JPH02305964A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH02305964A JPH02305964A JP12851689A JP12851689A JPH02305964A JP H02305964 A JPH02305964 A JP H02305964A JP 12851689 A JP12851689 A JP 12851689A JP 12851689 A JP12851689 A JP 12851689A JP H02305964 A JPH02305964 A JP H02305964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- chamber
- substrate
- valve
- preliminary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばイオン注入装置、エンチング装置、
膜形成装置等であって、真空中で基板を処理するための
処理室と、それと大気側との間で基板を出し入れするた
めの真空予備室とを有する真空処理装置に関する。
膜形成装置等であって、真空中で基板を処理するための
処理室と、それと大気側との間で基板を出し入れするた
めの真空予備室とを有する真空処理装置に関する。
(背景となる技術〕
第7図は、この発明の背景となる真空処理装置の一動作
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
この装置においては、真空中で基板(例えばウェーハ。
以下同じ)2を処理(例えばイオン注入)するための処
理室4の底部に、基板2をこの処理室4と大気側との間
で出し入れするだめの真空予備室6が隣接されている。
理室4の底部に、基板2をこの処理室4と大気側との間
で出し入れするだめの真空予備室6が隣接されている。
処理室4は図示しない高真空ポンプによって、真空予備
室6は粗引きポンプ(例えばロータリーポンプ)16に
よって、それぞれ真空排気される。
室6は粗引きポンプ(例えばロータリーポンプ)16に
よって、それぞれ真空排気される。
なお、この明細書において、高真空ポンプとは、高真空
領域(10−’Pa 〜10−’Pa程度)で作動する
真空ポンプをいい、粗引きポンプとは、大気圧から高真
空ポンプが作動可能になる圧力まで排気するポンプをい
う(JIS zo126参照)。
領域(10−’Pa 〜10−’Pa程度)で作動する
真空ポンプをいい、粗引きポンプとは、大気圧から高真
空ポンプが作動可能になる圧力まで排気するポンプをい
う(JIS zo126参照)。
そして、真空予備室6の上部には処理室4との間を仕切
る上部弁8が、下部には大気側七の間を仕切る下部弁1
0が、それぞれ設けられている。
る上部弁8が、下部には大気側七の間を仕切る下部弁1
0が、それぞれ設けられている。
上部弁8は、処理室4上に設けられたエアシリンダ(両
ロンドシリンダ)12によって、大気側から昇降され開
閉される。13は、上部弁8が不本意に開かないように
するロック機構である。
ロンドシリンダ)12によって、大気側から昇降され開
閉される。13は、上部弁8が不本意に開かないように
するロック機構である。
下部弁IOは、エアシリンダ24によって支柱20を介
して昇降され開閉される。
して昇降され開閉される。
下部弁10の上部には、基板2を載せる基板載置台18
が設けられており、この基板載置台18は、デュアルス
トロークシリンダ22によって基板2のハンドリング等
のために2段階に昇降させられる。
が設けられており、この基板載置台18は、デュアルス
トロークシリンダ22によって基板2のハンドリング等
のために2段階に昇降させられる。
この装置の動作例を節単に説明すると、第7図は下部弁
10が開いた状態を示し、この状態で先に処理済の基板
2を図示しない搬送アームで取り出した後、未処理の基
板2を基板載置台18上に載せる。
10が開いた状態を示し、この状態で先に処理済の基板
2を図示しない搬送アームで取り出した後、未処理の基
板2を基板載置台18上に載せる。
次いで、デュアルストロークシリンダ22によって基板
載置台1Bを降下させて基板2を下部弁10上に載せ、
エアシリンダ24によってこの下部弁10を上昇させて
閉じた後、机引きポンプ16によって真空予備室6内の
真空排気を行う。
載置台1Bを降下させて基板2を下部弁10上に載せ、
エアシリンダ24によってこの下部弁10を上昇させて
閉じた後、机引きポンプ16によって真空予備室6内の
真空排気を行う。
真空予備室6内が所定の真空度になると、エアシリンダ
12によって上部弁8を上昇さゼて開き、真空予備室6
を処理室4に開放する。
12によって上部弁8を上昇さゼて開き、真空予備室6
を処理室4に開放する。
その状態で、デュアルストロークシリンダ22を動作さ
せて基板載置台18を大きく上昇させ、図示しないロー
ドアームを基板載置台18の位置・ まで移動させ、そ
して基板載置台18を降下させて基板2をロードアーム
上に載せ、これによって処理室4内の所定の処理場所へ
搬送する。
せて基板載置台18を大きく上昇させ、図示しないロー
ドアームを基板載置台18の位置・ まで移動させ、そ
して基板載置台18を降下させて基板2をロードアーム
上に載せ、これによって処理室4内の所定の処理場所へ
搬送する。
これと並行して、ロードアームの下側に位置する図示し
ないアンロードアームが、先に処理済の基板2を基板載
置台18上まで搬送して来るので、デュアルストローク
シリンダ22によって基板載置台18を上昇させてそれ
を受は取り、そして各アームは待機位置に移動する。
ないアンロードアームが、先に処理済の基板2を基板載
置台18上まで搬送して来るので、デュアルストローク
シリンダ22によって基板載置台18を上昇させてそれ
を受は取り、そして各アームは待機位置に移動する。
その後は、基板!!載置台8を降下させかつ上部弁8を
閉じた後、真空予備室6内を大気圧状態に戻して下部弁
lOを開くと第7図の状態に戻る。
閉じた後、真空予備室6内を大気圧状態に戻して下部弁
lOを開くと第7図の状態に戻る。
以降は必要に応じて、上記と同様の動作が繰り返される
。
。
上記装置においては、真空p01d室6内は、粗引きポ
ンプ16で粗引きを行うのみであり、高真空にはならな
い。・ 従って、上部弁8を開いて真空予備室6を高真空に排気
された処理室4に開放すると、その影響で処理室4内の
真空度が一時的に低下(悪化)するが、これが好ましく
ない場合がある。
ンプ16で粗引きを行うのみであり、高真空にはならな
い。・ 従って、上部弁8を開いて真空予備室6を高真空に排気
された処理室4に開放すると、その影響で処理室4内の
真空度が一時的に低下(悪化)するが、これが好ましく
ない場合がある。
例えば、このような装置を二つ、その処理室4を共通に
して、あるいは真空弁を介さずに互いに連通させて使う
場合があり(これはいわゆるデュアルタイプと呼ばれる
ものである)、そのとき、スループットを出来るだけ高
くするために、処理室4内において基板2を処理中(例
えばイオン注入中)に真空予備室6を処理室4に開放し
て基板2のハンドリングを行う場合がある。
して、あるいは真空弁を介さずに互いに連通させて使う
場合があり(これはいわゆるデュアルタイプと呼ばれる
ものである)、そのとき、スループットを出来るだけ高
くするために、処理室4内において基板2を処理中(例
えばイオン注入中)に真空予備室6を処理室4に開放し
て基板2のハンドリングを行う場合がある。
このとき、上記のように真空予備室6内の真空度が悪く
て処理室4内の真空度が低下すると、基板2に対するイ
オン注入等の処理に悪影響が出る。
て処理室4内の真空度が低下すると、基板2に対するイ
オン注入等の処理に悪影響が出る。
これを解決するためには、例えば粗引きポンプ16の前
段に高真空ポンプを設ける等して、真空予備室6内を処
理室4内と同程度以上の真空度に排気すれば良いが、上
記のような構造では一1真空予備室6の排気口14の断
面積が大きく取れないためそこのコンダクタンスが悪く
、従って真空予備室6内を高真空にしかも短時間で排気
するこ、とが難しいという問題がある。
段に高真空ポンプを設ける等して、真空予備室6内を処
理室4内と同程度以上の真空度に排気すれば良いが、上
記のような構造では一1真空予備室6の排気口14の断
面積が大きく取れないためそこのコンダクタンスが悪く
、従って真空予備室6内を高真空にしかも短時間で排気
するこ、とが難しいという問題がある。
そこでこの発明は、このような点を政庁して、真空予備
室内を高真空にしかも短時間で排気することが出来るよ
うにした真空処理装置を提供することを主たる目的とす
る。
室内を高真空にしかも短時間で排気することが出来るよ
うにした真空処理装置を提供することを主たる目的とす
る。
上記目的を達成するため、この発明の真空処理装置は、
前述したような真空予備室の下部に高真空ポンプによっ
て排気される高真空室を隣接させ、かつこの高真空室と
真空予備室との間を仕切る下部弁であって基板の直径よ
りも大きくかつ基板載置台を兼ねるものおよびそれを大
気側から昇降させて開閉する機構を設け、かつ真空予備
室の側壁部に基板搬出入口を設けてそこを真空弁で仕切
ったことを特徴とする。
前述したような真空予備室の下部に高真空ポンプによっ
て排気される高真空室を隣接させ、かつこの高真空室と
真空予備室との間を仕切る下部弁であって基板の直径よ
りも大きくかつ基板載置台を兼ねるものおよびそれを大
気側から昇降させて開閉する機構を設け、かつ真空予備
室の側壁部に基板搬出入口を設けてそこを真空弁で仕切
ったことを特徴とする。
上記構造によれば、下部弁は基板の直径よりも大きいと
いう大口径であるので、それを上昇させて開くと、真空
予備室と高真空室とは下部弁の外周部全体という大面積
で連通ずる。即ち両者の連通部のコンダクタンスは非常
に大きい。
いう大口径であるので、それを上昇させて開くと、真空
予備室と高真空室とは下部弁の外周部全体という大面積
で連通ずる。即ち両者の連通部のコンダクタンスは非常
に大きい。
従って、高真空室を介して、真空予備室内を高真空にし
かも短時間で排気することができる。
かも短時間で排気することができる。
また、この真空予備室内と大気側との間の基板の搬送は
、真空予備室の側壁部に設けた基板搬出入口を経由して
行われる。
、真空予備室の側壁部に設けた基板搬出入口を経由して
行われる。
〔実施例]
第1図は、この発明の一実施例に係る真空処理装置の一
動作状態を示す断面図である。この図は、第7図の装置
を横から見た断面図に相当する。第2図ないし第6図は
、それぞれ、第1図の装置の他の動作状態を示す断面図
である。第7図の例と同一または相当する部分には同一
符号を付し、以下においては先行例との相違点を主に説
明する。
動作状態を示す断面図である。この図は、第7図の装置
を横から見た断面図に相当する。第2図ないし第6図は
、それぞれ、第1図の装置の他の動作状態を示す断面図
である。第7図の例と同一または相当する部分には同一
符号を付し、以下においては先行例との相違点を主に説
明する。
この実施例においては、iir述したような処理室4の
底部に隣接された真空予備室6の下部に、高真空室26
を隣接させており、そしてその側壁部に高真空ポンプ2
8を取り付けている。
底部に隣接された真空予備室6の下部に、高真空室26
を隣接させており、そしてその側壁部に高真空ポンプ2
8を取り付けている。
この高真空ポンプ28は、高真空室26内およびそれに
連通された真空予備室6内を処理室4内と同程度以上の
高真空に排気することが出来るものであれば良く、これ
には例えばターボ分子ポンプやタライオポンプ等が利用
できる。
連通された真空予備室6内を処理室4内と同程度以上の
高真空に排気することが出来るものであれば良く、これ
には例えばターボ分子ポンプやタライオポンプ等が利用
できる。
この高真空室26と真空予備室6との間は、下部弁30
によって仕切るようにしている。
によって仕切るようにしている。
下部弁30は、基板2の直径よりも大きく、かつ基板載
置台を兼ねるものであり、この例ではその上面の3箇所
に(図には2箇所のみ現れている)基板受け32を設け
ている。
置台を兼ねるものであり、この例ではその上面の3箇所
に(図には2箇所のみ現れている)基板受け32を設け
ている。
この下部弁30は、高真空室26の下部に設けられたエ
アシリンダ24によって昇降され開閉される他、更にデ
ュアルストロークシリンダ22によって2段階に昇降さ
せられる。
アシリンダ24によって昇降され開閉される他、更にデ
ュアルストロークシリンダ22によって2段階に昇降さ
せられる。
また、真空予備室6の側壁部には基板搬出人口34を設
けてそこを真空弁(図示例はフランプ弁)36で仕切る
ようにしている。
けてそこを真空弁(図示例はフランプ弁)36で仕切る
ようにしている。
真空予備室6と処理室4との間は、先行例と同様に、上
部弁8をエアシリンダ12によって昇降させて仕切るよ
うにしている。なお、エアシリンダ12の上部には先行
例の場合と同様にロック機構13を設ける方が好ましい
が、ここではその図示を省略している。
部弁8をエアシリンダ12によって昇降させて仕切るよ
うにしている。なお、エアシリンダ12の上部には先行
例の場合と同様にロック機構13を設ける方が好ましい
が、ここではその図示を省略している。
動作例を説明すると、通常は、処理室4内は図示しない
高真空ポンプによって、高真空室26内は高真空ポンプ
28によって、それぞれ常時排気が行われている。
高真空ポンプによって、高真空室26内は高真空ポンプ
28によって、それぞれ常時排気が行われている。
第1図は、真空予備室6内が大気圧で、真空弁36が開
いた状態を示しており、この状態で、先の処理済の基板
2を外部の搬送アーム3EHこよって取り出した後、次
の未処理の基板2を同搬送アーム38によって真空予備
室6内に搬入し、それを下部弁30上に(より具体的に
はその基板受り32上に)載せる。
いた状態を示しており、この状態で、先の処理済の基板
2を外部の搬送アーム3EHこよって取り出した後、次
の未処理の基板2を同搬送アーム38によって真空予備
室6内に搬入し、それを下部弁30上に(より具体的に
はその基板受り32上に)載せる。
次いで、第2図に示すように、真空弁36を閉じ、粗引
きポンプ16によって真空予備室6内の粗引きを行い、
そこが所定の真空度に達すると弁15を閉じる。
きポンプ16によって真空予備室6内の粗引きを行い、
そこが所定の真空度に達すると弁15を閉じる。
次いで、第3図に示すように、エアシリンダ24によっ
て基板2を載せた下部弁30を上界させて開き、高真空
室26と真空子(liii室6とを連通させる。そして
真空予備室6内を、矢印Aに示すように、高真空室26
を介して高真空ポンプ28で真空引きする。、 その場合、真空予備室6と高真空室26とは、基板2の
直径よりも大きい大口径の下部弁3oの外周部全体とい
う大面積で連通ずるため、両者の連通部のコンダクタン
スは非常に大きい。従っζ、真空予備室6内を高真空に
しかも短時間でυト気することかできる。
て基板2を載せた下部弁30を上界させて開き、高真空
室26と真空子(liii室6とを連通させる。そして
真空予備室6内を、矢印Aに示すように、高真空室26
を介して高真空ポンプ28で真空引きする。、 その場合、真空予備室6と高真空室26とは、基板2の
直径よりも大きい大口径の下部弁3oの外周部全体とい
う大面積で連通ずるため、両者の連通部のコンダクタン
スは非常に大きい。従っζ、真空予備室6内を高真空に
しかも短時間でυト気することかできる。
そして真空予備室6内が所定の高真空になると、第4図
に示すように、下部弁8をエアシリンダ12によって上
昇させて開き、真空予備室6を処理室4に開放する。
に示すように、下部弁8をエアシリンダ12によって上
昇させて開き、真空予備室6を処理室4に開放する。
このとき、真空予備室6内は上記のように高真空に排気
されているので、処理室4内の真空度低下の問題は起こ
らない。従って例えば、このような装置を二つ前述した
ようにデュアルタイプとして使用し、処理室4内の他の
場所において基板2を処理中に真空予備室6を処理室4
に開放しても、基板2の処理に悪影響が及ぶことはない
。また真空予備室6内の高速排気が可能なので、上記の
ようにしてもスルーブツトが低下することもない。
されているので、処理室4内の真空度低下の問題は起こ
らない。従って例えば、このような装置を二つ前述した
ようにデュアルタイプとして使用し、処理室4内の他の
場所において基板2を処理中に真空予備室6を処理室4
に開放しても、基板2の処理に悪影響が及ぶことはない
。また真空予備室6内の高速排気が可能なので、上記の
ようにしてもスルーブツトが低下することもない。
その後は例えば、第5図に示すように、デュアルストロ
ークシリンダ22の上部シリンダ22aおよび下部シリ
ンダ22bを動作させて、基板2を載せた下部弁30を
上側搬送位置まで上昇させ、そのレベルにあるロードア
ーム40を下部弁30の位置まで移動させ、その状態で
デュアルストロークシリンダ22の下部シリンダ22b
およびエアシリンダ24を動作させて下部弁30を降下
させ、基板2をロードアーム40上に載せる。
ークシリンダ22の上部シリンダ22aおよび下部シリ
ンダ22bを動作させて、基板2を載せた下部弁30を
上側搬送位置まで上昇させ、そのレベルにあるロードア
ーム40を下部弁30の位置まで移動させ、その状態で
デュアルストロークシリンダ22の下部シリンダ22b
およびエアシリンダ24を動作させて下部弁30を降下
させ、基板2をロードアーム40上に載せる。
次いで、上記ロードアーム40を処理室4内の所定の処
理場所へ移動させると、ロードアーム40の下側にあっ
てこれと連動するアンロードアーム42(第6図参照)
が、前記処理場所から先に処理済の基板2を載せて下部
弁30の位置まで来る。
理場所へ移動させると、ロードアーム40の下側にあっ
てこれと連動するアンロードアーム42(第6図参照)
が、前記処理場所から先に処理済の基板2を載せて下部
弁30の位置まで来る。
次いで、第6図に示すように、エアシリンダ24を動作
させて下部弁30をアンロードアーム42に対応するレ
ベルまで上界させ、アンロードアーム42から基板2を
受は取る。そしてロードアーム40およびアンロードア
ーム42は所定の待機位置に移動する。
させて下部弁30をアンロードアーム42に対応するレ
ベルまで上界させ、アンロードアーム42から基板2を
受は取る。そしてロードアーム40およびアンロードア
ーム42は所定の待機位置に移動する。
次いで、デュアルストロークシリンダ22の上部シリン
ダ22aおよびエアシリンダ24を動作させて下部弁3
0を降下させて閉じ、かつエアシリンダ12によって上
部弁8を降下させて閉じると、第2図と同様の状態にな
る。
ダ22aおよびエアシリンダ24を動作させて下部弁3
0を降下させて閉じ、かつエアシリンダ12によって上
部弁8を降下させて閉じると、第2図と同様の状態にな
る。
そして、真空予備室6内に例えば窒素ガスを導入して大
気圧状態に戻した後、真空弁36を開いて、真空予備室
6内の処理済の基板2を外部の搬送ア〒ム38で取り出
した状態が第1図の状態である。
気圧状態に戻した後、真空弁36を開いて、真空予備室
6内の処理済の基板2を外部の搬送ア〒ム38で取り出
した状態が第1図の状態である。
このとき、処理室4内の処理場所では、未処理の基板2
に対してイオン注入等の処理が並行して行われている。
に対してイオン注入等の処理が並行して行われている。
以降は必要に応じて、上記のような一連の動作が繰り返
される。
される。
なお、上記実施例は主としてイオン注入装置の場合の例
で、あるが、この発明の真空処理装置がイオン注入装置
以外のもの、例えばエツチング装置、膜形成装置等にも
適用することができるのは勿論である。
で、あるが、この発明の真空処理装置がイオン注入装置
以外のもの、例えばエツチング装置、膜形成装置等にも
適用することができるのは勿論である。
〔発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、下部弁を開くと真空予
備室と高真空室とは大面積で連通ずるため、両者間のコ
ンダクタンスは非常に太き(、従って真空予備室内を高
真空にしかも短時間で排気することができる。
備室と高真空室とは大面積で連通ずるため、両者間のコ
ンダクタンスは非常に太き(、従って真空予備室内を高
真空にしかも短時間で排気することができる。
その結果、真空予備室を処理室に開放した場合の処理室
内の真空度低下を防止すること、ができる。
内の真空度低下を防止すること、ができる。
また、真空予備室内の高速排気が可能なので、スループ
ットが低下することもない。
ットが低下することもない。
第1図は、この発明の一実施例に係る真空処理装置の一
動作状態を示す断面図である。第2ないし第6図は、そ
れぞれ、第1図の装置の他の動作状態を示す断面図であ
る。第7図は、この発明の背景となる真空処理装置の一
動作状態を示す断面図である。 2・・・基板、4.・・処理室、6・・・真空予備室、
8・・・上部弁、12・・・エアシリンダ、16・・・
粗引きポンプ、722・・・デュアルストロークシリン
ダ、24・・・エアシリンダ、26・・・高真空室、2
8・・・高真空ポンプ、30・・・下部弁、34・・・
基板搬出入口、36・・・真空弁。
動作状態を示す断面図である。第2ないし第6図は、そ
れぞれ、第1図の装置の他の動作状態を示す断面図であ
る。第7図は、この発明の背景となる真空処理装置の一
動作状態を示す断面図である。 2・・・基板、4.・・処理室、6・・・真空予備室、
8・・・上部弁、12・・・エアシリンダ、16・・・
粗引きポンプ、722・・・デュアルストロークシリン
ダ、24・・・エアシリンダ、26・・・高真空室、2
8・・・高真空ポンプ、30・・・下部弁、34・・・
基板搬出入口、36・・・真空弁。
Claims (1)
- (1)真空中で基板を処理するための処理室と、この処
理室の底部に隣接されていて基板を処理室と大気側との
間で出し入れするための真空予備室と、この真空予備室
と処理室との間を仕切る上部弁およびそれを大気側から
昇降させて開閉する機構とを備える真空処理装置におい
て、前記真空予備室の下部に高真空ポンプによって排気
される高真空室を隣接させ、かつこの高真空室と真空予
備室との間を仕切る下部弁であって基板の直径よりも大
きくかつ基板載置台を兼ねるものおよびそれを大気側か
ら昇降させて開閉する機構を設け、かつ真空予備室の側
壁部に基板搬出入口を設けてそこを真空弁で仕切ったこ
とを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12851689A JPH0733575B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12851689A JPH0733575B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02305964A true JPH02305964A (ja) | 1990-12-19 |
JPH0733575B2 JPH0733575B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=14986674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12851689A Expired - Fee Related JPH0733575B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0733575B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04224679A (ja) * | 1990-03-26 | 1992-08-13 | Leybold Ag | 真空室に対してワークピースを搬入・搬出するための装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SK288190B6 (sk) | 2010-05-18 | 2014-06-03 | Duslo, A. S. | Granulované hnojivo s riadeným uvoľňovaním živín |
SK288066B6 (sk) | 2010-05-18 | 2013-04-03 | Duslo, A. S. | Granulated fertilizer with controlled release of nutrients |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12851689A patent/JPH0733575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04224679A (ja) * | 1990-03-26 | 1992-08-13 | Leybold Ag | 真空室に対してワークピースを搬入・搬出するための装置 |
JPH0819520B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1996-02-28 | ライボルト アクチエンゲゼルシヤフト | 真空室に対してワークピースを搬入・搬出するための装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0733575B2 (ja) | 1995-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6672864B2 (en) | Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas | |
JP3286240B2 (ja) | 半導体処理用ロードロック装置及び方法 | |
JP4472005B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
JP2000150613A (ja) | 被処理体の搬送装置 | |
US20040089227A1 (en) | Dual chamber vacuum processing system | |
JPH02305964A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2005019739A (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
JP3429786B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH10144659A (ja) | 基板の処理装置 | |
KR20130016359A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 | |
JP4248663B2 (ja) | 真空ハンドラー及び搬送方法 | |
JPH04271139A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR0166381B1 (ko) | 진공처리장치 | |
JP3388654B2 (ja) | 真空処理方法と装置 | |
JPH03134176A (ja) | 真空処理装置用ユニット | |
JP3521334B2 (ja) | ロードロック装置 | |
KR200149296Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 로드 록 챔버 | |
JPH08288191A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2918004B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH0230759A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2004136275A (ja) | 真空処理装置における処理対象物搬送方法 | |
JP2000271469A (ja) | 真空処理装置 | |
JPS62209825A (ja) | 真空装置の排気搬送ベント方法 | |
JPH0330325A (ja) | 低温処理装置 | |
JPH1150256A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |