JPH0827927B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0827927B2 JPH0827927B2 JP62172219A JP17221987A JPH0827927B2 JP H0827927 B2 JPH0827927 B2 JP H0827927B2 JP 62172219 A JP62172219 A JP 62172219A JP 17221987 A JP17221987 A JP 17221987A JP H0827927 B2 JPH0827927 B2 JP H0827927B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は磁気ディスク装置等に用いられるCo−Ni系合
金、またはCo−Ni−Cr系合金からなる磁性膜を持つ磁気
記録媒体において、非磁性基板と磁性膜間に介在したCr
下地膜を、25atm％以下の窒素原子を含むCr下地膜とし
た構成とすることにより、媒体ノイズを低減し、S/N比
を容易に高めて再生特性の向上を図ったものである。
金、またはCo−Ni−Cr系合金からなる磁性膜を持つ磁気
記録媒体において、非磁性基板と磁性膜間に介在したCr
下地膜を、25atm％以下の窒素原子を含むCr下地膜とし
た構成とすることにより、媒体ノイズを低減し、S/N比
を容易に高めて再生特性の向上を図ったものである。
〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒
体に係り、特に残留磁束密度及び保磁力が大きく、かつ
高S/N比が得られる磁気記録媒体の構造に関するもので
ある。
体に係り、特に残留磁束密度及び保磁力が大きく、かつ
高S/N比が得られる磁気記録媒体の構造に関するもので
ある。
磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒体として
は製造が容易で、かつ残留磁束密度及び保磁力が大きい
Co−Ni系合金、またCo−Ni−Cr系合金等からなる磁性膜
を備えた磁気記録媒体が提案されている。
は製造が容易で、かつ残留磁束密度及び保磁力が大きい
Co−Ni系合金、またCo−Ni−Cr系合金等からなる磁性膜
を備えた磁気記録媒体が提案されている。
このような磁気記録媒体は、電磁変換特性に優れてい
ると共に、良好な信号品質、即ち記録再生信号にエラー
などがなく、しかも高いS/N比を呈するものが要求され
ている。
ると共に、良好な信号品質、即ち記録再生信号にエラー
などがなく、しかも高いS/N比を呈するものが要求され
ている。
従来の上記磁気記録媒体として磁気ディスクを例にと
って説明すると、それは第６図の要部断面図に示すよう
に、表面がアルマイト処理等によって硬化されたアルミ
ニウム（Al）板、または硬質ガラス板などのディスク基
板11上に、Cr下地膜12を介してCo−Ni合金、またはCo−
Ni−Cr合金等の磁性膜13が積層され、更にその表面にカ
ーボンからなる潤滑膜を兼ねる保護膜14が被覆された構
造からなっている。そしてこのような磁気ディスクの媒
体は一般にArガス雰囲気を用いたスパッタリング法によ
って形成されている。
って説明すると、それは第６図の要部断面図に示すよう
に、表面がアルマイト処理等によって硬化されたアルミ
ニウム（Al）板、または硬質ガラス板などのディスク基
板11上に、Cr下地膜12を介してCo−Ni合金、またはCo−
Ni−Cr合金等の磁性膜13が積層され、更にその表面にカ
ーボンからなる潤滑膜を兼ねる保護膜14が被覆された構
造からなっている。そしてこのような磁気ディスクの媒
体は一般にArガス雰囲気を用いたスパッタリング法によ
って形成されている。
上記したような例えばCo−Ni合金からなる磁性膜13を
有する磁気記録媒体の代表的な特性は、下記の表１に示
す通りである。
有する磁気記録媒体の代表的な特性は、下記の表１に示
す通りである。
特に残留磁束密度は13000ガウスで、γ−Fe2O3スパッ
タ磁性膜を備えた磁気記録媒体の2500ガウスに比較して
非常に大きい。このため再生時に大きな出力が得られる
ことから周速度の遅い小型の磁気ディスクに適用しても
高性能化が期待できる。しかし、その出力に含まれるノ
イズ量も比較的多く、S/N比が同γ−Fe2O3磁性膜を有す
る記録媒体の46〜48dBに比較して低いといった欠点があ
った。なお、保持力は同程度の大きさである。
タ磁性膜を備えた磁気記録媒体の2500ガウスに比較して
非常に大きい。このため再生時に大きな出力が得られる
ことから周速度の遅い小型の磁気ディスクに適用しても
高性能化が期待できる。しかし、その出力に含まれるノ
イズ量も比較的多く、S/N比が同γ−Fe2O3磁性膜を有す
る記録媒体の46〜48dBに比較して低いといった欠点があ
った。なお、保持力は同程度の大きさである。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、非磁性基板とCo−N
i、またはCo−Ni−Cr系合金からなる磁性膜との間に介
在するCr下地膜を改良することにより、S/N比の向上を
図った新規な磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
i、またはCo−Ni−Cr系合金からなる磁性膜との間に介
在するCr下地膜を改良することにより、S/N比の向上を
図った新規な磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
本発明は上記目的を達成するため、非磁性基板上にCr
下地膜を介してCo−Ni系合金、若しくはCo−Ni−Cr系合
金からなる磁性膜を設けた磁気記録媒体における前記Cr
下地膜として、25atm％以下の量の窒素原子を含むCr下
地膜を用いた構成とする。
下地膜を介してCo−Ni系合金、若しくはCo−Ni−Cr系合
金からなる磁性膜を設けた磁気記録媒体における前記Cr
下地膜として、25atm％以下の量の窒素原子を含むCr下
地膜を用いた構成とする。
窒素原子を25atm％以下含有したCr下地膜を非磁性基
板とCo−Ni系合金、（またはCo−Ni−Cr系合金）の磁性
膜との間に設けた本発明の磁気記録媒体では、第１図の
Cr下地膜中の窒素含有量とS/N比の特性（実線曲線）か
ら明らかなように36〜44dBのS/N比が得られ、前述したC
rのみの下地膜を設けた従来の記録媒体の35〜38dBに比
べて相対的にS/N比が向上している。またこの図では媒
体ノイズ特性（点線曲線）も示しているが、これについ
ても本発明の記録媒体は６〜10μVrmsで、従来の記録媒
体の11μVrmsに比較して小さくなっている。なお残留磁
束密度及び保持力、角形比は従来の記録媒体と大差はな
い。
板とCo−Ni系合金、（またはCo−Ni−Cr系合金）の磁性
膜との間に設けた本発明の磁気記録媒体では、第１図の
Cr下地膜中の窒素含有量とS/N比の特性（実線曲線）か
ら明らかなように36〜44dBのS/N比が得られ、前述したC
rのみの下地膜を設けた従来の記録媒体の35〜38dBに比
べて相対的にS/N比が向上している。またこの図では媒
体ノイズ特性（点線曲線）も示しているが、これについ
ても本発明の記録媒体は６〜10μVrmsで、従来の記録媒
体の11μVrmsに比較して小さくなっている。なお残留磁
束密度及び保持力、角形比は従来の記録媒体と大差はな
い。
このような媒体ノイズが低減し、S/N比が向上した理
由は次のように解釈している。即ち、Crの下地膜中に含
まれる窒素原子は、成膜時においてCrの結晶粒径及び磁
性膜を構成するCo−Ni（またはCo−Ni−Cr）の結晶集合
体の粒径をそれぞれ小さく抑えるように働き、これらの
粒径が小さくなることで媒体ノイズが低減し、高S/N比
が得られるわけである。
由は次のように解釈している。即ち、Crの下地膜中に含
まれる窒素原子は、成膜時においてCrの結晶粒径及び磁
性膜を構成するCo−Ni（またはCo−Ni−Cr）の結晶集合
体の粒径をそれぞれ小さく抑えるように働き、これらの
粒径が小さくなることで媒体ノイズが低減し、高S/N比
が得られるわけである。
これについてさらに詳述すると、Crの結晶粒径は第２
図の窒素含有量（横軸）と結晶粒径（縦軸）の関係図に
示すように窒素含有量の10atm％までは小さくなり、そ
れを越すと再び大きくなる傾向にある。この傾向は前述
した窒素含有量及びS/N比の特性と酷似している。な
お、Crの結晶粒径はＸ線回折曲線のピークの半値幅Ｂよ
り周知の下式を用いて求めたものである。（この式にお
いて、t;粒径，λ;X線の波長、θ;Bragg角） ｔ＝0.9λ/B cosθ さらに次のようなことも考えられる。すなわち第３図
（ａ）〜（ｄ）に示すオージェ電子分光法（Auger Elec
tron Spectroscopy）を使用した記録媒体の膜の深さ方
向における元素分析結果を参照すると、窒素を10atm％,
30atm％,40atm％含んだCr下地膜を設けた記録媒体ではC
o−Ni（磁性膜）とCr下地膜の境界が、窒素を含有しな
いCr下地膜を設けた記録媒体のそれと比較してシャープ
でない。
図の窒素含有量（横軸）と結晶粒径（縦軸）の関係図に
示すように窒素含有量の10atm％までは小さくなり、そ
れを越すと再び大きくなる傾向にある。この傾向は前述
した窒素含有量及びS/N比の特性と酷似している。な
お、Crの結晶粒径はＸ線回折曲線のピークの半値幅Ｂよ
り周知の下式を用いて求めたものである。（この式にお
いて、t;粒径，λ;X線の波長、θ;Bragg角） ｔ＝0.9λ/B cosθ さらに次のようなことも考えられる。すなわち第３図
（ａ）〜（ｄ）に示すオージェ電子分光法（Auger Elec
tron Spectroscopy）を使用した記録媒体の膜の深さ方
向における元素分析結果を参照すると、窒素を10atm％,
30atm％,40atm％含んだCr下地膜を設けた記録媒体ではC
o−Ni（磁性膜）とCr下地膜の境界が、窒素を含有しな
いCr下地膜を設けた記録媒体のそれと比較してシャープ
でない。
また第３図（ａ）〜（ｄ）において横軸はエッチング
時間、縦軸は検出元素のatm％であり、曲線Ｃはカーボ
ン、曲線Coはコバルト、曲線Niはニッケル、曲線Crはク
ロム、曲線Ｎは窒素のatm％をそれぞれ示す。この図か
ら明らかなようにCo−Ni磁性膜の界面付近では、同図
（ａ）及び（ｄ）に示す窒素未含有のCr下地膜の場合、
急峻なカーブを描いているのに対し、同図（ｂ）及び
（ｃ）に示す10atm％,30atm％及び40atm％の窒素を含ん
だCr下地膜では緩やかなカーブを描いている。このこと
は後者のCr下地膜を設けた記録媒体のCo−NiとCrの界面
は、両者が相互拡散していることを意味する。
時間、縦軸は検出元素のatm％であり、曲線Ｃはカーボ
ン、曲線Coはコバルト、曲線Niはニッケル、曲線Crはク
ロム、曲線Ｎは窒素のatm％をそれぞれ示す。この図か
ら明らかなようにCo−Ni磁性膜の界面付近では、同図
（ａ）及び（ｄ）に示す窒素未含有のCr下地膜の場合、
急峻なカーブを描いているのに対し、同図（ｂ）及び
（ｃ）に示す10atm％,30atm％及び40atm％の窒素を含ん
だCr下地膜では緩やかなカーブを描いている。このこと
は後者のCr下地膜を設けた記録媒体のCo−NiとCrの界面
は、両者が相互拡散していることを意味する。
ところで磁性薄膜においては、成膜に従って結晶が成
長していき、磁気的に揃った結晶が集まって数百〜千数
百オングストローム（Å）の結晶集合体を作ることがあ
る。この結晶集合体は磁気的には同じ性質を持った集ま
りであるため、それら一つ一つが結晶粒と同じ役割を果
たす。従って、個々の結晶は小さくても結晶集合体の粒
径が大きければ媒体ノイズは大きくなる。ここで前記磁
性膜のCo−Ni中にCr下地膜のCrが拡散した場合、該Co−
NiのまわりにCrが析出すると考えられるので、このCrが
結晶集合体となるのを阻止する役割を果たすものと推測
できる。このため窒素含有量が10atm％のCr下地膜を設
けた記録媒体のノイズは、前記Crの結晶粒径が小さく抑
えられることと相まって大きく低減され、その結果、高
S/N比を呈するわけである。しかし窒素含有量が10atm％
を越え、増加するにつれてCrそのものの結晶粒径が大き
くなることと、出力レベルが低下していくことによりS/
N比も小さくなっていき、25atm％以上になると窒素含有
量０のCr下地膜を設けた従来の記録媒体よりもS/N比は
小さくなる。
長していき、磁気的に揃った結晶が集まって数百〜千数
百オングストローム（Å）の結晶集合体を作ることがあ
る。この結晶集合体は磁気的には同じ性質を持った集ま
りであるため、それら一つ一つが結晶粒と同じ役割を果
たす。従って、個々の結晶は小さくても結晶集合体の粒
径が大きければ媒体ノイズは大きくなる。ここで前記磁
性膜のCo−Ni中にCr下地膜のCrが拡散した場合、該Co−
NiのまわりにCrが析出すると考えられるので、このCrが
結晶集合体となるのを阻止する役割を果たすものと推測
できる。このため窒素含有量が10atm％のCr下地膜を設
けた記録媒体のノイズは、前記Crの結晶粒径が小さく抑
えられることと相まって大きく低減され、その結果、高
S/N比を呈するわけである。しかし窒素含有量が10atm％
を越え、増加するにつれてCrそのものの結晶粒径が大き
くなることと、出力レベルが低下していくことによりS/
N比も小さくなっていき、25atm％以上になると窒素含有
量０のCr下地膜を設けた従来の記録媒体よりもS/N比は
小さくなる。
以上説明したようにCr下地膜に25atm％以下の窒素を
含有させると、媒体ノイズの低減とS/N比の向上、加え
て膜質を硬化する作用から媒体の耐久性を向上できる。
なお、この効果は磁性膜がCo−Ni−Cr系合金の場合でも
同程度に期待できる。
含有させると、媒体ノイズの低減とS/N比の向上、加え
て膜質を硬化する作用から媒体の耐久性を向上できる。
なお、この効果は磁性膜がCo−Ni−Cr系合金の場合でも
同程度に期待できる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第４図は本発明に係る磁気記録媒体の一実施例を示す
要部断面図であり、第６図と同等部分には同一符号を付
した。
要部断面図であり、第６図と同等部分には同一符号を付
した。
この第４図の実施例が第６図の従来例と異なる点は、
ディスク基板11と磁性膜13との間に設けられた下地膜21
として、例えば10atm％の窒素原子を含むCr下地膜21を
介在した構成としたことである。
ディスク基板11と磁性膜13との間に設けられた下地膜21
として、例えば10atm％の窒素原子を含むCr下地膜21を
介在した構成としたことである。
このような磁気記録媒体の構成とすることにより、前
述したように残留磁束密度、保磁力及び角形比等は前記
表１に示した従来の磁気記録媒体と何等変わりはない
が、媒体ノイズが半減され、S/N比は従来のものよりも
６〜9dB改善された。
述したように残留磁束密度、保磁力及び角形比等は前記
表１に示した従来の磁気記録媒体と何等変わりはない
が、媒体ノイズが半減され、S/N比は従来のものよりも
６〜9dB改善された。
次ぎにこのような本実施例構造の磁気記録媒体を得る
製造方法の一例を説明する。
製造方法の一例を説明する。
先ず、スパッタリング装置におけるスパッタ容器内
に、Crターゲット電極及びCo−Ni合金ターゲット電極と
アルマイト処理等によって硬化されたアルミニウム（A
l）板、または硬質ガラス板などのディスク基板11を保
持した基板支持体を配置し、最初はディスク基板11をCr
ターゲット電極と対向する関係に配置する。
に、Crターゲット電極及びCo−Ni合金ターゲット電極と
アルマイト処理等によって硬化されたアルミニウム（A
l）板、または硬質ガラス板などのディスク基板11を保
持した基板支持体を配置し、最初はディスク基板11をCr
ターゲット電極と対向する関係に配置する。
次ぎに該スパッタ容器内を例えば５×10-7Torr程度の
真空度に排気した後、該容器内に例えばアルゴンガス
（Ar）と窒素ガス（N2）とを99.5:0.5の流量比で混合さ
れたスパッタガスを30mTorrの気圧となるように導入
し、Crターゲット電極に1kWの高周波電力を供給してス
パッタリングを行い、第５図（ａ）に示すように前記デ
ィスク基板11上に窒素原子が10atm％含まれたCr下地膜2
1を、例えば3000Å（成膜速度;900Å/min）の膜厚に形
成する。
真空度に排気した後、該容器内に例えばアルゴンガス
（Ar）と窒素ガス（N2）とを99.5:0.5の流量比で混合さ
れたスパッタガスを30mTorrの気圧となるように導入
し、Crターゲット電極に1kWの高周波電力を供給してス
パッタリングを行い、第５図（ａ）に示すように前記デ
ィスク基板11上に窒素原子が10atm％含まれたCr下地膜2
1を、例えば3000Å（成膜速度;900Å/min）の膜厚に形
成する。
該Cr下地膜21の形成後は、その基板11をCo−Ni合金タ
ーゲット電極と対向する関係に配置換えを行うと共に、
アルゴンガス（Ar）と窒素ガス（N2）が混合されたスパ
ッタガスの導入を止めて該容器内を５×10-7Torr程度の
真空度に再び排気する。そして前記容器内に、純アルゴ
ンガス（Ar）のみを30mTorrの気圧となるように導入
し、Co−Ni合金ターゲット電極に1kWの高周波電力を供
給してスパッタリングを行い、第５図（ｂ）に示すよう
に前記Cr下地膜21上に、例えば500Å（成膜速度;900Å/
min）の膜厚のCo−Ni磁性膜13を形成する。
ーゲット電極と対向する関係に配置換えを行うと共に、
アルゴンガス（Ar）と窒素ガス（N2）が混合されたスパ
ッタガスの導入を止めて該容器内を５×10-7Torr程度の
真空度に再び排気する。そして前記容器内に、純アルゴ
ンガス（Ar）のみを30mTorrの気圧となるように導入
し、Co−Ni合金ターゲット電極に1kWの高周波電力を供
給してスパッタリングを行い、第５図（ｂ）に示すよう
に前記Cr下地膜21上に、例えば500Å（成膜速度;900Å/
min）の膜厚のCo−Ni磁性膜13を形成する。
この後、該Co−Ni磁性膜13上に従来と同様の製造プロ
セスにより、例えば膜厚が300Åのカーボンからなる潤
滑膜を兼ねる保護膜14を被覆して磁気記録媒体を完成さ
せる。
セスにより、例えば膜厚が300Åのカーボンからなる潤
滑膜を兼ねる保護膜14を被覆して磁気記録媒体を完成さ
せる。
このようにして製造された磁気記録媒体によれば、第
１図に示すように媒体ノイズは点線による曲線により明
らかなように従来の11μVrmsに対して６μVrms程度と大
幅に低減され、かつS/N比は実線による曲線で明らかな
ように、従来の35〜38dBに対して44dB程度と６〜9dB程
度高められ、再生特性の良好な磁気記録媒体を容易に得
ることが可能となる。これに加えてCr下地膜の膜質が硬
くなるので耐久性の面でも向上する。
１図に示すように媒体ノイズは点線による曲線により明
らかなように従来の11μVrmsに対して６μVrms程度と大
幅に低減され、かつS/N比は実線による曲線で明らかな
ように、従来の35〜38dBに対して44dB程度と６〜9dB程
度高められ、再生特性の良好な磁気記録媒体を容易に得
ることが可能となる。これに加えてCr下地膜の膜質が硬
くなるので耐久性の面でも向上する。
なお、Cr下地膜形成時におけるアルゴンガスに対する
窒素ガスの流量比を５％に選ぶと、成膜されたCr下地膜
には略30atm％の窒素原子を含有させることができ、流
量比が10％の場合には略40atm％の窒素原子を含有するC
r下地膜を形成できる。
窒素ガスの流量比を５％に選ぶと、成膜されたCr下地膜
には略30atm％の窒素原子を含有させることができ、流
量比が10％の場合には略40atm％の窒素原子を含有するC
r下地膜を形成できる。
以上、ハードなディスク基板を基体とする磁気ディス
クに適用した実施例について説明したが、本発明はフレ
キシブル基板を基体とし、かつ磁性膜をCo−Ni,Co−Ni
−Cr合金で形成したフロッピディスクや磁気テープにも
適用可能である。また磁気ディスクでは保護膜とCo−Ni
合金（またはCo−Ni−Cr合金）との間に密着性を良くす
るためにCr薄膜を設けることがあるが、このCr薄膜に対
しても本発明は適用可能である。また本実施例ではCr下
地膜を反応性スパッタで形成したが、その他の成膜法を
用いた場合でも同様な効果があることはいうまでもな
い。
クに適用した実施例について説明したが、本発明はフレ
キシブル基板を基体とし、かつ磁性膜をCo−Ni,Co−Ni
−Cr合金で形成したフロッピディスクや磁気テープにも
適用可能である。また磁気ディスクでは保護膜とCo−Ni
合金（またはCo−Ni−Cr合金）との間に密着性を良くす
るためにCr薄膜を設けることがあるが、このCr薄膜に対
しても本発明は適用可能である。また本実施例ではCr下
地膜を反応性スパッタで形成したが、その他の成膜法を
用いた場合でも同様な効果があることはいうまでもな
い。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気記
録媒体によれば、非磁性基板とCo−Ni系合金、またはCo
−Ni−Cr系からなる磁性膜間に介在されたCr下地膜を、
25atm％以下の量の窒素原子を含むCr下地膜とした構成
とすることにより、媒体ノイズを大幅に低減し、S/N比
を高めることができる優れた利点を有する。
録媒体によれば、非磁性基板とCo−Ni系合金、またはCo
−Ni−Cr系からなる磁性膜間に介在されたCr下地膜を、
25atm％以下の量の窒素原子を含むCr下地膜とした構成
とすることにより、媒体ノイズを大幅に低減し、S/N比
を高めることができる優れた利点を有する。
従って、この種の磁気記録媒体、或いはCr下地膜を有
する他の磁気記録媒体に適用して同様の効果が得られ、
極めて有利である。
する他の磁気記録媒体に適用して同様の効果が得られ、
極めて有利である。
第１図は本発明に係る磁気記録媒体の効果説明用の窒素
含有量と媒体ノイズ及びS/Nとの関係図、 第２図は同じく効果説明用の窒素含有量とCrの結晶粒径
との関係図 第３図（ａ）〜（ｄ）は同じく効果説明用のオージェ電
分光法分析結果を示す図、 第４図は本発明に係る磁気記録媒体の一実施例を示す要
部断面図、 第５図（ａ）〜（ｂ）は本発明に係る磁気記録媒体の製
造方法の一例を工程順に示す要部断面図、 第６図は従来の磁気記録媒体を説明するための要部断面
図である。 第４図及び第５図（ａ）〜（ｂ）において、 11はディスク基板、13は磁性膜、14は潤滑膜を兼ねる保
護膜、21は窒素原子を含むCr下地膜をそれぞれ示す。
含有量と媒体ノイズ及びS/Nとの関係図、 第２図は同じく効果説明用の窒素含有量とCrの結晶粒径
との関係図 第３図（ａ）〜（ｄ）は同じく効果説明用のオージェ電
分光法分析結果を示す図、 第４図は本発明に係る磁気記録媒体の一実施例を示す要
部断面図、 第５図（ａ）〜（ｂ）は本発明に係る磁気記録媒体の製
造方法の一例を工程順に示す要部断面図、 第６図は従来の磁気記録媒体を説明するための要部断面
図である。 第４図及び第５図（ａ）〜（ｂ）において、 11はディスク基板、13は磁性膜、14は潤滑膜を兼ねる保
護膜、21は窒素原子を含むCr下地膜をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板（11）上にCr下地膜（21）を介
してCo−Ni系合金、若しくはCo−Ni−Cr系合金からなる
磁性膜（13）を設けた構成において、 上記Cr下地膜（21）は25atm％以下の量の窒素原子を含
んでなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172219A JPH0827927B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 磁気記録媒体 |
| DE8888401694T DE3879560T2 (de) | 1987-07-09 | 1988-06-30 | Magnetischer aufzeichnungstraeger und dessen herstellungsverfahren. |
| EP88401694A EP0298840B1 (en) | 1987-07-09 | 1988-06-30 | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| US07/219,696 US5047297A (en) | 1987-07-09 | 1988-07-07 | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172219A JPH0827927B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6417217A JPS6417217A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0827927B2 true JPH0827927B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=15937802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62172219A Expired - Fee Related JPH0827927B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5047297A (ja) |
| EP (1) | EP0298840B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0827927B2 (ja) |
| DE (1) | DE3879560T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2062154C (en) * | 1991-05-14 | 1997-01-21 | David Alvoid Edmonson | Underlayer doping in thin film magnetic recording media |
| US5232566A (en) * | 1991-05-14 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Underlayer doping in thin film magnetic recording media |
| US6287429B1 (en) | 1992-10-26 | 2001-09-11 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium having an improved magnetic characteristic |
| JP2778494B2 (ja) * | 1994-12-26 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
| US8559178B2 (en) * | 2010-10-11 | 2013-10-15 | Lockheed Martin Corporation | Cardlock clamp |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4231816A (en) * | 1977-12-30 | 1980-11-04 | International Business Machines Corporation | Amorphous metallic and nitrogen containing alloy films |
| JPS57191830A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| US4675240A (en) * | 1982-11-22 | 1987-06-23 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk using silicon substrate |
| JPH0711854B2 (ja) * | 1984-12-30 | 1995-02-08 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| EP0213191A4 (en) * | 1985-02-28 | 1988-04-27 | Trimedia Corp | THIN FILM MEMORY DISC AND METHOD. |
| US4880514A (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-14 | Akshic Memories Corporation | Method of making a thin film magnetic disk |
| US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
| US4749459A (en) * | 1986-03-10 | 1988-06-07 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a thin film magnetic recording medium |
| DE3707522A1 (de) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetischer nitridfilm |
-
1987
- 1987-07-09 JP JP62172219A patent/JPH0827927B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-30 EP EP88401694A patent/EP0298840B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-30 DE DE8888401694T patent/DE3879560T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-07 US US07/219,696 patent/US5047297A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0298840A2 (en) | 1989-01-11 |
| DE3879560D1 (de) | 1993-04-29 |
| JPS6417217A (en) | 1989-01-20 |
| US5047297A (en) | 1991-09-10 |
| EP0298840B1 (en) | 1993-03-24 |
| EP0298840A3 (en) | 1989-10-11 |
| DE3879560T2 (de) | 1993-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |