CN108231580A - 一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，包括如下步骤：步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；步骤2：在衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；步骤3：图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模的顶部；步骤4：反应离子刻蚀导电硬掩模；步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。本发明的有益效果：能够有效的去除在导电硬掩模刻蚀之后形成聚合物，提高了器件的良率，节约了制造成本，有利于MRAM电路得大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种清除聚合物的方法，具体涉及一种清除磁性隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，属于集成电路制造技术领域。
背景技术
近年来，采用磁性隧道结(MTJ)的磁电阻效应的磁性随机存储器(MRAM，MagneticRadom Access Memory)被人们认为是未来的固态非易失性记忆体，它具有高速读写、大容量以及低能耗的特点。铁磁性MTJ通常为三明治结构，其中有磁性记忆层，它可以改变磁化方向以记录不同的数据；位于中间的绝缘的隧道势垒层；磁性参考层，位于隧道势垒层的另一侧，它的磁化方向不变。
为能在这种磁电阻元件中记录信息，建议使用基于自旋动量转移或称自旋转移矩(STT，Spin Transfer Torque)转换技术的写方法，这样的MRAM称为STT-MRAM。根据磁极化方向的不同，STT-MRAM又分为面内STT-MRAM和垂直STT-MRAM(即pSTT-MRAM)，后者有更好的性能。依此方法，即可通过向磁电阻元件提供自旋极化电流来反转磁性记忆层的磁化强度方向。此外，随着磁性记忆层的体积的缩减，写或转换操作需注入的自旋极化电流也越小。因此，这种写方法可同时实现器件微型化和降低电流。
同时，鉴于减小MTJ元件尺寸时所需的切换电流也会减小，所以在尺度方面pSTT-MRAM可以很好的与最先进的技术节点相契合。因此，期望是将pSTT-MRAM元件做成极小尺寸，并具有非常好的均匀性，以及把对MTJ磁性的影响减至最小，所采用的制备方法还可实现高良莠率、高精确度、高可靠性、低能耗，以及保持适于数据良好保存的温度系数。同时，非易失性记忆体中写操作是基于阻态变化，从而需要控制由此引起的对MTJ记忆器件寿命的破坏与缩短。
然而，制备一个小型MTJ元件可能会增加MTJ电阻的波动，使得pSTT-MRAM的写电压或电流也会随之有较大的波动，这样会损伤MRAM的性能。在现在的MRAM制造工艺中，重金属或者重金属氮化物(比如Ta、Ti、W、TaN、TiN或者WN)会沉积在MTJ的顶部，既作为MTJ刻蚀用的硬掩模，也作为顶电极的导电通道，其被称为导电硬掩模；有时候，一层介电质(比如SiN、SiON或者SiO2)会沉积在重金属或者重金属氮化物膜层的顶部，被用来作为刻蚀导电硬掩模的牺牲层。
在现有的导电硬掩模刻蚀工艺中，一般采用含氟元素或者氯元素的干刻蚀气体反应离子刻蚀(RIE，Reactive Ion Etching)导电硬掩模，这将会在导电硬掩模以及覆盖在导电硬掩模之上的掩模的周围生成一层聚合物。目前而言，一般采用含氧元素或者含氮元素的灰化工艺来对导电硬掩模刻蚀之后残留的含碳膜层以及生成的聚合物进行原位去除，然而这种方式只能去除残留的含碳膜层，不能有效的去除了生成的聚合物，如图1至图4所示。为了去除这种聚合物，美国专利(US7320942)公布了一种化学湿法去除聚合物的方法，比如：用HF、NH4F、NH4OH、H2O2等液体试剂来去除，然而，这会添加额外的生产机台和制造成本，同时也因为化学湿法刻蚀而引入其他的污染，这样会降低器件的良率。
发明内容
本发明提供一种清除磁性隧道结导电硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，采用含氟元素和氧元素(或者氮元素)的混合气体原位(in-situ)对聚合物进行干法刻蚀/清除。具体技术方案如下：
一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，如图5所示，包括步骤如下：
步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；
步骤2：在衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；
步骤3：图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模的顶部；
步骤4：反应离子刻蚀导电硬掩模；
步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。
优选地，含氟元素的气体是指CF4、SF6或者NF3，含氟元素的气体流量范围为0～200sccm。
优选地，含氧元素的气体是指O2或者H2O，含氧元素的气体流量范围为0～1000sccm。
优选地，含氮元素的气体是指N2、N2/H2混合物或者NH3，含氮元素的气体流量范围为0～1000sccm。
优选地，采用O2或者N2/H2混合物部分或者全部除去残留的含碳膜层。比如：光刻胶(PR，Photo Resist)，底部抗反射层(BARC，Bottom Anti-Reflective Coating)和碳膜层等。
优选地，聚合物采用原位方法除去，具体为：样品在导电硬掩模刻蚀之后不离开真空环境，并采用与刻蚀导电硬掩模相同或者不同的刻蚀腔体进行原位清洁。
优选地，产生并维持干法刻蚀的等离子体的射频功率为200～3000W。
优选地，产生偏压的射频功率为0～300W。
优选地，含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体气体压强为1mTorr～10Torr。比如：10mTorr，20mTorr或者2Torr等。
优选地，含氟和氧(或者含氮)元素气体之比为0％～100％，比如，5％，10％，20％，30％或者40％等，具体比例根据含碳膜层(比如：PR，BARC或者碳膜层)和聚合物含量不同而定。
本发明的有益效果：能够有效的去除在导电硬掩模刻蚀之后形成聚合物，提高了器件的良率，节约了制造成本，有利于MRAM电路得大规模生产。
附图说明
图1是现有技术中采用干法工艺清除聚合物之后的剖面示意图(采用导电硬掩模为单层掩模)；
图2是现有技术中采用干法工艺清除聚合物之后的平面示意图(采用导电硬掩模为单层掩模)；
图3是现有技术中采用干法工艺清除聚合物之后的剖面示意图(采用导电硬掩模和牺牲掩模为双层掩模)；
图4是现有技术中采用干法工艺清除聚合物之后的平面示意图(采用导电硬掩模和牺牲掩模为双层掩模)；
图5是本发明的一种清除磁性隧道结导电硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法的流程图；
图6是本发明的实施例一中，磁性隧道结多层膜衬底的示意图；
图7是本发明的实施例一中，沉积导电硬掩模之后的示意图；
图8是本发明的实施例一中，图形化磁性隧道结图案之后的示意图；
图9是本发明的实施例一中，刻蚀导电硬掩模之后的示意图；
图10是本发明的实施例一中，去除光刻胶和聚合物之后的示意图；
图11是本发明的实施例二中，磁性隧道结多层膜衬底的示意图；
图12是本发明的实施例二中，沉积导电硬掩模和沉积牺牲掩模膜层之后的示意图；
图13是本发明的实施例二中，图形化磁性隧道结图案之后的示意图；
图14是本发明的实施例二中，刻蚀牺牲掩模层之后的示意图；
图15是本发明的实施例二中，刻蚀导电硬掩模之后的示意图；
图16是本发明的实施例二中，去除光刻胶和聚合物之后的示意图；
图17是本发明的实施例三中，磁性隧道结多层膜衬底的示意图；
图18是本发明的实施例三中，沉积导电硬掩模之后的示意图；
图19是本发明的实施例三中，图形化磁性隧道结图案之后的示意图；
图20是本发明的实施例三中，图形化转移磁性隧道结图案到导电硬掩模顶部之后的示意图；
图21是本发明的实施例三中，刻蚀导电硬掩模之后的示意图；
图22是本发明的实施例三中，去除光刻胶和聚合物之后的示意图；
图23是本发明的实施例四中，磁性隧道结多层膜衬底的示意图；
图24是本发明的实施例四中，沉积导电硬掩模和沉积牺牲掩模膜层之后的示意图；
图25是本发明的实施例四中，图形化磁性隧道结图案之后的示意图；
图26是本发明的实施例四中，图形化转移磁性隧道结图案到导电硬掩模顶部之后的示意图；
图27是本发明的实施例四中，刻蚀导电硬掩模之后的示意图；
图28是本发明的实施例四中，去除光刻胶和聚合物之后的示意图。
图中所示：101-包括磁性隧道结多层膜的衬底，102-导电硬掩模膜层，103-牺牲掩模膜层，104-碳膜层，105-无机抗反射层，106-光刻胶，107-聚合物。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。需说明的是，本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
如图5所示，本发明的一种清除磁性隧道结导电硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，具体包括以下步骤：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；在所述衬底上沉积形成导电硬掩模膜层(或者导电硬掩模和牺牲掩模双层结构)；图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模的顶部；反应离子刻蚀导电硬掩模膜层；采用含氟和氧(或者含氮)元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。
实施例1：
首先，提供包括磁性隧道结多层膜的衬底101，其中MTJ的厚度为15nm～40nm，如图6所示。
然后，在所述衬底101上沉积形成导电硬掩模膜层102，如图7所示；其中，导电硬掩模膜层102为Ta、Ti、W、TaN、TiN或者WN等，其厚度为50nm～200nm，一般离子束沉积的方式实现。
接着，图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模膜层102的顶部，如图8所示；本发明以底电极抗反射层(BARC，Bottom Anti-Reflective Coating)(图中未示出)或者底电极抗反射层/光刻胶(PR，Photo-Resist)106来定义MTJ图案。其具体方法为：采用MTJ图案对光刻胶106进行曝光和显影，如果为BRAC和光刻胶106的双层结构，紧接着对BARC进行干刻蚀，使磁性隧道结图案转移到导电硬掩模膜层102的顶部。
紧接着，反应离子刻蚀(RIE)导电硬掩模膜层102，如图9所示；本发明采用含氟或者含氯元素的气体对导电硬掩模膜层102进行刻蚀，这种工艺会在导电硬掩模膜层102以及残留的光刻胶106(或者BARC+光刻胶106)周围生产一层聚合物107。
最后，采用含氟和氧(或者含氮)元素的气体干法刻蚀去掉光刻胶106(或者BARC+光刻胶106)和聚合物107，如图10所示；
其中，含氟元素是指CF4、SF6或者NF3等；含氧元素是指O2或者H2O等，含氮元素是指N2、N2/H2或者NH3等；干法刻去掉光刻胶106(或者光刻胶106+BARC)和聚合物107所采用的机台为等离子体刻蚀机台；聚合物107采用原位(in-situ)方法除去，具体为：样品在导电硬掩模膜层102刻蚀之后不离开真空环境，并采用与刻蚀导电硬掩模膜层102相同或者不同的刻蚀/清洗腔体进行原位清洁。
作为优选，此工艺步骤之前，采用氧气或者N2/H2等部分或者全部除去残留的含碳膜层，比如：光刻胶106或者光刻胶106+BARC；
作为优选，产生并维持干法刻蚀/清洁聚合物的等离子体的射频功率为200W～3000W；
作为优选，产生偏压的射频功率为0～300W，作为最佳，其射频功率为0W；
作为优选，所述CF4的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述SF6的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述NF3的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述O2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述H2O的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述NH3的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，含氟和氧(或者含氮)元素气体之比为0％～100％，比如，5％、10％、20％、30％或者40％等，具体比例根据含碳膜层(比如：光刻胶106，BARC)和聚合物107含量不同而定；
作为优选，气体压强为1mTorr～10Torr，比如：10mTorr、20mTorr或者2Torr等。
实施例2：
首先，提供包括磁性隧道结多层膜的衬底101，其中MTJ的厚度为15nm～40nm，如图11所示；
然后，在衬底101上沉积形成导电硬掩模膜层102和牺牲掩模膜层103，如图12所示；其中，导电硬掩模膜层102为Ta、Ti、W、TaN、TiN或者WN等，其厚度为50nm～200nm，一般离子束沉积的方式实现；牺牲掩模膜层103为SiO2、SiON或者SiN，其厚度为5nm～50nm，一般采用化学气相沉积的方式实现。
接着，图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模膜层102的顶部，如图13所示；本发明以底部抗反射层(BARC，Bottom Anti-Reflective Coating)(图中未示出)或者BARC+光刻胶(PR，Photo-Resist)106来定义MTJ图案。其具体方法为：采用MTJ图案对光刻胶106进行曝光和显影，如图13所示，如果为BRAC和光刻胶106的双层结构，紧接着对BARC进行干刻蚀以完成对磁性隧道结的定义；最后对牺牲掩模膜层103进行刻蚀，使磁性隧道结图案转移到导电硬掩模膜层102的顶部，如图14所示。
紧接着，反应离子刻蚀(RIE)导电硬掩模膜层102，如图15所示；本发明采用含氟或者含氯元素的气体对导电硬掩模膜层102进行刻蚀，这种工艺会在导电硬掩模膜层102以及上面的残留的光刻胶106(或者BARC+光刻胶106)的周围生产一层聚合物107。
最后，采用含氟和氧(或者含氮)元素的气体干法刻蚀去掉光刻胶106(或者BARC+光刻胶106)和聚合物107，如图16所示。
其中，含氟元素是指CF4、SF6或者NF3等；含氧元素是指O2或者H2O等，含氮元素是指N2、N2/H2或者NH3等；干法刻去掉光刻胶106(或者光刻胶106+BARC)和聚合物107所采用的机台为等离子体刻蚀机台；聚合物107采用原位(in-situ)方法除去，具体为：样品在导电硬掩模膜层102刻蚀之后不会离开真空环境，并采用与刻蚀导电硬掩模膜层102相同或者不同的刻蚀/清洗腔体进行原位清洁。
作为优选，此工艺步骤之前，采用氧气或者N2/H2等部分或者全部除去残留的含碳膜层，比如：光刻胶106或者光刻胶106+BARC；
作为优选，产生并维持干法刻蚀/清洁聚合物的等离子体的射频功率为200W～3000W；
作为优选，产生偏压的射频功率为0～300W，作为最佳，其射频功率为0W；
作为优选，所述CF4的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述SF6的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述NF3的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述O2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述H2O的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述NH3的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，含氟和氧(或者含氮)元素气体之比为0％～100％，比如，5％、10％、20％、30％或者40％等，具体比例根据含碳膜层(比如：光刻胶106，BARC)和聚合物107含量不同而定；
作为优选，气体压强为1mTorr～10Torr，比如：10mTorr、20mTorr或者2Torr等。
实施例3：
首先，提供包括磁性隧道结多层膜的衬底101，其中MTJ的厚度为15nm～40nm，如图17所示。
然后，在衬底101上沉积形成导电硬掩模膜层102，如图18所示；其中，导电掩模膜层102为Ta、Ti、W、TaN、TiN或者WN等，其厚度为50nm～200nm，一般离子束沉积的方式实现。
接着，图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模膜层102的顶部，如图19和所示；本发明以碳膜层104、无机抗反射层105和光刻胶106来定义MTJ图案。其具体方法为：采用MTJ图案对光刻胶106进行曝光和显影，如图19所示，紧接着对无机抗反射层105和碳膜层104进行干刻蚀，使磁性隧道结图案转移到导电硬掩模膜层102的顶部，如图20所示。
紧接着，反应离子刻蚀(RIE)导电硬掩模膜层102，如图21所示。本发明采用含氟或者含氯元素的气体对导电硬掩模膜层102进行刻蚀，这种工艺会在导电硬掩模膜层102以及残留的碳膜层104的周围生产一层聚合物107。
最后，采用含氟和氧(或者含氮)元素的气体干法刻蚀去掉残留的碳膜层104和聚合物107，如图22所示。
其中，含氟元素是指CF4、SF6或者NF3等；含氧元素是指O2或者H2O等，含氮元素是指N2、N2/H2或者NH3等；干法刻去掉残留的碳膜层104和聚合物107所采用的机台为等离子体刻蚀机台；聚合物107采用原位(in-situ)方法除去，具体为：样品在导电硬掩模膜层102刻蚀之后不会离开真空环境，并采用与刻蚀导电硬掩模膜层102相同或者不同的刻蚀/清洗腔体进行原位清洁。
作为优选，此工艺步骤之前，采用氧气或者N2/H2等部分或者全部除去残留的含碳膜层，比如：残留的碳膜层104；
作为优选，产生并维持干法刻蚀/清洁聚合物的等离子体的射频功率为200W～3000W；
作为优选，产生偏压的射频功率为0～300W，作为最佳，其射频功率为0W；
作为优选，所述CF4的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述SF6的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述NF3的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述O2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述H2O的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述NH3的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，含氟和氧(或者含氮)元素气体之比为0％～100％，比如，5％、10％、20％、30％或者40％等，具体比例根据含碳膜层(比如：残留的碳膜层104)和聚合物107含量不同而定；
作为优选，气体压强为1mTorr～10Torr，比如：10mTorr、20mTorr或者2Torr等。
实施例4：
首先，提供包括磁性隧道结多层膜的衬底101，其中MTJ的厚度为15nm～40nm，如图23所示。
然后，在衬底101上沉积形成导电硬掩模膜层102和牺牲掩模膜层103，如图24所示。其中，导电硬掩模膜层102为Ta、Ti、W、TaN、TiN或者WN等，其厚度为50nm～200nm，一般离子束沉积的方式实现；牺牲掩模膜层103为SiO2、SiON或者SiN，其厚度为5nm～50nm，一般采用化学气相沉积的方式实现。
接着，图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模膜层102的顶部，如图25所示；本发明以碳膜层104、无机抗反射层105和光刻胶106来定义MTJ图案。其具体方法为：采用MTJ图案对光刻胶106进行曝光和显影，如图25所示，紧接着对无机抗反射层105和碳膜层104进行干刻蚀以完成对磁性隧道结的定义；最后对牺牲掩模膜层103进行刻蚀，使磁性隧道结图案转移到导电硬掩模膜层102的顶部，如图26所示。
紧接着，反应离子刻蚀(RIE)导电硬掩模膜层102，如图27所示。本发明采用含氟或者含氯元素的气体对导电硬掩模102进行刻蚀，这种工艺会在导电硬掩模膜层102，牺牲掩模膜层103和残留的碳膜层104的周围生产一层聚合物107。
最后，采用含氟和氧(或者含氮)元素的气体干法刻蚀去掉残留的碳膜层104和聚合物107，如图28所示。
其中，含氟元素是指CF4、SF6或者NF3等；含氧元素是指O2或者H2O等，含氮元素是指N2、N2/H2或者NH3等；干法刻去掉残留的碳膜层104和聚合物107所采用的机台为等离子体刻蚀机台；聚合物107采用原位(in-situ)方法除去，具体为：样品在导电硬掩模膜层102刻蚀之后不会离开真空环境，并采用与刻蚀导电硬掩模膜层102相同或者不同的刻蚀/清洗腔体进行原位清洁。
作为优选，此工艺步骤之前，采用氧气或者N2/H2等部分或者全部除去残留的含碳膜层，比如：残留的碳膜层104；
作为优选，产生并维持干法刻蚀/清洁聚合物的等离子体的射频功率为200W～3000W；
作为优选，产生偏压的射频功率为0～300W，作为最佳，其射频功率为0W；
作为优选，所述CF4的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述SF6的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述NF3的流量范围为0～200sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述O2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述H2O的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述N2的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，所述NH3的流量范围为0～1000sccm；
作为优选，含氟和氧(或者含氮)元素气体之比为0％～100％，比如，5％、10％、20％、30％或者40％等，具体比例根据含碳膜层(比如：残留的碳膜层104)和聚合物107含量不同而定；
作为优选，气体压强为1mTorr～10Torr，比如：10mTorr、20mTorr或者2Torr等。
本发明提供一种清除磁性隧道结导电硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，采用含氟元素和氧元素(或者氮元素)的混合气体原位(in-situ)对聚合物进行干法刻蚀/清除，能够有效的去除在导电硬掩模刻蚀之后形成聚合物，提高了器件的良率，节约了制造成本，有利于MRAM电路得大规模生产。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，包括步骤如下：
步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；
步骤2：在所述衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；
步骤3：图形化磁性隧道结图案到所述导电硬掩模的顶部；
步骤4：反应离子刻蚀所述导电硬掩模；
步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。
2.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体是指CF4、SF6或者NF3，所述含氟元素的气体流量范围为0～200sccm。
3.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氧元素的气体是指O2或者H2O，所述含氧元素的气体流量范围为0～1000sccm。
4.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氮元素的气体是指N2、N2/H2混合物或者NH3，所述含氮元素的气体流量范围为0～1000sccm。
5.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，采用O2或者N2/H2混合物部分或者全部除去所述残留的含碳膜层。
6.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述聚合物采用原位方法除去，具体为：在所述导电硬掩模刻蚀之后不离开真空环境，并采用与刻蚀所述导电硬掩模相同或者不同的刻蚀腔体进行原位清洁。
7.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，产生并维持所述干法刻蚀的等离子体的射频功率为200～3000W。
8.根据权利要求7所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，产生偏压的射频功率为0～300W。
9.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体、所述含氧元素的气体或所述含氮元素的气体的压强为1mTorr～10Torr。
10.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体与所述含氧元素的气体或与所述含氮元素的气体的流量之比由所述残留的含碳膜层和聚合物含量之比而决定。
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