JPS58141435A - 垂直磁化記録媒体 - Google Patents

垂直磁化記録媒体

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JPS58141435A
JPS58141435A JP57023967A JP2396782A JPS58141435A JP S58141435 A JPS58141435 A JP S58141435A JP 57023967 A JP57023967 A JP 57023967A JP 2396782 A JP2396782 A JP 2396782A JP S58141435 A JPS58141435 A JP S58141435A
Authority
JP
Japan
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film
vapor
deposition
thin film
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP57023967A
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English (en)
Inventor
Riichi Tanaka
田中 利一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS58141435A publication Critical patent/JPS58141435A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73923Organic polymer substrates

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録層のほぼ厚さ方向に沿う方向の磁化に
よってその記録を行う〜いわゆる乗置磁化による垂m磁
化記録媒体に係わる。
従来、一般のオーディオ、ビデオ等のデープレフーダ或
いはシートレクーダ等においては゛、基体(ペース)上
に被着形成された磁気記録層に水平方向の磁化(面内方
向磁化)によってその記録を行っている。
ところがこの水平磁化による記録の場合、記録信号が短
波長になるにつれ、すなわち記録密度が大になるにつれ
、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減衰とIj!1転
を生じ再生出力が着しく減小す4これに比し磁気記録導
体の記録層の厚さ方向の磁化、いわゆる乗置磁化による
記録を行うときは短波長になるにつれ減磁界が小さくな
る性質をもつため、特に短波長記録においては上述した
従来一般の水平磁化による記録より垂直磁化による記録
の方が有利であることが知られている。
しかしながらこの穂垂直磁化記録媒体においていまだ量
産性に優れた構成を採るものが得られていない。
垂直磁化記録媒体の記録層としては、Co −Crの蒸
着膜によるものが知られている。
Co −Cr薄膜を垂直磁化記録層とす、るためには、
その結晶構造が6方最密構造(ヘキサゴナル構造(hf
e−P、))であって且つそのζ軸が膜面に垂直な方向
に配向していなければならない、ところが通常のように
Co−Cr膜を蒸着によって作製する場合、6方晶形の
信相の他にα相や一相が混り易く、上述の条件を満たす
ことは容易ではなく、またその条件を満たすことができ
るとしても、その基体温度、堆積逮度岬の蒸着条件が厳
密に遁走される必要があるなど生産性を阻むものである
一方、Co−Cr合金による記録層を形成するにスパッ
タリング法によるものが提案されている。
しかしながら、この場合その膜成長速度すなわち堆積速
度が遅く例えば0.9〜2.5Jh7−程度であって瀘
産性に乏しいという欠点がある。更にこのスパッタリン
グ法で多層膜を形成しようとする場合、装−が大型にな
りコスト高となり更にスパッタリング法の性質上きれい
な多層膜をつくりにくいという欠点がある。
本発明においては、このような欠点を回避し、生産性に
優れたすなわち垂直磁化記録膜の記録層の堆fgi速度
が大で、更に多層膜の形成を容易に行うことのできる延
いてはコストの低減化を図ることのできる垂直磁化記録
媒体を提供するものである。
すなわち1本発明者はsH楠の実験考察を重ねた結果、
垂直磁化記録層としてCo−Cr合金層の蒸s膜によっ
てtlI威するにも拘わらず、6方細密構造に優れ1相
におけるC軸の膜面に垂直な配向を充分に行うことがで
き〜垂直磁化特性に優れた垂直磁化記録媒体を得るに至
った。
本発明においては、第1図に示すように基体(ペース)
(り上に下地層として特にT&薄膜(2)を形成し、こ
れの上にCo−Cr合金の蒸着膜よりなる垂直磁化記録
層(3)を形成する0図中(4)は本発明による垂直磁
化記録媒体を全体として示す。
ここにT11i膜(2)は、その厚さを100−500
スに選定することが好ましく 、Co −Cr合金蒸着
膜の組成は、 Crを10〜25原千−残部Coによっ
て構成することが好ましく、これによって垂直方向の配
向に優れたものが得られることが確められた。尚、Ti
薄膜(2)を1001以上に選定する理由は、これ以下
ではT1の連*aが形成しに<<%T1の下地膜として
の効果が不充分となる場合があることを見出したことに
より、更に5ooλ以下に選定する理由は、これを越え
てもCo−Cr合金磁性層としての磁気的特性及び機械
的特性にこれ以上の特別の効果が得られないことを確め
たことによる。
また、実際上基体(1)に対するTiliIM(2)及
びCo −Cr蒸着膜による記録層(3)の各蒸着は同
一蒸着容器内で連続して行うものであり、このようにし
て作業の簡易化をはかると共に、Ti薄膜(2)の表面
酸化によるCo−Cr蒸着膜の特性低下を回避する、す
なわち、Ti薄膜(2)の蒸着後、真空蒸着容器内の真
空を−Hリークさせて外気を導入する場合、Ti薄膜表
面が酸化され、このTi薄膜(2)の下地層をして、こ
れの上にすぐれftco−Or膜を形成するという効果
が生じなくなる。
尚、Ti薄膜(2)及びCo −Cr蒸着膜による記録
層(3)の蒸着に際しての基体温度は160℃以下で充
分であり、また基体n>としてはポリイミドベース或い
は安価で表面性に優れたポリエチレンテレタタレート等
を用いることができる。
尚、この基体(1)に対するT&薄膜(2)と、CG−
Cr膜(3)の連続#、着は、例えば、第2図に示すよ
うに、第1及び第2の室0υ及び←りを有する真空蒸着
容器Q3jを設け、両室0υ及び0りに差し渡って例え
ばフィルム状の基体(1)が移行するようになされ、各
室Ql)及び0′、!Jにおいて夫々Ti蒸着源I及び
Co −Or蒸着&(+:舅を配して、移行する基体(
1)に対して先ずTiを蒸着し、その後、これの上にC
o−Cr蒸着膜(4)を蒸着するという方法をとり得る
。aeは、容器Iよりの排気をなす排気口で図示しない
が真空ポンプに連結される。尚、この排気口(T9は云
う迄もなく、v!J示の例のように両室aυ及びO望に
共通に設けることもできるし、両室aυ及び63に個々
に設けることもできる。また、図において、aη及び鱈
は、基体(1)の供給及び巻取り田−ルで、■及び(社
)はその移行のガイドー−ラである。
実施例1 約2X10−ゝT  l  の真空蒸着容器中でボリイ
ミrr ドフイルムを180℃に加熱し、10 X/whの堆積
速度でTIを2001蒸着した0次いで1これの上に同
様に真空蒸着容器内に連続的にIO!/、、、の堆積速
度をもってCo−Cr合金を0.!!Amの厚さに蒸着
して垂直磁化記録媒体(4)を得た。
このようにして得た媒体(4)のCo−Cr1lにおけ
るX線回折パターンを第3図に示す、これによれば、6
′jIj晶形の<0002:>結晶軸のビータのみがみ
られる。これはα相や一相はな(C相のみであり且つC
軸が膜面に垂直に配向していることを意味している。そ
してまたこの実施例1によるC0−Cr合金ItE録層
の膜面に垂直な方向及び腰面内でiau印加したヒステ
リシスカーブは夫々第4図中、実線及び破線に示す、こ
れによりこのような本発明構成による磁気記録媒体は垂
直磁化に対して優れた特性を有することがわかる。すな
わち、この場合、最大飽和磁化は390e−”/aia
で垂直方向の抗磁力は7600e 、水平方向のそれは
4200eであった争 本発明の特徴を明確にするために次に比較例について説
明する。
比較例1 2 X 10−@To、、の真空中で、ポリイミドフィ
ルムを180℃に熱し、これに直接的にCo −Cr合
金膜ヲlo!/μの堆稙速度で0.5μm蒸着した。
比較例2 実施例1と同様の方法によるもTl薄膜下地層(2)と
して1001の蒸着を行った。
このようにして得た比較例1及び2による記録媒体の記
録層すなわちCo−Cr膜に対するX線回折パターンは
第5図及び餉6図に示す、これより明らかなように1、
へ中管ゴナル権<0002>結晶軸のほかに< 101
0 >及び< l0TI >にビータがみられる。これ
は8相のみではあるが、C軸の膜面にm@な方向への配
向がよくないことを示している。
すなわち本発明による磁気記録媒体によれば、Tl薄膜
(2)もヘキサ曾ナール相構造であってこれが結晶化し
やすく且つそのC軸が膜面に垂直な方向に非常に配向し
やすいために、このTl薄膜を予め下地層として蒸着し
、その上にCo−Cr蒸着膜を形成した場合、上層のC
o−Cr記録層は、下層−のTI下地層(2)の結晶に
よる影響によって結晶化しやすく且つC軸が膜面に垂直
な方向によく配向するものであり、優れた垂、電磁化を
なし得るものである。しかしながらTl薄膜があまり薄
い場合には、その効果が充分でないことが比較例2によ
ってわかる0、このような蒸着法によるCo−Cr膜の
作親に際して下地層としてTl薄膜(2)を蒸着してお
く場合、基体温度が140℃からの低い温度であっても
またCo−0r膜厚が薄くても例えば0.1μm以下で
あってもC軸が膜面に垂直な方向によ(配向す。
ることが確められ、従って垂直磁化記録媒体として全て
媒体を構成し得る。
実施例2 実施例1と同様の方法によるも基体としてポリエチレン
テレ7タレーシを用い、その基体温度60°Cにおいて
TI下地薄膜(2)を2001の厚さに蒸着し続いてC
o −Cr合金膜を0.5μmの厚さに蒸着して記録層
(3)を形成した。
実施例3 実施例2においてポリエチレンテレフタレート基体温度
を100℃とした。
実施例4 実施例2におけるポリエチレンテレフタレート基体温度
を140℃とした。
実施例5 実施例2におけるポリエチレンテレ7タレーシ基体湿度
を100°Cに保ち磁性層Co −Cr合金層の厚さを
0.1μmとした。
各実施例2〜5による媒体についてもX線回折によって
、C軸が膜面に垂直に配向していることが確められた。
上述したように本発明による磁気記録媒体によれば優れ
た垂直磁化記録を行うことができ、しかもその記録層と
してのCo−Cr合金膜を蒸着法によって形成したこと
によって膜堆積速度を向上することができ、これに伴っ
て生産性の向上延いてはコストの低廉化を図ることがで
き、會た再現性に優れた磁気記録媒体を得ることができ
るという利益を有するものである。
また、第1図で説明した例においては、基体(1)上に
Tl薄膜(2)を下地層とし、これの上にCo −Cr
合金記録層(3)を形成した場合であるが、更にある場
合は第7図に示すように基体tl)上に低抗磁力材層(
5)を形成し、これの上にT&薄膜層(2)及びCo−
Cr合金記録層(3)を形成するようになすこともでき
る。
この場合の抵抗磁力材層(5)はその抗磁力Hcが記録
層(3)の抗磁力の1以下、好ましくはsoo o・以
下に遁走され且つその厚さが0.1μm以上好ましくは
0.1〜3.0μm更に好ましくは0.2〜3.0μm
に選定される。
このような低抗磁力層(5)を有する構成とする場合、
巣極型ヘッドによって効率のよい記録を行うことができ
る。すなわち記録層(3)側に単極型ヘッドを配置して
その記録を行う場合、低抗磁力層内に単極ヘッドの影像
磁化が生じ、単極ヘッドから発生する磁界を強める作用
な生せしめることができる。またこの低抗磁力層によっ
て記録層の裏面の磁気回路を部分的に閉じ、減磁作用を
軽減し残wI′1a化を強めるという効果を生ぜしめ得
るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による垂直磁化記録媒体の一例の路線的
拡大断面図、第2図・は本発明による媒体を得る蒸着装
置の一例の構成図、第3図は本発明の一例の垂直磁化記
録媒体のX@回折図、第4図は同様の媒体のヒステリシ
ス曲線図、第5図及び第6図は夫々本発明と比較される
比較例の垂直磁化記録媒体のX線回折図、第7図は本発
明による垂直磁化記録媒体の他の例の路線的断面図であ
る。 (1)は基体、(2)はTI薄膜下地層−(3)はCo
 −Cr合金記録層、(5)は低抗磁力材層である。 手続補正書 昭和s1年1月11日 昭和s1年特許願第  !89@7   号2・驚明″
名称  −直一化紀一媒体 3、抽11:、をする考 jL Eとの関係  特許出願人 任゛す1 東京品質υIl+<、1ヒ品川6丁目7番3
5号名称(2181ソニ・−株式会社 代表取、jMj7没岩間和夫 6、抽ll−4により増加する発明の数7、  ?dl
  +1’: )に−f ’l   @−書の斃−の詳
細な購−の欄及び間両。 (1)  明細書中、第5lil1行「細密」を「最密
」と訂正する。 (2)同、j14mm7行rl@O〜5oolJ ヲr
lso 〜5001Jと訂正する。 (3)同、同1j12行r 100蓋」を[18GX 
Jと訂正する。 (4)同、第6翼11行rTorrJを[Torr()
ル)Jと訂正する。 (5)同、同頁12行及びg7If15行rllo℃」
を夫々r 1180℃」と訂正する。 (6)  同、第111m111行及び菖11t8〜4
行r<0002>結晶軸」をr (0002)細晶画」
と訂正する。 (8)  図面中、第3wA%1aS図及び菖6図を夫
々添付図面のように補正する。 以   上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基体上cTi911jを有し、該’I’1g膜1にCo
    −Cr合金よりなる垂直磁化記録層を蒸着形成した垂直
    磁化記録媒体。
JP57023967A 1982-02-17 1982-02-17 垂直磁化記録媒体 Pending JPS58141435A (ja)

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JP57023967A JPS58141435A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 垂直磁化記録媒体

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JP57023967A JPS58141435A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 垂直磁化記録媒体

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JPS58141435A true JPS58141435A (ja) 1983-08-22

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JP57023967A Pending JPS58141435A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 垂直磁化記録媒体

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Cited By (5)

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