JPS63281215A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS63281215A JPS63281215A JP11451687A JP11451687A JPS63281215A JP S63281215 A JPS63281215 A JP S63281215A JP 11451687 A JP11451687 A JP 11451687A JP 11451687 A JP11451687 A JP 11451687A JP S63281215 A JPS63281215 A JP S63281215A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体上に非磁性金属膜及びＧｏ−０系
垂直磁化膜を順次形成することにより、垂直磁気異方性
の改善を図り、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体
を提供しようとするものである。
おいて、非磁性支持体上に非磁性金属膜及びＧｏ−０系
垂直磁化膜を順次形成することにより、垂直磁気異方性
の改善を図り、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体
を提供しようとするものである。
近年、磁気記録における短波長化と狭トランク７化によ
る記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密
度の実用化が膜面の垂直方向に磁化可能な、いわゆる垂
直磁化膜を利用した垂直磁気記録媒体を用いることで期
待されている。このような状況の中にあって、垂昨磁化
膜としてＣｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒
体が提案されている。
る記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密
度の実用化が膜面の垂直方向に磁化可能な、いわゆる垂
直磁化膜を利用した垂直磁気記録媒体を用いることで期
待されている。このような状況の中にあって、垂昨磁化
膜としてＣｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒
体が提案されている。
従来、上記Ｃｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録
媒体においては、非磁性支持体上に下地膜として、例え
ば特開昭６０−６４４１３号公報に記載されるように、
飽和磁化の大きいＣｏ０５ＶＯ，ＴｉＯ等の軟磁性薄膜
を介在させ、その上部にＧｏ−０系垂直磁化膜を形成す
る二層膜構造とすることが提案されている。このように
、Ｃ０−０系垂直磁化膜の下部に下地膜を介し、二層構
造とすることによって、垂直記録・再生時の磁気ヘッド
と垂直磁気記録媒体との間の磁気的相互作用の強化、記
録・再生の高効率化、垂直磁気記録媒体のカール、クラ
ンクの発生防止、等を達成し、高温での垂直磁気異方性
の低下を抑制しようとしている。
媒体においては、非磁性支持体上に下地膜として、例え
ば特開昭６０−６４４１３号公報に記載されるように、
飽和磁化の大きいＣｏ０５ＶＯ，ＴｉＯ等の軟磁性薄膜
を介在させ、その上部にＧｏ−０系垂直磁化膜を形成す
る二層膜構造とすることが提案されている。このように
、Ｃ０−０系垂直磁化膜の下部に下地膜を介し、二層構
造とすることによって、垂直記録・再生時の磁気ヘッド
と垂直磁気記録媒体との間の磁気的相互作用の強化、記
録・再生の高効率化、垂直磁気記録媒体のカール、クラ
ンクの発生防止、等を達成し、高温での垂直磁気異方性
の低下を抑制しようとしている。
ところが、下地膜として用いた酸化物系の軟磁性薄膜は
、その膜構造が多孔質であることから、垂直磁気記録媒
体を製造する際に非磁性支持体から発生するガス（Ｏｘ
、ＨｚＯ等）の放出を遮断することができず、上層に形
成するＣｏ−０系垂直磁化膜の結晶成長を乱すこととな
っていた。そのため、Ｃｏ−０系垂直磁化膜において充
分な垂直異方性が得られず、所定の磁気特性を得ること
が難しかった。
、その膜構造が多孔質であることから、垂直磁気記録媒
体を製造する際に非磁性支持体から発生するガス（Ｏｘ
、ＨｚＯ等）の放出を遮断することができず、上層に形
成するＣｏ−０系垂直磁化膜の結晶成長を乱すこととな
っていた。そのため、Ｃｏ−０系垂直磁化膜において充
分な垂直異方性が得られず、所定の磁気特性を得ること
が難しかった。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもので
あって、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の結晶成長を乱すことな
く、垂直磁化異方性の改善を図り、！磁変換特性に優れ
た垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
あって、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の結晶成長を乱すことな
く、垂直磁化異方性の改善を図り、！磁変換特性に優れ
た垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成しようと鋭意研究の結
果、膜構造が緻密な非磁性金属を下地膜として成膜し、
その上部にＣｏ−０系垂直磁化膜を成膜することによっ
て良好な磁気特性が得られるとの知見を得た。
果、膜構造が緻密な非磁性金属を下地膜として成膜し、
その上部にＣｏ−０系垂直磁化膜を成膜することによっ
て良好な磁気特性が得られるとの知見を得た。
本発明は、上述の知見に基づいて提案されたものであっ
て、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上に非磁
性金属膜（２）及びＣｏ−０系垂直磁化膜（３）を順次
形成したことを特徴とするものである。
て、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上に非磁
性金属膜（２）及びＣｏ−０系垂直磁化膜（３）を順次
形成したことを特徴とするものである。
ここで、非磁性支持体（１）上に下地膜として形成する
非磁性金属膜（２）としては、例えばＴｉ。
非磁性金属膜（２）としては、例えばＴｉ。
Ｇｅ、Ｚｒ５Ｓｉ等が挙げられる。尚、非磁性金属膜（
２）としては、上述のものに限られず、非磁性なもので
蒸着することができ、膜構造が緻密で、非磁性支持体か
らのガスの放出を充分抑制することができるものであれ
ば特に制限されるものではなく、例えばＮｂ、Ｖ、ＭＯ
ｌＴａ、Ｗ、Ｃｄ。
２）としては、上述のものに限られず、非磁性なもので
蒸着することができ、膜構造が緻密で、非磁性支持体か
らのガスの放出を充分抑制することができるものであれ
ば特に制限されるものではなく、例えばＮｂ、Ｖ、ＭＯ
ｌＴａ、Ｗ、Ｃｄ。
等も適用可能である。しかしながら、垂直磁気記録媒体
を製造する際に、下地膜を形成した後、Ｃ０−０系垂直
磁化膜（３）を高温で蒸着するため、低融点の材料は好
ましくない。
を製造する際に、下地膜を形成した後、Ｃ０−０系垂直
磁化膜（３）を高温で蒸着するため、低融点の材料は好
ましくない。
また、上記非磁性金属膜（２）は、その膜厚は１００〜
２０００人の範囲とすることが好ましい。
２０００人の範囲とすることが好ましい。
非磁性金属膜（２）の膜厚が１゛００人より薄い場合に
は、下地層として非磁性金属膜（２）を形成した効果が
期待できず、また２０００人より厚い場合には、所定の
磁気特性を得ることが難しくなる虞があるからである。
は、下地層として非磁性金属膜（２）を形成した効果が
期待できず、また２０００人より厚い場合には、所定の
磁気特性を得ることが難しくなる虞があるからである。
一方、上記非磁性金属膜（２）上に形成するＣ。
−〇系垂直磁化膜（３）は、Ｃｏを酸素雰囲気中で真空
蒸着させることによって作製されるものである。上記Ｃ
ｏ−０系垂直磁化膜（３）は、その膜厚を０．１μｍ以
下の薄膜としても垂直磁化膜となること、Ｃｏ−０系材
料自身の曲げ剛性率が小さいため、剛性が要求される磁
気記録媒体として好ましい機械的特性を有している。
蒸着させることによって作製されるものである。上記Ｃ
ｏ−０系垂直磁化膜（３）は、その膜厚を０．１μｍ以
下の薄膜としても垂直磁化膜となること、Ｃｏ−０系材
料自身の曲げ剛性率が小さいため、剛性が要求される磁
気記録媒体として好ましい機械的特性を有している。
なお、上記Ｃｏ−０系磁性膜が垂直磁化膜となる原因と
しては、真空蒸着されるＣｏのＣ軸が垂直方向に配向し
ていること及び非磁性のＣｏＯが存在することにより静
磁エネルギ（２πＭｓ”）が減少し、垂直磁気異方性の
大きさくＫｕ）より小さくなるためであると考えられる
。
しては、真空蒸着されるＣｏのＣ軸が垂直方向に配向し
ていること及び非磁性のＣｏＯが存在することにより静
磁エネルギ（２πＭｓ”）が減少し、垂直磁気異方性の
大きさくＫｕ）より小さくなるためであると考えられる
。
上述のように、非磁性支持体（１）上に下地膜として非
磁性金属膜（２）を介してＣｏ−０系垂直磁化膜（３）
を形成する二層構造の垂直磁気記録媒体を作製するには
、先ず非磁性支持体（１）上に非磁性金属膜（２）を真
空蒸着法により蒸着形成する。
磁性金属膜（２）を介してＣｏ−０系垂直磁化膜（３）
を形成する二層構造の垂直磁気記録媒体を作製するには
、先ず非磁性支持体（１）上に非磁性金属膜（２）を真
空蒸着法により蒸着形成する。
そして、その後非磁性金属膜（２）上に酸素ガスを導入
しながら高純度のＣｏを真空蒸着法により蒸着させるこ
とにより行う。
しながら高純度のＣｏを真空蒸着法により蒸着させるこ
とにより行う。
このようにして作製した垂直磁気記録媒体は、非磁性支
持体から発生するガスを非磁性金属膜によって遮断する
ことができ、Ｃ０−０系垂直磁化膜（３）の垂直異方性
が改善でき、電磁変換特性に優れたものとなる。
持体から発生するガスを非磁性金属膜によって遮断する
ことができ、Ｃ０−０系垂直磁化膜（３）の垂直異方性
が改善でき、電磁変換特性に優れたものとなる。
膜構造が緻密な非磁性金属膜を非磁性支持体上に下地膜
として形成することによって、非磁性支持体からのガス
（０！、Ｈ２Ｏ等）の発生を抑制することができるため
、その上部に形成するＧｏ−０系垂直磁化膜の垂直磁気
異方性を改善することができ、電磁変換特性が向上され
る。
として形成することによって、非磁性支持体からのガス
（０！、Ｈ２Ｏ等）の発生を抑制することができるため
、その上部に形成するＧｏ−０系垂直磁化膜の垂直磁気
異方性を改善することができ、電磁変換特性が向上され
る。
以下、本発明を適用した実施例について説明するが、本
発明はこの実施例に限定されるものではないことはいう
までもない。
発明はこの実施例に限定されるものではないことはいう
までもない。
叉廉撚土
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
２キヤンタイプの蒸着装置は、壁（１１）によって仕切
られた非磁性金属膜形成部とｃｏ−０系垂直磁化膜形成
部とが設けられたチャンバー（１０）と、非磁性金属膜
を形成するための第１の冷却キャン（１２）及びＣｏ−
０系垂直磁化膜を形成するための第２の冷却キャン（１
３）と、非磁性金属が用意された第１のルツボ（１４）
及び高純度Ｃ。
られた非磁性金属膜形成部とｃｏ−０系垂直磁化膜形成
部とが設けられたチャンバー（１０）と、非磁性金属膜
を形成するための第１の冷却キャン（１２）及びＣｏ−
０系垂直磁化膜を形成するための第２の冷却キャン（１
３）と、非磁性金属が用意された第１のルツボ（１４）
及び高純度Ｃ。
が用意された第２のルツボ（１５）と、これらルツボ（
１４） 、 （１５）内の非磁性金属及びＧｏ−０系金
属を薄光させるための電子銃（１６） 、 （ＩＴ）と
からなるものである。
１４） 、 （１５）内の非磁性金属及びＧｏ−０系金
属を薄光させるための電子銃（１６） 、 （ＩＴ）と
からなるものである。
垂直磁気記録媒体を作製するには、非磁性支持体（２１
）を送りローラー（１８） 、第１の冷却キヤ、ン（１
２）、中間ローラー（１９） 、第２の冷却キャン（１
３）の順に通過させ巻き取りローラー（２０）で巻き取
るように順次供給する。そして、第１の冷却キャン（１
３）では、電子銃（１６）からの電子ビームにより蒸発
させた第１のルツボ（１４）内の非磁性金属が蒸着形成
され、中間ローラー（１９）を通過した後、続いて第２
の冷却キャン（１３）に送られ、ここで電子銃（１７）
からの電子ビームにより蒸発させた第２のルツボ（１５
）内のＣＯが、導入される酸素ガスとともに連続的に非
磁性金属膜上に蒸着形成され所定の垂直磁気記録媒体が
作製される。上記電子銃（１６） 。
）を送りローラー（１８） 、第１の冷却キヤ、ン（１
２）、中間ローラー（１９） 、第２の冷却キャン（１
３）の順に通過させ巻き取りローラー（２０）で巻き取
るように順次供給する。そして、第１の冷却キャン（１
３）では、電子銃（１６）からの電子ビームにより蒸発
させた第１のルツボ（１４）内の非磁性金属が蒸着形成
され、中間ローラー（１９）を通過した後、続いて第２
の冷却キャン（１３）に送られ、ここで電子銃（１７）
からの電子ビームにより蒸発させた第２のルツボ（１５
）内のＣＯが、導入される酸素ガスとともに連続的に非
磁性金属膜上に蒸着形成され所定の垂直磁気記録媒体が
作製される。上記電子銃（１６） 。
（１７）によって加熱される蒸着する非磁性金属及びＣ
ｏは、その蒸着速度を任意に制御して蒸着することがで
きる。また、Ｃｏを蒸着形成する際に酸素導入管（２２
）から導入される酸素量を制御することにより所定の酸
素濃度勾配を有したＧｏ−０系垂直磁化膜を形成するこ
とができる。尚、第１の冷却キャン（１２）及び第２の
冷却キャン（１３）は、その表面温度が０℃付近になる
ように制御されている。
ｏは、その蒸着速度を任意に制御して蒸着することがで
きる。また、Ｃｏを蒸着形成する際に酸素導入管（２２
）から導入される酸素量を制御することにより所定の酸
素濃度勾配を有したＧｏ−０系垂直磁化膜を形成するこ
とができる。尚、第１の冷却キャン（１２）及び第２の
冷却キャン（１３）は、その表面温度が０℃付近になる
ように制御されている。
上述のような装置を使用して垂直磁気記録媒体を作製し
た。このとき、第１のルツボ（１４）にはＴｉを備え、
蒸着速度１８００人／５ｅｅ−，膜厚１０００人の条件
で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ（１
５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入量３０
０ｃｃ／＋ｗｉｎ ＳＣｏの蒸着速度３６００人７ｓｅ
ｃ、、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜を
成膜した。
た。このとき、第１のルツボ（１４）にはＴｉを備え、
蒸着速度１８００人／５ｅｅ−，膜厚１０００人の条件
で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ（１
５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入量３０
０ｃｃ／＋ｗｉｎ ＳＣｏの蒸着速度３６００人７ｓｅ
ｃ、、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜を
成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ ｍ
／ｗｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０−
’Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作
製した。
／ｗｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０−
’Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作
製した。
叉隻廻１
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）にはＧ。
を備え、蒸着速度１８００人／ｓｅｅ、膜厚１０００人
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツ
ボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入
量３００ｃｃ／ｗｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００人
／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化
膜を成膜した。
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツ
ボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入
量３００ｃｃ／ｗｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００人
／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化
膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ ｍ
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０”’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０”’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
去隻■主
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）にはＺｒを
備え、蒸着速度１８００人／ｓｅｃ 、膜厚１０００人
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツ
ボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入
量３００ｃｃ／＋ｓｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００
人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁
化膜を成膜した。
備え、蒸着速度１８００人／ｓｅｃ 、膜厚１０００人
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツ
ボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、酸素流入
量３００ｃｃ／＋ｓｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００
人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁
化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走・行速度は１５
ｍ ／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０
−’Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを
作製した。
ｍ ／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は３×１０
−’Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを
作製した。
叉隻斑生
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）にはＴｉを
備え、蒸着速度９００人／５ｅｃ−，膜厚５００人の条
件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ（
１５）には純度９９，９％のＧｏを備え、酸素流入量３
００ｃｃ／ａ＋ｉｎ ％Ｇ ｏの蒸着速度３６００人／
ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜
を成膜した。
備え、蒸着速度９００人／５ｅｃ−，膜厚５００人の条
件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ（
１５）には純度９９，９％のＧｏを備え、酸素流入量３
００ｃｃ／ａ＋ｉｎ ％Ｇ ｏの蒸着速度３６００人／
ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜
を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ ｍ
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は２×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は２×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
１施１
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）にはＴｉを
備え、蒸着速度２７００人／ｓｅｃ 、 Ｈ’Ｊ、厚１
５００人の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第
２のルツボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、
酸素流入量３００ｃｃ／ｓｉｎ ｓ Ｃｏの蒸着速度３
６００人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣ０−０系
垂直磁化膜を成膜した。
備え、蒸着速度２７００人／ｓｅｃ 、 Ｈ’Ｊ、厚１
５００人の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第
２のルツボ（１５）には純度９９．９％のＣｏを備え、
酸素流入量３００ｃｃ／ｓｉｎ ｓ Ｃｏの蒸着速度３
６００人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣ０−０系
垂直磁化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ｍ／
■ｉｎ ｓまた蒸着中の雰囲気ガス圧は４×１０−’Ｔ
ｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製し
た。
■ｉｎ ｓまた蒸着中の雰囲気ガス圧は４×１０−’Ｔ
ｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製し
た。
几較■１
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）には何も入
れず、下地膜を形成しない状態で直接非磁性支持体上に
純度９９．９％のＣｏによるＣｏ−〇光垂直磁化膜を酸
素流入量３００ｃｃ／ｗｉｎ ｓ Ｃｏの蒸着速度３６
００人／ｓｅｃ、、膜厚２０００人の条件で成膜した。
れず、下地膜を形成しない状態で直接非磁性支持体上に
純度９９．９％のＣｏによるＣｏ−〇光垂直磁化膜を酸
素流入量３００ｃｃ／ｗｉｎ ｓ Ｃｏの蒸着速度３６
００人／ｓｅｃ、、膜厚２０００人の条件で成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ ｍ
／ｗｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は２×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
／ｗｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は２×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
此ｍ
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）にはＴｉを
備え、蒸着速度９０００人７ｓｅｃ、膜厚５０００人の
条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ
（１５）には純度９９．９％のＣｏを、酸素流入量３０
０ｃｃ／ｓｉｎ ％ Ｃｏの蒸着速度３６００人／５ｅ
ｃｓ膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁化膜を成
膜した。
備え、蒸着速度９０００人７ｓｅｃ、膜厚５０００人の
条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第２のルツボ
（１５）には純度９９．９％のＣｏを、酸素流入量３０
０ｃｃ／ｓｉｎ ％ Ｃｏの蒸着速度３６００人／５ｅ
ｃｓ膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁化膜を成
膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１５ ｍ
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は５×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
／ｓｉｎ 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は５×１０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
上述のようにして作製した各サンプルテープについて、
飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋについ
て測定を行った。その結果を第１表に示す。また、実施
例１．実施例２及び比較例１．比較例２についての記録
波長と再生出力の関係を第３図に示す。尚、第３図中記
号Ａは実施例１に、記号Ｂは実施例２に、記号Ｃは比較
例１に、記号りは比較例２にそれぞれ対応している。
飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋについ
て測定を行った。その結果を第１表に示す。また、実施
例１．実施例２及び比較例１．比較例２についての記録
波長と再生出力の関係を第３図に示す。尚、第３図中記
号Ａは実施例１に、記号Ｂは実施例２に、記号Ｃは比較
例１に、記号りは比較例２にそれぞれ対応している。
第１表
第１表及び第３図より明らかなように、本発明を適用し
た垂直磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性
を兼ね備えていることがわかる。
た垂直磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性
を兼ね備えていることがわかる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明を適用した垂直
磁気記録媒体は、非磁性支持体から発生されるガスを遮
断するような緻密な膜を形成する非磁性金属膜を下地膜
として用いているため、垂直磁気異方性を改善すること
ができ、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供
することができる。
磁気記録媒体は、非磁性支持体から発生されるガスを遮
断するような緻密な膜を形成する非磁性金属膜を下地膜
として用いているため、垂直磁気異方性を改善すること
ができ、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供
することができる。
第１図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示
す要部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体を作製する
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・非磁性金属膜 ３・・・Ｃｏ−０系金属膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小泡 晃 同 円相 榮− 同 佐Ｍ 勝 第１図 第２図
す要部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体を作製する
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・非磁性金属膜 ３・・・Ｃｏ−０系金属膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小泡 晃 同 円相 榮− 同 佐Ｍ 勝 第１図 第２図
Claims (1)
- 非磁性支持体上に非磁性金属膜及びＣｏ−Ｏ系垂直磁化
膜を順次形成したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11451687A JPS63281215A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11451687A JPS63281215A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281215A true JPS63281215A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14639709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11451687A Pending JPS63281215A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281215A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174131A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS61110325A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11451687A patent/JPS63281215A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174131A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS61110325A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
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