JP2778494B2 - 電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極薄膜とその製造方
法，および電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドに係
り、とくに、比抵抗が小さい電極薄膜とその製造方法，
および磁気抵抗効果により情報を読み取る機能を備えた
磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
法，および電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドに係
り、とくに、比抵抗が小さい電極薄膜とその製造方法，
および磁気抵抗効果により情報を読み取る機能を備えた
磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果型ヘッドの電極薄膜
として、スパッタ法により作成されたタンタル（Ｔａ）
薄膜が用いられている。
として、スパッタ法により作成されたタンタル（Ｔａ）
薄膜が用いられている。
【０００３】タンタルには、体心立方構造を有するα−
タンタルと正方構造を有するβ−タンタルがある。スパ
ッタ法などを用いて形成される薄膜としてのタンタル
は、一般には正方構造のβ−タンタルとなり、その比抵
抗は１８０〜２２０〔μΩ・ｃｍ〕と大きい（例えば、
アプライド・フィジクス・レターズ第７巻，51〜51頁，
1965 年（Ａppl.Ｐhys.Ｌetters, Ｖol.7, ｐ.51 〜5
2，1965）〕。
タンタルと正方構造を有するβ−タンタルがある。スパ
ッタ法などを用いて形成される薄膜としてのタンタル
は、一般には正方構造のβ−タンタルとなり、その比抵
抗は１８０〜２２０〔μΩ・ｃｍ〕と大きい（例えば、
アプライド・フィジクス・レターズ第７巻，51〜51頁，
1965 年（Ａppl.Ｐhys.Ｌetters, Ｖol.7, ｐ.51 〜5
2，1965）〕。
【０００４】また、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2 ）の
混合スパッタガスを用いて形成される窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）の薄膜は、６０〜７０〔μΩ・ｃｍ〕マイクロオ
ーム・センチメートルという小さい比抵抗が得られる。
混合スパッタガスを用いて形成される窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）の薄膜は、６０〜７０〔μΩ・ｃｍ〕マイクロオ
ーム・センチメートルという小さい比抵抗が得られる。
【０００５】これらは、いずれも磁気抵抗効果型ヘッド
の電極薄膜として、従来より比較的多く使用されてい
る。
の電極薄膜として、従来より比較的多く使用されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たタンタル（Ｔａ）の薄膜は、その比抵抗が大きいとい
う不都合が有り、一方比抵抗の小さい窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）の薄膜は、製造マージが非常に狭く〔例えばプロ
シーディング・オブ・ディ・アイ・トリプルイー第５２
巻，1450〜1462頁，1964年（Ｐroc.ＩＥＥＥ, Ｖol. 5
2, p.1450〜1462,1964 ）〕、特性の安定した薄膜を製
造することが困難なものとなっている。
たタンタル（Ｔａ）の薄膜は、その比抵抗が大きいとい
う不都合が有り、一方比抵抗の小さい窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）の薄膜は、製造マージが非常に狭く〔例えばプロ
シーディング・オブ・ディ・アイ・トリプルイー第５２
巻，1450〜1462頁，1964年（Ｐroc.ＩＥＥＥ, Ｖol. 5
2, p.1450〜1462,1964 ）〕、特性の安定した薄膜を製
造することが困難なものとなっている。
【０００７】また、タンタルにモリブデンを組成比で１
５原子百分率以上添加したタンタル・モリブデン合金薄
膜は比抵抗が小さく製造マージンも大きいが（例えば特
開昭６３−６５６６９号公報）、モリブデンは一般に腐
食しやすく、タンタル・モリブデン合金薄膜においても
モリブデン組成の増大とともに耐食性やエッチング溶液
耐性が悪化する。
５原子百分率以上添加したタンタル・モリブデン合金薄
膜は比抵抗が小さく製造マージンも大きいが（例えば特
開昭６３−６５６６９号公報）、モリブデンは一般に腐
食しやすく、タンタル・モリブデン合金薄膜においても
モリブデン組成の増大とともに耐食性やエッチング溶液
耐性が悪化する。
【０００８】磁気抵抗効果型ヘッドの電極薄膜として
は、従来からスパッタ法を用いて作製されたタンタル薄
膜が用いられているが、それは正方構造のβ−タンタル
であり比抵抗が１８０〔μΩ・ｃｍ〕と大きく、ヘッド
素子としての抵抗が大きくなり少なからず熱やノイズの
発生源となるため高性能の磁気抵抗型ヘッドに適さな
い。また、窒化タンタル薄膜は、小さい比抵抗をもつ薄
膜を安定して製造することが困難であるため、磁気抵抗
効果型ヘッドなどの実用電極薄膜の製造には適さない。
は、従来からスパッタ法を用いて作製されたタンタル薄
膜が用いられているが、それは正方構造のβ−タンタル
であり比抵抗が１８０〔μΩ・ｃｍ〕と大きく、ヘッド
素子としての抵抗が大きくなり少なからず熱やノイズの
発生源となるため高性能の磁気抵抗型ヘッドに適さな
い。また、窒化タンタル薄膜は、小さい比抵抗をもつ薄
膜を安定して製造することが困難であるため、磁気抵抗
効果型ヘッドなどの実用電極薄膜の製造には適さない。
【０００９】更に、従来のタンタル・モリブデン薄膜で
は、少なくとも組成比として１５原子百分率以上のモリ
ブデンを含むため耐食性の点で問題がある。事実、磁気
抵抗効果型ヘッドの製造過程において、ヘッド素子パタ
ーンを作製する際に用いられるステンシルの素材である
金や銅の金属やフォトレジストなどをエッチングしたり
除去するためにエッチング溶液や有機溶剤を使用する
が、この場合、電磁薄膜であるタンタル・モリブデン薄
膜が、それに曝され腐食されたり、エッチングされたり
されやすい。
は、少なくとも組成比として１５原子百分率以上のモリ
ブデンを含むため耐食性の点で問題がある。事実、磁気
抵抗効果型ヘッドの製造過程において、ヘッド素子パタ
ーンを作製する際に用いられるステンシルの素材である
金や銅の金属やフォトレジストなどをエッチングしたり
除去するためにエッチング溶液や有機溶剤を使用する
が、この場合、電磁薄膜であるタンタル・モリブデン薄
膜が、それに曝され腐食されたり、エッチングされたり
されやすい。
【００１０】また、磁気抵抗効果型ヘッドは非磁性スペ
ーサ薄膜としてスパッタ法などを用いて製造される高比
抵抗のタンタル薄膜が用いられているが、電極薄膜とし
て抵比抵抗のタンタル・モリブデン薄膜を用いると、ス
パッタ用ターゲットの共用ができず、それぞれに別の製
造装置が必要であったり、製造時のたびにターゲットの
交換が必要であるなど、製造コストや製造工数がかかる
という不都合が生じていた。
ーサ薄膜としてスパッタ法などを用いて製造される高比
抵抗のタンタル薄膜が用いられているが、電極薄膜とし
て抵比抵抗のタンタル・モリブデン薄膜を用いると、ス
パッタ用ターゲットの共用ができず、それぞれに別の製
造装置が必要であったり、製造時のたびにターゲットの
交換が必要であるなど、製造コストや製造工数がかかる
という不都合が生じていた。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに比抵抗が小さく、また耐食性やエッチ
ング溶液耐性等に優れた電極薄膜とその製造方法および
それを用いた抵抗・発熱・ノイズが小さく信頼性の高い
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
を改善し、とくに比抵抗が小さく、また耐食性やエッチ
ング溶液耐性等に優れた電極薄膜とその製造方法および
それを用いた抵抗・発熱・ノイズが小さく信頼性の高い
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
【００１２】
【００１３】請求項１記載の発明は、所定部材上に所定
の面積をもって薄膜状に形成され電極部として機能する
電極薄膜において、前述した電極部を、体心立方構造と
正方構造の結晶系の混晶をもつタンタル・モリブデン合
金薄膜で構成する、という手法を採っている。
の面積をもって薄膜状に形成され電極部として機能する
電極薄膜において、前述した電極部を、体心立方構造と
正方構造の結晶系の混晶をもつタンタル・モリブデン合
金薄膜で構成する、という手法を採っている。
【００１４】請求項２記載の発明は、前述した請求項１
記載の電極薄膜において、前述した電極部の体心立方構
造と正方構造の結晶系の混晶比率が、ディフラクトメー
タ法を用いたＸ線回析による体心立方構造の（１，１，
０）面に対する正方構造の（０，０，２）面の回析ピー
ク強度の比で０．５以下であること、という構成を採っ
ている。
記載の電極薄膜において、前述した電極部の体心立方構
造と正方構造の結晶系の混晶比率が、ディフラクトメー
タ法を用いたＸ線回析による体心立方構造の（１，１，
０）面に対する正方構造の（０，０，２）面の回析ピー
ク強度の比で０．５以下であること、という構成を採っ
ている。
【００１５】（削除）
【００１６】（削除）
【００１７】
【００１８】
【００１９】請求項３記載の発明は、基板上に，軟磁性
薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁
性交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極
薄膜が、順次積層され、且つ前記反強磁性交換バイアス
薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極薄膜の所定領域
が切除されて磁気抵抗効果薄膜が露出されてなる作動領
域を備え、前述した非磁性スペーサ薄膜および第１の電
極薄膜を、タンタル・モリブデン合金薄膜により構成す
る。
薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁
性交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極
薄膜が、順次積層され、且つ前記反強磁性交換バイアス
薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極薄膜の所定領域
が切除されて磁気抵抗効果薄膜が露出されてなる作動領
域を備え、前述した非磁性スペーサ薄膜および第１の電
極薄膜を、タンタル・モリブデン合金薄膜により構成す
る。
【００２０】そして、非磁性スペーサ薄膜のタンタル・
モリブデン合金薄膜を、その正方構造の結晶系あるいは
体心立方構造と正方構造の結晶系の混晶比率が、ディフ
ラクトメータ法を用いたＸ線回析による体心立方構造の
（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，２）面
の回析ピーク強度の比で、０．５以上の体心立方構造と
正方構造の結晶系の混晶をもち、モリブデンの組成比が
１０原子百分率以上１５原子百分率以下であり、膜厚が
５０オングストローム以上３５０オングストローム以下
のタンタル・モリブデン合金薄膜とする、という構成を
採っている。
モリブデン合金薄膜を、その正方構造の結晶系あるいは
体心立方構造と正方構造の結晶系の混晶比率が、ディフ
ラクトメータ法を用いたＸ線回析による体心立方構造の
（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，２）面
の回析ピーク強度の比で、０．５以上の体心立方構造と
正方構造の結晶系の混晶をもち、モリブデンの組成比が
１０原子百分率以上１５原子百分率以下であり、膜厚が
５０オングストローム以上３５０オングストローム以下
のタンタル・モリブデン合金薄膜とする、という構成を
採っている。
【００２１】請求項４記載の発明は、前述した非磁性ス
ペーサ薄膜と第１の電極薄膜とを、同一のスパッタ用タ
ーゲットを用いて形成する。そして、非磁性スペーサ薄
膜を成すタンタル・モリブデン合金薄膜を、アルゴンガ
ス或いはアルゴンガスに５％以下の窒素ガスを添加した
混合ガスの雰囲気中で１００ワット以下のバイアスを印
加して形成する、という構成を採っている。
ペーサ薄膜と第１の電極薄膜とを、同一のスパッタ用タ
ーゲットを用いて形成する。そして、非磁性スペーサ薄
膜を成すタンタル・モリブデン合金薄膜を、アルゴンガ
ス或いはアルゴンガスに５％以下の窒素ガスを添加した
混合ガスの雰囲気中で１００ワット以下のバイアスを印
加して形成する、という構成を採っている。
【００２２】請求項５記載の発明は、基板上に，軟磁性
薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁
性交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極
薄膜が、順次積層され、且つ前記反強磁性交換バイアス
薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極薄膜の所定領域
が切除されて磁気抵抗効果薄膜が露出されてなる作動領
域を備え、前述した非磁性スペーサ薄膜および第１の電
極薄膜を、タンタル・モリブデン合金薄膜により構成す
る。
薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁
性交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極
薄膜が、順次積層され、且つ前記反強磁性交換バイアス
薄膜，第１の電極薄膜および第２の電極薄膜の所定領域
が切除されて磁気抵抗効果薄膜が露出されてなる作動領
域を備え、前述した非磁性スペーサ薄膜および第１の電
極薄膜を、タンタル・モリブデン合金薄膜により構成す
る。
【００２３】そして、第１の電極薄膜のタンタル・モリ
ブデン合金薄膜を、体心立方構造の結晶系あるいはディ
フラクトメータ法を用いたＸ線回析において体心立方構
造の（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，
２）面の回析ピーク強度の比が０．５以下である混晶比
率の体心立方構造と正方構造の結晶系の混晶をもち、モ
リブデンの組成比が１０原子百分率以上１５原子百分率
以下であり、１００オングストローム以上１００００オ
ングストローム以下の膜厚を備えたタンタル・モリブデ
ン合金薄膜とする、という構成を採っている。
ブデン合金薄膜を、体心立方構造の結晶系あるいはディ
フラクトメータ法を用いたＸ線回析において体心立方構
造の（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，
２）面の回析ピーク強度の比が０．５以下である混晶比
率の体心立方構造と正方構造の結晶系の混晶をもち、モ
リブデンの組成比が１０原子百分率以上１５原子百分率
以下であり、１００オングストローム以上１００００オ
ングストローム以下の膜厚を備えたタンタル・モリブデ
ン合金薄膜とする、という構成を採っている。
【００２４】請求項６記載の発明は、前述した非磁性ス
ペーサ薄膜と第１の電極薄膜とを、同一のスパッタ用タ
ーゲットを用いて形成すると共に、第１の電極薄膜とし
てのタンタル・モリブデン合金薄膜を、アルゴンガス或
いはアルゴンガスに５％以下の窒素ガスを添加した混合
ガスの雰囲気中で１００ワット以上５００ワット以下の
バイアスを印加して形成する、という構成を採ってい
る。
ペーサ薄膜と第１の電極薄膜とを、同一のスパッタ用タ
ーゲットを用いて形成すると共に、第１の電極薄膜とし
てのタンタル・モリブデン合金薄膜を、アルゴンガス或
いはアルゴンガスに５％以下の窒素ガスを添加した混合
ガスの雰囲気中で１００ワット以上５００ワット以下の
バイアスを印加して形成する、という構成を採ってい
る。
【００２５】これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
するものである。
【００２６】
【作 用】請求項１乃至２記載の各発明では、比抵抗が
タンタル薄膜に比較して約４分の１の大きさに減少する
ことが実験的に確認され、同時に耐食性性能も高められ
ていることが判明した。
タンタル薄膜に比較して約４分の１の大きさに減少する
ことが実験的に確認され、同時に耐食性性能も高められ
ていることが判明した。
【００２７】
【００２８】更に、請求項３乃至６記載の各発明では、
上述した電極薄膜等を組み込むことによりヘッド素子と
しての抵抗が小さく且つ発熱およびノイズの小さい磁気
抵抗効果型ヘッドを得ることが可能となった。
上述した電極薄膜等を組み込むことによりヘッド素子と
しての抵抗が小さく且つ発熱およびノイズの小さい磁気
抵抗効果型ヘッドを得ることが可能となった。
【００２９】
【第１実施例】以下、本発明の第１実施例を図１乃至図
７に基づいて説明する。
７に基づいて説明する。
【００３０】この第１の実施例において、磁気抵抗効果
型ヘッドは、セラミック基板１上に、軟磁性薄膜２，非
磁性スペーサ薄膜３，磁気抵抗効果薄膜４，反強磁性交
換バイアス薄膜５，第１の電極薄膜７および第２の電極
薄膜８が，順次積層され、且つ、反強磁性交換バイアス
薄膜５，第１の電極薄膜７および第２の電極薄膜８の図
１における中央部が所定幅をもって切除され露出されて
作動領域Ｔｗが形成されている。
型ヘッドは、セラミック基板１上に、軟磁性薄膜２，非
磁性スペーサ薄膜３，磁気抵抗効果薄膜４，反強磁性交
換バイアス薄膜５，第１の電極薄膜７および第２の電極
薄膜８が，順次積層され、且つ、反強磁性交換バイアス
薄膜５，第１の電極薄膜７および第２の電極薄膜８の図
１における中央部が所定幅をもって切除され露出されて
作動領域Ｔｗが形成されている。
【００３１】この作動領域Ｔｗにより、第１の電極薄膜
７，第２の電極薄膜８および反強磁性交換バイアス薄膜
５が、第１の電極薄膜７1 ，７2 ，第２の電極薄膜
８1 ，８2 および反強磁性交換バイアス薄膜５1 ，５2
にそれぞれ二分された状態となっている。
７，第２の電極薄膜８および反強磁性交換バイアス薄膜
５が、第１の電極薄膜７1 ，７2 ，第２の電極薄膜
８1 ，８2 および反強磁性交換バイアス薄膜５1 ，５2
にそれぞれ二分された状態となっている。
【００３２】セラミック基板１としては、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ系のセラミックが使用されている。軟磁性薄膜２
は厚さが５０オングストロームのコバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン合金からなり、非磁性スペーサ薄膜３は
厚さが２００オングストロームのタンタル薄膜からな
り、磁気抵抗効果薄膜４は厚さが２００オングストロー
ムのニッケル・鉄合金からなり、反強磁性交換バイアス
薄膜５は厚さが１５０オングストロームの鉄・マンガン
合金からなり、これらが、スパッタ法により順次積層成
膜されて形成されている。
ＴｉＣ系のセラミックが使用されている。軟磁性薄膜２
は厚さが５０オングストロームのコバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン合金からなり、非磁性スペーサ薄膜３は
厚さが２００オングストロームのタンタル薄膜からな
り、磁気抵抗効果薄膜４は厚さが２００オングストロー
ムのニッケル・鉄合金からなり、反強磁性交換バイアス
薄膜５は厚さが１５０オングストロームの鉄・マンガン
合金からなり、これらが、スパッタ法により順次積層成
膜されて形成されている。
【００３３】次に、上記磁気抵抗効果型ヘッドの作製工
程について図２乃至図３に基づいて詳述する。
程について図２乃至図３に基づいて詳述する。
【００３４】まず、図２（ａ）に示すように、セラミッ
ク基板１上に、軟磁性薄膜２，非磁性スペーサ薄膜３，
磁気抵抗効果薄膜４，反強磁性交換バイアス薄膜５，を
順次スパッタ法を用いて積層成膜し、更にその上に、１
ミクロンの厚さのフォトレジスト６を塗布する。
ク基板１上に、軟磁性薄膜２，非磁性スペーサ薄膜３，
磁気抵抗効果薄膜４，反強磁性交換バイアス薄膜５，を
順次スパッタ法を用いて積層成膜し、更にその上に、１
ミクロンの厚さのフォトレジスト６を塗布する。
【００３５】その後、図２（ｂ）に示すように、磁気抵
抗効果型センサとして作動する領域Ｔｗにあたるフォト
レジスト６部分を、適当な条件を用いて露光・現像する
ことによってパターン化した。次に、図２（ｃ）に示す
ように、フォトレジスト６の抜いたセンサ作動領域Ｔｗ
の鉄・マンガン製の反強磁性交換バイアス薄膜５をイオ
ンミリングやケミカルエッチングを用いて除去し、しか
るのち、アセトンなどの有機溶剤を用いて残存している
フォトレジスト６を取り除いた。このとき、フォトレジ
スト６を完全かつ速やかに取り除くために超音波による
洗浄などを併用してもよい。
抗効果型センサとして作動する領域Ｔｗにあたるフォト
レジスト６部分を、適当な条件を用いて露光・現像する
ことによってパターン化した。次に、図２（ｃ）に示す
ように、フォトレジスト６の抜いたセンサ作動領域Ｔｗ
の鉄・マンガン製の反強磁性交換バイアス薄膜５をイオ
ンミリングやケミカルエッチングを用いて除去し、しか
るのち、アセトンなどの有機溶剤を用いて残存している
フォトレジスト６を取り除いた。このとき、フォトレジ
スト６を完全かつ速やかに取り除くために超音波による
洗浄などを併用してもよい。
【００３６】次に、図３（ａ）に示すように第１の電極
薄膜７として、スパッタ法を用い、５００ワットのバイ
アスで且つ出力１．０キロワット，圧力１．７ミリトー
ルのアルゴンガス雰囲気で、モリブデン組成比が１０．
８原子百分率の体心立方構造を有するタンタル・モリブ
デン合金薄膜を、膜厚５００オングストロームで成膜し
た。
薄膜７として、スパッタ法を用い、５００ワットのバイ
アスで且つ出力１．０キロワット，圧力１．７ミリトー
ルのアルゴンガス雰囲気で、モリブデン組成比が１０．
８原子百分率の体心立方構造を有するタンタル・モリブ
デン合金薄膜を、膜厚５００オングストロームで成膜し
た。
【００３７】更に、第２の電極薄膜８として、１ミクロ
ンの厚さの金薄膜を形成し、その上に１．５ミクロンの
厚さのフォトレジスト９を塗布した。ここで、第２の電
極薄膜８は、比抵抗が小さく耐食性に優れた材料であれ
ばよく、第１の電極薄膜７であるタンタル・モリブデン
薄膜で代用して、その厚さだけをトータルで１ミクロン
として用いてもよい。
ンの厚さの金薄膜を形成し、その上に１．５ミクロンの
厚さのフォトレジスト９を塗布した。ここで、第２の電
極薄膜８は、比抵抗が小さく耐食性に優れた材料であれ
ばよく、第１の電極薄膜７であるタンタル・モリブデン
薄膜で代用して、その厚さだけをトータルで１ミクロン
として用いてもよい。
【００３８】その後、図３（ｂ）に示すように、センサ
作動領域Ｔｗのフォトレジスト９の部分を適当な条件を
用いて露光・現像することによってパターン化し、引き
続いてセンサ作動領域Ｔｗにあたる第２の電極薄膜８で
ある金薄膜および第１の電極薄膜７であるタンタル・モ
リブデン合金薄膜をイオンミリングやケミカルエッチン
グなどで除去した後、残存しているフォトレジスト９を
アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除き、磁気対抗効
果型ヘッドを作製した。
作動領域Ｔｗのフォトレジスト９の部分を適当な条件を
用いて露光・現像することによってパターン化し、引き
続いてセンサ作動領域Ｔｗにあたる第２の電極薄膜８で
ある金薄膜および第１の電極薄膜７であるタンタル・モ
リブデン合金薄膜をイオンミリングやケミカルエッチン
グなどで除去した後、残存しているフォトレジスト９を
アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除き、磁気対抗効
果型ヘッドを作製した。
【００３９】このとき、フォトレジスト９を完全かつ速
やかに取り除くために超音波による洗浄などを併用して
もよい。
やかに取り除くために超音波による洗浄などを併用して
もよい。
【００４０】このようにして作製された磁気抵抗効果型
ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値
が安定して得られ発熱も小さく抑えられた。また、再生
特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良好な再生
波形が得られた。
ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値
が安定して得られ発熱も小さく抑えられた。また、再生
特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良好な再生
波形が得られた。
【００４１】ここで、前述した第１の電極薄膜７のタン
タル・モリブデン合金薄膜を、図４乃至図７に基づいて
詳述する。
タル・モリブデン合金薄膜を、図４乃至図７に基づいて
詳述する。
【００４２】初めに、タンタル・モリブデン合金薄膜の
基本特性について説明する。
基本特性について説明する。
【００４３】図４に、タンタル・モリブデン合金薄膜に
おける比抵抗のモリブデン組成比依存性を示す。このタ
ンタル・モリブデン合金薄膜は、ガラス基板上にスパッ
タ法を用いて、バイアスがそれぞれ０ワット及び５００
ワット、出力が１．０キロワット，圧力が１．７ミリト
ールのアルゴンガス雰囲気の条件で作製されたものであ
る。
おける比抵抗のモリブデン組成比依存性を示す。このタ
ンタル・モリブデン合金薄膜は、ガラス基板上にスパッ
タ法を用いて、バイアスがそれぞれ０ワット及び５００
ワット、出力が１．０キロワット，圧力が１．７ミリト
ールのアルゴンガス雰囲気の条件で作製されたものであ
る。
【００４４】無バイアスで作製されたタンタル・モリブ
デン合金薄膜の比抵抗は、モリブデン組成が１５原子百
分率以上で急激に減少し４０〜５０〔μΩ・ｃｍ〕とな
り、バイアスが５００ワットで作製されたタンタル・モ
リブデン合金薄膜の比抵抗は、モリブデン組成が１０原
子百分率以上にで急激に減少し５０〜６０〔μΩ・ｃ
ｍ〕となる。
デン合金薄膜の比抵抗は、モリブデン組成が１５原子百
分率以上で急激に減少し４０〜５０〔μΩ・ｃｍ〕とな
り、バイアスが５００ワットで作製されたタンタル・モ
リブデン合金薄膜の比抵抗は、モリブデン組成が１０原
子百分率以上にで急激に減少し５０〜６０〔μΩ・ｃ
ｍ〕となる。
【００４５】作製時のバイアスを１００ワット以上印加
することによって、図４に示すような５００ワットのバ
イアスを印加したときに得られる比抵抗のモリブデン組
成比依存性に一致する。即ち、モリブデンの組成比が１
０〜１５原子百分率の範囲のタンタル・モリブデン合金
薄膜の比抵抗は、１００ワット以上５００ワット以下の
バイアスを印加することによって、１００ワット以下の
バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合金薄膜と
同じモリブデンの組成比で比抵抗が小さい特性をもつタ
ンタル・モリブデン合金薄膜を製造することができる。
することによって、図４に示すような５００ワットのバ
イアスを印加したときに得られる比抵抗のモリブデン組
成比依存性に一致する。即ち、モリブデンの組成比が１
０〜１５原子百分率の範囲のタンタル・モリブデン合金
薄膜の比抵抗は、１００ワット以上５００ワット以下の
バイアスを印加することによって、１００ワット以下の
バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合金薄膜と
同じモリブデンの組成比で比抵抗が小さい特性をもつタ
ンタル・モリブデン合金薄膜を製造することができる。
【００４６】作製時のパワーおよびアルゴンガス雰囲気
の圧力は、ここでの実施例の値に限らず、パワーは０．
１キロワット以上５．０キロワット以下の範囲であれば
よく、又圧力は０．５ミリトール以上５０ミリトール以
下の範囲であればよい。これらの作製条件の下限値はス
パッタする際の放電が安定に発生し持続する条件によっ
て規定されており、パワーに対する上限値は電源の容量
によって規定され、圧力に対する上限値は作製されたタ
ンタル・モリブデン合金薄膜の膜質によって規定され
る。圧力が高いほど表面の凹凸が大きく密度の低い多孔
的な膜質になるため、電極薄膜としては適さないためで
ある。
の圧力は、ここでの実施例の値に限らず、パワーは０．
１キロワット以上５．０キロワット以下の範囲であれば
よく、又圧力は０．５ミリトール以上５０ミリトール以
下の範囲であればよい。これらの作製条件の下限値はス
パッタする際の放電が安定に発生し持続する条件によっ
て規定されており、パワーに対する上限値は電源の容量
によって規定され、圧力に対する上限値は作製されたタ
ンタル・モリブデン合金薄膜の膜質によって規定され
る。圧力が高いほど表面の凹凸が大きく密度の低い多孔
的な膜質になるため、電極薄膜としては適さないためで
ある。
【００４７】図５（ａ）〜（ｃ）は、無バイアスで作製
されたタンタル・モリブデン合金薄膜のディフラクトメ
ータ法を用いたＸ線回析パターンである。この内、図５
（ａ）はモリブデンの組成比が１４．２原子百分率のタ
ンタル・モリブデン薄膜についての回析パターン、図５
（ｂ）はモリブデンの組成比が２０．１原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜についての回析パターン、
図５（ｃ）はモリブデンの組成比が２５．８原子百分率
のタンタル・モリブデン合金薄膜についての回析パター
ンである。
されたタンタル・モリブデン合金薄膜のディフラクトメ
ータ法を用いたＸ線回析パターンである。この内、図５
（ａ）はモリブデンの組成比が１４．２原子百分率のタ
ンタル・モリブデン薄膜についての回析パターン、図５
（ｂ）はモリブデンの組成比が２０．１原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜についての回析パターン、
図５（ｃ）はモリブデンの組成比が２５．８原子百分率
のタンタル・モリブデン合金薄膜についての回析パター
ンである。
【００４８】図６（ａ）〜（ｃ）は、バイアスが５００
ワットで作製されたタンタル・モリブデン合金薄膜のデ
ィフラクトメータ法を用いたＸ線回析パターンである。
この内、図６（ａ）はタンタル（Ｔａ）薄膜についての
Ｘ線回析パターン、図６（ｂ）はモリブデンの組成比が
９．２原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄膜につ
いてのＸ線回析パターン、図６（ｃ）はモリブデンの組
成比が１０．８原子百分率のタンタル・モリブデン合金
薄膜についての回析パターンである。
ワットで作製されたタンタル・モリブデン合金薄膜のデ
ィフラクトメータ法を用いたＸ線回析パターンである。
この内、図６（ａ）はタンタル（Ｔａ）薄膜についての
Ｘ線回析パターン、図６（ｂ）はモリブデンの組成比が
９．２原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄膜につ
いてのＸ線回析パターン、図６（ｃ）はモリブデンの組
成比が１０．８原子百分率のタンタル・モリブデン合金
薄膜についての回析パターンである。
【００４９】回析角度が３３度および７０度付近に現れ
ている回析ピークはそれぞれ正方構造の（０，０，２）
面および（５，１，３）面に対応するピークであり、３
８度付近に現れている回析ピークは体心立方構造の
（１，１，０）面に対応するピークであることから、比
抵抗の大きいＴａ薄膜は図５（ａ）および図６（ａ）か
ら正方構造であることがわかり、比抵抗が十分に低下し
たときのタンタル・モリブデン合金薄膜は図５（ｃ）お
よび図６（ｃ）から体心立方構造であることが確認され
た。
ている回析ピークはそれぞれ正方構造の（０，０，２）
面および（５，１，３）面に対応するピークであり、３
８度付近に現れている回析ピークは体心立方構造の
（１，１，０）面に対応するピークであることから、比
抵抗の大きいＴａ薄膜は図５（ａ）および図６（ａ）か
ら正方構造であることがわかり、比抵抗が十分に低下し
たときのタンタル・モリブデン合金薄膜は図５（ｃ）お
よび図６（ｃ）から体心立方構造であることが確認され
た。
【００５０】また、比抵抗が急激に減少する前後のモリ
ブデン組成比をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図
５（ｂ）および図６（ｂ）から正方構造と体心立方構造
との混晶になっているが、比抵抗が減少する前のモリブ
デン組成比をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図６
（ｂ）から回析角度が３８度付近の体心立方構造を表す
回析ピークが小さく、比抵抗が減少した後のモリブデン
組成をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図５（ｂ）
から３８度付近の体心立方構造を表すピークが大きい。
このことから、比抵抗の急激な減少は正方構造から体心
立方構造への構造変化に起因することが確認され、さら
に正方構造と体心立方構造との混晶であっても体心立方
構造の（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，
２）面の回析ピーク強度の比が０．５以下である場合に
比抵抗は大きく減少することがわかった。
ブデン組成比をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図
５（ｂ）および図６（ｂ）から正方構造と体心立方構造
との混晶になっているが、比抵抗が減少する前のモリブ
デン組成比をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図６
（ｂ）から回析角度が３８度付近の体心立方構造を表す
回析ピークが小さく、比抵抗が減少した後のモリブデン
組成をもつタンタル・モリブデン合金薄膜は図５（ｂ）
から３８度付近の体心立方構造を表すピークが大きい。
このことから、比抵抗の急激な減少は正方構造から体心
立方構造への構造変化に起因することが確認され、さら
に正方構造と体心立方構造との混晶であっても体心立方
構造の（１，１，０）面に対する正方構造の（０，０，
２）面の回析ピーク強度の比が０．５以下である場合に
比抵抗は大きく減少することがわかった。
【００５１】図７に、無バイアスで作製されたタンタル
・モリブデン合金薄膜における電解溶液として濃度０．
２規定の硫酸を用いたアノード分極特性の測定から求め
た腐食電位および腐食電流密度のモリブデン組成比依存
性を示す。タンタル薄膜よりタンタル・モリブデン合金
薄膜のほうが腐食電位が大きく、タンタル薄膜よりタン
タル・モリブデン合金薄膜のほうが貴な金属であること
がわかる。
・モリブデン合金薄膜における電解溶液として濃度０．
２規定の硫酸を用いたアノード分極特性の測定から求め
た腐食電位および腐食電流密度のモリブデン組成比依存
性を示す。タンタル薄膜よりタンタル・モリブデン合金
薄膜のほうが腐食電位が大きく、タンタル薄膜よりタン
タル・モリブデン合金薄膜のほうが貴な金属であること
がわかる。
【００５２】一方、腐食電流密度はタンタル・モリブデ
ン合金薄膜よりタンタル薄膜のほうが小さく、さらにモ
リブデン組成比の増大とともに増加する。すなわち、発
明者らが行った実験の範囲では、腐食電位の大小は構造
が支配的な要因であり、スパッタ法を用いて作製される
タンタル薄膜で得られている正方構造からタンタル・モ
リブデン合金薄膜で得られている体心立方構造に変化す
ることによって腐食電位が大きくなり、タンタル・モリ
ブデン合金薄膜のほうが腐食性が改善されていると解釈
される。
ン合金薄膜よりタンタル薄膜のほうが小さく、さらにモ
リブデン組成比の増大とともに増加する。すなわち、発
明者らが行った実験の範囲では、腐食電位の大小は構造
が支配的な要因であり、スパッタ法を用いて作製される
タンタル薄膜で得られている正方構造からタンタル・モ
リブデン合金薄膜で得られている体心立方構造に変化す
ることによって腐食電位が大きくなり、タンタル・モリ
ブデン合金薄膜のほうが腐食性が改善されていると解釈
される。
【００５３】他方、腐食電流密度はモリブデン組成比に
支配され、モリブデンの増大にしたがって単調に増加
し、一旦電気化学反応が起こると、モリブデン組成比の
大きい薄膜のほうが反応が速く進行することを裏付けて
いる。
支配され、モリブデンの増大にしたがって単調に増加
し、一旦電気化学反応が起こると、モリブデン組成比の
大きい薄膜のほうが反応が速く進行することを裏付けて
いる。
【００５４】また、２５重量百分率の濃度の塩化ナトリ
ウム溶液を用いたアノード分極特性の測定からも同様の
結果が得られている。
ウム溶液を用いたアノード分極特性の測定からも同様の
結果が得られている。
【００５５】さらに、ヨウ素とヨウ化カリウムと水の重
量が「１：２：２００」の比率で混合された濃度の溶液
に８００オングストロームの厚さのモリブデンの組成比
の異なる数種類のタンタル・モリブデン合金薄膜を浸し
たのち、四端子法を用いて比抵抗を測定したところ、モ
リブデンの組成比が１５原子百分率以上のタンタル・モ
リブデン合金薄膜において浸漬時間の経過とともに比抵
抗の増大する傾向が現れはじめた。この比抵抗の増大
は、エッチング溶液によってタンタル・モリブデン合金
薄膜がエッチングされ膜厚が減少しているために起こる
現象であると推考される。
量が「１：２：２００」の比率で混合された濃度の溶液
に８００オングストロームの厚さのモリブデンの組成比
の異なる数種類のタンタル・モリブデン合金薄膜を浸し
たのち、四端子法を用いて比抵抗を測定したところ、モ
リブデンの組成比が１５原子百分率以上のタンタル・モ
リブデン合金薄膜において浸漬時間の経過とともに比抵
抗の増大する傾向が現れはじめた。この比抵抗の増大
は、エッチング溶液によってタンタル・モリブデン合金
薄膜がエッチングされ膜厚が減少しているために起こる
現象であると推考される。
【００５６】これらの耐食性に関する結果から、発明者
らの行った実験範囲内では、腐食性の優劣は構造および
モリブデン組成比に大きく左右されると考えられる。
らの行った実験範囲内では、腐食性の優劣は構造および
モリブデン組成比に大きく左右されると考えられる。
【００５７】以上タンタル・モリブデン合金薄膜の比抵
抗，Ｘ線回析および耐食性に関する実験から、タンタル
・モリブデン合金薄膜は、正方構造から体心立方構造に
なることによって比抵抗が急激に減少し、正方構造より
体心立方構造のほうが腐食しにくいことが判明した。
抗，Ｘ線回析および耐食性に関する実験から、タンタル
・モリブデン合金薄膜は、正方構造から体心立方構造に
なることによって比抵抗が急激に減少し、正方構造より
体心立方構造のほうが腐食しにくいことが判明した。
【００５８】又モリブデンの組成比が小さいほうが電気
化学反応速度が遅くなることから、モリブデンの組成比
が１０〜１５原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄
膜において、スパッタ法を用いて製造する際１００ワッ
ト以上５００ワット以下のバイアスを印加することによ
って、１００ワット以下のバイアス製造したタンタル・
モリブデン合金薄膜と同じモリブデンの組成比で体心立
方構造の結晶系あるいはディフラクトメータ法を用いた
Ｘ線回析において体心立方構造の（１，１，０）面に対
する正方構造の（０，０，２）面の回析ピーク強度の比
が０．５以下である混晶比率の体心立方構造と正方構造
の結晶系の混晶をもち比抵抗が小さく且つ腐食しにくい
電気化学反応速度の遅い耐食性に優れたタンタル・モリ
ブデン合金薄膜が得られることが判明した。
化学反応速度が遅くなることから、モリブデンの組成比
が１０〜１５原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄
膜において、スパッタ法を用いて製造する際１００ワッ
ト以上５００ワット以下のバイアスを印加することによ
って、１００ワット以下のバイアス製造したタンタル・
モリブデン合金薄膜と同じモリブデンの組成比で体心立
方構造の結晶系あるいはディフラクトメータ法を用いた
Ｘ線回析において体心立方構造の（１，１，０）面に対
する正方構造の（０，０，２）面の回析ピーク強度の比
が０．５以下である混晶比率の体心立方構造と正方構造
の結晶系の混晶をもち比抵抗が小さく且つ腐食しにくい
電気化学反応速度の遅い耐食性に優れたタンタル・モリ
ブデン合金薄膜が得られることが判明した。
【００５９】更に、製造マージンに関しても、モリブデ
ンの組成比が１０原子百分率以上１５原子百分率以下と
広い範囲でかつバイアスも１００ワット以上５００ワッ
ト以下の広い製造条件でよいため、製造マージンが広く
安定に製造できることが明らかとなった。
ンの組成比が１０原子百分率以上１５原子百分率以下と
広い範囲でかつバイアスも１００ワット以上５００ワッ
ト以下の広い製造条件でよいため、製造マージンが広く
安定に製造できることが明らかとなった。
【００６０】次いで、モリブデンの組成比が１３．０原
子百分率のタンタル・モリブデン合金ターゲットを用い
て、まず無バイアスで、パワーが０．５キロワット、圧
力が１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気の条件で作
製したところ、正方構造を有するモリブデンの組成比が
１３．７原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄膜が
得られた。その比抵抗は１７０〔μΩ・ｃｍ〕であっ
た。更に、同一のターゲットを用いて３００ワットのバ
イアスを印加して、パワーが０．５キロワット，圧力が
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気の条件でタンタ
ル・モリブデン合金薄膜を作製したところ、体心立方構
造を有する１２．２原子百分率のモリブデンの組成比を
もつ６０〔μΩ・ｃｍ〕の比抵抗が得られた。
子百分率のタンタル・モリブデン合金ターゲットを用い
て、まず無バイアスで、パワーが０．５キロワット、圧
力が１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気の条件で作
製したところ、正方構造を有するモリブデンの組成比が
１３．７原子百分率のタンタル・モリブデン合金薄膜が
得られた。その比抵抗は１７０〔μΩ・ｃｍ〕であっ
た。更に、同一のターゲットを用いて３００ワットのバ
イアスを印加して、パワーが０．５キロワット，圧力が
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気の条件でタンタ
ル・モリブデン合金薄膜を作製したところ、体心立方構
造を有する１２．２原子百分率のモリブデンの組成比を
もつ６０〔μΩ・ｃｍ〕の比抵抗が得られた。
【００６１】このように、バイアスが０ワット以上５０
０ワット以下の範囲で作製されたタンタル・モリブデン
合金薄膜のモリブデンの組成比が１０原子百分率以上１
５原子百分率以下の範囲になるように、タンタル・モリ
ブデン合金ターゲットのモリブデンの組成比や製造条件
を選ぶことにより、同一のターゲットを用いて製造時に
印加するバイアスなどの製造条件を変えることによっ
て、耐食性に優れた信頼性の高い高比抵抗のタンタル・
モリブデン合金薄膜と低比抵抗のタンタル・モリブデン
合金薄膜とを製造し分けることが可能であり、これは製
造マージンが広く安定して製造できるという本実施例の
効果として優れたものとなっている。
０ワット以下の範囲で作製されたタンタル・モリブデン
合金薄膜のモリブデンの組成比が１０原子百分率以上１
５原子百分率以下の範囲になるように、タンタル・モリ
ブデン合金ターゲットのモリブデンの組成比や製造条件
を選ぶことにより、同一のターゲットを用いて製造時に
印加するバイアスなどの製造条件を変えることによっ
て、耐食性に優れた信頼性の高い高比抵抗のタンタル・
モリブデン合金薄膜と低比抵抗のタンタル・モリブデン
合金薄膜とを製造し分けることが可能であり、これは製
造マージンが広く安定して製造できるという本実施例の
効果として優れたものとなっている。
【００６２】
【第２実施例】次に、第２の実施例を図８に基づいて説
明する。
明する。
【００６３】この図８に示す第２実施例は、前述した図
１乃至図２に示す第１実施例の場合と、構造上はまった
く同一であり、第１実施例における非磁性スペーサ薄膜
３および電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第２実施例
では非磁性スペーサ薄膜１３および電極薄膜１７（１７
1 ，１７2 ）とした点が相違する。以下この相違する部
分について説明する。
１乃至図２に示す第１実施例の場合と、構造上はまった
く同一であり、第１実施例における非磁性スペーサ薄膜
３および電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第２実施例
では非磁性スペーサ薄膜１３および電極薄膜１７（１７
1 ，１７2 ）とした点が相違する。以下この相違する部
分について説明する。
【００６４】この第２実施例では、非磁性スペーサ薄膜
１３として、モリブデンの組成比が１３．０原子百分率
のタンタル・モリブデン合金ターゲットを用いてスパッ
タ法により、無バイアスでパワーが０．５キロワット，
圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中で、膜厚
２００オングストロームのモリブデン組成比が１３．７
原子百分率の正方構造を有するタンタル・モリブデン合
金薄膜が成膜されている。
１３として、モリブデンの組成比が１３．０原子百分率
のタンタル・モリブデン合金ターゲットを用いてスパッ
タ法により、無バイアスでパワーが０．５キロワット，
圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中で、膜厚
２００オングストロームのモリブデン組成比が１３．７
原子百分率の正方構造を有するタンタル・モリブデン合
金薄膜が成膜されている。
【００６５】また、電極薄膜１７（７1 ，７2 ）とし
て、上述した非磁性スペーサ薄膜１３と同一のターゲッ
トを用いて、３００ワットのバイアスでパワーが０．５
キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲
気中でスパッタ法により、膜厚２００オングストローム
のモリブデン組成比が１２．２原子百分率の正方構造を
有するタンタル・モリブデン合金薄膜が成膜されてい
る。
て、上述した非磁性スペーサ薄膜１３と同一のターゲッ
トを用いて、３００ワットのバイアスでパワーが０．５
キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲
気中でスパッタ法により、膜厚２００オングストローム
のモリブデン組成比が１２．２原子百分率の正方構造を
有するタンタル・モリブデン合金薄膜が成膜されてい
る。
【００６６】その他の構成および製造工程は、前述した
第１の実施例の場合と同一となっている。
第１の実施例の場合と同一となっている。
【００６７】これにより得られた磁気抵抗効果型ヘッド
の抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値を安定
して得ることができた。また、発熱も小さく抑えること
ができた。更に、再生特性を調べたところ、熱による雑
音の少ない良好な再生波形が得られた。
の抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値を安定
して得ることができた。また、発熱も小さく抑えること
ができた。更に、再生特性を調べたところ、熱による雑
音の少ない良好な再生波形が得られた。
【００６８】
【第３実施例】次に、第３の実施例を図９乃至図１０に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００６９】この第３の実施例は、図９に示すように、
作動領域Ｔｗの側壁を成す第１電極が滑らかに傾斜して
形成されている点に特徴を備えている。
作動領域Ｔｗの側壁を成す第１電極が滑らかに傾斜して
形成されている点に特徴を備えている。
【００７０】即ち、この図９乃至図１０に示す第３実施
例は、まず、図１０（ａ）に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ系のセラミック基板１上に、厚さ２５０オングス
トロームのコバルト・ジルコニウム・モリブデン合金か
らなる軟磁性薄膜２と、厚さ２００オングストロームの
タンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜３と、厚さ２
００オングストロームのニッケル・鉄合金からなる磁気
抵抗効果薄膜４とを順次スパッタ法を用いて積層成膜
し、更にその上に、１．２ミクロンの厚さのフォトレジ
スト６を塗布し、図１０（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト６を適当な条件を用いて露光・現像することによ
ってステンシル・パターンを作製した。
例は、まず、図１０（ａ）に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ系のセラミック基板１上に、厚さ２５０オングス
トロームのコバルト・ジルコニウム・モリブデン合金か
らなる軟磁性薄膜２と、厚さ２００オングストロームの
タンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜３と、厚さ２
００オングストロームのニッケル・鉄合金からなる磁気
抵抗効果薄膜４とを順次スパッタ法を用いて積層成膜
し、更にその上に、１．２ミクロンの厚さのフォトレジ
スト６を塗布し、図１０（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト６を適当な条件を用いて露光・現像することによ
ってステンシル・パターンを作製した。
【００７１】次に、厚さ１５０オングストロームの鉄・
マンガン合金からなる反強磁性交換バイアス薄膜５1 ，
５2 及び５3 を成膜し、その上に第１の電極薄膜７1 ，
７2及び７3 としてスパッタ法を用いて５００ワットの
バイアスで出力１．０キロワット，圧力１．７ミリトー
ルのアルゴンガス雰囲気中で、膜厚が５００オングスト
ロームのモリブデン組成比が１０．８原子百分率の体心
立方構造のタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜し、更
に第２の電極薄膜８1 ，８2 および８3 として１ミクロ
ンの厚さの金薄膜を積層成膜した。
マンガン合金からなる反強磁性交換バイアス薄膜５1 ，
５2 及び５3 を成膜し、その上に第１の電極薄膜７1 ，
７2及び７3 としてスパッタ法を用いて５００ワットの
バイアスで出力１．０キロワット，圧力１．７ミリトー
ルのアルゴンガス雰囲気中で、膜厚が５００オングスト
ロームのモリブデン組成比が１０．８原子百分率の体心
立方構造のタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜し、更
に第２の電極薄膜８1 ，８2 および８3 として１ミクロ
ンの厚さの金薄膜を積層成膜した。
【００７２】ここで、第２の電極薄膜８は、比抵抗が小
さく耐食性に優れた材料であればよく、第１の電極薄膜
７であるタンタル・モリブデン薄膜で代用して、その厚
さだけをトータルで１ミクロンとして用いてもよい。最
後に、図１０（ｄ）に示すように、磁気抵抗効果型セン
サとして作動する領域Ｔｗにあるフォトレジスト６，１
５０オングストロームの厚さの鉄・マンガン合金からな
る反強磁性交換バイアス薄膜５3 、膜厚が５００オング
ストロームのモリブデン組成比が１０．８原子百分率の
体心立方構造を有するタンタル・モリブデン合金薄膜か
らなる第１の電極薄膜７3 、１ミクロンの厚さの金薄膜
からなる第２の電極薄膜８3 部分をアセトンなどの有機
溶剤を用いて取り除き、磁気抵抗効果型ヘッドを作製し
た。
さく耐食性に優れた材料であればよく、第１の電極薄膜
７であるタンタル・モリブデン薄膜で代用して、その厚
さだけをトータルで１ミクロンとして用いてもよい。最
後に、図１０（ｄ）に示すように、磁気抵抗効果型セン
サとして作動する領域Ｔｗにあるフォトレジスト６，１
５０オングストロームの厚さの鉄・マンガン合金からな
る反強磁性交換バイアス薄膜５3 、膜厚が５００オング
ストロームのモリブデン組成比が１０．８原子百分率の
体心立方構造を有するタンタル・モリブデン合金薄膜か
らなる第１の電極薄膜７3 、１ミクロンの厚さの金薄膜
からなる第２の電極薄膜８3 部分をアセトンなどの有機
溶剤を用いて取り除き、磁気抵抗効果型ヘッドを作製し
た。
【００７３】この場合、フォトレジスト６を完全かつ速
やかに取り除くために超音波による洗浄などを併用して
もよい。
やかに取り除くために超音波による洗浄などを併用して
もよい。
【００７４】このようにして作製された磁気抵抗効果型
ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕という小さ
い値が安定して得られ、発熱も小さく抑えられた。ま
た、再生特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良
好な再生波形が得られた。
ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕という小さ
い値が安定して得られ、発熱も小さく抑えられた。ま
た、再生特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良
好な再生波形が得られた。
【００７５】
【第４実施例】次に、第４の実施例を図１１に基づいて
説明する。
説明する。
【００７６】この図１１に示す第４の実施例は、前述し
た図９に示す第３実施例の場合と構造上はまったく同一
であり、第３実施例における非磁性スペーサ薄膜３およ
び電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第４実施例では非
磁性スペーサ薄膜２３および電極薄膜２７（２７1 ，２
７2 ）とした点が相違する。以下この相違する部分につ
いて説明する。
た図９に示す第３実施例の場合と構造上はまったく同一
であり、第３実施例における非磁性スペーサ薄膜３およ
び電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第４実施例では非
磁性スペーサ薄膜２３および電極薄膜２７（２７1 ，２
７2 ）とした点が相違する。以下この相違する部分につ
いて説明する。
【００７７】この図１１に示す第４の実施例において、
非磁性スペーサ薄膜２３は、モリブデンの組成比が１
３．０原子百分率のタンタル・モリブデン合金ターゲッ
トを用いて、無バイアスで出力０．５キロワット，圧力
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中でスパッタ法
により、膜厚が２００オングストロームのモリブデン組
成比が１３．７原子百分率の正方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜を成膜され形成される。
非磁性スペーサ薄膜２３は、モリブデンの組成比が１
３．０原子百分率のタンタル・モリブデン合金ターゲッ
トを用いて、無バイアスで出力０．５キロワット，圧力
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中でスパッタ法
により、膜厚が２００オングストロームのモリブデン組
成比が１３．７原子百分率の正方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜を成膜され形成される。
【００７８】また、電極薄膜２７（２７1 ，２７2 ）
は、非磁性スペーサ薄膜２３と同一のターゲットを用い
て、スパッタ法により３００ワットのバイアスで出力
０．５キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガ
ス雰囲気中で、膜厚が２００オングストロームのモリブ
デン組成比が１２．２原子百分率の正方構造を有するタ
ンタル・モリブデン合金薄膜が成膜され形成される。
は、非磁性スペーサ薄膜２３と同一のターゲットを用い
て、スパッタ法により３００ワットのバイアスで出力
０．５キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガ
ス雰囲気中で、膜厚が２００オングストロームのモリブ
デン組成比が１２．２原子百分率の正方構造を有するタ
ンタル・モリブデン合金薄膜が成膜され形成される。
【００７９】その他の構成および製造工程は、前述した
第３の実施例の場合と同一となっている。
第３の実施例の場合と同一となっている。
【００８０】そして、このようにして形成された磁気抵
抗効果型ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と
小さい値が安定して得られ、発熱も小さく抑えられた。
又再生特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良好
な再生波形が得られた。
抗効果型ヘッドの抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と
小さい値が安定して得られ、発熱も小さく抑えられた。
又再生特性を調べたところ、熱による雑音の少ない良好
な再生波形が得られた。
【００８１】
【第５実施例】次に、第５の実施例を図１２乃至図１４
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００８２】この第５実施例は、まず図１２に示すよう
に、軟磁性薄膜２、非磁性スペーサ薄膜３、磁気抵抗効
果薄膜４をテーパ加工されている点に特徴を備えてい
る。
に、軟磁性薄膜２、非磁性スペーサ薄膜３、磁気抵抗効
果薄膜４をテーパ加工されている点に特徴を備えてい
る。
【００８３】以下、これを詳述する。
【００８４】まず、図１３（ａ）に示すように、Ａｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ系のセラミック基板１上に、厚さ２５０オ
ングストロームのコバルト・ジルコニウム・モリブデン
合金からなる軟磁性薄膜２と，厚さ２００オングストロ
ームのタンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜３と，
厚さ２００オングストロームのニッケル・鉄合金からな
る磁気抵抗効果薄膜４とを、順次スパッタ法を用いて積
層成膜し、その上に厚さ２４００オングストロームの金
薄膜からなるステンシル軸部用金属薄膜１０を成膜し、
更に、１ミクロンの厚さのフォトレジスト６を塗布す
る。
Ｏ3 −ＴｉＣ系のセラミック基板１上に、厚さ２５０オ
ングストロームのコバルト・ジルコニウム・モリブデン
合金からなる軟磁性薄膜２と，厚さ２００オングストロ
ームのタンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜３と，
厚さ２００オングストロームのニッケル・鉄合金からな
る磁気抵抗効果薄膜４とを、順次スパッタ法を用いて積
層成膜し、その上に厚さ２４００オングストロームの金
薄膜からなるステンシル軸部用金属薄膜１０を成膜し、
更に、１ミクロンの厚さのフォトレジスト６を塗布す
る。
【００８５】その後、図１３（ｂ）に示すように、フォ
トレジスト６を適当な条件を用いて露光・現像して３．
５ミクロンの幅にパターン化し、更にイオンミリングお
よびヨウ素とヨウ化カリウムと水の重量が「１：２：２
００」の比率で混合された濃度のエッチング溶液を用い
て、図１３（ｃ）に示すように金薄膜からなるステンシ
ル軸部用薄膜１０を１．５ミクロンの幅にパターン化し
た。
トレジスト６を適当な条件を用いて露光・現像して３．
５ミクロンの幅にパターン化し、更にイオンミリングお
よびヨウ素とヨウ化カリウムと水の重量が「１：２：２
００」の比率で混合された濃度のエッチング溶液を用い
て、図１３（ｃ）に示すように金薄膜からなるステンシ
ル軸部用薄膜１０を１．５ミクロンの幅にパターン化し
た。
【００８６】ここで、図１３（ｃ）に示されたフォトレ
ジスト６およびステンシル軸部用薄膜１０から形成され
るステンシルは、前述した第３の実施例において説明し
たようなフォトレジストのみを用いて形成してもよい。
ジスト６およびステンシル軸部用薄膜１０から形成され
るステンシルは、前述した第３の実施例において説明し
たようなフォトレジストのみを用いて形成してもよい。
【００８７】次いで、角度４５度に傾けたイオンミリン
グで、図１４（ａ）に示すように軟磁性薄膜２，非磁性
スペーサ薄膜３，磁気抵抗効果薄膜４をテーパ加工し、
その後、図１４（ｂ）に示すように厚さ３００オングス
トロームのコバルト・クロム・白金合金薄膜からなる硬
磁性縦バイアス薄膜１１（１１1 ，１１2 ，１１3 ）を
成膜した。その上に第１の電極薄膜７（７1 ，７2 ，７
3 ）として、５００ワットのバイアスで出力１．０キロ
ワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中
でスパッタ法を用いて、膜厚５００オングストローム，
モリブデン組成比が１０．８原子百分率の体心立方構造
を有するタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜した。更
に第２の電極薄膜８（８1 ，８2 ，８3 ）として、１ミ
クロンの厚さの金薄膜を積層成膜した。ここで、第２の
電極薄膜８は比抵抗が小さく耐食性に優れた材料であれ
ばよく、第１の電極薄膜７であるタンタル・モリブデン
薄膜で代用して、その厚さだけをトータルで１ミクロン
程度として用いてもよい。
グで、図１４（ａ）に示すように軟磁性薄膜２，非磁性
スペーサ薄膜３，磁気抵抗効果薄膜４をテーパ加工し、
その後、図１４（ｂ）に示すように厚さ３００オングス
トロームのコバルト・クロム・白金合金薄膜からなる硬
磁性縦バイアス薄膜１１（１１1 ，１１2 ，１１3 ）を
成膜した。その上に第１の電極薄膜７（７1 ，７2 ，７
3 ）として、５００ワットのバイアスで出力１．０キロ
ワット，圧力１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中
でスパッタ法を用いて、膜厚５００オングストローム，
モリブデン組成比が１０．８原子百分率の体心立方構造
を有するタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜した。更
に第２の電極薄膜８（８1 ，８2 ，８3 ）として、１ミ
クロンの厚さの金薄膜を積層成膜した。ここで、第２の
電極薄膜８は比抵抗が小さく耐食性に優れた材料であれ
ばよく、第１の電極薄膜７であるタンタル・モリブデン
薄膜で代用して、その厚さだけをトータルで１ミクロン
程度として用いてもよい。
【００８８】最後に、図１０（ｃ）に示すように、磁気
抵抗効果型センサとして作動する領域Ｔｗにある厚さ３
００オングストロームのコバルト・クロム・白金合金薄
膜からなる硬磁性縦バイアス薄膜１１3 ，フォトレジス
ト６，膜厚５００オングストロームでモリブデン組成比
が１０．８原子百分率の体心立方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜からなる第１の電極薄膜７3 ，１
ミクロンの厚さの金薄膜からなる第２の電極薄膜８3 部
分を、アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除き、磁気
抵抗効果型ヘッドを作製した。このとき、フォトレジス
ト６を完全かつ速やかに取り除くために超音波による洗
浄などを併用してもよい。
抵抗効果型センサとして作動する領域Ｔｗにある厚さ３
００オングストロームのコバルト・クロム・白金合金薄
膜からなる硬磁性縦バイアス薄膜１１3 ，フォトレジス
ト６，膜厚５００オングストロームでモリブデン組成比
が１０．８原子百分率の体心立方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜からなる第１の電極薄膜７3 ，１
ミクロンの厚さの金薄膜からなる第２の電極薄膜８3 部
分を、アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除き、磁気
抵抗効果型ヘッドを作製した。このとき、フォトレジス
ト６を完全かつ速やかに取り除くために超音波による洗
浄などを併用してもよい。
【００８９】そして、作製された磁気抵抗効果型ヘッド
の抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値が安定
して得ることができ、発熱も小さく抑えられた。また、
再生特性としては熱による雑音の少ない良好な再生波形
が得られた。
の抵抗を測定したところ、１５〔Ω〕と小さい値が安定
して得ることができ、発熱も小さく抑えられた。また、
再生特性としては熱による雑音の少ない良好な再生波形
が得られた。
【００９０】
【第６実施例】次に、第６の実施例を図１５に基づいて
説明する。
説明する。
【００９１】この図１５に示す第６の実施例は、前述し
た図１２に示す第５実施例の場合と構造上はまったく同
一であり、第５実施例における非磁性スペーサ薄膜３お
よび第１の電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第６実施
例では非磁性スペーサ薄膜３３および電極薄膜３７（３
７1 ，３７2 ）とした点が相違する。以下この相違する
部分について説明する。
た図１２に示す第５実施例の場合と構造上はまったく同
一であり、第５実施例における非磁性スペーサ薄膜３お
よび第１の電極薄膜７（７1 ，７2 ）を、この第６実施
例では非磁性スペーサ薄膜３３および電極薄膜３７（３
７1 ，３７2 ）とした点が相違する。以下この相違する
部分について説明する。
【００９２】本実施例での非磁性スペーサ薄膜３３とし
ては、モリブデンの組成比が１３．０原子百分率のタン
タル・モリブデン合金ターゲットを用い、無バイアスで
出力０．５キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴ
ンガス雰囲気中でスパッタ法により、膜厚２００オング
ストローム，モリブデン組成比が１３．７原子百分率の
正方構造を有するタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜
し、これが使用されている。
ては、モリブデンの組成比が１３．０原子百分率のタン
タル・モリブデン合金ターゲットを用い、無バイアスで
出力０．５キロワット，圧力１．７ミリトールのアルゴ
ンガス雰囲気中でスパッタ法により、膜厚２００オング
ストローム，モリブデン組成比が１３．７原子百分率の
正方構造を有するタンタル・モリブデン合金薄膜を成膜
し、これが使用されている。
【００９３】電極薄膜３７（３７1 ，３７2 ）として
は、非磁性スペーサ薄膜３と同一のターゲットを用いて
３００ワットのバイアスで出力０．５キロワット，圧力
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中でスパッタ法
により、膜厚が２００オングストローム，モリブデン組
成比が１２．２原子百分率の正方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜が成膜され使用されている。
は、非磁性スペーサ薄膜３と同一のターゲットを用いて
３００ワットのバイアスで出力０．５キロワット，圧力
１．７ミリトールのアルゴンガス雰囲気中でスパッタ法
により、膜厚が２００オングストローム，モリブデン組
成比が１２．２原子百分率の正方構造を有するタンタル
・モリブデン合金薄膜が成膜され使用されている。
【００９４】その他の構成および製造工程は、前述した
第５の実施例の場合と同一となっている。
第５の実施例の場合と同一となっている。
【００９５】そして、このようにして形成された磁気抵
抗効果型ヘッドの抵抗を測定したところ、ほぼ１５
〔Ω〕という小さい値が安定して得られ、発熱も小さく
抑えられた。又再生特性を調べたところ、熱による雑音
の少ない良好な再生波形が得られた。
抗効果型ヘッドの抵抗を測定したところ、ほぼ１５
〔Ω〕という小さい値が安定して得られ、発熱も小さく
抑えられた。又再生特性を調べたところ、熱による雑音
の少ない良好な再生波形が得られた。
【００９６】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、比抵抗がタンタル薄膜の約４分の
１と小さく且つ耐食性に優れた電極薄膜を得ることがで
き、これを用いることにより、ヘッド素子としての抵抗
が小さく発熱およびノイズの小さい且つ耐食性良好で信
頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを提供することがで
き、また高比抵抗の非磁性スペーサ薄膜と低比抵抗の電
極薄膜を同一のターゲットを用いて、低コストで少ない
工数で高性能の磁気抵抗効果型ヘッドを安定して提供す
ることができ、その生産性を著しく向上させることがで
きるという効果を得ることができる。
ので、これによると、比抵抗がタンタル薄膜の約４分の
１と小さく且つ耐食性に優れた電極薄膜を得ることがで
き、これを用いることにより、ヘッド素子としての抵抗
が小さく発熱およびノイズの小さい且つ耐食性良好で信
頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを提供することがで
き、また高比抵抗の非磁性スペーサ薄膜と低比抵抗の電
極薄膜を同一のターゲットを用いて、低コストで少ない
工数で高性能の磁気抵抗効果型ヘッドを安定して提供す
ることができ、その生産性を著しく向上させることがで
きるという効果を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す部分断面図である。
【図２】図１に開示した実施例の製造工程を示す図で、
図２（ａ）は反強磁性交換バイアス薄膜の上にフォトレ
ジストを付した状態を示す説明図、図２（ｂ）は適当な
パターンを露光・現像した状態を示す説明図、図２
（ｃ）は反強磁性交換バイアス薄膜部分にセンサ作動領
域を形成した場合を示す説明図である。
図２（ａ）は反強磁性交換バイアス薄膜の上にフォトレ
ジストを付した状態を示す説明図、図２（ｂ）は適当な
パターンを露光・現像した状態を示す説明図、図２
（ｃ）は反強磁性交換バイアス薄膜部分にセンサ作動領
域を形成した場合を示す説明図である。
【図３】図２に開示した実施例の製造工程の続きを示す
図で、図３（ａ）は図２（ｃ）に加えて、第１の電極薄
膜，第２の電極薄膜，フォトレジストを順次成膜した状
態を示す説明図、図３（ｂ）は図３（ａ）のものに幅Ｔ
ｗの作動領域を設定した場合を示す説明図である。
図で、図３（ａ）は図２（ｃ）に加えて、第１の電極薄
膜，第２の電極薄膜，フォトレジストを順次成膜した状
態を示す説明図、図３（ｂ）は図３（ａ）のものに幅Ｔ
ｗの作動領域を設定した場合を示す説明図である。
【図４】図１内に開示された第１の電極薄膜の素材であ
るタンタル・モリブデン合金薄膜の比抵抗のモリブデン
組成比依存性を示す線図である。
るタンタル・モリブデン合金薄膜の比抵抗のモリブデン
組成比依存性を示す線図である。
【図５】タンタル・モリブデン合金薄膜の特性を調べる
ために無バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合
金薄膜のＸ線回析パターンを示す線図であり、この内、
図５（ａ）はモリブデンの組成比が14.2原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜に関する線図、図５（ｂ）
はモリブデンの組成比が20.1原子百分率のタンタル・モ
リブデン合金薄膜に関する線図、図５（ｃ）はモリブデ
ンの組成比が25.8原子百分率のタンタル・モリブデン合
金薄膜に関する線図である。
ために無バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合
金薄膜のＸ線回析パターンを示す線図であり、この内、
図５（ａ）はモリブデンの組成比が14.2原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜に関する線図、図５（ｂ）
はモリブデンの組成比が20.1原子百分率のタンタル・モ
リブデン合金薄膜に関する線図、図５（ｃ）はモリブデ
ンの組成比が25.8原子百分率のタンタル・モリブデン合
金薄膜に関する線図である。
【図６】タンタル・モリブデン合金薄膜の特性を調べる
ために５００ワットのバイアスで作製されたタンタル・
モリブデン合金薄膜のＸ線回析パターンを示す線図であ
り、この内、図６（ａ）はタンタル薄膜に関する線図、
図６（ｂ）はモリブデンの組成比が9.2 原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜に関する線図、図６（ｃ）
はモリブデンの組成比が10.8原子百分率のタンタル・モ
リブデン合金薄膜に関する線図である。
ために５００ワットのバイアスで作製されたタンタル・
モリブデン合金薄膜のＸ線回析パターンを示す線図であ
り、この内、図６（ａ）はタンタル薄膜に関する線図、
図６（ｂ）はモリブデンの組成比が9.2 原子百分率のタ
ンタル・モリブデン合金薄膜に関する線図、図６（ｃ）
はモリブデンの組成比が10.8原子百分率のタンタル・モ
リブデン合金薄膜に関する線図である。
【図７】タンタル・モリブデン合金薄膜の特性を調べる
ために無バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合
金薄膜において、電解溶液として0.2 規定の濃度の硫酸
を用いたアノード分極特性の測定から求めた腐食電位お
よび腐食電流密度のモリブデン組成比依存性を示す線図
である
ために無バイアスで作製されたタンタル・モリブデン合
金薄膜において、電解溶液として0.2 規定の濃度の硫酸
を用いたアノード分極特性の測定から求めた腐食電位お
よび腐食電流密度のモリブデン組成比依存性を示す線図
である
【図８】本発明の第２実施例を示す部分断面図である。
【図９】本発明の第３実施例を示す部分断面図である。
【図１０】図９に開示した第３実施例の製造工程を示す
図で、図１０（ａ）は磁気抵抗効果薄膜上にフォトレジ
ストを付した状態を示す説明図、図１０（ｂ）は露光・
現像によりステンシルパターンを形成した場合を示す説
明図、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）の工程後に反強磁性
交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜，第２の電極薄膜を
付した状態を示す説明図、図１０（ｄ）は図１０（ｃ）
のセンサ作動領域におけるフォトレジストおよび該フォ
トレジスト上の積層膜を除去した状態を示す説明図であ
る。
図で、図１０（ａ）は磁気抵抗効果薄膜上にフォトレジ
ストを付した状態を示す説明図、図１０（ｂ）は露光・
現像によりステンシルパターンを形成した場合を示す説
明図、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）の工程後に反強磁性
交換バイアス薄膜，第１の電極薄膜，第２の電極薄膜を
付した状態を示す説明図、図１０（ｄ）は図１０（ｃ）
のセンサ作動領域におけるフォトレジストおよび該フォ
トレジスト上の積層膜を除去した状態を示す説明図であ
る。
【図１１】本発明の第４実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第５実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
【図１３】図１２に開示した第５実施例の製造工程を示
す図で、図１３（ａ）はステンシル軸部用金属薄膜上に
フォトレジストを付した状態を示す説明図、図１３
（ｂ）は露光・現像によりフォトレジストに所定のパタ
ーンを付した状態を示す説明図、図１３（ｃ）は図１３
（ｂ）の工程後にステンシル軸部用金属薄膜をパターン
化した状態を示す説明図である。
す図で、図１３（ａ）はステンシル軸部用金属薄膜上に
フォトレジストを付した状態を示す説明図、図１３
（ｂ）は露光・現像によりフォトレジストに所定のパタ
ーンを付した状態を示す説明図、図１３（ｃ）は図１３
（ｂ）の工程後にステンシル軸部用金属薄膜をパターン
化した状態を示す説明図である。
【図１４】図１３に開示した第５実施例の製造工程に続
きを示す図で、図１４（ａ）は図１３（ｂ）における軟
磁性薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜の層
部分を角度４５度に傾けたイオンミリングで断面台形状
に加工した状態を示す説明図、図１４（ｂ）は図１４
（ａ）に示す構成全体に硬磁性縦バイアス薄膜，第１の
電極薄膜，第２の電極薄膜を付した状態を示す説明図、
図１４（ｃ）は図１４（ｂ）のセンサ作動領域における
ステンシル軸部用金属薄膜およびその上の積層膜を除去
した状態を示す説明図である。
きを示す図で、図１４（ａ）は図１３（ｂ）における軟
磁性薄膜，非磁性スペーサ薄膜，磁気抵抗効果薄膜の層
部分を角度４５度に傾けたイオンミリングで断面台形状
に加工した状態を示す説明図、図１４（ｂ）は図１４
（ａ）に示す構成全体に硬磁性縦バイアス薄膜，第１の
電極薄膜，第２の電極薄膜を付した状態を示す説明図、
図１４（ｃ）は図１４（ｂ）のセンサ作動領域における
ステンシル軸部用金属薄膜およびその上の積層膜を除去
した状態を示す説明図である。
【図１５】本発明の第６実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
１ セラミック基板 ２ 軟磁性薄膜 ３，１３，２３，３３ 非磁性スペーサ薄膜 ４ 磁気抵抗効果薄膜 ５，５1 ，５2 ，５3 反強磁性交換バイアス薄膜 ６，６1 ，６2 フォトレジスト ７，７1 ，７2 ，７3 ，１７，１７1 ，１７2 ，１
７3 ，２７，２７1 ，２７2 ，２７3 第１の電極薄膜 ８，８1 ，８2 ，８3 第２の電極薄膜 ９ フォトレジスト １０ ステンシル軸部用薄膜 １１，１１1 ，１１2 ，１１3 硬磁性縦バイアス薄膜 Ｔｗ センサ作動領域
７3 ，２７，２７1 ，２７2 ，２７3 第１の電極薄膜 ８，８1 ，８2 ，８3 第２の電極薄膜 ９ フォトレジスト １０ ステンシル軸部用薄膜 １１，１１1 ，１１2 ，１１3 硬磁性縦バイアス薄膜 Ｔｗ センサ作動領域
Claims (6)
- 【請求項１】 所定部材上に所定の面積をもって薄膜状
に形成され電極部として機能する電極薄膜において、 前記電極部を、体心立方構造と正方構造の結晶系の混晶
をもつタンタル・モリブデン合金薄膜で構成したことを
特徴とする電極薄膜。 - 【請求項２】 前記電極部の体心立方構造と正方構造の
結晶系の混晶比率が、ディフラクトメータ法を用いたＸ
線回析による体心立方構造の（１，１，０）面に対する
正方構造の（０，０，２）面の回析ピーク強度の比で
０．５以下であることを特徴とする請求項１記載の電極
薄膜。 - 【請求項３】 基板上に，軟磁性薄膜，非磁性スペーサ
薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁性交換バイアス薄膜，
第１の電極薄膜および第２の電極薄膜が、順次積層さ
れ、且つ前記反強磁性交換バイアス薄膜，第１の電極薄
膜および第２の電極薄膜の所定領域が切除されて磁気抵
抗効果薄膜が露出されてなる作動領域を備え、 前記非磁性スペーサ薄膜および前記第１の電極薄膜を、
タンタル・モリブデン合金薄膜により構成すると共に、 前記非磁性スペーサ薄膜のタンタル・モリブデン合金薄
膜を、その正方構造の結晶系あるいは体心立方構造と正
方構造の結晶系の混晶比率が、ディフラクトメータ法を
用いたＸ線回析による体心立方構造の（１，１，０）面
に対する正方構造の（０，０，２）面の回析ピーク強度
の比で、０．５以上の体心立方構造と正方構造の結晶系
の混晶をもち、モリブデンの組成比が１０原子百分率以
上１５原子百分率以下であり、膜厚が５０オングストロ
ーム以上３５０オングストローム以下のタンタル・モリ
ブデン合金薄膜としたことを特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項４】 前記非磁性スペーサ薄膜と前記第１の電
極薄膜とを、同一のスパッタ用ターゲットを用いて形成
すると共に、 前記非磁性スペーサ薄膜を成すタンタル・モリブデン合
金薄膜を、アルゴンガス或いはアルゴンガスに５％以下
の窒素ガスを添加した混合ガスの雰囲気中で１００ワッ
ト以下のバイアスを印加して形成したことを特徴とする
請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 基板上に，軟磁性薄膜，非磁性スペーサ
薄膜，磁気抵抗効果薄膜，反強磁性交換バイアス薄膜，
第１の電極薄膜および第２の電極薄膜が、順次積層さ
れ、且つ前記反強磁性交換バイアス薄膜，第１の電極薄
膜および第２の電極薄膜の所定領域が切除されて磁気抵
抗効果薄膜が露出されてなる作動領域を備え、 前記非磁性スペーサ薄膜および前記第１の電極薄膜を、
タンタル・モリブデン合金薄膜により構成すると共に、 前記第１の電極薄膜のタンタル・モリブデン合金薄膜
を、体心立方構造の結晶系あるいはディフラクトメータ
法を用いたＸ線回析において体心立方構造の（１，１，
０）面に対する正方構造の（０，０，２）面の回析ピー
ク強度の比が０．５以下である混晶比率の体心立方構造
と正方構造の結晶系の混晶をもち、モリブデンの組成比
が１０原子百分率以上１５原子百分率以下であり、１０
０オングストローム以上１００００オングストローム以
下の膜厚を備えたタンタル・モリブデン合金薄膜とした
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】 前記非磁性スペーサ薄膜と前記第１の電
極薄膜とを、同一のスパッタ用ターゲットを用いて形成
すると共に、 前記第１の電極薄膜としてのタンタル・モリブデン合金
薄膜を、アルゴンガス或いはアルゴンガスに５％以下の
窒素ガスを添加した混合ガスの雰囲気中で１００ワット
以上５００ワット以下のバイアスを印加して形成するこ
とを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
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|---|---|---|---|
| JP6321919A JP2778494B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
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|---|---|---|---|
| JP6321919A JP2778494B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
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|---|---|
| JPH08180335A JPH08180335A (ja) | 1996-07-12 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6321919A Expired - Fee Related JP2778494B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 電極薄膜およびその電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド |
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| EP (1) | EP0720154A3 (ja) |
| JP (1) | JP2778494B2 (ja) |
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-
1995
- 1995-12-22 EP EP95309423A patent/EP0720154A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0720154A3 (en) | 1996-09-18 |
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