JPH05135343A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05135343A JPH05135343A JP32258191A JP32258191A JPH05135343A JP H05135343 A JPH05135343 A JP H05135343A JP 32258191 A JP32258191 A JP 32258191A JP 32258191 A JP32258191 A JP 32258191A JP H05135343 A JPH05135343 A JP H05135343A
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- Japan
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- magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板を使用した磁気記録媒体におい
て、ガラス基板から生じる酸素によりＣｒ下地膜が酸化
されないようにして磁気記録媒体の保磁力を向上した。 【構成】 磁気記録媒体において、ガラスやセラミック
等の非磁性基板１１とＣｒ下地膜１３との間に、希土類
元素とＴａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくとも
１種の元素を含む酸素隔離膜１２を介在させた。
て、ガラス基板から生じる酸素によりＣｒ下地膜が酸化
されないようにして磁気記録媒体の保磁力を向上した。 【構成】 磁気記録媒体において、ガラスやセラミック
等の非磁性基板１１とＣｒ下地膜１３との間に、希土類
元素とＴａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくとも
１種の元素を含む酸素隔離膜１２を介在させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッドとの
間において情報の記録および再生を行なうための磁気記
録媒体に関し、特にガラス基板を使用した場合に下地Ｃ
ｒ膜が酸化されにくくしたものである。
間において情報の記録および再生を行なうための磁気記
録媒体に関し、特にガラス基板を使用した場合に下地Ｃ
ｒ膜が酸化されにくくしたものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、磁気記録媒体に
微小間隔で磁気ヘッドを対向させ、磁気記録媒体に記録
された磁気情報を磁気ヘッドが読み取ったり、磁気ヘッ
ドから磁気記録媒体に磁気的に記録するようになってい
る。磁気ディスク装置に使用する磁気記録媒体は、記録
密度の向上が要求されており、そのため保磁力を大きく
することが種々研究されている。一般に磁気記録媒体
は、Ａｌ基板が使用され、その上にＣｒ下地膜、磁性
膜、Ｃ保護膜が形成されている。また最近ではガラス基
板が使用されたものがあり、その場合も順次Ｃｒ下地
膜、磁性膜、Ｃ保護膜が積層されている。
微小間隔で磁気ヘッドを対向させ、磁気記録媒体に記録
された磁気情報を磁気ヘッドが読み取ったり、磁気ヘッ
ドから磁気記録媒体に磁気的に記録するようになってい
る。磁気ディスク装置に使用する磁気記録媒体は、記録
密度の向上が要求されており、そのため保磁力を大きく
することが種々研究されている。一般に磁気記録媒体
は、Ａｌ基板が使用され、その上にＣｒ下地膜、磁性
膜、Ｃ保護膜が形成されている。また最近ではガラス基
板が使用されたものがあり、その場合も順次Ｃｒ下地
膜、磁性膜、Ｃ保護膜が積層されている。
【０００３】しかしガラス基板の場合、その表面にＨ2
Ｏ、Ｏ2 、ＯＨ基等が付着していて、それらは基板から
剥離してその付近に拡散する。このためＣｒ下地膜をス
パッタにより形成するときにＣｒ原子が基板表面に到達
する前に、Ｃｒが酸化したり基板上の酸素と反応して酸
化する。このようにＣｒ下地が酸化すると、下地膜とし
て最も望ましい金属Ｃｒの体心立方格子の結晶成長が妨
害され、磁気記録媒体としての特性が低下してしまう。
Ｏ、Ｏ2 、ＯＨ基等が付着していて、それらは基板から
剥離してその付近に拡散する。このためＣｒ下地膜をス
パッタにより形成するときにＣｒ原子が基板表面に到達
する前に、Ｃｒが酸化したり基板上の酸素と反応して酸
化する。このようにＣｒ下地が酸化すると、下地膜とし
て最も望ましい金属Ｃｒの体心立方格子の結晶成長が妨
害され、磁気記録媒体としての特性が低下してしまう。
【０００４】これら問題を解決するため、基板上にＭ
ｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ等の金属や、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＮ、ＡｌＮのような酸化物や窒化
物の非磁性中間膜を被着し、その上にＣｒ下地膜、磁性
膜、Ｃ保護膜を順に積層した磁気記録媒体が提案されて
いる（特開平２−２９９２３号公報）。
ｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ等の金属や、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＮ、ＡｌＮのような酸化物や窒化
物の非磁性中間膜を被着し、その上にＣｒ下地膜、磁性
膜、Ｃ保護膜を順に積層した磁気記録媒体が提案されて
いる（特開平２−２９９２３号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に記載し
たように、ガラス基板を使用した磁気記録媒体において
Ｃｒ下地膜が酸化されないように、基板上にＭｏ、Ｚｒ
等の非磁性中間膜を被着したものがあるが、そのような
場合でもガラス基板側から発生する酸素によりＣｒ下地
層が酸化されることがあり、Ｃｒ下地層の酸化の防止は
十分に満足できるものではなかった。そのためガラス基
板を使用した磁気記録媒体において、ガラス基板からの
酸素の悪影響を確実に防止することが望まれている。そ
こで本発明は、ガラス基板から生じる酸素によりＣｒ下
地膜が酸化されないようにして、磁気記録媒体の保磁力
を向上することを目的とする。
たように、ガラス基板を使用した磁気記録媒体において
Ｃｒ下地膜が酸化されないように、基板上にＭｏ、Ｚｒ
等の非磁性中間膜を被着したものがあるが、そのような
場合でもガラス基板側から発生する酸素によりＣｒ下地
層が酸化されることがあり、Ｃｒ下地層の酸化の防止は
十分に満足できるものではなかった。そのためガラス基
板を使用した磁気記録媒体において、ガラス基板からの
酸素の悪影響を確実に防止することが望まれている。そ
こで本発明は、ガラス基板から生じる酸素によりＣｒ下
地膜が酸化されないようにして、磁気記録媒体の保磁力
を向上することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、ガラスやセラミック等の非磁性基板を使用し
た磁気記録媒体において、非磁性基板上に希土類元素、
Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくとも１種の
元素を含む酸素隔離膜を被着し、その上に順にＣｒ下地
膜、磁性膜を積層した。
するため、ガラスやセラミック等の非磁性基板を使用し
た磁気記録媒体において、非磁性基板上に希土類元素、
Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくとも１種の
元素を含む酸素隔離膜を被着し、その上に順にＣｒ下地
膜、磁性膜を積層した。
【０００７】
【作用】上記の磁気記録媒体は、非磁性基板の上に希土
類元素、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくと
も１種の元素を含む酸素隔離膜を被着しているので、非
磁性基板から酸素が外側に拡散することがなく、Ｃｒ下
地層をスパッタにより形成する場合に、Ｃｒが酸化する
ことはない。よって金属Ｃｒの体心立方格子の結晶成長
が良好であり、磁気記録媒体の保磁力は向上する。
類元素、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくと
も１種の元素を含む酸素隔離膜を被着しているので、非
磁性基板から酸素が外側に拡散することがなく、Ｃｒ下
地層をスパッタにより形成する場合に、Ｃｒが酸化する
ことはない。よって金属Ｃｒの体心立方格子の結晶成長
が良好であり、磁気記録媒体の保磁力は向上する。
【０００８】
（実施例１）図１は本発明の一実施例となる磁気記録媒
体の断面図を示したものであり、非磁性基板１１の上に
順に、酸素隔離膜１２、Ｃｒ下地膜１３、合金磁性膜１
４、保護膜１５、潤滑剤１６が積層されている。非磁性
基板１１は化学強化ガラス、あるいは結晶化ガラス、セ
ラミック等からなる。酸素隔離膜１２は、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｈｆ、Ｙおよび希土類元素からなる郡から選んだ少なく
とも１種の金属元素、あるいはこれらの元素を主成分と
する合金さらにはこれら単体もしくは合金にＳｉ、酸
素、窒素からなる郡から選ばれた少なくとも１種の元素
を含んだ成分からなる。合金磁性膜１４は、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金から
なり、保護膜１５は、Ｃ、ＳｉＯ2 、Ｚｒｏ2 等からな
る。
体の断面図を示したものであり、非磁性基板１１の上に
順に、酸素隔離膜１２、Ｃｒ下地膜１３、合金磁性膜１
４、保護膜１５、潤滑剤１６が積層されている。非磁性
基板１１は化学強化ガラス、あるいは結晶化ガラス、セ
ラミック等からなる。酸素隔離膜１２は、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｈｆ、Ｙおよび希土類元素からなる郡から選んだ少なく
とも１種の金属元素、あるいはこれらの元素を主成分と
する合金さらにはこれら単体もしくは合金にＳｉ、酸
素、窒素からなる郡から選ばれた少なくとも１種の元素
を含んだ成分からなる。合金磁性膜１４は、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金から
なり、保護膜１５は、Ｃ、ＳｉＯ2 、Ｚｒｏ2 等からな
る。
【０００９】本発明の特徴は、Ｃｒ下地膜１３と非磁性
基板１１の間に酸素隔離膜１２を設けた点にある。外径
９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍの非磁性基
板を洗浄後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置ｗｐを用
い、２×１０-7Ｔｏｒｒ以下に排気後、ガラス基板を３
００℃で１０分間加熱後、Ａｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を１０ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力５００Ｗ、
製膜速度１８０Å／分の条件により、Ｔａ酸素隔離膜、
Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ磁性膜、Ｃ保護膜の順に連続
して形成し薄膜磁気ディスクを作成した。
基板１１の間に酸素隔離膜１２を設けた点にある。外径
９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍの非磁性基
板を洗浄後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置ｗｐを用
い、２×１０-7Ｔｏｒｒ以下に排気後、ガラス基板を３
００℃で１０分間加熱後、Ａｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を１０ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力５００Ｗ、
製膜速度１８０Å／分の条件により、Ｔａ酸素隔離膜、
Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ磁性膜、Ｃ保護膜の順に連続
して形成し薄膜磁気ディスクを作成した。
【００１０】Ｃｒ下地膜の膜厚を１０００Å一定、Ｃｏ
ＣｒＴａ磁性膜の膜厚を５００Å一定とし、Ｔａ酸素隔
離膜の膜厚を１００Åから３０００Åまで変化させて薄
膜磁気ディスクを作成し、それらの保磁力と保磁力角形
比を測定したところ、表１のような磁気特性が得られ
た。なお表１には比較のため酸素隔離膜の膜厚が０の比
較例についての磁気特性も示した。
ＣｒＴａ磁性膜の膜厚を５００Å一定とし、Ｔａ酸素隔
離膜の膜厚を１００Åから３０００Åまで変化させて薄
膜磁気ディスクを作成し、それらの保磁力と保磁力角形
比を測定したところ、表１のような磁気特性が得られ
た。なお表１には比較のため酸素隔離膜の膜厚が０の比
較例についての磁気特性も示した。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１より明らかなように、比較例では保磁
力が４９０Ｏｅと低い保磁力しか示さないのに対し、Ｔ
ａ酸素隔離膜を厚くしていくと急激に保磁力は増大し、
酸素隔離膜が５００Åのときには、ほぼ２倍の１０００
Ｏｅを得ることができる。また保磁力角形比も酸素隔離
膜の存在により改善されていることがわかる。オージェ
電子分光法により、膜の深さ方向の元素分析を行なった
結果、酸素隔離膜がない場合は酸素がＣｒ下地膜に拡散
しているのに対し、酸素隔離膜を用いた場合は酸素は酸
素隔離膜中に拡散しているものの、Ｃｒ下地膜には含ま
れていないことがわかった。これにより酸素隔離膜に
は、非磁性基板からの酸素がＣｒ下地膜に拡散するのを
防ぐ効果があることがわかる。
力が４９０Ｏｅと低い保磁力しか示さないのに対し、Ｔ
ａ酸素隔離膜を厚くしていくと急激に保磁力は増大し、
酸素隔離膜が５００Åのときには、ほぼ２倍の１０００
Ｏｅを得ることができる。また保磁力角形比も酸素隔離
膜の存在により改善されていることがわかる。オージェ
電子分光法により、膜の深さ方向の元素分析を行なった
結果、酸素隔離膜がない場合は酸素がＣｒ下地膜に拡散
しているのに対し、酸素隔離膜を用いた場合は酸素は酸
素隔離膜中に拡散しているものの、Ｃｒ下地膜には含ま
れていないことがわかった。これにより酸素隔離膜に
は、非磁性基板からの酸素がＣｒ下地膜に拡散するのを
防ぐ効果があることがわかる。
【００１３】（実施例２）実施例１と同様に、ガラス基
板上に表２に示す種々の材料からなる酸素隔離膜を被着
し、さらにＣｒ下地膜、ＣｏＣｒＰｔ磁性膜、Ｃ保護膜
の順に形成して薄膜磁気ディスクを作成し、それらの保
磁力と角形比を測定してその結果を表２に示した。なお
酸素隔離膜の膜厚は５００Å一定とし、ＣｏＣｒＰｔ磁
性膜の膜厚は５００Å一定とした。表２から明らかなよ
うに、Ｔａ、Ｎｂなどの酸素隔離膜を形成した場合は、
比較例よりも保磁力が大幅に改善され、保磁力角形比も
改善されていることがわかる。
板上に表２に示す種々の材料からなる酸素隔離膜を被着
し、さらにＣｒ下地膜、ＣｏＣｒＰｔ磁性膜、Ｃ保護膜
の順に形成して薄膜磁気ディスクを作成し、それらの保
磁力と角形比を測定してその結果を表２に示した。なお
酸素隔離膜の膜厚は５００Å一定とし、ＣｏＣｒＰｔ磁
性膜の膜厚は５００Å一定とした。表２から明らかなよ
うに、Ｔａ、Ｎｂなどの酸素隔離膜を形成した場合は、
比較例よりも保磁力が大幅に改善され、保磁力角形比も
改善されていることがわかる。
【００１４】
【表２】
【００１５】（実施例３）実施例１と同様に、ガラス基
板上にＧｄ酸素隔離膜を膜厚を種々変えて被着し、さら
にＣｒ下地膜、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜、Ｃ保護膜の順に形
成して薄膜磁気ディスクを作成し、それらの保磁力を測
定してその結果を表３に示した。なお磁性膜の膜厚は５
００Å一定とし、Ｃｒ下地膜の膜厚は種々変えて作成し
た。また比較のため酸素隔離膜を被着せず（膜厚０）、
Ｃｒ下地膜の膜厚を変え、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜、Ｃ保護
膜を順に形成した比較例の薄膜磁気ディスクの保磁力も
測定して表３に示した。
板上にＧｄ酸素隔離膜を膜厚を種々変えて被着し、さら
にＣｒ下地膜、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜、Ｃ保護膜の順に形
成して薄膜磁気ディスクを作成し、それらの保磁力を測
定してその結果を表３に示した。なお磁性膜の膜厚は５
００Å一定とし、Ｃｒ下地膜の膜厚は種々変えて作成し
た。また比較のため酸素隔離膜を被着せず（膜厚０）、
Ｃｒ下地膜の膜厚を変え、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜、Ｃ保護
膜を順に形成した比較例の薄膜磁気ディスクの保磁力も
測定して表３に示した。
【００１６】
【表３】
【００１７】表３から明らかなように酸素隔離膜を被着
した本実施例のものは、比較例に比較して保磁力が改善
されており、特にＣｒ下地膜の膜厚が５００Å以上の場
合に酸素隔離膜を被着することにより１０００Ｏｅ以上
の高保磁力を得ることができる。上記実施例では酸素隔
離膜をＴａ、Ｎｂ、Ｇｄ等の単一元素で作成していた
が、それら元素を含む合金で作成してもほぼ同様の結果
が得られることは容易に推測できる。
した本実施例のものは、比較例に比較して保磁力が改善
されており、特にＣｒ下地膜の膜厚が５００Å以上の場
合に酸素隔離膜を被着することにより１０００Ｏｅ以上
の高保磁力を得ることができる。上記実施例では酸素隔
離膜をＴａ、Ｎｂ、Ｇｄ等の単一元素で作成していた
が、それら元素を含む合金で作成してもほぼ同様の結果
が得られることは容易に推測できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、ガラスやセラ
ミック等の非磁性基板を使用しているが、Ｃｒ下地膜を
スパッタする前に希土類元素、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆか
ら選択される少なくとも１種を含む酸素隔離膜を非磁性
基板上に形成しているので、スパッタされるＣｒ下地膜
が酸化されることがなく、保磁力の大きな磁気記録媒体
を得ることができる。
ミック等の非磁性基板を使用しているが、Ｃｒ下地膜を
スパッタする前に希土類元素、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆか
ら選択される少なくとも１種を含む酸素隔離膜を非磁性
基板上に形成しているので、スパッタされるＣｒ下地膜
が酸化されることがなく、保磁力の大きな磁気記録媒体
を得ることができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の部分断面図である。
１１ 非磁性基板 １２ 酸素隔離膜 １３ Ｃｒ下地膜 １４ 磁性膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラスやセラミック等の非磁性基板上に
Ｃｒ下地膜を介して磁性膜を被着させてなる磁気記録媒
体において、非磁性基板とＣｒ下地膜の間に希土類元素
とＴａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される少なくとも１種
の元素を含む酸素隔離膜を介在させたことを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32258191A JPH05135343A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32258191A JPH05135343A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135343A true JPH05135343A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18145292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32258191A Pending JPH05135343A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05135343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197367B1 (en) | 1996-11-05 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6403240B1 (en) | 1996-05-20 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP32258191A patent/JPH05135343A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403240B1 (en) | 1996-05-20 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6596420B2 (en) | 1996-05-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US7056604B2 (en) | 1996-05-20 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6197367B1 (en) | 1996-11-05 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6692843B2 (en) | 1996-11-05 | 2004-02-17 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US7050253B2 (en) | 1997-12-09 | 2006-05-23 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
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