JPS5877239A - 連続式真空処理装置 - Google Patents
連続式真空処理装置Info
- Publication number
- JPS5877239A JPS5877239A JP17561481A JP17561481A JPS5877239A JP S5877239 A JPS5877239 A JP S5877239A JP 17561481 A JP17561481 A JP 17561481A JP 17561481 A JP17561481 A JP 17561481A JP S5877239 A JPS5877239 A JP S5877239A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- chambers
- process chambers
- processing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はワークに成膜、スパッタエツチング等の処理を
連続して行なう式の真空処理装置に関する。
連続して行なう式の真空処理装置に関する。
従来この種装置として、ワークの移送路上に複数の真空
処理室を順次設け、各処理室に於て該ワークに成膜、ス
パッタエツチングその他の処理を施す式のものが知られ
るが、この場合酸ワークの処理のために各処理室に夫々
導入されるガスが相互に混同し或は汚染するを防ぐべく
各処理室の前後にスリットチャンバを設けるを一般とす
る。而してこのスリットチャンバはワークの大形化に伴
なうスリットの大径化によりその気密性が低下し、各処
理室のガスが混同、汚染し勝ちである不都合が存すると
共に各処理室に於ける処理に失敗したワークを処理工程
の途中で取出し或はワークを途中の処理工程がら割込ま
せることが出来ない等の不便があった。
処理室を順次設け、各処理室に於て該ワークに成膜、ス
パッタエツチングその他の処理を施す式のものが知られ
るが、この場合酸ワークの処理のために各処理室に夫々
導入されるガスが相互に混同し或は汚染するを防ぐべく
各処理室の前後にスリットチャンバを設けるを一般とす
る。而してこのスリットチャンバはワークの大形化に伴
なうスリットの大径化によりその気密性が低下し、各処
理室のガスが混同、汚染し勝ちである不都合が存すると
共に各処理室に於ける処理に失敗したワークを処理工程
の途中で取出し或はワークを途中の処理工程がら割込ま
せることが出来ない等の不便があった。
本発明はこのような不都合等を解決することをその目的
としたもので、ワークの移送路上に複数の真空処理室を
順次設け、各処理室に於て該ワークに成膜、スパッタエ
ツチングその他の処理を連続的に施す式のものに於て、
各真空処理室間に左右の各処理室と仕切弁を介して連通
自在であると共にガス導入口と高真空排気口とを備えた
隔離室を介在したことを特徴とする。
としたもので、ワークの移送路上に複数の真空処理室を
順次設け、各処理室に於て該ワークに成膜、スパッタエ
ツチングその他の処理を連続的に施す式のものに於て、
各真空処理室間に左右の各処理室と仕切弁を介して連通
自在であると共にガス導入口と高真空排気口とを備えた
隔離室を介在したことを特徴とする。
本発明装置の１例を図面につき説明するに、（１）はシ
レー（１＆）の下面に複数枚取付けされたワーク６、（
２）は該リーク（１）が移送される例えばｐ−ラコンベ
ヤからなる移送路を示し、該移送路（２）の上流側には
複数枚のワーク（１１が収容された気密の仕込室（３）
が設けられると共に下流側には該移送路（２）を移送さ
れて来るワーク（１）を受納する気密の取出室（４）が
設けられる。該移送路（２）上には送られて来るワーク
（１）を収容してこれに真空蒸着等の処理を施す真空処
理室（５）が例えば３室設けられるが各真空処理室（５
１（５１間には仕切弁（６）を介してこれらの室（５）
に連通自在の隔離室（７）を夫夫介在させ、移送路（２
）上のワーク（１）は該隔離室（７）内にその上流側の
仕切弁（６ａ）の開弁と同時に送り込まれ、該上流側の
仕切弁（６＆）が閉弁して下流側の仕切弁（６ｂ）が開
弁されると該隔離室（７）ツタリング電極（８）を備え
たスパッタリング室（５ａ）に構成し、中間の真空処理
室（５）を蒸発源（９）を備えた蒸着室（５ｂ）に構成
してワーク（１）にスパッタリングと蒸着とスパッタリ
ングによる成膜処理が順次行なわれるようにした。各隔
離室（７）には活性ガス或は不活性ガスのガス注入装置
ａ〔に接続されたガス導入口ａｌｌと、高真空排気装置
α２に接続された高真空排気口−とが設けられ、ワーク
（１）を処理室（５）に送り出すに際して予め該処理室
（５）の雰囲気に適合すべく各隔離室（７）内の排気と
ガスの注入とが行なわれるようにした。該高真空排気口
αｊと同様の排気口（１４）が各真空処理室（５）ｌ仕
込室（３）及び取出室（４）に設けられ、さらに必要に
応じて前記ガス導入口αＢと同様のガス注入口ａ９が処
理室（５ｍ） （５ａ）に設けられる。００はワーク（
１）を予熱すべく上流側の隔離室（７ａ）内に設けたヒ
ータ、ａηはコンベア駆動用のモータ、ＱＳＧまスパッ
タリング電極（８）の電源である。
レー（１＆）の下面に複数枚取付けされたワーク６、（
２）は該リーク（１）が移送される例えばｐ−ラコンベ
ヤからなる移送路を示し、該移送路（２）の上流側には
複数枚のワーク（１１が収容された気密の仕込室（３）
が設けられると共に下流側には該移送路（２）を移送さ
れて来るワーク（１）を受納する気密の取出室（４）が
設けられる。該移送路（２）上には送られて来るワーク
（１）を収容してこれに真空蒸着等の処理を施す真空処
理室（５）が例えば３室設けられるが各真空処理室（５
１（５１間には仕切弁（６）を介してこれらの室（５）
に連通自在の隔離室（７）を夫夫介在させ、移送路（２
）上のワーク（１）は該隔離室（７）内にその上流側の
仕切弁（６ａ）の開弁と同時に送り込まれ、該上流側の
仕切弁（６＆）が閉弁して下流側の仕切弁（６ｂ）が開
弁されると該隔離室（７）ツタリング電極（８）を備え
たスパッタリング室（５ａ）に構成し、中間の真空処理
室（５）を蒸発源（９）を備えた蒸着室（５ｂ）に構成
してワーク（１）にスパッタリングと蒸着とスパッタリ
ングによる成膜処理が順次行なわれるようにした。各隔
離室（７）には活性ガス或は不活性ガスのガス注入装置
ａ〔に接続されたガス導入口ａｌｌと、高真空排気装置
α２に接続された高真空排気口−とが設けられ、ワーク
（１）を処理室（５）に送り出すに際して予め該処理室
（５）の雰囲気に適合すべく各隔離室（７）内の排気と
ガスの注入とが行なわれるようにした。該高真空排気口
αｊと同様の排気口（１４）が各真空処理室（５）ｌ仕
込室（３）及び取出室（４）に設けられ、さらに必要に
応じて前記ガス導入口αＢと同様のガス注入口ａ９が処
理室（５ｍ） （５ａ）に設けられる。００はワーク（
１）を予熱すべく上流側の隔離室（７ａ）内に設けたヒ
ータ、ａηはコンベア駆動用のモータ、ＱＳＧまスパッ
タリング電極（８）の電源である。
その作動を説明するに各真空処理室（５）をワーク（１
）の処理に適した雰囲気とし、仕込室（３）から開弁し
た仕切弁（６＆）を介して隔離室（７ａ）内にトレー（
１ｍ）に取付けられたワーク（１）が送り込まれると該
仕切弁（６ａ）が閉じられて該隔離室（７ａ）内を密室
化する。次いで該隔離室（７ａ）内は高真空排気口ａｊ
を介して真空排気されたのちガス導入口０Ｄを介してそ
の下流側の処理室（５ａ）の雰囲気と同種、同等の雰囲
気となし、仕切弁（６ｂ）が開かれてワーク（１）を処
理室（５ａ）内に送り出し、該仕切弁（６ｂ）は再び閉
じる。該処理室（５ａ）内はその上流側の隔離室（７ａ
）が同雰囲気であるのでワーク（１１の移送に伴ない生
じ勝ちのガスの汚染痔かない。処理室（５ａ）でのワー
ク（１）の処理が終るとその下流側の隔離室（７ｂ）の
仕切弁（６ａ）が開閉してワーク（１）が該隔離室（７
ｂ）内に送り込まれる。
）の処理に適した雰囲気とし、仕込室（３）から開弁し
た仕切弁（６＆）を介して隔離室（７ａ）内にトレー（
１ｍ）に取付けられたワーク（１）が送り込まれると該
仕切弁（６ａ）が閉じられて該隔離室（７ａ）内を密室
化する。次いで該隔離室（７ａ）内は高真空排気口ａｊ
を介して真空排気されたのちガス導入口０Ｄを介してそ
の下流側の処理室（５ａ）の雰囲気と同種、同等の雰囲
気となし、仕切弁（６ｂ）が開かれてワーク（１）を処
理室（５ａ）内に送り出し、該仕切弁（６ｂ）は再び閉
じる。該処理室（５ａ）内はその上流側の隔離室（７ａ
）が同雰囲気であるのでワーク（１１の移送に伴ない生
じ勝ちのガスの汚染痔かない。処理室（５ａ）でのワー
ク（１）の処理が終るとその下流側の隔離室（７ｂ）の
仕切弁（６ａ）が開閉してワーク（１）が該隔離室（７
ｂ）内に送り込まれる。
該隔離室（７ｂ）内は処理室（５ａ）と同雰囲気になる
ように予めガス導入口αＪから注入されるガス及び排気
口０からの排気により１１節されて用意されるが、ワー
ク（１）が送り込まれた後には次の処理室（５ｂ）の雰
囲気と適合すべく調節され、ワーク（１）が該処理室（
５ｂ）に進入する際にその雰囲気を乱すことを防止する
。
ように予めガス導入口αＪから注入されるガス及び排気
口０からの排気により１１節されて用意されるが、ワー
ク（１）が送り込まれた後には次の処理室（５ｂ）の雰
囲気と適合すべく調節され、ワーク（１）が該処理室（
５ｂ）に進入する際にその雰囲気を乱すことを防止する
。
ワーク（１）の移送状況に応じて下流側の各隔離室（７
）は前記した作動を繰返し、各処理室（５）での処理の
終えたワーク（１）は取出室（４）から取出される〇同
各処理室（５）に於ける処理が不調に終わったワ一り（
１）は隔離室（７）に送り込まれたとき取出され、さら
に該隔離室（７）から新たなワーク（１）を割り込ませ
得るもので、この取出しに際しては処理室（５）の雰囲
気が損なわれることがないと共に真空処理装置全体を停
止する必要もなく処理能率を低下させることがない。
）は前記した作動を繰返し、各処理室（５）での処理の
終えたワーク（１）は取出室（４）から取出される〇同
各処理室（５）に於ける処理が不調に終わったワ一り（
１）は隔離室（７）に送り込まれたとき取出され、さら
に該隔離室（７）から新たなワーク（１）を割り込ませ
得るもので、この取出しに際しては処理室（５）の雰囲
気が損なわれることがないと共に真空処理装置全体を停
止する必要もなく処理能率を低下させることがない。
このように本発明によるときは各真空処理室間に仕切弁
を介して連通自在の隔離室を設け、各隔離室にはガス導
入口と高真空排気口とを設けるようにしたので各真空処
理室の気密性を向上させ得ると共に各処理室のガスが混
同汚染することなく、大型のワークに高度の真空処理を
能率良く行なえ、各隔離室からワークの取出し割込みを
行なえて便利である等の効果がある。
を介して連通自在の隔離室を設け、各隔離室にはガス導
入口と高真空排気口とを設けるようにしたので各真空処
理室の気密性を向上させ得ると共に各処理室のガスが混
同汚染することなく、大型のワークに高度の真空処理を
能率良く行なえ、各隔離室からワークの取出し割込みを
行なえて便利である等の効果がある。
図面は本発明装置の１例を示す説明Ｍ図である０
Claims (1)
- リークの移送路上に複数の真空処理室を順次設け、各処
理室に於て該ワークに成膜、スパッタエツチングその他
の処理を連続的に施す式のものに於て、各真空処理室間
に左右の各処理室と仕切弁を介して連通自在であると共
にガス導入口と高真空排気口とを備えた隔離室を介在し
たことを特徴とする連続式真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17561481A JPS5877239A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 連続式真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17561481A JPS5877239A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 連続式真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877239A true JPS5877239A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15999164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17561481A Pending JPS5877239A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 連続式真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877239A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050924A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61194809A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS61271836A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS62104036A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Nippon Tairan Kk | 半導体処理装置 |
| JPS6383286A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Anelva Corp | エツチング装置 |
| JPS63248132A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法およびその装置 |
| JPS63303059A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPS6431971A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment device |
| EP0307539A2 (de) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| US4969790A (en) * | 1987-08-12 | 1990-11-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus on the carousel principle for the coating of substrates |
| JPH03135023A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の双方向処理装置 |
| US5244554A (en) * | 1990-06-18 | 1993-09-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing recording media and its apparatus |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP17561481A patent/JPS5877239A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050924A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61194809A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS61271836A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS62104036A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Nippon Tairan Kk | 半導体処理装置 |
| JPS6383286A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Anelva Corp | エツチング装置 |
| JPS63248132A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法およびその装置 |
| JPS63303059A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0159353B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1989-12-15 | Tokuda Seisakusho | |
| JPS6431971A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment device |
| JPH0242901B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1990-09-26 | ||
| US4969790A (en) * | 1987-08-12 | 1990-11-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus on the carousel principle for the coating of substrates |
| EP0307539A2 (de) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| JPH03135023A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の双方向処理装置 |
| US5244554A (en) * | 1990-06-18 | 1993-09-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing recording media and its apparatus |
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