JPH03130317A - 多室型真空熱処理炉を構成する各室の清浄度維持方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、多室型真空熱処理炉を構成する各室の清浄
度維持方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、多室型真空熱処理炉は第３図〜第６図に示されて
いる。まず、第３図は加熱室１、取出室２の順序で連接
した２室型真空熱処理炉を示している。次に、第４図は
準備室３、加熱室１、取出室２の順序で連接した３室型
真空熱処理炉を示している。その次に、第５図は準備室
３、予備加熱室４、加熱室１１取出室２の順序で連接し
た４室型真空熱処理炉を示している。更にその次に、第
６図は準備室３、第１予備加熱４ａ、そしてＮ１番目の
加熱室１．Ｎ番目の取出室２の順序で連接したＮ室型真
空熱処理炉を示している。なお、第３図〜第６図におい
て、１１　ａ、　ｌ　ｌ　ｂ、　　１１ｃ、　　１１　
ｄ、　　１１　ｅ、　　Ｌ　１　ｆは仕切弁、１２ａ。

１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは真空排気弁、１３ａ、１３ｂ
１１３ｃＳ　１３ｄは真空ポンプである。

したがって、ワーク（被処理物）は処理工程に応じて、
例えば、第５図の４室型真空熱処理炉であれば、準備室
３、予備加熱室４、加熱室工、取出室２の順序で搬送さ
れる。

（発明が解決しようとする課題） 従来、多室型真空熱処理炉は、上記のようにワーク（被
処理物）を処理工程に応じて、準備室３や加熱室１等の
各室に順次搬送するようにしているので、第５図の準備
室３と予備加熱室４とを取り出した第７図に示されるよ
うに、ワーク（被処理物）１４を準備室３に入れると、
まず、ワーク（被処理物）１４に付着していた油やバイ
ンダー等の不純物が準備室３内に放出され、準備室３内
の雰囲気が汚染されるようになる。

したがって、その後、第８図に示されるように準備室３
と予備加熱室４とを仕切る仕切弁１１ｂを開いて、ワー
ク（被処理物）１４を準備室３より予備加熱室４に搬送
しようとする際には、準備室３内を汚染する雰囲気ガス
が準備室３より予備加熱室４内に流れ込み、予備加熱室
４内が新たに汚染されるようになる。

このように、ワーク（被処理物）１４の搬送につれて、
準備室３や予備加熱室４内を順次汚染して行くと、最後
は加熱室ｌ内も汚染され、加熱室１内での期待される処
理が不可能になる問題が発生する。

この発明の目的は、従来の問題を解決して、加熱室手前
の室で汚染がなされても、その汚染を加熱室等の他の室
に及ぼさない多室型真空熱処理炉を構成する各室の清浄
度維持方法を提供するものである。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明の多室型真空熱処
理炉を構成する各室の清浄度維持方法は、ワークを前室
から後室へ搬送する直前、前室と仕切弁で仕切られてい
る後室に不活性ガスを導入して、前室の圧力より後室の
圧力を高くし、その後、上記仕切弁を開いて、ワークを
前室から後室へ搬送するとき、後室への不活性ガスの導
入を継続しながら、後室に導入した不活性ガスを後室よ
り前室に流入させ、その流入した不活性ガスを前室より
排気することを特徴とするものである。

（作用） この発明においては、後室に導入した不活性ガスを後室
より前室に流入させ、その流入した不活性ガスを前室よ
り排気するようにしているので、前室内が不純物ガスで
汚染されていても、その不純物ガスは後室に流れ込まな
くなる。

（実施例） 以下、この発明の実施例について説明する。

第１図はこの発明の実施例の方法に係る多室型真空熱処
理炉を示している。多室型真空熱処理炉は２つ以上の室
を仕切弁を介して直列に連接したものであるが、同図は
その一部を取り出したものである。同図において、前室
２１と、加熱室に相当する後室２２とは仕切弁２３ａを
介して直列に連接されている。前室２１に入口には仕切
弁２３ｂが設けられ、また、後室２２の出口にも仕切弁
２３ｃが設けられている。前室２１には、ガス流量調節
弁２４ａと、ガス導入弁２５ａとを備えたガス導入経路
２６ａが接続され、そのガス導入経路２６ａを通って、
Ｎ２やＡｒ等の不活性ガスが前室２１に導入可能になっ
ている。また、後室２２にも、ガス流量調節弁２４ｂと
、ガス導入弁２５ｂとを備えたガス導入経路２６ｂが接
続され、そのガス導入経路２６ｂを通って、Ｎ２やＡｒ
等の不活性ガスが後室２２に導入可能になっている。

更に、前室２１には、ガス排気弁２７ａと、メカニカル
ブースターポンプ２８ａと、油回転ポンプ２９ａとを備
えた真空排気経路３０ａが専用に接続されている。また
、後室２２にも、ガス排気弁２７ｂと、メカニカルブー
スターポンプ２８ｂと、油回転ポンプ２９ｂとを備えた
真空排気経路３０ｂが専用に接続されている。なお、３
１はガス導入経路２６ｂに接続されたガス放出ノズルで
あって、後室２２内に位置するものである。

次に、上記多室型真空熱処理炉における後室の清浄度維
持方法について説明する。

■まず、ワーク（被処理物）２０を前室２１に置き、仕
切弁２３ａ、２３ｂ、２３ｃを全て閉じた状態で、ガス
導入弁２５ａを開き、ガス導入経路２６ａより前室２１
に不活性ガスを導入すると共に、ガス排気弁２７ａを開
き、真空排気経路３０ａよりその導入した不活性ガスを
排気する。

■その後、ガス導入弁２５ａを閉じの一方で、ガス排気
弁２７ａを開いたままにして、前室２１の排気を続ける
と同時に、ガス排気弁２７ｂを閉じ、ガス導入弁２５ｂ
を開いて、後室２２に不活性ガスを導入し、後室２２の
圧力を前室２１の圧力より大きい状態にする。

■この状態で、仕切弁２３ａだけを開き、ワーク（被処
理物）２０を前室２１より後室２２に搬送させる。この
とき、後室２２の圧力は前室２１の圧力より大きいため
、後室２２に導入の継続されている不活性ガスは後室２
２より前室２１に流入し、前室２１の真空排気経路３０
ａより排気されるようになる。

なお、上記実施例の方法は、第２図に示されるように前
室２１が油冷却室で、後室２２が加熱室である場合にも
非常に有効である。即ち、前室２１の油冷却室で発生し
た油蒸気３２は、後室２２の加熱室に流入しなくなる。

３３は真空ポンプである。

ところで、上記方法は、インライン式スパッタ装置や、
インライン式ＣＶＤ装置にも転用することができる。

（発明の効果） この発明によれば、後室に導入した不活性ガスを後室よ
り前室に流入させ、その流入した不活性ガスを前室より
排気するようにしているので、前室内でワーク（被処理
物）に付着し油やバインダー等の不純物が放出され、前
室内が不純物ガスで汚染されていても、その不純物ガス
は後室に流れ込まなくなり、汚染を前室だけにすること
ができる。また、仮に、前室内の汚染された不純物ガス
が後室に少しだけ流れ込んでも、後室が完全に汚染され
るまでに非常に長時間を要するようになる。

このようなことから、多室型真空熱処理炉の保守点検期
間が長くなり、保守点検費用を削減することができると
共に、炉の稼働率を向上させて、製品１個当たりのラン
ニングコストを低減することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例の方法に係る多室型真空熱処
理炉の一部を取り出した説明図、第２図はこの発明の実
施例の方法に係る多室型真空熱処理炉の変形を示す説明
図である。第３図は従来の２室型真空熱処理炉を示す説
明図、第４図は従来の３室型真空熱処理炉を示す説明図
、第５図は従来の４室型真空熱処理炉を示す説明図、第
６図は従来のＮ室型真空熱処理炉を示す説明図、第７図
及び第７図は第５図の準備室と予備加熱室とを取り出し
た説明図である。 図中、 ２１・・・・・前室 ２２・・・・・後室 ２３ａ・・・・仕切弁 ２６ａ・・・・ガス導入経路 ２６ｂ・・・・ガス導入経路 ３０ａ・・・・真空排気経路 ３０ｂ・・・・真空排気経路

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ワークを前室から後室へ搬送する直前、前室と仕切
   弁で仕切られている後室に不活性ガスを導入して、前室
   の圧力より後室の圧力を大きくし、その後、上記仕切弁
   を開いて、ワークを前室から後室へ搬送するとき、後室
   への不活性ガスの導入を継続しながら、後室に導入した
   不活性ガスを後室より前室に流入させ、その流入した不
   活性ガスを前室より排気することを特徴とする多室型真
   空熱処理炉を構成する各室の清浄度維持方法。 ２、上記後室は加熱室であることを特徴とする請求項１
   記載の多室型真空熱処理炉を構成する各室の清浄度維持
   方法