JPS63281215A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

垂直磁気記録媒体

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Publication number
JPS63281215A
JPS63281215A JP11451687A JP11451687A JPS63281215A JP S63281215 A JPS63281215 A JP S63281215A JP 11451687 A JP11451687 A JP 11451687A JP 11451687 A JP11451687 A JP 11451687A JP S63281215 A JPS63281215 A JP S63281215A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
nonmagnetic
magnetic
recording medium
perpendicular magnetic
Prior art date
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Pending
Application number
JP11451687A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuharu Iwasaki
和春 岩崎
Yasuo Tateno
舘野 安夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS63281215A publication Critical patent/JPS63281215A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体上に非磁性金属膜及びGo−0系
垂直磁化膜を順次形成することにより、垂直磁気異方性
の改善を図り、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体
を提供しようとするものである。
〔従来の技術〕
近年、磁気記録における短波長化と狭トランク7化によ
る記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密
度の実用化が膜面の垂直方向に磁化可能な、いわゆる垂
直磁化膜を利用した垂直磁気記録媒体を用いることで期
待されている。このような状況の中にあって、垂昨磁化
膜としてCo−0系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒
体が提案されている。
従来、上記Co−0系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録
媒体においては、非磁性支持体上に下地膜として、例え
ば特開昭60−64413号公報に記載されるように、
飽和磁化の大きいCo05VO,TiO等の軟磁性薄膜
を介在させ、その上部にGo−0系垂直磁化膜を形成す
る二層膜構造とすることが提案されている。このように
、C0−0系垂直磁化膜の下部に下地膜を介し、二層構
造とすることによって、垂直記録・再生時の磁気ヘッド
と垂直磁気記録媒体との間の磁気的相互作用の強化、記
録・再生の高効率化、垂直磁気記録媒体のカール、クラ
ンクの発生防止、等を達成し、高温での垂直磁気異方性
の低下を抑制しようとしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、下地膜として用いた酸化物系の軟磁性薄膜は
、その膜構造が多孔質であることから、垂直磁気記録媒
体を製造する際に非磁性支持体から発生するガス(Ox
、HzO等)の放出を遮断することができず、上層に形
成するCo−0系垂直磁化膜の結晶成長を乱すこととな
っていた。そのため、Co−0系垂直磁化膜において充
分な垂直異方性が得られず、所定の磁気特性を得ること
が難しかった。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもので
あって、Co−0系垂直磁化膜の結晶成長を乱すことな
く、垂直磁化異方性の改善を図り、!磁変換特性に優れ
た垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上述の目的を達成しようと鋭意研究の結
果、膜構造が緻密な非磁性金属を下地膜として成膜し、
その上部にCo−0系垂直磁化膜を成膜することによっ
て良好な磁気特性が得られるとの知見を得た。
本発明は、上述の知見に基づいて提案されたものであっ
て、第1図に示すように、非磁性支持体(1)上に非磁
性金属膜(2)及びCo−0系垂直磁化膜(3)を順次
形成したことを特徴とするものである。
ここで、非磁性支持体(1)上に下地膜として形成する
非磁性金属膜(2)としては、例えばTi。
Ge、Zr5Si等が挙げられる。尚、非磁性金属膜(
2)としては、上述のものに限られず、非磁性なもので
蒸着することができ、膜構造が緻密で、非磁性支持体か
らのガスの放出を充分抑制することができるものであれ
ば特に制限されるものではなく、例えばNb、V、MO
lTa、W、Cd。
等も適用可能である。しかしながら、垂直磁気記録媒体
を製造する際に、下地膜を形成した後、C0−0系垂直
磁化膜(3)を高温で蒸着するため、低融点の材料は好
ましくない。
また、上記非磁性金属膜(2)は、その膜厚は100〜
2000人の範囲とすることが好ましい。
非磁性金属膜(2)の膜厚が1゛00人より薄い場合に
は、下地層として非磁性金属膜(2)を形成した効果が
期待できず、また2000人より厚い場合には、所定の
磁気特性を得ることが難しくなる虞があるからである。
一方、上記非磁性金属膜(2)上に形成するC。
−〇系垂直磁化膜(3)は、Coを酸素雰囲気中で真空
蒸着させることによって作製されるものである。上記C
o−0系垂直磁化膜(3)は、その膜厚を0.1μm以
下の薄膜としても垂直磁化膜となること、Co−0系材
料自身の曲げ剛性率が小さいため、剛性が要求される磁
気記録媒体として好ましい機械的特性を有している。
なお、上記Co−0系磁性膜が垂直磁化膜となる原因と
しては、真空蒸着されるCoのC軸が垂直方向に配向し
ていること及び非磁性のCoOが存在することにより静
磁エネルギ(2πMs”)が減少し、垂直磁気異方性の
大きさくKu)より小さくなるためであると考えられる
上述のように、非磁性支持体(1)上に下地膜として非
磁性金属膜(2)を介してCo−0系垂直磁化膜(3)
を形成する二層構造の垂直磁気記録媒体を作製するには
、先ず非磁性支持体(1)上に非磁性金属膜(2)を真
空蒸着法により蒸着形成する。
そして、その後非磁性金属膜(2)上に酸素ガスを導入
しながら高純度のCoを真空蒸着法により蒸着させるこ
とにより行う。
このようにして作製した垂直磁気記録媒体は、非磁性支
持体から発生するガスを非磁性金属膜によって遮断する
ことができ、C0−0系垂直磁化膜(3)の垂直異方性
が改善でき、電磁変換特性に優れたものとなる。
〔作用〕
膜構造が緻密な非磁性金属膜を非磁性支持体上に下地膜
として形成することによって、非磁性支持体からのガス
(0!、H2O等)の発生を抑制することができるため
、その上部に形成するGo−0系垂直磁化膜の垂直磁気
異方性を改善することができ、電磁変換特性が向上され
る。
〔実施例〕
以下、本発明を適用した実施例について説明するが、本
発明はこの実施例に限定されるものではないことはいう
までもない。
叉廉撚土 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
2キヤンタイプの蒸着装置は、壁(11)によって仕切
られた非磁性金属膜形成部とco−0系垂直磁化膜形成
部とが設けられたチャンバー(10)と、非磁性金属膜
を形成するための第1の冷却キャン(12)及びCo−
0系垂直磁化膜を形成するための第2の冷却キャン(1
3)と、非磁性金属が用意された第1のルツボ(14)
及び高純度C。
が用意された第2のルツボ(15)と、これらルツボ(
14) 、 (15)内の非磁性金属及びGo−0系金
属を薄光させるための電子銃(16) 、 (IT)と
からなるものである。
垂直磁気記録媒体を作製するには、非磁性支持体(21
)を送りローラー(18) 、第1の冷却キヤ、ン(1
2)、中間ローラー(19) 、第2の冷却キャン(1
3)の順に通過させ巻き取りローラー(20)で巻き取
るように順次供給する。そして、第1の冷却キャン(1
3)では、電子銃(16)からの電子ビームにより蒸発
させた第1のルツボ(14)内の非磁性金属が蒸着形成
され、中間ローラー(19)を通過した後、続いて第2
の冷却キャン(13)に送られ、ここで電子銃(17)
からの電子ビームにより蒸発させた第2のルツボ(15
)内のCOが、導入される酸素ガスとともに連続的に非
磁性金属膜上に蒸着形成され所定の垂直磁気記録媒体が
作製される。上記電子銃(16) 。
(17)によって加熱される蒸着する非磁性金属及びC
oは、その蒸着速度を任意に制御して蒸着することがで
きる。また、Coを蒸着形成する際に酸素導入管(22
)から導入される酸素量を制御することにより所定の酸
素濃度勾配を有したGo−0系垂直磁化膜を形成するこ
とができる。尚、第1の冷却キャン(12)及び第2の
冷却キャン(13)は、その表面温度が0℃付近になる
ように制御されている。
上述のような装置を使用して垂直磁気記録媒体を作製し
た。このとき、第1のルツボ(14)にはTiを備え、
蒸着速度1800人/5ee−,膜厚1000人の条件
で非磁性金属膜を成膜した。そして、第2のルツボ(1
5)には純度99.9%のCoを備え、酸素流入量30
0cc/+win SCoの蒸着速度3600人7se
c、、膜厚2000人の条件でCo−0系垂直磁化膜を
成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は16 m
 /win 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は3×10−
’Torrとした。このようにしてサンプルテープを作
製した。
叉隻廻1 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)にはG。
を備え、蒸着速度1800人/see、膜厚1000人
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第2のルツ
ボ(15)には純度99.9%のCoを備え、酸素流入
量300cc/win 、 Coの蒸着速度3600人
/sec、膜厚2000人の条件でCo−0系垂直磁化
膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は16 m
/sin 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は3×10”’
Torrとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
去隻■主 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)にはZrを
備え、蒸着速度1800人/sec 、膜厚1000人
の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第2のルツ
ボ(15)には純度99.9%のCoを備え、酸素流入
量300cc/+sin 、 Coの蒸着速度3600
人/sec、膜厚2000人の条件でCo−0系垂直磁
化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走・行速度は15 
m /sin 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は3×10
−’Torrとした。このようにしてサンプルテープを
作製した。
叉隻斑生 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)にはTiを
備え、蒸着速度900人/5ec−,膜厚500人の条
件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第2のルツボ(
15)には純度99,9%のGoを備え、酸素流入量3
00cc/a+in %G oの蒸着速度3600人/
sec、膜厚2000人の条件でCo−0系垂直磁化膜
を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は16 m
/sin 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は2×10−’
Torrとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
1施1 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)にはTiを
備え、蒸着速度2700人/sec 、 H’J、厚1
500人の条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第
2のルツボ(15)には純度99.9%のCoを備え、
酸素流入量300cc/sin s Coの蒸着速度3
600人/sec、膜厚2000人の条件でC0−0系
垂直磁化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は16m/
■in sまた蒸着中の雰囲気ガス圧は4×10−’T
orrとした。このようにしてサンプルテープを作製し
た。
几較■1 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)には何も入
れず、下地膜を形成しない状態で直接非磁性支持体上に
純度99.9%のCoによるCo−〇光垂直磁化膜を酸
素流入量300cc/win s Coの蒸着速度36
00人/sec、、膜厚2000人の条件で成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は16 m
/win 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は2×10−’
Torrとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
此m 長尺状高分子フィルムに対して、第2図に示す2キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第2図中の第1のルツボ(14)にはTiを
備え、蒸着速度9000人7sec、膜厚5000人の
条件で非磁性金属膜を成膜した。そして、第2のルツボ
(15)には純度99.9%のCoを、酸素流入量30
0cc/sin % Coの蒸着速度3600人/5e
cs膜厚2000人の条件でC0−0系垂直磁化膜を成
膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は15 m
/sin 、また蒸着中の雰囲気ガス圧は5×10−’
Torrとした。このようにしてサンプルテープを作製
した。
上述のようにして作製した各サンプルテープについて、
飽和磁束密度Bs、保磁力Hc、異方性磁界Hkについ
て測定を行った。その結果を第1表に示す。また、実施
例1.実施例2及び比較例1.比較例2についての記録
波長と再生出力の関係を第3図に示す。尚、第3図中記
号Aは実施例1に、記号Bは実施例2に、記号Cは比較
例1に、記号りは比較例2にそれぞれ対応している。
第1表 第1表及び第3図より明らかなように、本発明を適用し
た垂直磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性
を兼ね備えていることがわかる。
〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明を適用した垂直
磁気記録媒体は、非磁性支持体から発生されるガスを遮
断するような緻密な膜を形成する非磁性金属膜を下地膜
として用いているため、垂直磁気異方性を改善すること
ができ、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示
す要部拡大断面図である。 第2図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体を作製する
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第3図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を示す特性図である。 1・・・非磁性支持体 2・・・非磁性金属膜 3・・・Co−0系金属膜 特許出願人   ソニー株式会社 代理人  弁理士  小泡  晃 同   円相 榮− 同    佐M   勝 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性支持体上に非磁性金属膜及びCo−O系垂直磁化
    膜を順次形成したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
JP11451687A 1987-05-13 1987-05-13 垂直磁気記録媒体 Pending JPS63281215A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11451687A JPS63281215A (ja) 1987-05-13 1987-05-13 垂直磁気記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11451687A JPS63281215A (ja) 1987-05-13 1987-05-13 垂直磁気記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63281215A true JPS63281215A (ja) 1988-11-17

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ID=14639709

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11451687A Pending JPS63281215A (ja) 1987-05-13 1987-05-13 垂直磁気記録媒体

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JP (1) JPS63281215A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6174131A (ja) * 1984-09-19 1986-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JPS61110325A (ja) * 1984-11-01 1986-05-28 Hitachi Ltd 垂直磁気記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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