JP3412133B2 - 高密度な水平磁気記録媒体の下地層用合金 - Google Patents
高密度な水平磁気記録媒体の下地層用合金Info
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- JP3412133B2 JP3412133B2 JP2001029888A JP2001029888A JP3412133B2 JP 3412133 B2 JP3412133 B2 JP 3412133B2 JP 2001029888 A JP2001029888 A JP 2001029888A JP 2001029888 A JP2001029888 A JP 2001029888A JP 3412133 B2 JP3412133 B2 JP 3412133B2
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- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度な水平磁気記
録媒体の下地層用合金に関し、より詳しくはＣｏＣｒ系
磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）の結晶構造を有しな
がらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性を示すため高記録密
度を実現することができる磁気記録媒体の下地層用合金
に関する。
録媒体の下地層用合金に関し、より詳しくはＣｏＣｒ系
磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）の結晶構造を有しな
がらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性を示すため高記録密
度を実現することができる磁気記録媒体の下地層用合金
に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、代表的な磁気記録媒体材料として
用いられているＣｏＣｒ系合金は六方最密（ｈｃｐ）構
造を有し、水平記録方式では磁化容易軸であるｃ軸を薄
膜面上に平行によく配向させることが最も基本的な問題
だと言える。
用いられているＣｏＣｒ系合金は六方最密（ｈｃｐ）構
造を有し、水平記録方式では磁化容易軸であるｃ軸を薄
膜面上に平行によく配向させることが最も基本的な問題
だと言える。
【０００３】そのため、現在に至るまで主として体心立
方構造（ｂｃｃ）を有する材料が下地層として用いられ
ている。しかし、たとえこれら下地層の材料がＣｏＣｒ
系磁性体のｃ軸配向や微細構造的な側面から多くの効果
を奏しているとしても、根本的に磁性層との結晶構造が
互いに異なるため、磁性層と下地層間の不一致や初期遷
移磁性層の存在など記録特性を更に向上させるために解
決せねばならない問題はたくさんある。特に、初期遷移
層の存在は磁性層の厚さが薄くなる場合その影響が更に
増大するため、高密度な磁気記録のための低Ｍｒｔ［Ｍ
ｒｔ；残留磁化（Ｍｒ）と媒体の磁性層厚さ（ｔ）との
積］領域にてその重要性が特に大きいものと言える。
方構造（ｂｃｃ）を有する材料が下地層として用いられ
ている。しかし、たとえこれら下地層の材料がＣｏＣｒ
系磁性体のｃ軸配向や微細構造的な側面から多くの効果
を奏しているとしても、根本的に磁性層との結晶構造が
互いに異なるため、磁性層と下地層間の不一致や初期遷
移磁性層の存在など記録特性を更に向上させるために解
決せねばならない問題はたくさんある。特に、初期遷移
層の存在は磁性層の厚さが薄くなる場合その影響が更に
増大するため、高密度な磁気記録のための低Ｍｒｔ［Ｍ
ｒｔ；残留磁化（Ｍｒ）と媒体の磁性層厚さ（ｔ）との
積］領域にてその重要性が特に大きいものと言える。
【０００４】ｈｃｐ系列の合金を磁気記録媒体の磁性層
の直ぐ下に蒸着させる場合、既存のｂｃｃ系列の合金と
比べて層間不一致が減り、磁性層のｃ軸配向度が向上さ
れ、相対的に磁性特性が劣悪な初期遷移層が減少し磁性
特性が更に向上されるということが一般的な報告であ
る。
の直ぐ下に蒸着させる場合、既存のｂｃｃ系列の合金と
比べて層間不一致が減り、磁性層のｃ軸配向度が向上さ
れ、相対的に磁性特性が劣悪な初期遷移層が減少し磁性
特性が更に向上されるということが一般的な報告であ
る。
【０００５】従って、自発的にｃ軸が薄膜面に配向する
ｈｃｐ合金薄膜は、既存のｂｃｃ系列の下地層を用いず
とも記録メディアを作ることができるため、新たな下地
層又は根底材料として応用可能性が大きいと言える。
ｈｃｐ合金薄膜は、既存のｂｃｃ系列の下地層を用いず
とも記録メディアを作ることができるため、新たな下地
層又は根底材料として応用可能性が大きいと言える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そのためには非磁性ｈ
ｃｐ材料からｃ軸が薄膜面に平行に配向される材料を作
らねばならぬが、本発明者は、適正組成のＣｏＣｒＭｎ
合金によりｃ軸が薄膜面に平行に配向される強い（１
０．０）集合組織が形成され得ることを発見し、本発明
を完成した。ここで、（１０．０）とは（１０１０）
で、左から３番目の１の上にバーを付した結晶面を意味
する。
ｃｐ材料からｃ軸が薄膜面に平行に配向される材料を作
らねばならぬが、本発明者は、適正組成のＣｏＣｒＭｎ
合金によりｃ軸が薄膜面に平行に配向される強い（１
０．０）集合組織が形成され得ることを発見し、本発明
を完成した。ここで、（１０．０）とは（１０１０）
で、左から３番目の１の上にバーを付した結晶面を意味
する。
【０００７】従って、本発明の目的は従来のｂｃｃ系列
下地層が有する問題点を改善するために案出されたもの
として、ＣｏＣｒ系磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）
の結晶構造を有しながらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性
を示すため高記録密度を実現することができる磁気記録
媒体の下地層用合金を提供しようとするものである。
下地層が有する問題点を改善するために案出されたもの
として、ＣｏＣｒ系磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）
の結晶構造を有しながらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性
を示すため高記録密度を実現することができる磁気記録
媒体の下地層用合金を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明によると、ＣｏＣｒ系磁性層の下地層に用い
られる合金であって、一般式ＣｏxＣｒyＭｎzとして表
示される磁気記録媒体の下地層用合金が提供される。前
記式の内、ｘは原子％で５５以上６４以下であり、ｙは
原子％で２６以上３７以下であり、ｚは原子％で５以上
１２以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。
めに本発明によると、ＣｏＣｒ系磁性層の下地層に用い
られる合金であって、一般式ＣｏxＣｒyＭｎzとして表
示される磁気記録媒体の下地層用合金が提供される。前
記式の内、ｘは原子％で５５以上６４以下であり、ｙは
原子％で２６以上３７以下であり、ｚは原子％で５以上
１２以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。
【０００９】前記ＣｏＣｒＭｎ合金薄膜は、ＳｉＯ2の
ような非晶質基板上で基板温度を約１００℃以上に維持
したままスパッタリング蒸着させると蒸着パワーやアル
ゴンガスの圧力のような他の工程変数に大きく関わらず
（１０．０）集合組織を形成する。
ような非晶質基板上で基板温度を約１００℃以上に維持
したままスパッタリング蒸着させると蒸着パワーやアル
ゴンガスの圧力のような他の工程変数に大きく関わらず
（１０．０）集合組織を形成する。
【００１０】本発明による前記の組成領域の内、強い
（１０．０）集合組織が形成されるためのより望ましい
ＣｏＣｒＭｎ合金薄膜の組成領域は、前記式ＣｏxＣｒy
Ｍｎzで、ｘは原子％で５７以上６３以下であり、ｙは
原子％で２８以上３４以下であり、ｚは原子％で７以上
１１以下の値を有する領域である。
（１０．０）集合組織が形成されるためのより望ましい
ＣｏＣｒＭｎ合金薄膜の組成領域は、前記式ＣｏxＣｒy
Ｍｎzで、ｘは原子％で５７以上６３以下であり、ｙは
原子％で２８以上３４以下であり、ｚは原子％で７以上
１１以下の値を有する領域である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施例に基づい
てより具体的に説明する。
てより具体的に説明する。
【００１２】（第１実施の形態）日本ＡＮＥＬＶＡ社の
モデル名ＳＰＦ−３１２Ｈ直流マグネトロンスパッタリ
ング装備を用いてＣｏＣｒＭｎ合金薄膜を製造した。基
板はコーニング社製のコーニンク７０５９ガラスと表面
に約２００ｎｍの熱酸化層のあるＳｉＯ2／Ｓｉ（１０
０）を用いたが両基板とも同一な集合組織が観察され
た。
モデル名ＳＰＦ−３１２Ｈ直流マグネトロンスパッタリ
ング装備を用いてＣｏＣｒＭｎ合金薄膜を製造した。基
板はコーニング社製のコーニンク７０５９ガラスと表面
に約２００ｎｍの熱酸化層のあるＳｉＯ2／Ｓｉ（１０
０）を用いたが両基板とも同一な集合組織が観察され
た。
【００１３】基板温度は２００℃にし、蒸着させる時の
パワーは１００Ｗ、アルゴンガスの圧力は１０ｍＴｏｒ
ｒであった。蒸着を始める前の初期真空度は５×１０-7
ｏｒｒ以下に維持した。
パワーは１００Ｗ、アルゴンガスの圧力は１０ｍＴｏｒ
ｒであった。蒸着を始める前の初期真空度は５×１０-7
ｏｒｒ以下に維持した。
【００１４】薄膜の組成は、Ｃｏ73Ｃｒ17ターゲットや
Ｃｏ65Ｃｒ35ターゲット上にＣｒとＭｎチップを用いて
変化させた。集合組織の分析のための薄膜試料は厚さ１
００ｎｍに固定し、成分分析はＩＣＰとＡＡＳ、集合組
織の分析はＸＲＤを用いて行った。
Ｃｏ65Ｃｒ35ターゲット上にＣｒとＭｎチップを用いて
変化させた。集合組織の分析のための薄膜試料は厚さ１
００ｎｍに固定し、成分分析はＩＣＰとＡＡＳ、集合組
織の分析はＸＲＤを用いて行った。
【００１５】前記の如く製造されたＣｏＣｒＭｎ薄膜の
組成による集合組織の変化を図１に示した。図１にて分
かるように、Ｍｎの量が段々増加するに連れて最初のＣ
ｏＣｒの場合［図１の（ａ）］で示されていたランダム
集合組織が段々とｃ軸が薄膜面に平行に配向する方へと
発展されることが分かる［図１の（ｃ）図示］。
組成による集合組織の変化を図１に示した。図１にて分
かるように、Ｍｎの量が段々増加するに連れて最初のＣ
ｏＣｒの場合［図１の（ａ）］で示されていたランダム
集合組織が段々とｃ軸が薄膜面に平行に配向する方へと
発展されることが分かる［図１の（ｃ）図示］。
【００１６】このようにＣｏＣｒＭｎの組成を体系的に
変化させながらｃ軸が薄膜面に平行に成長する組成領域
［強い（１０．０）集合組織を示す組成領域］を図２の
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ三元系状態図上に示した。図２の状態
図上の黒い点で表示した部分が強い（１０．０）集合組
織を示す領域だが比較的に狭い領域に渡っていることが
分かる。
変化させながらｃ軸が薄膜面に平行に成長する組成領域
［強い（１０．０）集合組織を示す組成領域］を図２の
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ三元系状態図上に示した。図２の状態
図上の黒い点で表示した部分が強い（１０．０）集合組
織を示す領域だが比較的に狭い領域に渡っていることが
分かる。
【００１７】（第２実施の形態）蒸着条件がＣｏＣｒＭ
ｎ薄膜に及ぼす影響を確かめるために、第１実施の形態
にて求めた組成の内、Ｃｏ58Ｃｒ33Ｍｎ9［図１の
（ｃ）、以下別途の言及が無い場合、ＣｏＣｒＭｎはこ
の組成を意味する］を選択し蒸着パワーを１００−３０
０Ｗ、アルゴンガスの圧力を５−１０ｍＴｏｒｒに変化
させながら薄膜を製造した。薄膜の厚さは１００ｎｍに
固定し、基板の温度は２００℃で蒸着させた。
ｎ薄膜に及ぼす影響を確かめるために、第１実施の形態
にて求めた組成の内、Ｃｏ58Ｃｒ33Ｍｎ9［図１の
（ｃ）、以下別途の言及が無い場合、ＣｏＣｒＭｎはこ
の組成を意味する］を選択し蒸着パワーを１００−３０
０Ｗ、アルゴンガスの圧力を５−１０ｍＴｏｒｒに変化
させながら薄膜を製造した。薄膜の厚さは１００ｎｍに
固定し、基板の温度は２００℃で蒸着させた。
【００１８】その結果を図３に示したが、ＣｏＣｒＭｎ
合金薄膜の集合組織は蒸着パワーやアルゴンガスの圧力
には大きな変化を受けないことが分かる。
合金薄膜の集合組織は蒸着パワーやアルゴンガスの圧力
には大きな変化を受けないことが分かる。
【００１９】図４は、蒸着パワーとアルゴンガスの圧力
をそれぞれ１００Ｗ、１０ｍＴｏｒｒに固定し基板温度
を上げながらＣｏＣｒＭｎを１００ｎｍ蒸着させた結果
である。常温にて蒸着させた時には弱い（０００２）ピ
ークが示されるが、基板温度が１００℃以上では（１
０．０）ピークが優勢に示されることが分かる。
をそれぞれ１００Ｗ、１０ｍＴｏｒｒに固定し基板温度
を上げながらＣｏＣｒＭｎを１００ｎｍ蒸着させた結果
である。常温にて蒸着させた時には弱い（０００２）ピ
ークが示されるが、基板温度が１００℃以上では（１
０．０）ピークが優勢に示されることが分かる。
【００２０】以上の実験結果からＣｏＣｒＭｎが比較的
に狭い組成範囲だけで（１０．０）集合組織を示すが製
造工程には大きな影響を受けないことが分かる。このよ
うな特性は、実際記録媒体用の多層薄膜を製造する時の
製造工程上、かなりの融通性を提供するものとして応用
側面において有利に作用するものと思われる。
に狭い組成範囲だけで（１０．０）集合組織を示すが製
造工程には大きな影響を受けないことが分かる。このよ
うな特性は、実際記録媒体用の多層薄膜を製造する時の
製造工程上、かなりの融通性を提供するものとして応用
側面において有利に作用するものと思われる。
【００２１】（第３実施の形態）本発明にて提案された
ＣｏＣｒＭｎ薄膜の実際の応用可能性を確かめるために
水平磁気記録方式にて用いられる代表的な下地層の材料
であるＣｒとその特性を比較した。
ＣｏＣｒＭｎ薄膜の実際の応用可能性を確かめるために
水平磁気記録方式にて用いられる代表的な下地層の材料
であるＣｒとその特性を比較した。
【００２２】磁性層はＣｏＣｒＰｔを用いて、磁性層の
厚さを３０ｎｍ、下地層の厚さを１０ｎｍにした。基板
はコーニング７０５９ガラスを用いた。
厚さを３０ｎｍ、下地層の厚さを１０ｎｍにした。基板
はコーニング７０５９ガラスを用いた。
【００２３】製造したサンプルの磁気的特性変化を表１
に整理した。下記表１中のＨcは保磁力、Ｓ＊は保磁力
角形比、そしてＳは角形比を意味する。
に整理した。下記表１中のＨcは保磁力、Ｓ＊は保磁力
角形比、そしてＳは角形比を意味する。
【００２４】
【表１】
表１にて示されるとおり、下地層としてＣｏＣｒＭｎを
用いた場合、Ｃｒ下地層と比べて保磁力が約２４％程、
向上された。
用いた場合、Ｃｒ下地層と比べて保磁力が約２４％程、
向上された。
【００２５】図５は透過電子顕微鏡を用いて下地層によ
る微細構造の変化を確かめたものである。一般的に磁性
層の微細構造は下地層により影響を大きく受けるが、高
密度な記録のためには磁性層の結晶粒サイズが小さく均
一でなければならない。図５から、ＣｏＣｒＭｎ下地層
を用いた場合の磁性層の平均結晶粒サイズは、Ｃｒ下地
層を用いた場合と似ているが、結晶粒のサイズ分布がＣ
ｒ下地層と比べて均一であることが分かる。このように
磁性層の結晶粒のサイズが均一であれば媒体のノイズ減
少に有利である。
る微細構造の変化を確かめたものである。一般的に磁性
層の微細構造は下地層により影響を大きく受けるが、高
密度な記録のためには磁性層の結晶粒サイズが小さく均
一でなければならない。図５から、ＣｏＣｒＭｎ下地層
を用いた場合の磁性層の平均結晶粒サイズは、Ｃｒ下地
層を用いた場合と似ているが、結晶粒のサイズ分布がＣ
ｒ下地層と比べて均一であることが分かる。このように
磁性層の結晶粒のサイズが均一であれば媒体のノイズ減
少に有利である。
【００２６】図６の（ａ），（ｂ）は、それぞれＣｒ薄
膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をＣｏＣｒＰｔ磁性層の下地
層として用いた場合のＣｏＣｒＰｔ磁性層と下地層間の
界面構造を示す写真である。Ｃｒ下地層の場合（図６の
（ａ））は、磁性層との間に薄い遷移層が存在するのと
比べて、ＣｏＣｒＭｎの場合（図６の（ｂ））にはＣｒ
下地層に比べて非常にきれいな界面を示している。
膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をＣｏＣｒＰｔ磁性層の下地
層として用いた場合のＣｏＣｒＰｔ磁性層と下地層間の
界面構造を示す写真である。Ｃｒ下地層の場合（図６の
（ａ））は、磁性層との間に薄い遷移層が存在するのと
比べて、ＣｏＣｒＭｎの場合（図６の（ｂ））にはＣｒ
下地層に比べて非常にきれいな界面を示している。
【００２７】磁性層で遷移層の磁性特性は他の部分と比
べて相対的に劣悪なため遷移層の存在は全体的な記録特
性に悪影響を与えることになる。記録密度の向上のため
には磁性層の厚さが段々薄くならねばならないため、こ
のような遷移層の有無が実際記録媒体を製造する時かな
り重要なものとなる。
べて相対的に劣悪なため遷移層の存在は全体的な記録特
性に悪影響を与えることになる。記録密度の向上のため
には磁性層の厚さが段々薄くならねばならないため、こ
のような遷移層の有無が実際記録媒体を製造する時かな
り重要なものとなる。
【００２８】
【発明の効果】本発明により製造されたＣｏＣｒＭｎ薄
膜は、磁性層と同一なｈｃｐ構造を有しながらも、ｃ軸
が薄膜面に平行に配列する特性とＣｒ下地層のような既
存のｂｃｃ系列下地層と比べて磁性層の微細構造や層間
界面構造でも高記録密度を実現するのに有利な特性とを
示し、これからもその応用可能性が大きいものと思われ
る。
膜は、磁性層と同一なｈｃｐ構造を有しながらも、ｃ軸
が薄膜面に平行に配列する特性とＣｒ下地層のような既
存のｂｃｃ系列下地層と比べて磁性層の微細構造や層間
界面構造でも高記録密度を実現するのに有利な特性とを
示し、これからもその応用可能性が大きいものと思われ
る。
【図１】本発明によるＣｏＣｒＭｎ合金組成物の組成変
化による集合組織の変化を示すグラフ図。
化による集合組織の変化を示すグラフ図。
【図２】基板温度２００℃で蒸着させる時の強い（１
０．０）集合組織を示すＣｏＣｒＭｎ合金組成領域を示
すグラフ図。
０．０）集合組織を示すＣｏＣｒＭｎ合金組成領域を示
すグラフ図。
【図３】スパッタリングでＣｏ58Ｃｒ33Ｍｎ19からなる
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時蒸着パワーとアルゴ
ンガスの圧力変化が薄膜の集合組織に与える影響を示す
グラフ図。
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時蒸着パワーとアルゴ
ンガスの圧力変化が薄膜の集合組織に与える影響を示す
グラフ図。
【図４】スパッタリングでＣｏ58Ｃｒ33Ｍｎ19からなる
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時の基板温度が薄膜の
集合組織に与える影響を示すグラフ図。
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時の基板温度が薄膜の
集合組織に与える影響を示すグラフ図。
【図５】Ｃｒ薄膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をそれぞれＣ
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた時のＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層の微細構造写真と結晶粒サイズ分布を示すグラ
フ図。
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた時のＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層の微細構造写真と結晶粒サイズ分布を示すグラ
フ図。
【図６】Ｃｒ薄膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をそれぞれＣ
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた場合のＣｏＣｒ
Ｐｔ磁性層と下地層間の界面構造を示す写真。
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた場合のＣｏＣｒ
Ｐｔ磁性層と下地層間の界面構造を示す写真。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 1/04 Ｓ
(72)発明者 ソーン・ジュ・クォン
大韓民国、キョンブク、ポハン−シ、ナ
ム−ク、ジゴク−ドン、プロフェッサ
ー・アパートメント ７−1303
(72)発明者 ソー・ヨル・ホン
アメリカ合衆国、カリフォルニア州
94086、サニーベール、エム111、サウ
ス・フェア・オークス・アベニュー
655
(56)参考文献 特開 昭60−228637（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−306583（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−101000（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C22C 19/07
C23C 14/14
C23C 14/34
G11B 5/64
H01F 1/047
H01F 10/16
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣｏＣｒ系磁性層の下地層に用いられる
合金であって、 一般式ＣｏxＣｒyＭｎzとして表示され、前記式の内、
ｘは原子％で５５以上６４以下であり、ｙは原子％で２
６以上３７以下であり、ｚは原子％で５以上１２以下で
あり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする磁気
記録媒体の下地層用合金。 - 【請求項２】 前記ｘは、原子％で５７以上６３以下で
あり、前記ｙは原子％で２８以上３４以下であり、前記
ｚは原子％で７以上１１以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体
の下地層用合金。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0004501A KR100390391B1 (ko) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 고밀도 수평 자기 기록매체의 하지층용 합금 조성물 |
| KR2001-4501 | 2001-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002249839A JP2002249839A (ja) | 2002-09-06 |
| JP3412133B2 true JP3412133B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=19705133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001029888A Expired - Fee Related JP3412133B2 (ja) | 2001-01-31 | 2001-02-06 | 高密度な水平磁気記録媒体の下地層用合金 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412133B2 (ja) |
| KR (1) | KR100390391B1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155339A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and production thereof |
| JPS60228637A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用Ｃｏ基合金 |
| JP2001312814A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
2001
- 2001-01-31 KR KR10-2001-0004501A patent/KR100390391B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-06 JP JP2001029888A patent/JP3412133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002249839A (ja) | 2002-09-06 |
| KR20020063973A (ko) | 2002-08-07 |
| KR100390391B1 (ko) | 2003-07-07 |
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