JP2001291230A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001291230A JP2001291230A JP2000101350A JP2000101350A JP2001291230A JP 2001291230 A JP2001291230 A JP 2001291230A JP 2000101350 A JP2000101350 A JP 2000101350A JP 2000101350 A JP2000101350 A JP 2000101350A JP 2001291230 A JP2001291230 A JP 2001291230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- layer
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 147
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 147
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- -1 B N Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021386 carbon form Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7371—Non-magnetic single underlayer comprising nickel
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力を有し、しかも媒体ノイズが十分
に小さく、高密度記録でも高い信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）で記録再生できる。 【解決手段】 非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面
側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する
非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成さ
れるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えるこ
とを特徴とする。
に小さく、高密度記録でも高い信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）で記録再生できる。 【解決手段】 非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面
側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する
非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成さ
れるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えるこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜を有
する磁性層を備える磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
する磁性層を備える磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、蒸着法やスパッタリング法等
により形成された金属磁性薄膜を、磁気記録を行う磁性
層として備える磁気記録媒体が知られている。この磁性
層としては、主として、例えば、特開平９−２５９４１
９号公報や特開平９−２４５３３７号公報に記載される
ように、Ｃｏ及びＰｔ或いはＣｒを主成分としてＴａ、
Ｔｉ等各種元素を添加したものを用いている。
により形成された金属磁性薄膜を、磁気記録を行う磁性
層として備える磁気記録媒体が知られている。この磁性
層としては、主として、例えば、特開平９−２５９４１
９号公報や特開平９−２４５３３７号公報に記載される
ように、Ｃｏ及びＰｔ或いはＣｒを主成分としてＴａ、
Ｔｉ等各種元素を添加したものを用いている。
【０００３】一方、このような磁気記録媒体の磁性層に
は、より高密度の記録を行うため、低ノイズ化と高保磁
力化が希求されている。特に、面内磁気記録において
は、熱減磁が大きな問題となるため、磁性層としてはよ
り高い保磁力が必要とされる。一般に、磁性層の保磁力
を高めるためには、結晶磁気異方性の大きな金属間化合
物を用いる方法が考えられる。
は、より高密度の記録を行うため、低ノイズ化と高保磁
力化が希求されている。特に、面内磁気記録において
は、熱減磁が大きな問題となるため、磁性層としてはよ
り高い保磁力が必要とされる。一般に、磁性層の保磁力
を高めるためには、結晶磁気異方性の大きな金属間化合
物を用いる方法が考えられる。
【０００４】例えば、特開平１０−２５５２４９号公報
に記載されるように、Ｃｏ等の磁性元素とＳｍ等の希土
類元素との金属間化合物を用いるものや、特開平１０−
９２６３７に記載されるように、ＣｏとＰｔとの金属間
化合物を用いるものがある。
に記載されるように、Ｃｏ等の磁性元素とＳｍ等の希土
類元素との金属間化合物を用いるものや、特開平１０−
９２６３７に記載されるように、ＣｏとＰｔとの金属間
化合物を用いるものがある。
【０００５】また、熱減磁の影響を受けにくい方法とし
ては、垂直磁気記録が提案されており、特開平１−２５
１３５６号公報に記載されるように、ＣｏとＰｔ或いは
Ｐｄとを交互に積層し、磁性層を連続積層構造にするこ
とで垂直媒体が実現できることが示されている。
ては、垂直磁気記録が提案されており、特開平１−２５
１３５６号公報に記載されるように、ＣｏとＰｔ或いは
Ｐｄとを交互に積層し、磁性層を連続積層構造にするこ
とで垂直媒体が実現できることが示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、磁性層に高保磁力を得るため、ＣｏＳｍ合金やＣ
ｏＰｔ合金のように結晶磁気異方性の大きな金属間化合
物を用いればよいが、これら金属間化合物の規則結晶を
得るためには比較的高温での成膜や成膜後の熱処理が必
要となる。すなわち、磁性層に高保磁力を得るためにＣ
ｏＳｍ合金やＣｏＰｔ合金を用いる場合、磁気記録媒体
を比較的高温条件下に晒す必要がある。
うに、磁性層に高保磁力を得るため、ＣｏＳｍ合金やＣ
ｏＰｔ合金のように結晶磁気異方性の大きな金属間化合
物を用いればよいが、これら金属間化合物の規則結晶を
得るためには比較的高温での成膜や成膜後の熱処理が必
要となる。すなわち、磁性層に高保磁力を得るためにＣ
ｏＳｍ合金やＣｏＰｔ合金を用いる場合、磁気記録媒体
を比較的高温条件下に晒す必要がある。
【０００７】しかしながら、磁気記録媒体を比較的高温
条件下に晒してしまうと、磁性層中の結晶粒子の大きさ
が増大し、その結果、ノイズを増加させることとなって
しまう。また、ＣｏとＰｔ或いはＰｄとを連続積層して
なる垂直磁気記録媒体では、加熱工程を必要としない
が、例えばJournal of Magnetic Society of Japan VOL
18、Supplement、No.S1 (1994)p.103に記載されるよう
に、媒体ノイズが大きいことが知られている。
条件下に晒してしまうと、磁性層中の結晶粒子の大きさ
が増大し、その結果、ノイズを増加させることとなって
しまう。また、ＣｏとＰｔ或いはＰｄとを連続積層して
なる垂直磁気記録媒体では、加熱工程を必要としない
が、例えばJournal of Magnetic Society of Japan VOL
18、Supplement、No.S1 (1994)p.103に記載されるよう
に、媒体ノイズが大きいことが知られている。
【０００８】そこで、本発明は、上述したような従来の
実情に鑑みて案出されたものであり、高い保磁力を有
し、しかも媒体ノイズが十分に小さく、高密度記録でも
高い信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生できる磁気記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
実情に鑑みて案出されたものであり、高い保磁力を有
し、しかも媒体ノイズが十分に小さく、高密度記録でも
高い信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生できる磁気記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基板と、上記非磁
性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ
％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下
地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性
層とを備えることを特徴とするものである。
本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基板と、上記非磁
性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ
％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下
地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性
層とを備えることを特徴とするものである。
【００１０】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属
下地層を備えるため、磁性層の結晶配向性を向上させ
る。その結果、磁性層は高保磁力を有することとなる。
また、磁気記録媒体では、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有す
る非磁性金属下地層を備えるため、磁性層中の磁性粒子
間の磁気的相互作用を低減させることができる。その結
果、磁気記録媒体はノイズ成分が低減することとなる。
記録媒体は、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属
下地層を備えるため、磁性層の結晶配向性を向上させ
る。その結果、磁性層は高保磁力を有することとなる。
また、磁気記録媒体では、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有す
る非磁性金属下地層を備えるため、磁性層中の磁性粒子
間の磁気的相互作用を低減させることができる。その結
果、磁気記録媒体はノイズ成分が低減することとなる。
【００１１】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性基板の一主面側に１００℃以下の条件下で
Ｒｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を形成
し、その後、１００℃以下の条件下で上記非磁性金属層
上に金属磁性膜膜を有する磁性層を形成することを特徴
とするものである。
法は、非磁性基板の一主面側に１００℃以下の条件下で
Ｒｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を形成
し、その後、１００℃以下の条件下で上記非磁性金属層
上に金属磁性膜膜を有する磁性層を形成することを特徴
とするものである。
【００１２】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体の製造方法は、非磁性金属下地層及び磁性層を
それぞれ１００℃以下の温度で形成しても、Ｒｕを２０
ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層上に磁性層を形成
するため、高保磁力を有する磁性層を形成することがで
きる。また、この手法によれば、高温を印加することに
より磁性結晶粒子が粗大化することを防止し、ノイズ成
分の少ない磁性層を形成することができる。
記録媒体の製造方法は、非磁性金属下地層及び磁性層を
それぞれ１００℃以下の温度で形成しても、Ｒｕを２０
ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層上に磁性層を形成
するため、高保磁力を有する磁性層を形成することがで
きる。また、この手法によれば、高温を印加することに
より磁性結晶粒子が粗大化することを防止し、ノイズ成
分の少ない磁性層を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
及びその製造方法の具体的な実施の形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
及びその製造方法の具体的な実施の形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
【００１４】本発明を適用した磁気記録媒体は、図１に
示すように、非磁性基板１と、非磁性基板１上に形成さ
れ、Ｒｕを２０ａｔ％以上の割合で含有した非磁性金属
下地層２と、非磁性金属下地層２上に形成され、金属磁
性薄膜を有するた磁性層３とを備えている。また、この
磁気記録媒体は、図示しないが、非磁性基板１と非磁性
金属下地層２との付着性を改善する目的で、非磁性基板
１と非磁性金属下地層２との間にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｃ及びＳｉの元
素のいずれか又は当該元素の合金の膜を形成したもので
あっても良い。
示すように、非磁性基板１と、非磁性基板１上に形成さ
れ、Ｒｕを２０ａｔ％以上の割合で含有した非磁性金属
下地層２と、非磁性金属下地層２上に形成され、金属磁
性薄膜を有するた磁性層３とを備えている。また、この
磁気記録媒体は、図示しないが、非磁性基板１と非磁性
金属下地層２との付着性を改善する目的で、非磁性基板
１と非磁性金属下地層２との間にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｃ及びＳｉの元
素のいずれか又は当該元素の合金の膜を形成したもので
あっても良い。
【００１５】この磁気記録媒体において、非磁性金属下
地層２は、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有しているため、磁
性層３の保磁力を大幅に増加させることができる。さら
に、非磁性金属下地層２は、磁性層３を構成する磁性粒
子間の磁気的相互作用を弱め媒体ノイズを低下させる作
用を有する。
地層２は、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有しているため、磁
性層３の保磁力を大幅に増加させることができる。さら
に、非磁性金属下地層２は、磁性層３を構成する磁性粒
子間の磁気的相互作用を弱め媒体ノイズを低下させる作
用を有する。
【００１６】非磁性金属下地層２は、Ｒｕを２０ａｔ％
以上含有するものであるが、言い換えると、非磁性金属
下地層２には、Ｒｕ以外の元素が８０ａｔ％未満の割合
で含有されていても良い。
以上含有するものであるが、言い換えると、非磁性金属
下地層２には、Ｒｕ以外の元素が８０ａｔ％未満の割合
で含有されていても良い。
【００１７】非磁性金属下地層２に含有されるＲｕ以外
の元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ及びＩｒ（以
下、これらの元素を第１群と称する。）から選ばれる少
なくとも一種以上の元素が挙げられる。すなわち、非磁
性金属下地層２は、これらの第１群の元素とＲｕとの合
金であっても良い。特に、第１群の元素とＲｕとの合金
においては、Ｒｕの組成比が５０ａｔ％以上であること
が好ましい。
の元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ及びＩｒ（以
下、これらの元素を第１群と称する。）から選ばれる少
なくとも一種以上の元素が挙げられる。すなわち、非磁
性金属下地層２は、これらの第１群の元素とＲｕとの合
金であっても良い。特に、第１群の元素とＲｕとの合金
においては、Ｒｕの組成比が５０ａｔ％以上であること
が好ましい。
【００１８】第１群の元素とＲｕとからなる合金（一般
式Ｒｕ100-xＭxで表す。Ｍは第１群の元素を示す。）を
非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体について、
一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図２及び図
３に示す。これら図２及び図３から判るように、第１群
の元素の割合が２０ａｔ％程度までの場合には、磁性層
３の保磁力の向上が認められる。しかしながら、第１群
の元素の割合が５０ａｔ％を超える場合には、保磁力が
急激に低下している。このことから、第１群の元素とＲ
ｕとの合金を非磁性金属下地層２に使用する場合、Ｒｕ
の組成比を５０ａｔ％以上とすることが好ましいことが
判る。
式Ｒｕ100-xＭxで表す。Ｍは第１群の元素を示す。）を
非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体について、
一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図２及び図
３に示す。これら図２及び図３から判るように、第１群
の元素の割合が２０ａｔ％程度までの場合には、磁性層
３の保磁力の向上が認められる。しかしながら、第１群
の元素の割合が５０ａｔ％を超える場合には、保磁力が
急激に低下している。このことから、第１群の元素とＲ
ｕとの合金を非磁性金属下地層２に使用する場合、Ｒｕ
の組成比を５０ａｔ％以上とすることが好ましいことが
判る。
【００１９】なお、図２及び図３に示した実験は、磁性
層３の組成をＣｏ70−Ｎｉ10−Ｐｔ20とし、磁性層３の
膜厚を１５ｎｍとし、非磁性金属下地層２の膜厚２０ｎ
ｍとした。また、図２及び図３において、横軸は第１群
の元素の割合を［ａｔ％］で示し、縦軸は磁性層３の面
内保磁力を[ｋＯｅ]で示している。
層３の組成をＣｏ70−Ｎｉ10−Ｐｔ20とし、磁性層３の
膜厚を１５ｎｍとし、非磁性金属下地層２の膜厚２０ｎ
ｍとした。また、図２及び図３において、横軸は第１群
の元素の割合を［ａｔ％］で示し、縦軸は磁性層３の面
内保磁力を[ｋＯｅ]で示している。
【００２０】また、非磁性金属下地層２に含有されるＲ
ｕ以外の元素としては、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ及びＣ（以
下、これらの元素を第２群と称する。）から選ばれる少
なくとも一種の元素が挙げられる。特に、非磁性金属下
地層２がこれら第２群の元素とＲｕとの合金である場
合、Ｒｕの組成比が２０ａｔ％以上であることが好まし
い。
ｕ以外の元素としては、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ及びＣ（以
下、これらの元素を第２群と称する。）から選ばれる少
なくとも一種の元素が挙げられる。特に、非磁性金属下
地層２がこれら第２群の元素とＲｕとの合金である場
合、Ｒｕの組成比が２０ａｔ％以上であることが好まし
い。
【００２１】これら第２群の元素とＲｕとからなる合金
（一般式Ｒｕ100-xＱxで表す。Ｑは第２群の元素を示
す。）を非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体に
ついて、一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図
４に示す。図４から判るように、第２群の元素の割合が
８０ａｔ％程度までの場合には、磁性層３の保磁力の向
上が認められる。しかしながら、第２群の元素の割合が
２０ａｔ％を超える場合には、保磁力の低下が見られ
る。このことから、第２群の元素とＲｕとの合金を非磁
性金属下地層２に使用する場合、Ｒｕの組成比を２０ａ
ｔ％以上とすることが好ましいことが判る。
（一般式Ｒｕ100-xＱxで表す。Ｑは第２群の元素を示
す。）を非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体に
ついて、一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図
４に示す。図４から判るように、第２群の元素の割合が
８０ａｔ％程度までの場合には、磁性層３の保磁力の向
上が認められる。しかしながら、第２群の元素の割合が
２０ａｔ％を超える場合には、保磁力の低下が見られ
る。このことから、第２群の元素とＲｕとの合金を非磁
性金属下地層２に使用する場合、Ｒｕの組成比を２０ａ
ｔ％以上とすることが好ましいことが判る。
【００２２】さらに、非磁性金属下地層２に含有される
Ｒｕ以外の元素としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｙ
及びＣ（以下、これらの元素を第３群と称する。）から
選ばれる少なくとも一種の元素が挙げられる。特に、非
磁性金属下地層２がこれら第３群の元素とＲｕとの合金
である場合、Ｒｕの組成比が８０ａｔ％以上であること
が好ましい。
Ｒｕ以外の元素としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｙ
及びＣ（以下、これらの元素を第３群と称する。）から
選ばれる少なくとも一種の元素が挙げられる。特に、非
磁性金属下地層２がこれら第３群の元素とＲｕとの合金
である場合、Ｒｕの組成比が８０ａｔ％以上であること
が好ましい。
【００２３】これら第３群の元素とＲｕとからなる合金
（一般式Ｒｕ100-xＲxで表す。Ｒは第３群の元素を示
す。）を非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体に
ついて、一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図
５に示す。図５から判るように、第３群の元素とＲｕと
の合金を非磁性金属下地層２に使用する場合には、Ｒｕ
のみを使用する場合と比較して、磁性層３の保磁力を若
干低下させている。但し、第３群の元素の割合が２０ａ
ｔ％程度の場合には、保磁力の低下率も大きくなく、磁
性層３は十分許容できる保磁力を示す。このことから、
第３群の元素とＲｕとの合金を非磁性金属下地層２に使
用する場合、Ｒｕの組成比が８０ａｔ％以上であること
が好ましいことが判る。
（一般式Ｒｕ100-xＲxで表す。Ｒは第３群の元素を示
す。）を非磁性金属下地層２に使用した磁気記録媒体に
ついて、一般式中のｘと磁性層３の保磁力との関係を図
５に示す。図５から判るように、第３群の元素とＲｕと
の合金を非磁性金属下地層２に使用する場合には、Ｒｕ
のみを使用する場合と比較して、磁性層３の保磁力を若
干低下させている。但し、第３群の元素の割合が２０ａ
ｔ％程度の場合には、保磁力の低下率も大きくなく、磁
性層３は十分許容できる保磁力を示す。このことから、
第３群の元素とＲｕとの合金を非磁性金属下地層２に使
用する場合、Ｒｕの組成比が８０ａｔ％以上であること
が好ましいことが判る。
【００２４】これら図２乃至図５に示したように、本発
明を適用した磁気記録媒体においては、Ｒｕを２０ａｔ
％以上含有する非磁性金属磁性層２を備えるため、磁性
層３の保磁力が向上したのもとなる。
明を適用した磁気記録媒体においては、Ｒｕを２０ａｔ
％以上含有する非磁性金属磁性層２を備えるため、磁性
層３の保磁力が向上したのもとなる。
【００２５】また、磁気記録媒体において、Ｒｕを有す
る非磁性金属下地層２が磁性層３の保磁力を向上させる
効果を検証するため、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２
の膜厚を変化させて磁性層３の保磁力を測定した。この
とき、磁気記録媒体としては、非磁性金属磁性層２と非
磁性基板１との密着性を向上させるために厚み１０ｎｍ
のＣｒ下地膜を配設し、このＣｒ下地膜上に、Ｒｕから
なる非磁性金属下地層２及び厚み１０ｎｍのＣｏ70Ｎｉ
10Ｐｔ20をこの順で配設したものを使用した。結果を図
６に示す。
る非磁性金属下地層２が磁性層３の保磁力を向上させる
効果を検証するため、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２
の膜厚を変化させて磁性層３の保磁力を測定した。この
とき、磁気記録媒体としては、非磁性金属磁性層２と非
磁性基板１との密着性を向上させるために厚み１０ｎｍ
のＣｒ下地膜を配設し、このＣｒ下地膜上に、Ｒｕから
なる非磁性金属下地層２及び厚み１０ｎｍのＣｏ70Ｎｉ
10Ｐｔ20をこの順で配設したものを使用した。結果を図
６に示す。
【００２６】この図６から判るように、非磁性金属下地
層２の厚みが０ｎｍ、すなわち、Ｃｒ下地膜上に磁性層
３を形成した場合と比較して、僅かにでもＲｕからなる
非磁性金属下地層２を形成した場合には、磁性層３の保
磁力が向上している。特に、非磁性金属下地層２の膜厚
が２ｎｍ以上である場合、磁性層３の保磁力を向上させ
る効果は大きいことが判る。また、非磁性金属下地層２
の膜厚が１００ｎｍを超える場合には、磁性層３の保磁
力の更なる向上が望めなくなる傾向にある。また、非磁
性金属下地層２の膜厚が１００ｎｍを超える場合には、
非磁性金属下地層２の膜質が劣化し、機械的特性が劣化
してしまう虞がある。このことから、非磁性金属下地層
２は、２ｎｍ〜１００ｎｍの厚みである場合に磁性層３
の保磁力を効果的に向上させるとともに優れた機械的特
性を有することが判る。
層２の厚みが０ｎｍ、すなわち、Ｃｒ下地膜上に磁性層
３を形成した場合と比較して、僅かにでもＲｕからなる
非磁性金属下地層２を形成した場合には、磁性層３の保
磁力が向上している。特に、非磁性金属下地層２の膜厚
が２ｎｍ以上である場合、磁性層３の保磁力を向上させ
る効果は大きいことが判る。また、非磁性金属下地層２
の膜厚が１００ｎｍを超える場合には、磁性層３の保磁
力の更なる向上が望めなくなる傾向にある。また、非磁
性金属下地層２の膜厚が１００ｎｍを超える場合には、
非磁性金属下地層２の膜質が劣化し、機械的特性が劣化
してしまう虞がある。このことから、非磁性金属下地層
２は、２ｎｍ〜１００ｎｍの厚みである場合に磁性層３
の保磁力を効果的に向上させるとともに優れた機械的特
性を有することが判る。
【００２７】さらに、非磁性金属下地層２は、ＲｕとＲ
ｕ以外の元素との組成が異なる複数の層を積層してなる
ものであってもよいし、ＲｕとＲｕ以外の元素との組成
を連続的に変化させた傾斜組成を有するものであっても
良い。これらいずれの場合でも、非磁性下地層２は、磁
性層３の保磁力を向上させる効果をより高めることがで
きる。
ｕ以外の元素との組成が異なる複数の層を積層してなる
ものであってもよいし、ＲｕとＲｕ以外の元素との組成
を連続的に変化させた傾斜組成を有するものであっても
良い。これらいずれの場合でも、非磁性下地層２は、磁
性層３の保磁力を向上させる効果をより高めることがで
きる。
【００２８】一方、この非磁性金属下地層２は、酸素及
び／又は窒素を含有するものであってもよい。磁気記録
媒体は、非磁性金属下地層２に酸素及び／又は窒素を含
有させることによって、非磁性金属下地層２の結晶配向
や結晶粒径等を調節することが可能となり、磁性層３の
磁気特性の制御を容易に実現できる。特に、非磁性金属
下地層２は、０．２〜１０ａｔ％の割合で酸素及び／又
は窒素を含有することが好ましい。非磁性金属下地層２
に含まれる酸素及び／又は窒素の割合が０．２ａｔ％未
満の場合には、磁性層３の磁気特性を制御する効果が期
待できない虞がある。また、非磁性金属下地層２に含ま
れる酸素及び／又は窒素の割合が１０ａｔ％を超える場
合には、磁性層３の保磁力を減少させる虞がある。
び／又は窒素を含有するものであってもよい。磁気記録
媒体は、非磁性金属下地層２に酸素及び／又は窒素を含
有させることによって、非磁性金属下地層２の結晶配向
や結晶粒径等を調節することが可能となり、磁性層３の
磁気特性の制御を容易に実現できる。特に、非磁性金属
下地層２は、０．２〜１０ａｔ％の割合で酸素及び／又
は窒素を含有することが好ましい。非磁性金属下地層２
に含まれる酸素及び／又は窒素の割合が０．２ａｔ％未
満の場合には、磁性層３の磁気特性を制御する効果が期
待できない虞がある。また、非磁性金属下地層２に含ま
れる酸素及び／又は窒素の割合が１０ａｔ％を超える場
合には、磁性層３の保磁力を減少させる虞がある。
【００２９】具体的に、非磁性金属下地層２がＲｕ100
からなる場合と非磁性金属下地層２がＲｕ97Ｏ3からな
る場合とで、磁性層３の磁気特性として再生信号波形を
測定した結果を図７に示す。なお、これら図７では磁性
層３として膜厚１２ｎｍであるＣｏ77Ｐｔ15Ｐ8を用い
た。
からなる場合と非磁性金属下地層２がＲｕ97Ｏ3からな
る場合とで、磁性層３の磁気特性として再生信号波形を
測定した結果を図７に示す。なお、これら図７では磁性
層３として膜厚１２ｎｍであるＣｏ77Ｐｔ15Ｐ8を用い
た。
【００３０】図７から判るように、酸素を含まないＲｕ
100からなる非磁性金属下地層２を用いた場合には、再
生信号の平坦部が孤立波の前後でシフトする現象（ベー
スラインシフト）が見られる。このベースラインシフト
が大きすぎるとエラーレートが劣化し好ましくない。こ
れに対して、非磁性金属下地層２を酸素含有雰囲気中で
成膜したＲｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層２を用い
た場合には、ベースラインシフトが大幅に減少してい
る。
100からなる非磁性金属下地層２を用いた場合には、再
生信号の平坦部が孤立波の前後でシフトする現象（ベー
スラインシフト）が見られる。このベースラインシフト
が大きすぎるとエラーレートが劣化し好ましくない。こ
れに対して、非磁性金属下地層２を酸素含有雰囲気中で
成膜したＲｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層２を用い
た場合には、ベースラインシフトが大幅に減少してい
る。
【００３１】また、Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層
２上に形成された磁性層３とＲｕ97Ｏ3からなる非磁性
金属下地層２上に形成された磁性層３とについて、磁化
曲線を測定した結果を図８に示す。図８に示すように、
Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層２の場合には、膜面
垂直方向にも大きな保磁力と残留磁化が見られる。これ
に対して、Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層２の場
合には、膜面垂直方向の保磁力及び残留磁化ともに減少
している。このことから、非磁性金属下地層２に含有さ
せる酸素量を調節することによって、磁性層３の結晶配
向を変化させることができることが容易に判る。
２上に形成された磁性層３とＲｕ97Ｏ3からなる非磁性
金属下地層２上に形成された磁性層３とについて、磁化
曲線を測定した結果を図８に示す。図８に示すように、
Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層２の場合には、膜面
垂直方向にも大きな保磁力と残留磁化が見られる。これ
に対して、Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層２の場
合には、膜面垂直方向の保磁力及び残留磁化ともに減少
している。このことから、非磁性金属下地層２に含有さ
せる酸素量を調節することによって、磁性層３の結晶配
向を変化させることができることが容易に判る。
【００３２】さらに、非磁性金属下地層２は、酸素及び
／又は窒素の割合が異なる層を積層してなるものであっ
てもよいし、酸素及び／又は窒素の割合を連続的に変化
させた傾斜組成を有するものであっても良い。これらい
ずれの場合でも、非磁性下地層２は、磁性層３の保磁力
を向上させる効果をより高めることができる。
／又は窒素の割合が異なる層を積層してなるものであっ
てもよいし、酸素及び／又は窒素の割合を連続的に変化
させた傾斜組成を有するものであっても良い。これらい
ずれの場合でも、非磁性下地層２は、磁性層３の保磁力
を向上させる効果をより高めることができる。
【００３３】一方、Ｒｕは、Ｓｉ、Ａｌ等と比較して酸
化物や窒化物を形成しにくいため、非磁性金属下地層２
に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
とも一種を添加した場合、酸化物、窒化物、炭化物及び
炭素から選ばれる少なくとも一種が微細に複合した構
造、すなわちグラニュラ構造を形成することができる。
非磁性金属下地層２をこのようなグラニュラ構造とする
ことによって、磁気記録媒体のさらなる低ノイズ化が実
現できる。
化物や窒化物を形成しにくいため、非磁性金属下地層２
に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
とも一種を添加した場合、酸化物、窒化物、炭化物及び
炭素から選ばれる少なくとも一種が微細に複合した構
造、すなわちグラニュラ構造を形成することができる。
非磁性金属下地層２をこのようなグラニュラ構造とする
ことによって、磁気記録媒体のさらなる低ノイズ化が実
現できる。
【００３４】グラニュラ構造をとる酸化物としては、例
えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、Ｚｒ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ等が挙げられる。また、グラニュラ
構造をとる窒化物としては、例えば、ＴｉＮ、ＢＮ、Ａ
ｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＴａＮ等が挙げられる。さらに、グラ
ニュラ構造をとる炭化物としては、例えば、ＳｉＣ、Ｔ
ｉＣ、Ｂ4Ｃ、ＴａＣ等が挙げられる。
えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、Ｚｒ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ等が挙げられる。また、グラニュラ
構造をとる窒化物としては、例えば、ＴｉＮ、ＢＮ、Ａ
ｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＴａＮ等が挙げられる。さらに、グラ
ニュラ構造をとる炭化物としては、例えば、ＳｉＣ、Ｔ
ｉＣ、Ｂ4Ｃ、ＴａＣ等が挙げられる。
【００３５】具体的に、ＲｕにＳｉＯ2を添加すること
によってグラニュラ構造とした非磁性金属下地層２を有
する磁気記録媒体と、Ｃｒを下地膜として有する磁気記
録媒体とを用いて、線記録密度とノイズとの関係を測定
した。
によってグラニュラ構造とした非磁性金属下地層２を有
する磁気記録媒体と、Ｃｒを下地膜として有する磁気記
録媒体とを用いて、線記録密度とノイズとの関係を測定
した。
【００３６】このとき、非磁性金属下地層２の厚みが３
０ｎｍであり、ＲｕとＳｉＯ2との組成比がＲｕを８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％とするものである。
また、Ｃｒからなる下地層の膜厚は３０ｎｍとした。さ
らに、磁性層３としては、それぞれ厚さが１５ｎｍのＣ
ｏ70Ｐｔ11Ｂ7Ｏ12を用いた。さらにまた、これら磁気
記録媒体は、ディスク状のガラス板からなる非磁性基板
１を用いたものであり、保護膜として磁性層３上に炭素
を１０ｎｍ、潤滑剤を２ｎｍ形成したものを用いた。さ
らにまた、記録再生は、記録トラック幅が１．２μｍ、
ギャップ長が０．２５μｍ、再生トラック幅が０．９μ
ｍである磁気ヘッドを用いた。
０ｎｍであり、ＲｕとＳｉＯ2との組成比がＲｕを８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％とするものである。
また、Ｃｒからなる下地層の膜厚は３０ｎｍとした。さ
らに、磁性層３としては、それぞれ厚さが１５ｎｍのＣ
ｏ70Ｐｔ11Ｂ7Ｏ12を用いた。さらにまた、これら磁気
記録媒体は、ディスク状のガラス板からなる非磁性基板
１を用いたものであり、保護膜として磁性層３上に炭素
を１０ｎｍ、潤滑剤を２ｎｍ形成したものを用いた。さ
らにまた、記録再生は、記録トラック幅が１．２μｍ、
ギャップ長が０．２５μｍ、再生トラック幅が０．９μ
ｍである磁気ヘッドを用いた。
【００３７】この磁気ヘッドを用いて記録再生を行い、
線記録密度とノイズとの関係を測定した結果を図９に示
す。なお、図９において、横軸は、記録の繰り返し周波
数、すなわち、１インチあたり何回極性が変化したかを
示し、縦軸は、ノイズの積分電流を低周波の再生出力で
規格化した値である。図９から判るように、ＲｕにＳｉ
Ｏ2を添加することによってグラニュラ構造とした非磁
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｃｒを下地膜
として有する磁気記録媒体と比較して、線記録密度によ
らずノイズが小さくなっている。特に、高密度記録領域
において、Ｃｒを下地膜とした場合の規格化ノイズとＲ
ｕにＳｉＯ2を添加することによってグラニュラ構造と
した場合の規格化ノイズとに大きな差が生じている。こ
のことから、ＲｕにＳｉＯ2を添加することによってグ
ラニュラ構造とした非磁性金属下地層２を有する場合に
は、線記録密度を大きくしてもノイズが小さいため、高
密度記録に適したものとなることが判る。
線記録密度とノイズとの関係を測定した結果を図９に示
す。なお、図９において、横軸は、記録の繰り返し周波
数、すなわち、１インチあたり何回極性が変化したかを
示し、縦軸は、ノイズの積分電流を低周波の再生出力で
規格化した値である。図９から判るように、ＲｕにＳｉ
Ｏ2を添加することによってグラニュラ構造とした非磁
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｃｒを下地膜
として有する磁気記録媒体と比較して、線記録密度によ
らずノイズが小さくなっている。特に、高密度記録領域
において、Ｃｒを下地膜とした場合の規格化ノイズとＲ
ｕにＳｉＯ2を添加することによってグラニュラ構造と
した場合の規格化ノイズとに大きな差が生じている。こ
のことから、ＲｕにＳｉＯ2を添加することによってグ
ラニュラ構造とした非磁性金属下地層２を有する場合に
は、線記録密度を大きくしてもノイズが小さいため、高
密度記録に適したものとなることが判る。
【００３８】ところで、この磁気記録媒体において、磁
性層３は、蒸着法、スパッタリング法或いはメッキ法等
の薄膜形成法により成膜された金属磁性薄膜を有する。
具体的に、金属磁性薄膜としては、Ｃｏ及び／又はＦｅ
からなるもの、或いは、これら元素にＰｔ、Ｐｄ及びＮ
ｉから選ばれる少なくとも１種の元素を添加したものを
例示することができる。
性層３は、蒸着法、スパッタリング法或いはメッキ法等
の薄膜形成法により成膜された金属磁性薄膜を有する。
具体的に、金属磁性薄膜としては、Ｃｏ及び／又はＦｅ
からなるもの、或いは、これら元素にＰｔ、Ｐｄ及びＮ
ｉから選ばれる少なくとも１種の元素を添加したものを
例示することができる。
【００３９】特に、金属磁性薄膜は、Ｃｏ及び／又はＦ
ｅに対してＰｔ、Ｐｄ及びＮｉから選ばれる少なくとも
１種の元素を所定量含有させることが好ましい。具体的
に、磁性層３におけるＰｔ組成比と保磁力との関係を、
Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層２を異なる厚みで作
製した複数の磁気記録媒体について測定した結果を図１
０に示す。ここで、磁性膜３は、厚さが１０ｎｍであ
り、ＤＣスパッタリング法によりＡｒガス圧６Ｐａ、非
磁性基板１の温度は室温で成膜したものである。
ｅに対してＰｔ、Ｐｄ及びＮｉから選ばれる少なくとも
１種の元素を所定量含有させることが好ましい。具体的
に、磁性層３におけるＰｔ組成比と保磁力との関係を、
Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層２を異なる厚みで作
製した複数の磁気記録媒体について測定した結果を図１
０に示す。ここで、磁性膜３は、厚さが１０ｎｍであ
り、ＤＣスパッタリング法によりＡｒガス圧６Ｐａ、非
磁性基板１の温度は室温で成膜したものである。
【００４０】この図１０から判るように、Ｒｕを非磁性
金属下地層２に用いたＣｏ100-xＰｔx膜は、Ｃｒを下地
膜に用いたものに比べ、保磁力Ｈｃが大きくなり、さら
に、非磁性金属下地層２の厚みが厚くなるほど保磁力が
より増加している。特に、Ｐｔ組成が２０ａｔ％以上で
ある場合には、保磁力を向上させる効果が顕著であるこ
とが判る。
金属下地層２に用いたＣｏ100-xＰｔx膜は、Ｃｒを下地
膜に用いたものに比べ、保磁力Ｈｃが大きくなり、さら
に、非磁性金属下地層２の厚みが厚くなるほど保磁力が
より増加している。特に、Ｐｔ組成が２０ａｔ％以上で
ある場合には、保磁力を向上させる効果が顕著であるこ
とが判る。
【００４１】また、磁性層３の厚みは、１５ｎｍ以上で
あることが好ましい。磁性層３の厚みを１５ｎｍ以上と
することによって、非磁性金属下地層２により磁性層３
の保磁力をより顕著に向上させることができる。具体的
に、磁性層３の厚みと保磁力との関係を図１１に示す。
ここで、磁性層３としてはＣｏ75Ｃｒ15Ｐｔ10からなる
金属磁性薄膜を用い、非磁性金属下地層２としては厚さ
１０ｎｍのＲｕ100を用いた。
あることが好ましい。磁性層３の厚みを１５ｎｍ以上と
することによって、非磁性金属下地層２により磁性層３
の保磁力をより顕著に向上させることができる。具体的
に、磁性層３の厚みと保磁力との関係を図１１に示す。
ここで、磁性層３としてはＣｏ75Ｃｒ15Ｐｔ10からなる
金属磁性薄膜を用い、非磁性金属下地層２としては厚さ
１０ｎｍのＲｕ100を用いた。
【００４２】図１１から判るように、磁性層３の厚さ１
５ｎｍ程度で保磁力が極大となっており、磁性層３の厚
さ１５ｎｍ以上の領域で高い保磁力を示している。この
ことから、磁性層３の厚さを１５ｎｍ以上とすることに
よって、磁性層３は高い保磁力を示すことがわかる。
５ｎｍ程度で保磁力が極大となっており、磁性層３の厚
さ１５ｎｍ以上の領域で高い保磁力を示している。この
ことから、磁性層３の厚さを１５ｎｍ以上とすることに
よって、磁性層３は高い保磁力を示すことがわかる。
【００４３】さらに、この磁性層３には、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｔｉ、Ｂ、Ｐ及びＣから選ばれる少なくとも一種の元素
を添加するか、これら元素の合金を添加することが好ま
しい。これにより、磁性層３は、ノイズ成分がより低減
され、Ｒｕを有する非磁性金属下地層２による保磁力向
上の効果と相俟って、低ノイズ化が実現されたものとな
る。
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｔｉ、Ｂ、Ｐ及びＣから選ばれる少なくとも一種の元素
を添加するか、これら元素の合金を添加することが好ま
しい。これにより、磁性層３は、ノイズ成分がより低減
され、Ｒｕを有する非磁性金属下地層２による保磁力向
上の効果と相俟って、低ノイズ化が実現されたものとな
る。
【００４４】添加する元素又は合金の添加量は、０．５
ａｔ％〜２５ａｔ％であることが好ましい。元素又は合
金の添加量が０．５ａｔ％未満である場合には、ノイズ
成分を低減する十分な効果が得られない虞がある。ま
た、元素又は合金の添加量が２５ａｔ％を超える場合に
は、飽和磁化量や保磁力の減少が大きくなる虞がある。
ａｔ％〜２５ａｔ％であることが好ましい。元素又は合
金の添加量が０．５ａｔ％未満である場合には、ノイズ
成分を低減する十分な効果が得られない虞がある。ま
た、元素又は合金の添加量が２５ａｔ％を超える場合に
は、飽和磁化量や保磁力の減少が大きくなる虞がある。
【００４５】さらにまた、磁性層３には、媒体ノイズを
低減する目的で、酸素及び／又は窒素を０．２ａｔ％〜
１５ａｔ％の範囲で添加することが好ましい。酸素及び
／又は窒素の添加量が０．２ａｔ％未満である場合に
は、十分なノイズ低減効果が得られない虞がある。酸素
及び／又は窒素の添加量が１５ａｔ％を超える場合に
は、保磁力が低下してしまう虞がある。
低減する目的で、酸素及び／又は窒素を０．２ａｔ％〜
１５ａｔ％の範囲で添加することが好ましい。酸素及び
／又は窒素の添加量が０．２ａｔ％未満である場合に
は、十分なノイズ低減効果が得られない虞がある。酸素
及び／又は窒素の添加量が１５ａｔ％を超える場合に
は、保磁力が低下してしまう虞がある。
【００４６】さらにまた、磁性層３は、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及びＭｇＯ等
の酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡＩＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＴａＮ
等の窒化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴａＣ等の炭
化物から選ばれる少なくとも一種を添加し、これらと磁
性層３とが微細に複合したグラニュラ構造を形成させる
ことが好ましい。このように、磁性層３は、酸化物、炭
化物及び窒化物から選ばれる少なくとも一種を添加して
なるグラニュラ構造をとることによって、ノイズ成分が
低減したものとなる。
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及びＭｇＯ等
の酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡＩＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＴａＮ
等の窒化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴａＣ等の炭
化物から選ばれる少なくとも一種を添加し、これらと磁
性層３とが微細に複合したグラニュラ構造を形成させる
ことが好ましい。このように、磁性層３は、酸化物、炭
化物及び窒化物から選ばれる少なくとも一種を添加して
なるグラニュラ構造をとることによって、ノイズ成分が
低減したものとなる。
【００４７】さらにまた、磁性層３は、図１２に示すよ
うに、複数の金属磁性薄膜１０と分断層１１とが交互に
積層されてなることが好ましい。この分断層１１は、Ｒ
ｕ単体からなるか、或いはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも一種とＲｕ
との合金からなるものである。このように、磁性層３を
金属磁性薄膜１０と分断層１１とが交互に積層されたも
のとすることによって、磁性層３のノイズ成分を低減す
ることができる。
うに、複数の金属磁性薄膜１０と分断層１１とが交互に
積層されてなることが好ましい。この分断層１１は、Ｒ
ｕ単体からなるか、或いはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも一種とＲｕ
との合金からなるものである。このように、磁性層３を
金属磁性薄膜１０と分断層１１とが交互に積層されたも
のとすることによって、磁性層３のノイズ成分を低減す
ることができる。
【００４８】特に、分断層１１は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｃ、Ｂ及びＳｉからなる群を第１グループとし、ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及び
ＭｇＯの酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4及び
ＴａＮの窒化物或いはＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴａ
Ｃの炭化物からなる群を第２グループとしたときに、第
１グループ及び第２グループから選ばれる少なくとも一
種からなる層に積層されることが好ましい。この場合、
分断層１１は、隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相
互作用を確実に遮断することが可能となる。このため、
磁気記録媒体では、ノイズ成分を確実に低減するととも
に出力の減少を抑制することができる。
ｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｃ、Ｂ及びＳｉからなる群を第１グループとし、ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及び
ＭｇＯの酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4及び
ＴａＮの窒化物或いはＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴａ
Ｃの炭化物からなる群を第２グループとしたときに、第
１グループ及び第２グループから選ばれる少なくとも一
種からなる層に積層されることが好ましい。この場合、
分断層１１は、隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相
互作用を確実に遮断することが可能となる。このため、
磁気記録媒体では、ノイズ成分を確実に低減するととも
に出力の減少を抑制することができる。
【００４９】また、分断層１１は、第２のグループから
選ばれる少なくとも一種が添加されることによっても、
隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相互作用を確実に
遮断することが可能となる。したがって、この場合も、
磁気記録媒体では、ノイズ成分を確実に低減するととも
に出力の減少を抑制することができる。
選ばれる少なくとも一種が添加されることによっても、
隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相互作用を確実に
遮断することが可能となる。したがって、この場合も、
磁気記録媒体では、ノイズ成分を確実に低減するととも
に出力の減少を抑制することができる。
【００５０】さらに、分断層１１は、第２のグループか
ら選ばれる少なくとも一種が添加されるとともに、第１
のグループから選ばれる少なくとも一種からなる層に積
層されたものであってもよい。この場合、分断層１１
は、隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相互作用を確
実に遮断することが可能となり、ノイズ成分を確実に低
減するとともに出力の減少を抑制することができる。
ら選ばれる少なくとも一種が添加されるとともに、第１
のグループから選ばれる少なくとも一種からなる層に積
層されたものであってもよい。この場合、分断層１１
は、隣接する金属磁性薄膜１０間の磁気的相互作用を確
実に遮断することが可能となり、ノイズ成分を確実に低
減するとともに出力の減少を抑制することができる。
【００５１】ところで、この磁性層３は、Ｃｏ、Ｎｉ及
びＦｅの少なくとも１種からなる金属磁性薄膜とＰｔ、
Ｐｄ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の中間層とを
交互積層して形成することで、膜面に垂直方向の磁気異
方性を大きくすることができる。すなわち、この場合、
磁性層３においては、膜面に対して略々垂直な方向に信
号を書き込む、垂直磁気記録を実現できる。特に、磁性
層３を非磁性金属下地層２上に形成することによって、
磁性層３の保磁力が向上したものとなるため、電磁変換
特性に優れた垂直磁気記録を行うことができる。
びＦｅの少なくとも１種からなる金属磁性薄膜とＰｔ、
Ｐｄ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の中間層とを
交互積層して形成することで、膜面に垂直方向の磁気異
方性を大きくすることができる。すなわち、この場合、
磁性層３においては、膜面に対して略々垂直な方向に信
号を書き込む、垂直磁気記録を実現できる。特に、磁性
層３を非磁性金属下地層２上に形成することによって、
磁性層３の保磁力が向上したものとなるため、電磁変換
特性に優れた垂直磁気記録を行うことができる。
【００５２】具体的に、成膜ガス圧と垂直方向の保磁力
との関係を、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２を有する
磁気記録媒体とＰｄからなる下地層を有する磁気記録媒
体とについて測定した結果を図１３に示す。なお、これ
ら磁気記録媒体においては、厚み０．４ｎｍのＣｏ膜と
厚み０．６ｎｍのＰｄ膜とを２０周期連続的に積層した
人工格子膜を磁性層３とした。また、これら磁気記録媒
体において、非磁性金属下地層２及び下地層の膜厚はそ
れぞれ３０ｎｍとした。
との関係を、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２を有する
磁気記録媒体とＰｄからなる下地層を有する磁気記録媒
体とについて測定した結果を図１３に示す。なお、これ
ら磁気記録媒体においては、厚み０．４ｎｍのＣｏ膜と
厚み０．６ｎｍのＰｄ膜とを２０周期連続的に積層した
人工格子膜を磁性層３とした。また、これら磁気記録媒
体において、非磁性金属下地層２及び下地層の膜厚はそ
れぞれ３０ｎｍとした。
【００５３】図１３から判るように、Ｒｕからなる非磁
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｐｄからなる
下地層を有する磁気記録媒体と比較して、膜面垂直方向
の保磁力が大きくなっている。このことから、非磁性金
属下地層２上に垂直磁気記録用の磁性層３を形成するこ
とによって、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録を行う
ことができることが判る。
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｐｄからなる
下地層を有する磁気記録媒体と比較して、膜面垂直方向
の保磁力が大きくなっている。このことから、非磁性金
属下地層２上に垂直磁気記録用の磁性層３を形成するこ
とによって、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録を行う
ことができることが判る。
【００５４】また、線記録密度と規格化ノイズとの関係
を、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２を有する磁気記録
媒体とＰｄからなる下地層を有する磁気記録媒体とにつ
いて測定した結果を図１４に示す。ここで、これら磁気
記録媒体においては、厚み０．４ｎｍのＣｏ膜と厚み
０．６ｎｍのＰｄ膜とを１５周期連続的に積層した人工
格子膜を磁性層３とし、Ｔｉ下地層上に非磁性金属下地
層２或いは下地層３を形成した。
を、Ｒｕからなる非磁性金属下地層２を有する磁気記録
媒体とＰｄからなる下地層を有する磁気記録媒体とにつ
いて測定した結果を図１４に示す。ここで、これら磁気
記録媒体においては、厚み０．４ｎｍのＣｏ膜と厚み
０．６ｎｍのＰｄ膜とを１５周期連続的に積層した人工
格子膜を磁性層３とし、Ｔｉ下地層上に非磁性金属下地
層２或いは下地層３を形成した。
【００５５】図１４から判るように、Ｒｕからなる非磁
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｐｄからなる
下地層を有する磁気記録媒体と比較して、如何なる線記
録密度においても低い規格化ノイズを示している。この
ことから、非磁性金属下地層２上に垂直磁気記録用の磁
性層３を形成することによって、ノイズ成分の低い垂直
磁気記録を行うことができることが判る。
性金属下地層２を有する磁気記録媒体は、Ｐｄからなる
下地層を有する磁気記録媒体と比較して、如何なる線記
録密度においても低い規格化ノイズを示している。この
ことから、非磁性金属下地層２上に垂直磁気記録用の磁
性層３を形成することによって、ノイズ成分の低い垂直
磁気記録を行うことができることが判る。
【００５６】一方、この磁気記録媒体において、非磁性
基板１としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート及びポリカーボネイト等の可塑性を
有する樹脂材料を用いることが好ましい。可塑性を有す
る樹脂材料を使用することによって、非磁性基板１の主
面にトラック位置検出のための周期的な凹凸を、容易に
形成することが可能となるため、トラック位置検出信号
を磁性層に書き込む必要がなく、量産性に優れたものと
なる。また、非磁性基板１として可塑性の樹脂材料を使
用することによって、容易に所望の形状に加工すること
が可能であるために様々な用途に利用できる磁気記録媒
体を実現できる。さらに、可塑性を有する樹脂材料を使
用することによって、ガラス基板等と比較して材料価格
を大幅に下げることができる。
基板１としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート及びポリカーボネイト等の可塑性を
有する樹脂材料を用いることが好ましい。可塑性を有す
る樹脂材料を使用することによって、非磁性基板１の主
面にトラック位置検出のための周期的な凹凸を、容易に
形成することが可能となるため、トラック位置検出信号
を磁性層に書き込む必要がなく、量産性に優れたものと
なる。また、非磁性基板１として可塑性の樹脂材料を使
用することによって、容易に所望の形状に加工すること
が可能であるために様々な用途に利用できる磁気記録媒
体を実現できる。さらに、可塑性を有する樹脂材料を使
用することによって、ガラス基板等と比較して材料価格
を大幅に下げることができる。
【００５７】上述したように構成された磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に非磁性金属下地層２及び磁性層３
をこの順で形成することにより製造される。特に、この
手法では、非磁性金属下地層２及び磁性層３を、それぞ
れ１００℃以下の温度で成膜する。
は、非磁性基板１上に非磁性金属下地層２及び磁性層３
をこの順で形成することにより製造される。特に、この
手法では、非磁性金属下地層２及び磁性層３を、それぞ
れ１００℃以下の温度で成膜する。
【００５８】これら非磁性金属下地層２及び磁性層３の
成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、メッキ
法等を例示することができる。また、これら成膜方法の
なかでも、非磁性金属下地層２及び磁性層３を所定の組
成比の合金とする場合には組成制御の点でスパッタリン
グ法が適している。所定の組成比の合金を成膜する方法
としては、合金ターゲットを用いる方法や異なる元素を
多元同時放電により作製する方法等がある。
成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、メッキ
法等を例示することができる。また、これら成膜方法の
なかでも、非磁性金属下地層２及び磁性層３を所定の組
成比の合金とする場合には組成制御の点でスパッタリン
グ法が適している。所定の組成比の合金を成膜する方法
としては、合金ターゲットを用いる方法や異なる元素を
多元同時放電により作製する方法等がある。
【００５９】さらに、スパッタリング法によれば、上述
したグラニュラ構造も容易に作製できる。グラニュラ構
造をとる非磁性金属下地層２及び磁性層３の作製方法
は、金属とＳｉＯ2等のセラミックスを混合したターゲ
ットやセラミックスターゲット上に金属片を配置あるい
は金属ターゲット上にセラミックス片を配置する方法、
あるいは金属とセラミックスそれぞれのターゲットを同
時放電させて作製する方法などがある。
したグラニュラ構造も容易に作製できる。グラニュラ構
造をとる非磁性金属下地層２及び磁性層３の作製方法
は、金属とＳｉＯ2等のセラミックスを混合したターゲ
ットやセラミックスターゲット上に金属片を配置あるい
は金属ターゲット上にセラミックス片を配置する方法、
あるいは金属とセラミックスそれぞれのターゲットを同
時放電させて作製する方法などがある。
【００６０】さらにまた、非磁性金属下地層２及び磁性
層３中に酸素や窒素を混入する方法としては、スパッタ
リング時の雰囲気ガス中に酸素や窒素のガスを一定の割
合で導入することで可能である。
層３中に酸素や窒素を混入する方法としては、スパッタ
リング時の雰囲気ガス中に酸素や窒素のガスを一定の割
合で導入することで可能である。
【００６１】なお、磁性層３を形成する前工程として、
非磁性金属下地層２表面の少なくとも一部を一般にテク
スチャ加工と呼ばれている加工技術等で予め化学的、物
理的な手段で溝状、不規則溝状、もしくは島伏などに粗
面加工しておくことが好ましい。これにより磁性層３と
非磁性金属下地層２との付着力を向上させることができ
る。
非磁性金属下地層２表面の少なくとも一部を一般にテク
スチャ加工と呼ばれている加工技術等で予め化学的、物
理的な手段で溝状、不規則溝状、もしくは島伏などに粗
面加工しておくことが好ましい。これにより磁性層３と
非磁性金属下地層２との付着力を向上させることができ
る。
【００６２】特に、この手法では、非磁性金属下地層２
中にＲｕを２０ａｔ％以上の割合で含有するため、１０
０℃を超える加熱をしなくとも磁性層３の保磁力を向上
させることができる。このため、この手法では、非磁性
金属下地層２及び磁性層３を成膜する際に１００℃以下
とすることができる。言い換えると、本手法では、１０
０℃以下の温度条件下で非磁性金属下地層２及び磁性層
３を形成しても、高い保磁力を有する磁性層３を形成す
ることができる。したがって、本手法によれば、加熱に
よるノイズの増加を防止して、保磁力が高く且つノイズ
成分の低い磁性層を有する磁気記録媒体を作製すること
ができる。
中にＲｕを２０ａｔ％以上の割合で含有するため、１０
０℃を超える加熱をしなくとも磁性層３の保磁力を向上
させることができる。このため、この手法では、非磁性
金属下地層２及び磁性層３を成膜する際に１００℃以下
とすることができる。言い換えると、本手法では、１０
０℃以下の温度条件下で非磁性金属下地層２及び磁性層
３を形成しても、高い保磁力を有する磁性層３を形成す
ることができる。したがって、本手法によれば、加熱に
よるノイズの増加を防止して、保磁力が高く且つノイズ
成分の低い磁性層を有する磁気記録媒体を作製すること
ができる。
【００６３】また、本手法では、非磁性金属下地層２及
び磁性層３を形成する際に１００℃以下としているた
め、非磁性基板１に可塑性を有する樹脂材料を用いた場
合でも、当該非磁性基板１の変形を防止できる。このた
め、本手法によれば、非磁性基板１として可塑性を有す
る樹脂材料を用いた場合でも、優れた平面性を有する磁
気記録媒体を作製することができる。
び磁性層３を形成する際に１００℃以下としているた
め、非磁性基板１に可塑性を有する樹脂材料を用いた場
合でも、当該非磁性基板１の変形を防止できる。このた
め、本手法によれば、非磁性基板１として可塑性を有す
る樹脂材料を用いた場合でも、優れた平面性を有する磁
気記録媒体を作製することができる。
【００６４】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例について表
１を用いて説明する。なお、これら表１に示した実施例
及び比較例は、非磁性金属下地層及び磁性層を１００℃
以下の条件でスパッタリング法により成膜したものであ
る。
１を用いて説明する。なお、これら表１に示した実施例
及び比較例は、非磁性金属下地層及び磁性層を１００℃
以下の条件でスパッタリング法により成膜したものであ
る。
【００６５】
【表１】
【００６６】この表１に示すように、非磁性金属下地層
にＲｕを２０ａｔ％以上含有する実施例１〜実施例５で
は、Ｃｒ下地層上に磁性層を形成した比較例と比較して
高い保磁力を示している。
にＲｕを２０ａｔ％以上含有する実施例１〜実施例５で
は、Ｃｒ下地層上に磁性層を形成した比較例と比較して
高い保磁力を示している。
【００６７】また、図１２に示したような金属磁性薄膜
１０及び分断層１１を有する磁性層３を有する実施例を
作製し、分断層１１によるノイズ低減効果を検討した。
このとき、実施例としては、非磁性基板上に膜厚２０ｎ
ｍのＭｏ下地層を成膜し、さらにＭｏ下地層上に膜厚３
０ｎｍのＲｕ95−Ｏ5からなる非磁性金属下地層を成膜
し、非磁性金属下地層上に第１の磁性膜として膜厚７ｎ
ｍのＣｏ70−Ｐｔ30を成膜し、第１の磁性膜上に分断層
を成膜し、さらに、分断層上に第２の磁性層として第１
の磁性層と同等の膜を形成することによって、実施例６
〜実施例８を作製した。なお、比較のために分断層を有
さない実施例９も作製した。これら実施例６〜実施例９
の分断層構成、信号出力及びＳ／Ｎの値を表２に示す。
１０及び分断層１１を有する磁性層３を有する実施例を
作製し、分断層１１によるノイズ低減効果を検討した。
このとき、実施例としては、非磁性基板上に膜厚２０ｎ
ｍのＭｏ下地層を成膜し、さらにＭｏ下地層上に膜厚３
０ｎｍのＲｕ95−Ｏ5からなる非磁性金属下地層を成膜
し、非磁性金属下地層上に第１の磁性膜として膜厚７ｎ
ｍのＣｏ70−Ｐｔ30を成膜し、第１の磁性膜上に分断層
を成膜し、さらに、分断層上に第２の磁性層として第１
の磁性層と同等の膜を形成することによって、実施例６
〜実施例８を作製した。なお、比較のために分断層を有
さない実施例９も作製した。これら実施例６〜実施例９
の分断層構成、信号出力及びＳ／Ｎの値を表２に示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】この表２に示すように、分断層を配設した
実施例７〜実施例８は、分断層を配さない実施例９と比
較して優れたＳ／Ｎを実現することができた。また、分
断層を厚み３ｎｍのＲｕ100とした実施例６の場合、第
１の磁性膜と第２の磁性膜との間の磁気的相互作用を低
減する効果が薄く、あまり優れたＳ／Ｎを実現できてい
ない。しかしながら、実施例６では、非磁性金属下地層
により保磁力が向上している。
実施例７〜実施例８は、分断層を配さない実施例９と比
較して優れたＳ／Ｎを実現することができた。また、分
断層を厚み３ｎｍのＲｕ100とした実施例６の場合、第
１の磁性膜と第２の磁性膜との間の磁気的相互作用を低
減する効果が薄く、あまり優れたＳ／Ｎを実現できてい
ない。しかしながら、実施例６では、非磁性金属下地層
により保磁力が向上している。
【００７０】さらに、非磁性基板を各種材料に変更した
実施例９〜実施例１１について保磁力の値を測定した。
結果を表３に示す。なお、これら実施例９〜実施例１１
では、非磁性金属下地層を膜厚４０ｎｍのＲｕ50−Ｍｏ
50とし、さらに磁性層をＣｏ66−Ｐｔ15−Ｂ9−Ｏ10と
した。
実施例９〜実施例１１について保磁力の値を測定した。
結果を表３に示す。なお、これら実施例９〜実施例１１
では、非磁性金属下地層を膜厚４０ｎｍのＲｕ50−Ｍｏ
50とし、さらに磁性層をＣｏ66−Ｐｔ15−Ｂ9−Ｏ10と
した。
【００７１】
【表３】
【００７２】この表３に示すように、非磁性基板がいず
れの材料からなる場合であっても優れた保磁力を示して
いる。このことから、非磁性金属下地層を配設すること
によって非磁性基板材料の選択の幅を広げることができ
る。
れの材料からなる場合であっても優れた保磁力を示して
いる。このことから、非磁性金属下地層を配設すること
によって非磁性基板材料の選択の幅を広げることができ
る。
【００７３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体は、非磁性基板の一主面側にＲｕを２
０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を有し、この非
磁性金属下地層上に磁性層を有するため、磁性層の保磁
力が高く、且つ、ノイズ成分の低減したものとなる。こ
のため、磁気記録媒体では、高密度記録でも高い信号対
ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生することが可能となる。
係る磁気記録媒体は、非磁性基板の一主面側にＲｕを２
０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を有し、この非
磁性金属下地層上に磁性層を有するため、磁性層の保磁
力が高く、且つ、ノイズ成分の低減したものとなる。こ
のため、磁気記録媒体では、高密度記録でも高い信号対
ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生することが可能となる。
【００７４】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性基板上に１００℃以下の条件下でＲｕを２
０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を形成し、その
後、１００℃以下の条件下で上記非磁性金属層上に金属
磁性膜膜を有する磁性層を形成する。このため、本手法
によれば、１００℃を超える加熱によりノイズ成分が増
大することを確実に防止することができる。
法は、非磁性基板上に１００℃以下の条件下でＲｕを２
０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層を形成し、その
後、１００℃以下の条件下で上記非磁性金属層上に金属
磁性膜膜を有する磁性層を形成する。このため、本手法
によれば、１００℃を超える加熱によりノイズ成分が増
大することを確実に防止することができる。
【００７５】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体の製造方法は、非磁性金属下地層及び磁性層を
それぞれ１００℃以下の温度で形成しても、Ｒｕを２０
ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層上に磁性層を形成
するため、高保磁力を有する磁性層を形成することがで
きる。また、この手法によれば、高密度記録でも高い信
号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生可能な磁気記録媒体
を作製することができる。
記録媒体の製造方法は、非磁性金属下地層及び磁性層を
それぞれ１００℃以下の温度で形成しても、Ｒｕを２０
ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層上に磁性層を形成
するため、高保磁力を有する磁性層を形成することがで
きる。また、この手法によれば、高密度記録でも高い信
号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）で記録再生可能な磁気記録媒体
を作製することができる。
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の一構成例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】第１群の元素の添加量と磁性層の保磁力との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図３】第１群の元素の添加量と磁性層の保磁力との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図４】第２群の元素の添加量と磁性層の保磁力との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図５】第３群の元素の添加量と磁性層の保磁力との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図６】非磁性金属下地層の厚みと磁性層の保磁力との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図７】（ａ）Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層を有
する磁気記録媒体における再生信号波形を示す特性図で
あり、（ｂ）Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層を有
する磁気記録媒体における再生信号波形を示す特性図で
ある。
する磁気記録媒体における再生信号波形を示す特性図で
あり、（ｂ）Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層を有
する磁気記録媒体における再生信号波形を示す特性図で
ある。
【図８】（ａ）Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層を有
する磁気記録媒体における磁化曲線を示す特性図であ
り、（ｂ）Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層を有す
る磁気記録媒体における磁化曲線を示す特性図である。
する磁気記録媒体における磁化曲線を示す特性図であ
り、（ｂ）Ｒｕ97Ｏ3からなる非磁性金属下地層を有す
る磁気記録媒体における磁化曲線を示す特性図である。
【図９】グラニュラ構造を取る非磁性金属下地層を有す
る磁気記録媒体とＣｒ下地層を有する磁気記録媒体にお
ける線記録密度と規格化ノイズとの関係を示す特性図で
ある。
る磁気記録媒体とＣｒ下地層を有する磁気記録媒体にお
ける線記録密度と規格化ノイズとの関係を示す特性図で
ある。
【図１０】Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層の厚みを
変化させた複数の磁気記録媒体における磁性層の組成比
と磁性層の保磁力との関係を示す特性図である。
変化させた複数の磁気記録媒体における磁性層の組成比
と磁性層の保磁力との関係を示す特性図である。
【図１１】磁性層の膜厚と磁性層の保磁力との関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図１２】磁性層の他の構成例を示す要部断面図であ
る。
る。
【図１３】Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層を有する
磁気記録媒体とＰｄ下地層を有する磁気記録媒体とにお
ける成膜ガス圧と垂直方向の保磁力との関係を示す特性
図である。
磁気記録媒体とＰｄ下地層を有する磁気記録媒体とにお
ける成膜ガス圧と垂直方向の保磁力との関係を示す特性
図である。
【図１４】Ｒｕ100からなる非磁性金属下地層を有する
磁気記録媒体とＰｄ下地層を有する磁気記録媒体とにお
ける線記録密度と規格化ノイズとの関係を示す特性図で
ある。
磁気記録媒体とＰｄ下地層を有する磁気記録媒体とにお
ける線記録密度と規格化ノイズとの関係を示す特性図で
ある。
１ 非磁性基板、２ 非磁性金属下地層、３ 磁性層、
１０ 金属磁性薄膜、１１ 分断層
１０ 金属磁性薄膜、１１ 分断層
Claims (18)
- 【請求項１】 非磁性基板と、 上記非磁性基板の一主面側に形成され、Ｒｕを２０ａｔ
％以上含有する非磁性金属下地層と、 上記非磁性金属下地層上に形成され、金属磁性薄膜を有
する磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記非磁性金属下地層は、異なる組成を
有する複数の層が積層されてなることを特徴する請求項
１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記非磁性金属下地層は、膜厚方向に連
続して組成が変化する傾斜組成とされたことを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記非磁性金属下地層は、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ及びＩｒから選ばれる少なくとも一種とＲｕと
の合金からなり、当該合金中のＲｕの組成比を５０ａｔ
％以上とすることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項５】 上記非磁性金属下地層は、Ｗ、Ｍｏ、
Ｖ、Ｎｂ及びＢから選ばれる少なくとも一種とＲｕとの
合金からなり、当該合金中のＲｕの組成比を２０ａｔ％
以上とすることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 上記非磁性金属下地層は、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｙ及びＣから選ばれる少なくとも一種とＲ
ｕとの合金からなり、当該合金中のＲｕの組成比を８０
％以上とすることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項７】 上記非磁性金属下地層は、酸素及び／又
は窒素を含有することを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項８】 上記非磁性金属下地層の上記酸素及び／
又は窒素の組成比を０．２〜１０ａｔ％とすることを特
徴とする請求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 上記非磁性金属下地層は、酸化物、窒化
物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも一種がグラ
ニュラ構造を形成してなることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 上記酸化物はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及びＭｇＯから選ば
れる少なくとも一種であり、上記窒化物はＴｉＮ、Ｂ
Ｎ、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＴａＮから選ばれる少なくと
も一種であり、炭化物はＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴ
ａＣから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とす
る請求項９記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 上記磁性層は、複数の金属磁性薄膜
を、Ｐｔ、Ｐｄ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の
中間層を介して積層してなることを特徴とする請求項１
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 上記磁性層は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｔｉ、
Ｂ、Ｐ及びＣから選ばれる少なくとも一種を０．５〜２
５ａｔ％の範囲で含有することを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 上記磁性層は、酸素及び／又は窒素を
０．２〜１５ａｔ％の範囲で含有することを特徴とする
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 上記磁性層は、酸化物、窒化物及び炭
化物から選ばれる少なくとも一種がグラニュラ構造を形
成してなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項１５】 上記磁性層は、複数の金属磁性薄膜
を、Ｒｕ単体或いはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ
ｉ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも一種とＲｕとから
なる合金からなる分断層を介して積層してなることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 上記分断層は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｃ、Ｂ及びＳｉからなる第１グループと、ＳｉＯ2、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3及びＭｇ
Ｏの酸化物、ＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＴａ
Ｎの窒化物或いはＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ及びＴａＣの
炭化物からなる第２グループとから選ばれる少なくとも
一種からなる層に積層されているか、当該第２グループ
から選ばれる少なくとも一種が混合されているか、若し
くは、当該第１グループ及び当該第２グループから選ば
れる少なくとも一種が混合されていることを特徴とする
請求項１５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 非磁性基板の一主面側に、１００℃以
下の条件下で、Ｒｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金
属下地層を形成し、 その後、１００℃以下の条件下で、上記非磁性金属層上
に金属磁性膜膜を有する磁性層を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 上記非磁性金属下地層及び上記磁性層
は、スパッタリング法により形成されることを特徴とす
る請求項１７記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101350A JP2001291230A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US09/816,548 US20010036564A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-26 | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101350A JP2001291230A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291230A true JP2001291230A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18615415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000101350A Withdrawn JP2001291230A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010036564A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001291230A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334424A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| WO2004084194A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| WO2005006310A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium using grain isolation type film as under layer, method of manufacturing the same, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| WO2005064597A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, manufacturing method for the magnetic recording medium, and magnetic read/write apparatus |
| US7112376B2 (en) | 2003-01-10 | 2006-09-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP2008276833A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US7498093B2 (en) | 2004-02-24 | 2009-03-03 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
| US7510788B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-03-31 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium utilizing a first cobalt magnetic layer and a second Pd-SiOx layer and method of manufacturing same |
| US7582193B2 (en) | 2004-04-09 | 2009-09-01 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method for producing multilayer film perpendicular magnetic recording medium |
| US7625646B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-12-01 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing it |
| JP2010086651A (ja) * | 2010-01-18 | 2010-04-15 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US7901803B2 (en) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
| JP2011138582A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011198455A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Showa Denko Kk | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US8778146B2 (en) | 2010-10-25 | 2014-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium |
| US9263075B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-02-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium for heat-assisted recording device and manufacturing method thereof |
| JP2016522957A (ja) * | 2013-09-30 | 2016-08-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | ＭｇＯ−Ｔｉ（ＯＮ）中間層を含む磁気スタック |
| US9607644B2 (en) | 2012-12-06 | 2017-03-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US9728218B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium for heat-assisted magnetic recording |
| US9928866B2 (en) | 2012-01-19 | 2018-03-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| US10020016B2 (en) | 2013-12-10 | 2018-07-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US10504547B2 (en) | 2014-01-23 | 2019-12-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US10832720B2 (en) | 2016-12-08 | 2020-11-10 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium with nitride segregant, method for manufacturing same and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US10829848B2 (en) | 2016-12-21 | 2020-11-10 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, with carbide segregant, method for manufacturing same and magnetic recording and reproducing apparatus |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3385004B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2003-03-10 | 秋田県 | 磁気記録媒体 |
| JP4626840B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US20030134151A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-07-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP4582978B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| MY135243A (en) * | 2001-12-14 | 2008-03-31 | Fuji Electric Co Ltd | Magnetic recording medium exhibiting low noise and high coercive force |
| JP2003217107A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| MY143045A (en) * | 2003-01-14 | 2011-02-28 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus |
| JP2005032352A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Toshiba Corp | 粒子分散型膜を下地に用いた磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| US20050249981A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Heraeus, Inc. | Grain structure for magnetic recording media |
| US7670694B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
| US20090190267A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Xiaoping Bian | RuTi AS A SEED LAYER IN PERPENDICULAR RECORDING MEDIA |
| JP2009187608A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録パターンド媒体および磁気記録再生装置 |
| JP4745421B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000101350A patent/JP2001291230A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-26 US US09/816,548 patent/US20010036564A1/en not_active Abandoned
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334424A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| US7112376B2 (en) | 2003-01-10 | 2006-09-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| WO2004084194A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US7625646B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-12-01 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing it |
| WO2005006310A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium using grain isolation type film as under layer, method of manufacturing the same, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7901803B2 (en) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
| WO2005064597A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, manufacturing method for the magnetic recording medium, and magnetic read/write apparatus |
| US7781081B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-08-24 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, manufacturing method for the magnetic recording medium, and magnetic read/write apparatus |
| US7498093B2 (en) | 2004-02-24 | 2009-03-03 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
| US7510788B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-03-31 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium utilizing a first cobalt magnetic layer and a second Pd-SiOx layer and method of manufacturing same |
| US7582193B2 (en) | 2004-04-09 | 2009-09-01 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method for producing multilayer film perpendicular magnetic recording medium |
| JP2008276833A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US8647755B2 (en) | 2007-04-26 | 2014-02-11 | HGST Netherlands B. V. | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| JP2011138582A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2010086651A (ja) * | 2010-01-18 | 2010-04-15 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP4697337B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-06-08 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2011198455A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Showa Denko Kk | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US8778146B2 (en) | 2010-10-25 | 2014-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium |
| US9263075B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-02-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium for heat-assisted recording device and manufacturing method thereof |
| US9928866B2 (en) | 2012-01-19 | 2018-03-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| US9728218B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium for heat-assisted magnetic recording |
| US9607644B2 (en) | 2012-12-06 | 2017-03-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| JP2016522957A (ja) * | 2013-09-30 | 2016-08-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | ＭｇＯ−Ｔｉ（ＯＮ）中間層を含む磁気スタック |
| US10020016B2 (en) | 2013-12-10 | 2018-07-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US10504547B2 (en) | 2014-01-23 | 2019-12-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US10832720B2 (en) | 2016-12-08 | 2020-11-10 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium with nitride segregant, method for manufacturing same and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US10829848B2 (en) | 2016-12-21 | 2020-11-10 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, with carbide segregant, method for manufacturing same and magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010036564A1 (en) | 2001-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001291230A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US8197891B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing same | |
| EP0696027B1 (en) | Magnetic alloy and method for manufacturing same | |
| US6767651B2 (en) | Magnetic recording medium, method for manufacturing a magnetic recording medium and magnetic recording device | |
| EP0531035B1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JP2002025032A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2007164941A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP5325945B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP2001155329A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2004206805A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| KR100464318B1 (ko) | 자기기록매체 | |
| JP2002222517A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2006286103A (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 | |
| JPH11283230A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2006049706A (ja) | 交換結合型軟磁性材料 | |
| EP1508895A1 (en) | Information recording medium and information storage device | |
| JP2001351226A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 | |
| JP3200787B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2920723B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3230212B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11110733A (ja) | 磁気記録媒体及び非磁性合金膜 | |
| JPH05135343A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2003338029A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 | |
| JP2001243618A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 | |
| WO2006038630A1 (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |