JPS60115227A - プラズマ等の処理方法とその装置 - Google Patents

プラズマ等の処理方法とその装置

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JPS60115227A
JPS60115227A JP22212883A JP22212883A JPS60115227A JP S60115227 A JPS60115227 A JP S60115227A JP 22212883 A JP22212883 A JP 22212883A JP 22212883 A JP22212883 A JP 22212883A JP S60115227 A JPS60115227 A JP S60115227A
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JP
Japan
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chamber
vacuum
gate
pulp
stage
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Pending
Application number
JP22212883A
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English (en)
Inventor
Yuji Imori
井守 右二
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PLASMA SYST KK
Original Assignee
PLASMA SYST KK
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Publication date
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Publication of JPS60115227A publication Critical patent/JPS60115227A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置等を製造する際におけるプラズマ
処理の外、スパッタリングや気相成長等の処理に実施し
得る処理方法とその装置に関するものである。
一例として、半導体装置を製造する際における従来のプ
ラズマ処理は、第1図に示す方法によっていた。
すなわち、被処理物(半導体ウエノ・−)の供給装置1
、ゲートパルプ室2、前部真空予備室3、ゲートパルプ
室4、中央処理室5、ゲートパルプ室6、後部真空予備
室7、ゲートパルプ室8および処理物受入装置9を一直
線状に連ねて設置し、被処理物を供給装置tiよりゲー
トパルプ室2、前部真空予備室3およびゲートパルプ室
4を介して中央処理室5に搬入して、該処理室5にてプ
ラズマ処理を行い、ゲートパルプ室6 後部真空予備室
7およびゲートパルプ室8を介して受入装置9に搬出受
入れていた。
ところで、このような−直線状に連設した装置による場
合には、装置全体が長尺大型化してその占有床面積が増
大するという欠点があり、特に、クリーンルームに設置
する場合においては、コストの高いクリーンルーム面積
の有効利用ができないという欠点があった。
本発明は、このような欠点を除去するためになされたも
のである。
したがって、本発明の目的は、装置の占有床面積の省ス
ペース化を計り、クリーンルーム面積の有効利用を計る
ことにある。
また、本発明のもう一つの目的は、占有床面積の小さな
装置によって多数の被処理物を連続処理できるようにし
たものである。
また、本発明のもう一つの目的は、装置の構成部分を分
離可能とすることによって装置のメンテナンスの容易化
を計ることにある。
これらの目的のため、本発明は、真空予備室を上下二段
重ねに配設して、下側を被処理物の搬入機構を内装した
搬入側真空予備室とすると共に、上側を処理物の搬出機
構を内装した搬出側真空予備室とし、搬入側真空予備室
の後部には、上下動可能なステージとこのステージ上へ
の被処理物の搬入載置機構を内装した真空塞を連ねて配
設すると共に、この真空室の上部には、開口部を有する
仕切板を介し、内部には処理物の搬出機構を備えた気密
な反応室を二段重ね状にして、かつ搬出側真空予備室と
連ねて配設し、被処理物を搬入側真空予備室を介して真
空室のステージ上に搬入載置し、次いて、ステージを上
昇させて被処理物を仕切板開口部より反応室に臨ませて
該反応室にて所定の処理を行い、この処理物を搬出側真
空予備室を介し【外部に搬出する構成を特徴とするもの
である。
以下、本発明を第2図以下に示す実施例に基づいて説明
する。
第2図は概略平面図、第3図は同上概略縦断面図、第4
図は他側を示す概略縦断面図で、数字11は半導体ウエ
ノ1−等の被処理物10の搬入側真空予備室を示し、そ
の前面部には、被処理物10の搬入ゲート12を外部制
御を介して開閉するゲートパルプ13が設けられると共
に、内部には、後述する後部の真空室へ被処理物10を
搬入するための搬入機構14が設けられている。
なお、この搬入機構14は特別なものではなく、コンベ
ア等の公知機構のものであるため、その詳細説明は省略
する。
搬入側真空予備室11の上部には、処理物10′を搬出
する搬出側真空予備室15が二段状にして、かつ一体に
配設されており、そしてこの搬出側真空予備室15の前
面部には、処理物10′ の搬出ゲート16を外部制御
を介して開閉するゲートパルプ17が設けられると共に
、内部には、後述する後部の反応室からの処理物10′
を搬出するだめの搬出機構18が設けられている。
なお、この搬出機構18は特別のものではなく、公知機
構のものであるため、その詳細説明は省略する。
搬入側真空予備室11は、被処理物10の搬入ゲート1
2よりの搬入時に常圧(大気圧)に戻されて、搬入後に
再び真空排気され、また、搬出側真空予備室15も同様
に、処理物10′の搬出ゲート16よりの搬出時に常圧
(大気圧)に戻されて、搬出後に再び真空排気されるも
のであるから、特に図示しないが、これら真空予備室に
は、真空排気するための真空ポンプや常圧(大気圧)に
戻すだめのN2ガス導入管路が付設されている。
搬入側真空予備室11と搬出側真空予備室15の後面は
開口しており、下側の搬入側真空予備室11の後面開口
部には上面開口の真空室19が連設されている。
真空室19の連設面には、搬入側真空予備室11の搬入
ゲート12と対向する搬入ゲート20を外部制御を介し
て開閉するゲートパルプ21が設けられると共に、内部
略中央部には、電極を有するステージ22が、エアシリ
ンダ等の駆動手段23によって上下方向に往復動可能と
して設けられており、また、搬入側真空予備室11かも
の被処理物10をステージ22上に搬入載置するための
搬入載置機構24が配設されており、また、ステージ2
2の可動する部分との対接部分にはシール部材25が周
設されて気密性が保持されている。
真空室19の上面には、ステージ22が上昇した時にそ
の頭部が突出する開口部27を設けた仕切板26を介し
て気密な反応室28が二段状にして、かつ搬出側真空予
備室15と連ねて一体的に配設されている。
反応室28はステージ22上の被処理物10に対してプ
ラズマ等の処理を行うもので、その搬出側真空予備室1
5との連設面部には、搬出ゲート16と対向する搬出ゲ
ート29を外部制御を介して開閉するゲートパルプ30
が設けられると共に、内部には、プラズマ等の処理がな
された処理物10/のステージ22上よりの搬出機構3
1が配設され、また、上面にはステージ22の電極と対
向する電極32がシール部材33を介して気密的に内装
されている。
次に、以上の第3図に示した構成に係る処理装置によっ
て、被処理物を例えばプラズマ処理する方法につき説明
する。
初期状態において搬入側真空予備室11、搬出側真空予
備室15、真空室19および反応室28はすべて真空に
保持されており、真空室19のステージ22は実線で示
す位置にある。
先ず、搬入側真空予備室11を常圧(大気圧)に戻し、
ゲートパルプ13を開けて矢印A方向から被処理物10
を搬入した後、ゲートパルプ13を閉じ、搬入側真空予
備室11を真空排気する。
次いで、ゲートパルプ21を開けて被処理物10を搬入
側真空予備室11より搬入機構14を介して真壁室19
に搬入すると共に、搬入載置機構24を介して被処理物
10をステージ22上に載置し、ゲートパルプ21を閉
じた後、駆動手段23を介してステージ22を想像線で
示す位置まで上昇させて反応室28と真空室19を気密
的に隔離する。
次いで、反応室28に反応ガスを入れ、所定の圧力にし
て電極32とステージ22の電極間に高周波電圧を印加
することによりプラズマを発生させて、ステージ22上
の被処理物10に対してプラズマ処理を施す。
次いで、反応室28を再び真空排気した後、ゲートパル
プ30を開け、プラズマ処理された処理物10′を搬出
機構31.18を介して搬出側真空予備室15に搬出し
、ゲートパルプ30を閉じ、ステージ22を下降させて
実線で示す元の位置に戻す。
次いで、搬出側真空予備室15を常圧(大気圧)に戻し
、ゲートパルプ17を開けて処理物10’を矢印G方向
に搬出し、再びゲートパルプ17を閉じて搬出側真空予
備室15を真空排気し、これによって一連の工程は終了
する。
すなわち、被処理物は矢印で示すA、B、C1D1E、
F、Gの流れによって処理される。
しかして、本発明に−よれば、従来の長尺大型化した装
置に比較して、占有床面積が著しく少なくてすむので、
高価なりリーンルーム面積の有効利用が可能となるばか
りか、反応室は大気にさらされることなく常に真空状態
に保持されて反応ガスの状態に変化がないため、極めて
良好なプラズマ等の反応処理を施すことができて、歩留
りの高上と品質の信頼性を高めることができるものであ
るまた、被処理物loの搬入方向と処理物io’の搬出
方向は同じ方向であるため、作業性が高上するばかりか
、従来のように門人側と搬出側に作業員を配することな
く、1人の作業員ですむので、作業員の削減化にも寄与
することができるものである。
本発明の変形は可能であり、第4図にその一例を示しで
ある。
本例によれば、占有床面積の小さな装置によって多数の
被処理物を連続して処理することができ゛ると共に、装
置のメンテナンスが容易となるもので、第3図に示した
装置との比較において実質的に同一の部分には同一の指
示番号を付し、同一の部分についての説明は省略する。
すなわち、本例は、上下二段に配設されている搬入側真
空予備室11と搬出側真空予備室15を同時に常圧(大
気圧)にし、また真空排気するため、それぞれのゲート
パルプ12と17がシャフト34を介して同時開閉可能
に連結されると共に、同様にして、真空室19のゲート
パルプ21と反応室28のゲートパルプ30がシャフト
34を介して同時開閉可能に連結され、それぞれシャフ
ト34がエアシリンダ等の駆動手段35により上下動せ
しめられることによって各上下のゲートパルプが同時に
開閉され、これにより搬出側真空予備室15を常圧(大
気圧)に戻して処理物10′を外部に搬出すると同時に
、搬出側真空予備室15と同時に常圧(大気圧)に戻さ
れている搬入側真空予備室11に被処理物10を搬入し
て連続処理することができるようになっている。
また、搬入側真空予備室11と搬出側真空予備室15は
別体にして二段重ね状に配設されると共に、搬入側真空
予備室11の後面には、真空室19の搬入ゲート20と
対向する搬入ゲート36が設けられ、また、搬出側真壁
予備室15の後面にも同様に搬入ゲート37が設けられ
ている。
そして、ゲートパルプ17.13とシャフト34、搬出
側真空予備室15、搬入側真空予備室11、ゲートパル
プ30.21とシャフト34、反応室28、仕切板26
および真空室19はそれぞれ分離可能に配設されており
、これにより各部分のメンテナンスが容易になし得るよ
うになっている。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の概略平面図、第2図は本発明の一例を
示す概略平面図、第3図は同上概略縦断面図、第4図は
本発明の他側を示す概略縦断面図である。 10・・・被処理物 io’ ・・・処理物 11・・・搬入側真空予備室 12・・・搬入ゲート 13−・・ゲートパルプ 14・・・搬入機構 15・・・搬出側真空予備室 16・・・搬出ゲート 17・・・ゲートパルプ 18・・・搬出機構 19・・・真空室 20φ・・搬入ゲート 21・・・ゲートパルプ 2211・・ステージ 23・・拳駆動手段 24・・・搬入載置機構 26・・・仕切板 27・・・開口部 28・・・反応室 29・・拳搬出ゲート 30−−−ゲートパルプ 31・・・搬出機構 34・・・シャフト 35・・・駆動手段 36・・φ搬入ゲート 37・・・搬出ゲート 特許出願人 株式会社 プラズマシステム

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 L 上下二段に配設したゲートパルプを有する二つの真
    空予備室のうちの下部搬入側真空予備室を常圧にして、
    該真空予備室に被処理物を搬入した後、再び該真空予備
    室を真空排気し、次いで、該真空予備室より被処理物を
    、ゲートパルプを介して連通配設した真空室に搬入して
    、該真空室に上下動可能に設けたステージ上に載置し、
    次いで、該ステージを上昇させて被処理物を仕切板開口
    部より真空室上に配設した反応室に臨ませて、該反応室
    において被処理物に対しプラズマ等の処理を行い、次い
    で、反応室を再び真空排気して、処理物ヲ、ケートパル
    プを介して反応室と連通した前記上部搬出側真空予備室
    に搬出し、次いで、該真空予備室を常圧にした後、処理
    物を外部に搬出し、再び搬出側真空予備室を真空排気す
    る構成を特徴とするプラズマ等の処理方法。 2 前記搬入側真空予備室のゲートパルプと搬出側真空
    予備室のゲートパルプを同時に開閉させて二つの真空予
    備室を同時に常圧、または真空排気すると共に、前記真
    空室のゲートパルプと反応水のゲートパルプを同時に開
    閉させて被処理物の処理を行う特許請求の範囲第1項に
    記載のプラズマ等の処理方法。 a 被処理物の搬入ゲートを開閉するゲートパルプを備
    え、かつ内部には被処理物の搬入機構を備えた下部搬入
    側真空予備室と、該搬入側真空予備室上に二段状に配設
    され、前記ゲートバルブ側には、処理物の搬出ゲートを
    開閉するゲートパルプを備え、かつ内部には処理物の搬
    出機構を備えた上部搬出側真空予備室と、前記下部搬入
    側真空予備室の後部に一体的に連設され 前記ゲートパ
    ルプと対向する部位には、搬入側真空予備室からの被処
    理物の搬入ゲートを開閉するゲートパルプを備え、かつ
    内部には被処理物を載置する上下動可能なステージと、
    このステージ上への被処理物の搬入載置機構を備えた真
    空室と、該真空室上に前記ステージが臨む開口部を有す
    る仕切板を介して一体的二段状にして、かつ前記上部搬
    出側真空予備室の後部に一体的に配設され、上部搬出側
    真空予備室のゲートパルプと対向する部位には、処理物
    の搬出ゲートを開閉するゲートパルプを備え、かつ内部
    には前記ステージ上からの処理物の搬出機構を備えた気
    密な反応室とからなるプラズマ等の処理装置。 今、前記上下真空予備室のゲートパルプおよび前記真空
    室と反応室のゲートパルプとをそれぞれ同軸上に連結し
    て同時開閉可能となし、これらゲートパルプと上下真空
    予備室、真空室、反応室および仕切板とを分離可能とし
    た特許請求の範囲第3項記載のプラズマ等の処理装置。
JP22212883A 1983-11-28 1983-11-28 プラズマ等の処理方法とその装置 Pending JPS60115227A (ja)

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JP (1) JPS60115227A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6230325A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Tokuda Seisakusho Ltd 半導体処理装置
JPH02301140A (ja) * 1989-05-15 1990-12-13 Fuji Electric Co Ltd 表面処理装置
US11452826B2 (en) 2016-03-24 2022-09-27 Nicoventures Trading Limited Mechanical connector for electronic vapor provision system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5743437A (en) * 1980-08-29 1982-03-11 Ulvac Corp Vacuum treating apparatus slidably moving article to be treated by gravity

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