JP2008065944A - 磁性層パターンの形成方法、磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気記憶媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁性層12に保護層とレジストマスク13を積層し、レジストマスク13をマスクにして保護層パターン14Pを得た後に、レジストマスク13を水素プラズマPLHに晒して分解除去させた。そして、保護層パターン14Pをハードマスクにして磁性層12のパターンを得た後に、磁性層12のパターンを水素プラズマPLHに晒して、磁性層12のパターンに付着したハロゲン系の活性種を除去した。
【選択図】図10
Description
め、レジスト除去工程では、エッチングされた保護層パターンによって、磁性層パターンの領域を保護することができる。したがって、レジスト除去工程では、水素などの還元性のガスに限らず、酸素などの酸化性のガスによってレジストマスクを除去させることができる。この結果、既存のレジスト除去プロセスを利用することができ、かつ、安定した磁気特性を有する磁性層パターンを形成させることができる。
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図1〜図5に従って説明する。図1は、磁性層パターンの形成方法を示すフローチャートである。図2〜図5は、磁性層パターンの形
成方法を示す工程断面図である。
EBレジスト用ポリマー、KrFレーザを使用するKrFレジスト用ポリマー、ArFレーザを使用するArFレジスト用ポリマー、さらにはナノインプリント用レジスト用ポリマーなど、水素活性種(水素プラズマ)によって炭化する各種のレジスト用ポリマーを用いることができる。
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図6〜図12に従って説明する。図6は、磁性層パターンの形成方法を示すフローチャートである。図7〜図12は、磁性層パターンの形成方法を示す工程断面図である。
次に、上記第二実施形態に基づいた実施例1を図13〜図17に従って説明する。実施例1は、上記磁性層パターンの形成方法を磁気抵抗素子の製造方法に適用したものである。磁気抵抗素子は、例えば、HDD(Hard Disk Drive)の読み取りヘッドやMRAM(Magneto resistive Random Access Memory)などの磁気デバイスに搭載される。HDDに
搭載される磁気抵抗素子は、外部からの信号磁界に応じて素子抵抗を変化させて磁界強度に応じた電気信号を出力させる。MRAMに搭載される磁気抵抗素子は、磁化方向の変換による素子の抵抗変化を用いてメモリ情報とする。
実施例1と同じく、まず、基板としてシリコン酸化膜を有したシリコン基板21を用い、スパッタ装置を利用してTa下地層22、ピニング層23、ピン層24、トンネルバリア層25、自由強磁性層26、Ta保護層27を積層し、多層構造の磁性層を得た。また、EB露光レジスト用ポリマーをTa保護層27にスピンコートし、EBリソグラフィによってレジストマスク28を得た。そして、レジストマスク28をマスクにしたRIEによってTa保護層27のパターンと、Ta保護層27に対応する自由強磁性層26のパターンを得た。
る。
次に、上記第一実施形態に基づいた実施例2を図19〜図17に従って説明する。実施例2は、上記磁性層パターンの形成方法を磁気記憶媒体の製造方法に適用したものである。磁気記憶媒体は、例えば、垂直磁気記憶方式などの磁気ディスクである。
る。そのため、既存のレジストマスク除去工程を利用して、磁性層パターンの磁気特性を安定させることができる。
Claims (9)
- 基板に形成した磁性層をエッチングして磁性層パターンを形成する磁性層パターンの形成方法であって、
基板に磁性層を形成する磁性層形成工程と、
前記磁性層の上層にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記レジストマスクを利用して前記磁性層をエッチングするエッチング工程と、
前記基板を水素プラズマに晒して前記レジストマスクを除去するレジスト除去工程と、を備えたことを特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 請求項1に記載の磁性層パターンの形成方法において、
前記磁性層形成工程は、前記磁性層に保護層を積層すること、
前記マスク形成工程は、前記保護層に前記レジストマスクを積層すること、
前記エッチング工程は、前記レジストマスクをマスクにして前記保護層をエッチングした後に前記保護層をマスクにして前記磁性層をエッチングすること、
前記レジスト除去工程は、前記磁性層をエッチングする前に前記レジストマスクを除去すること、
を特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 請求項1又は2に記載の磁性層パターンの形成方法において、
前記レジスト除去工程は、水素ガスのプラズマに前記基板を晒して前記レジストマスクを除去することを特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁性層パターンの形成方法において、
前記レジスト除去工程は、水素と、少なくともアルゴン、ヘリウム、窒素のいずれか1つを混合した混合ガスのプラズマに前記基板を晒して前記レジストマスクを除去すること、
を特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 基板に形成した磁性層をエッチングして磁性層パターンを形成する磁性層パターンの形成方法であって、
基板に磁性層を形成し、前記磁性層に保護層を積層する磁性層形成工程と、
前記保護層にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記レジストマスクをマスクにして前記保護層をエッチングし、その後、前記保護層をマスクにして前記磁性層をエッチングするエッチング工程と、
前記磁性層をエッチングする前に前記レジストマスクを除去するレジスト除去工程と、を備えたことを特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の磁性層パターンの形成方法において、
前記エッチング工程は、ハロゲン系ガスの反応性イオンエッチングによって前記磁性層をエッチングした後に前記基板を水素プラズマに晒すこと、
を特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 基板に形成した磁性層をエッチングして磁性層パターンを形成する磁性層パターンの形成方法であって、
基板に磁性層を形成し、前記磁性層に保護層を積層する磁性層形成工程と、
前記保護層にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記レジストマスクをマスクにして前記保護層と前記磁性層をエッチングするエッチング工程と、
前記保護層と前記磁性層をエッチングした後に、前記基板を水素プラズマに晒して前記
レジストマスクと前記保護層を除去するレジスト除去工程と、
を備えたことを特徴とする磁性層パターンの形成方法。 - 基板に形成した磁性層をエッチングして記憶トラックを形成する磁気記憶媒体の製造方法であって、
請求項1〜7のいずれか1つに記載の磁性層パターンの形成方法を使用して前記記憶トラックを形成することを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。 - 基板に形成した磁性層をエッチングして磁気抵抗素子を形成する磁気抵抗素子の製造方法であって、
請求項1〜7のいずれか1つに記載の磁性層パターンの形成方法を使用して前記磁気抵抗素子を形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
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