）以下とする必要がある。従って、保磁力に関す
るＡｒガス圧の条件は５〜２０mtorr である。
変化に対する内周側（半径２３ｍｍ）の保磁力と外周側
（半径４１ｍｍ）の保磁力の差（保磁力の半径方向異方
性：ΔＨｃ） の変化を示すグラフである。Ａｒガス圧
が低いときは外周側の方が保磁力が高いが、Ａｒガス圧
が約１２mtorr で内周側と外周側の保磁力が等しくな
り、保磁力の半径方向異方性が消滅する。Ａｒガス圧が
更に高くなると、今度は内周側の方が保磁力が高くな
る。同一ディスクで半径方向の保磁力にバラツキがない
ものとして扱えるのは、保磁力の差ΔＨｃは通常±５０
（Ｏｅ）以下とする必要がある。従って、保磁力に関す
るＡｒガス圧の条件は５〜２０mtorr である。
【００１４】図４は図３の測定に基づいてＡｒガス圧の
変化に対する内周側（半径２３ｍｍ）の残留磁束密度と
外周側（半径４１ｍｍ）の残留磁束密度の差（残留磁束
密度の半径方向異方性：Δ（Ｂｒ・δ））の変化を示す
グラフである。図４は図３の特性とは逆の関係を示して
いる。Ａｒガス圧が低いときは内周側の方が残留磁束密
度が高いが、Ａｒガス圧が更に高くしていくと、残留磁
束密度の半径方向異方性が減少してＡｒガス圧が約１８
mtorr で内周側と外周側の残留磁束密度が等しくなる。
そしてＡｒガス圧が更に高くなると、今度は外周側の方
が残留磁束密度が高くなる。同一ディスクで半径方向の
残留磁束密度にバラツキがないものとして扱えるのは、
残留磁束密度の差Δ（Ｂｒ・δ）は通常±２０（Ｇ・μ
ｍ）以下とする必要がある。従って、残留磁束密度に関
するＡｒガス圧の条件は１０〜２５mtorr である。 図
３及び図４より、保磁力及び残留磁束密度の異方性が低
減できるＡｒガス圧としては、両者のオーバーラップ範
囲、即ち１０〜２０mtorrである。気体運動論的には気
圧変動が必然的に生じているが、１５mtorr ±５mtorr
の実現は可能である。そして望ましくは、１２〜１８mt
orr 、即ち１５mtorr ±３mtorr に収まるようにＡｒガ
ス圧を制御すると、磁気異方性が殆ど消滅した磁気記録
媒体を得ることができる。
変化に対する内周側（半径２３ｍｍ）の残留磁束密度と
外周側（半径４１ｍｍ）の残留磁束密度の差（残留磁束
密度の半径方向異方性：Δ（Ｂｒ・δ））の変化を示す
グラフである。図４は図３の特性とは逆の関係を示して
いる。Ａｒガス圧が低いときは内周側の方が残留磁束密
度が高いが、Ａｒガス圧が更に高くしていくと、残留磁
束密度の半径方向異方性が減少してＡｒガス圧が約１８
mtorr で内周側と外周側の残留磁束密度が等しくなる。
そしてＡｒガス圧が更に高くなると、今度は外周側の方
が残留磁束密度が高くなる。同一ディスクで半径方向の
残留磁束密度にバラツキがないものとして扱えるのは、
残留磁束密度の差Δ（Ｂｒ・δ）は通常±２０（Ｇ・μ
ｍ）以下とする必要がある。従って、残留磁束密度に関
するＡｒガス圧の条件は１０〜２５mtorr である。 図
３及び図４より、保磁力及び残留磁束密度の異方性が低
減できるＡｒガス圧としては、両者のオーバーラップ範
囲、即ち１０〜２０mtorrである。気体運動論的には気
圧変動が必然的に生じているが、１５mtorr ±５mtorr
の実現は可能である。そして望ましくは、１２〜１８mt
orr 、即ち１５mtorr ±３mtorr に収まるようにＡｒガ
ス圧を制御すると、磁気異方性が殆ど消滅した磁気記録
媒体を得ることができる。
【００１５】このようなＡｒガス圧の最適範囲で製造さ
れた磁気記録媒体の電磁変換特性を図５〜図１０に示
す。図５は内周の低周波数再生出力ＬＦ（μＶ）のＡｒ
ガス圧依存性を示すグラフである。図６は内周の高周波
数再生出力ＨＦ（μＶ）のＡｒガス圧依存性を示すグラ
フである。ＬＦ，ＨＦ共に、Ａｒガス圧を上げると、内
周の残留磁束密度が下がるに従い、除々に減少するが、
１０〜２０mtorr の範囲内では略±６％以下のパラツキ
に収まっている。図７は内周の分解能Ｒｅｓ（％）のＡ
ｒガス圧依存性を示すグラフで、Ａｒガス圧を上げると
内周の保磁力の上昇に伴い除々に大きくなっていくが、
分解能Ｒｅｓは略±２％以下に収まっている。図８は外
周のオーバーライトＯ／Ｗ（ｄＢ）のＡｒガス圧依存性
を示すグラフである。Ａｒガス圧を上げると、外周の保
磁力の減少に従い除々に小さくなっていくが、略±１
（ｄＢ）以下のバラツキに収まっている。
れた磁気記録媒体の電磁変換特性を図５〜図１０に示
す。図５は内周の低周波数再生出力ＬＦ（μＶ）のＡｒ
ガス圧依存性を示すグラフである。図６は内周の高周波
数再生出力ＨＦ（μＶ）のＡｒガス圧依存性を示すグラ
フである。ＬＦ，ＨＦ共に、Ａｒガス圧を上げると、内
周の残留磁束密度が下がるに従い、除々に減少するが、
１０〜２０mtorr の範囲内では略±６％以下のパラツキ
に収まっている。図７は内周の分解能Ｒｅｓ（％）のＡ
ｒガス圧依存性を示すグラフで、Ａｒガス圧を上げると
内周の保磁力の上昇に伴い除々に大きくなっていくが、
分解能Ｒｅｓは略±２％以下に収まっている。図８は外
周のオーバーライトＯ／Ｗ（ｄＢ）のＡｒガス圧依存性
を示すグラフである。Ａｒガス圧を上げると、外周の保
磁力の減少に従い除々に小さくなっていくが、略±１
（ｄＢ）以下のバラツキに収まっている。
【００１６】電磁変換特性の総合的な評価となるビット
シフト（ｎｓｅｃ）のＡｒガス圧依存性を図９及び図１
０に示す。図９は内周のビットシフト、図１０は外周の
ビットシフトの場合である。図９及び図１０のビットシ
フト特性曲線はＡｒガスが約１５mtorr で極小値となっ
ている。図から明らかなように、１０〜２０mtorr の範
囲内ではビットシフトに関しての異方性は殆ど認められ
ないと言える。
シフト（ｎｓｅｃ）のＡｒガス圧依存性を図９及び図１
０に示す。図９は内周のビットシフト、図１０は外周の
ビットシフトの場合である。図９及び図１０のビットシ
フト特性曲線はＡｒガスが約１５mtorr で極小値となっ
ている。図から明らかなように、１０〜２０mtorr の範
囲内ではビットシフトに関しての異方性は殆ど認められ
ないと言える。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、プラズ
マ分布がドーナツ状であって半径方向には山形状と成す
円環状ターゲットを用いた静止対向スパッタ装置にて、
非磁性基板の上に、Ｃｒ下地膜をスパッタ成膜してか
ら、その上にＣｏ合金磁性膜を積層してスパッタ成膜し
て成る磁気記録ディスクの製造方法において、Ｃｒ下地
膜のスパッタ成膜とその後のＣｏ合金磁性膜のスパッタ
成膜とを同一チャンバー内でＡｒのガス圧が等しい状態
下で行い、そのガス圧を１０mtorr 〜２０mtorr の範囲
内に設定してなる点に特徴を有するものである。従っ
て、次の効果を奏する。
マ分布がドーナツ状であって半径方向には山形状と成す
円環状ターゲットを用いた静止対向スパッタ装置にて、
非磁性基板の上に、Ｃｒ下地膜をスパッタ成膜してか
ら、その上にＣｏ合金磁性膜を積層してスパッタ成膜し
て成る磁気記録ディスクの製造方法において、Ｃｒ下地
膜のスパッタ成膜とその後のＣｏ合金磁性膜のスパッタ
成膜とを同一チャンバー内でＡｒのガス圧が等しい状態
下で行い、そのガス圧を１０mtorr 〜２０mtorr の範囲
内に設定してなる点に特徴を有するものである。従っ
て、次の効果を奏する。
【００１８】 プラズマ分布がドーナツ状であって半
径方向には山形状と成す円環状ターゲットを用いた静止
対向スパッタ装置にて、非磁性基板の上に、Ｃｒ下地膜
をスパッタ成膜してから、その上にＣｏ合金磁性膜を積
層してスパッタ成膜して成る磁気記録ディスクの製造方
法において、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜とその後のＣｏ
合金磁性膜のスパッタ成膜とを同一チャンバー内でＡｒ
のガス圧が等しい状態下で行う場合には、保磁力と残留
磁束密度との間にはＡｒガス圧をパラメータとする逆相
関関係が見出されるが、保磁力の適正範囲から割り出さ
れたＡｒガス圧の範囲と残留磁束密度の適正範囲から割
り出されたＡｒガス圧の範囲とのオーバーラップ範囲で
あるところの、１０mtorr 〜２０mtorr にＡｒガス圧を
設定すると、内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束
密度）が実質的に同等と見做せる磁気記録ディスクを製
造でき、異方性の改善により品質の向上を図ることがで
きる。
径方向には山形状と成す円環状ターゲットを用いた静止
対向スパッタ装置にて、非磁性基板の上に、Ｃｒ下地膜
をスパッタ成膜してから、その上にＣｏ合金磁性膜を積
層してスパッタ成膜して成る磁気記録ディスクの製造方
法において、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜とその後のＣｏ
合金磁性膜のスパッタ成膜とを同一チャンバー内でＡｒ
のガス圧が等しい状態下で行う場合には、保磁力と残留
磁束密度との間にはＡｒガス圧をパラメータとする逆相
関関係が見出されるが、保磁力の適正範囲から割り出さ
れたＡｒガス圧の範囲と残留磁束密度の適正範囲から割
り出されたＡｒガス圧の範囲とのオーバーラップ範囲で
あるところの、１０mtorr 〜２０mtorr にＡｒガス圧を
設定すると、内周と外周の磁気特性（保磁力と残留磁束
密度）が実質的に同等と見做せる磁気記録ディスクを製
造でき、異方性の改善により品質の向上を図ることがで
きる。
【００１９】 Ａｒガス圧を１２mtorr 〜１８mtorr
の範囲内に設定すると、更に良好な異方性の改善を図る
ことができる。
の範囲内に設定すると、更に良好な異方性の改善を図る
ことができる。
【図１】本発明の実施例において、Ｃｒ下地膜とＣｏ合
金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧の変化に対する
磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。
金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧の変化に対する
磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例において、Ｃｒ下地膜とＣｏ合
金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧の変化に対する
磁気記録媒体の残留磁束密度Ｂｒ・δの変化を示すグラ
フである。
金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧の変化に対する
磁気記録媒体の残留磁束密度Ｂｒ・δの変化を示すグラ
フである。
【図３】本発明の実施例において、図２の測定に基づい
てＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒ
ガス圧の変化に対する磁気記録媒体の内周側（半径２３
ｍｍ）の保磁力と外周側（半径４１ｍｍ）の保磁力の差
（保磁力の半径方向異方性：ΔＨｃ）の変化を示すグラ
フである。
てＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒ
ガス圧の変化に対する磁気記録媒体の内周側（半径２３
ｍｍ）の保磁力と外周側（半径４１ｍｍ）の保磁力の差
（保磁力の半径方向異方性：ΔＨｃ）の変化を示すグラ
フである。
【図４】本発明の実施例において、図３の測定に基づい
てＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒ
ガス圧の変化に対する磁気記録媒体の内周側（半径２３
ｍｍ）の残留磁束密度と外周側（半径４１ｍｍ）の残留
磁束密度の差（残留磁束密度の半径方向異方性：Δ（Ｂ
ｒ・δ））の変化を示すグラフである。
てＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜時のＡｒ
ガス圧の変化に対する磁気記録媒体の内周側（半径２３
ｍｍ）の残留磁束密度と外周側（半径４１ｍｍ）の残留
磁束密度の差（残留磁束密度の半径方向異方性：Δ（Ｂ
ｒ・δ））の変化を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例において、磁気記録媒体の内周
の低周波数再生出力ＬＦのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフであ
る。
の低周波数再生出力ＬＦのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフであ
る。
【図６】本発明の実施例において、磁気記録媒体の内周
の高周波数再生出力ＨＦのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフであ
る。
の高周波数再生出力ＨＦのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフであ
る。
【図７】本発明の実施例において、磁気記録媒体の内周
の分解能ＲｅｓのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
の分解能ＲｅｓのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例において、磁気記録媒体の内周
の外周のオーバーライトＯ／ＷＣｒ下地膜とＣｏ合金磁
性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフ
である。
の外周のオーバーライトＯ／ＷＣｒ下地膜とＣｏ合金磁
性膜のスパッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフ
である。
【図９】本発明の実施例において、磁気記録媒体の内周
のビットシフトのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
のビットシフトのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例において、磁気記録媒体の外
周のビットシフトのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパ
ッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
周のビットシフトのＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパ
ッタ成膜時のＡｒガス圧依存性を示すグラフである。
【図１１】一般的な金属薄膜磁気記録ディスク（媒体）
の断面構造を示す模式的断面図である。
の断面構造を示す模式的断面図である。
１…非磁性基板 ２…Ｃｒ下地層 ３…Ｃｏ合金磁性層 ４…カーボン保護層 ５…潤滑層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−68716（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−178915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−127433（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−111878（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−73522（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−189762（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−300430（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/84 - 5/858 C23C 14/34
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ分布がドーナツ状であって半径
方向には山形状と成す円環状ターゲットを用いた静止対
向スパッタ装置にて、非磁性基板の上に、Ｃｒ下地膜を
スパッタ成膜してから、その上にＣｏ合金磁性膜を積層
してスパッタ成膜して成る磁気記録ディスクの製造方法
において、 前記Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜とその後の前記Ｃｏ合金
磁性膜のスパッタ成膜とを同一チャンバー内で放電ガス
であるＡｒのガス圧が等しい状態下で行い、前記ガス圧
が１０mtorr 〜２０mtorr の範囲内にあることを特徴と
する磁気記録ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録ディスクの製
造方法において、前記ガス圧が１２mtorr 〜１８mtorr
の範囲内にあることを特徴とする磁気記録ディスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12095094A JP3235345B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 磁気記録ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12095094A JP3235345B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 磁気記録ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326051A JPH07326051A (ja) | 1995-12-12 |
| JP3235345B2 true JP3235345B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=14798993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12095094A Expired - Fee Related JP3235345B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 磁気記録ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235345B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP12095094A patent/JP3235345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07326051A (ja) | 1995-12-12 |
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