JPH05166184A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH05166184A JPH05166184A JP33651091A JP33651091A JPH05166184A JP H05166184 A JPH05166184 A JP H05166184A JP 33651091 A JP33651091 A JP 33651091A JP 33651091 A JP33651091 A JP 33651091A JP H05166184 A JPH05166184 A JP H05166184A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度磁気記録再生装置に適した２層の磁性
層を有する磁気記録媒体の製造方法において、Ｓ／Ｎ比
の良好な記録再生特性に優れたものの製造方法を提供す
る。 【構成】 連続蒸着法により、高分子基板１上にＣｏ−
Ｃｒ膜を形成した高分子基板１ａを巻取りロール４から
巻出しロール２に巻戻した後、円筒状キャン３の円周面
上を走行する高分子基板１ａのＣｏ−Ｃｒ膜上にＣｏ−
Ｏ膜を形成する際、蒸発原子７の初期入射側近傍の窒素
導入管１０から窒素を導入し、終期入射側近傍の酸素導
入管９から酸素を導入する。これにより、Ｃｏ−Ｏ膜の
初期形成時における酸化が抑えられてＣｏ−Ｃｒ膜とＣ
ｏ−Ｏ膜との界面の酸化層が薄くなるために両磁性層の
磁気的結合が強くなり、Ｓ／Ｎ比が向上する。
層を有する磁気記録媒体の製造方法において、Ｓ／Ｎ比
の良好な記録再生特性に優れたものの製造方法を提供す
る。 【構成】 連続蒸着法により、高分子基板１上にＣｏ−
Ｃｒ膜を形成した高分子基板１ａを巻取りロール４から
巻出しロール２に巻戻した後、円筒状キャン３の円周面
上を走行する高分子基板１ａのＣｏ−Ｃｒ膜上にＣｏ−
Ｏ膜を形成する際、蒸発原子７の初期入射側近傍の窒素
導入管１０から窒素を導入し、終期入射側近傍の酸素導
入管９から酸素を導入する。これにより、Ｃｏ−Ｏ膜の
初期形成時における酸化が抑えられてＣｏ−Ｃｒ膜とＣ
ｏ−Ｏ膜との界面の酸化層が薄くなるために両磁性層の
磁気的結合が強くなり、Ｓ／Ｎ比が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度の磁気記録再生
装置に適した磁気記録媒体の製造方法に関し、詳しくは
２層の磁性層を有する磁気記録媒体を連続蒸着法で作製
する製造方法に関する。
装置に適した磁気記録媒体の製造方法に関し、詳しくは
２層の磁性層を有する磁気記録媒体を連続蒸着法で作製
する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の扱う情報量の
増大や機器の小型化にともない、磁気記録媒体の高密度
化に対する要求は強まる一方である。これにより、従来
の塗布型の磁気記録媒体のみならず高密度記録に適した
合金薄膜型の磁気記録媒体が実用化されるに至ってい
る。この合金薄膜型の磁気記録媒体は、優れた短波長記
録再生特性を有し高密度記録に適している。合金薄膜型
の磁気記録媒体における磁性層としては、Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ，Ｆｅ
−Ｏ等の面内記録用薄膜、およびＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍ
ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ａｌ等のＣｏ基合金から
なる垂直記録用薄膜が有望である。
増大や機器の小型化にともない、磁気記録媒体の高密度
化に対する要求は強まる一方である。これにより、従来
の塗布型の磁気記録媒体のみならず高密度記録に適した
合金薄膜型の磁気記録媒体が実用化されるに至ってい
る。この合金薄膜型の磁気記録媒体は、優れた短波長記
録再生特性を有し高密度記録に適している。合金薄膜型
の磁気記録媒体における磁性層としては、Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ，Ｆｅ
−Ｏ等の面内記録用薄膜、およびＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍ
ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ａｌ等のＣｏ基合金から
なる垂直記録用薄膜が有望である。
【０００３】最近、合金薄膜型の磁気記録媒体のうちで
も、記録再生特性をさらに改善するために、２層あるい
は３層以上に磁性層を積層したものが研究されるように
なってきた。この例としては、Ｃｏ−ＯあるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏの薄膜積層型のものやＣｏ−Ｃｒ膜上にＣｏ−
Ｏ膜を積層したものなどがある。
も、記録再生特性をさらに改善するために、２層あるい
は３層以上に磁性層を積層したものが研究されるように
なってきた。この例としては、Ｃｏ−ＯあるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏの薄膜積層型のものやＣｏ−Ｃｒ膜上にＣｏ−
Ｏ膜を積層したものなどがある。
【０００４】以下に従来の技術の一例として、Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜上にＣｏ−Ｏ膜を積層した従来の磁気記録媒体の製
造方法について説明する。図２は従来の磁気記録媒体を
製造する真空蒸着装置の一例を示す図である。図２にお
いて、非磁性基板としての高分子基板１は、巻出しロー
ル２から巻出されて矢印Ａの向きに円筒状キャン３の周
面上に沿って走行し、巻取りロール４に巻取られる。こ
の間、円筒状キャン３の周面上で、坩堝５に入ったＣｏ
−Ｃｒ合金の蒸発源６より飛来した蒸発原子７が高分子
基板１の表面に付着してＣｏ−Ｃｒ膜が第１の磁性層と
して形成される。そのとき蒸発原子７の高分子基板１へ
の入射角は、仕切り板８により初期入射角φiから終期
入射角φfまで連続的に変化する。ただし、初期入射角
φiおよび終期入射角φfはいずれも高分子基板１の垂直
方向と蒸発原子７の入射方向とのなす角度で、初期入射
時の角度をφi、終期入射時の角度がφfである。
ｒ膜上にＣｏ−Ｏ膜を積層した従来の磁気記録媒体の製
造方法について説明する。図２は従来の磁気記録媒体を
製造する真空蒸着装置の一例を示す図である。図２にお
いて、非磁性基板としての高分子基板１は、巻出しロー
ル２から巻出されて矢印Ａの向きに円筒状キャン３の周
面上に沿って走行し、巻取りロール４に巻取られる。こ
の間、円筒状キャン３の周面上で、坩堝５に入ったＣｏ
−Ｃｒ合金の蒸発源６より飛来した蒸発原子７が高分子
基板１の表面に付着してＣｏ−Ｃｒ膜が第１の磁性層と
して形成される。そのとき蒸発原子７の高分子基板１へ
の入射角は、仕切り板８により初期入射角φiから終期
入射角φfまで連続的に変化する。ただし、初期入射角
φiおよび終期入射角φfはいずれも高分子基板１の垂直
方向と蒸発原子７の入射方向とのなす角度で、初期入射
時の角度をφi、終期入射時の角度がφfである。
【０００５】次に、巻取りロール４に巻かれたＣｏ−Ｃ
ｒ膜形成後の高分子基板１ａを一旦巻出しロール２に巻
戻した後、再度Ｃｏ−Ｃｒ膜を形成した方法と同様の方
法で第２の磁性層としてのＣｏ−Ｏ膜をＣｏ−Ｃｒ膜上
に形成する。このとき、蒸発源６としてはＣｏ金属を用
い、また蒸着時に酸素導入管９より酸素ガスを導入す
る。
ｒ膜形成後の高分子基板１ａを一旦巻出しロール２に巻
戻した後、再度Ｃｏ−Ｃｒ膜を形成した方法と同様の方
法で第２の磁性層としてのＣｏ−Ｏ膜をＣｏ−Ｃｒ膜上
に形成する。このとき、蒸発源６としてはＣｏ金属を用
い、また蒸着時に酸素導入管９より酸素ガスを導入す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２の真空蒸着装置で
第２の磁性層のＣｏ−Ｏ膜を作製する際、酸素を終期入
射側から導入しても、一部は初期入射側に回り込む。こ
のため、初期に形成されたＣｏ−Ｏ膜では入射角が大き
くて蒸着速度が遅いので、非磁性の酸化層が厚く形成さ
れており、第１の磁性層と第２の磁性層との間の磁気的
な結合が弱くなり、十分優れた記録再生特性を示す磁気
記録媒体が得られなかった。
第２の磁性層のＣｏ−Ｏ膜を作製する際、酸素を終期入
射側から導入しても、一部は初期入射側に回り込む。こ
のため、初期に形成されたＣｏ−Ｏ膜では入射角が大き
くて蒸着速度が遅いので、非磁性の酸化層が厚く形成さ
れており、第１の磁性層と第２の磁性層との間の磁気的
な結合が弱くなり、十分優れた記録再生特性を示す磁気
記録媒体が得られなかった。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するもので、Ｓ
／Ｎ比の良好な記録再生特性に優れた磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
／Ｎ比の良好な記録再生特性に優れた磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キャンの
円周面上を走行する非磁性基板上に第１の磁性層を形成
し、その第１の磁性層上にＣｏおよび酸素を成分とする
第２の磁性層を連続蒸着法により形成する磁気記録媒体
の製造方法において、前記第２の磁性層を形成する際、
窒素、Ａｒのうち少なくとも一種類のガスを蒸発原子の
初期入射側近傍より導入し、酸素を終期入射側近傍より
導入することを特徴とする。
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キャンの
円周面上を走行する非磁性基板上に第１の磁性層を形成
し、その第１の磁性層上にＣｏおよび酸素を成分とする
第２の磁性層を連続蒸着法により形成する磁気記録媒体
の製造方法において、前記第２の磁性層を形成する際、
窒素、Ａｒのうち少なくとも一種類のガスを蒸発原子の
初期入射側近傍より導入し、酸素を終期入射側近傍より
導入することを特徴とする。
【０００９】
【作用】この構成により、第２の磁性層であるＣｏ−Ｏ
膜を作製する際、窒素、Ａｒのうち少なくとも一種類の
ガスを初期入射側近傍より導入し、終期入射側近傍より
酸素を導入するため、できるだけ初期入射側近傍からは
遠いところから酸素を導入することになるので初期に形
成されたＣｏ−Ｏ膜に酸素が回りにくく、Ｃｏ−Ｏ膜の
形成初期の酸化層を薄くすることができて第１の磁性層
と第２の磁性層との磁気的結合が強くなる。また、形成
終期、すなわちＣｏ−Ｏ膜の表面近傍での酸化層が厚く
なってＣｏ−Ｏ膜の耐久性向上に役立つ。
膜を作製する際、窒素、Ａｒのうち少なくとも一種類の
ガスを初期入射側近傍より導入し、終期入射側近傍より
酸素を導入するため、できるだけ初期入射側近傍からは
遠いところから酸素を導入することになるので初期に形
成されたＣｏ−Ｏ膜に酸素が回りにくく、Ｃｏ−Ｏ膜の
形成初期の酸化層を薄くすることができて第１の磁性層
と第２の磁性層との磁気的結合が強くなる。また、形成
終期、すなわちＣｏ−Ｏ膜の表面近傍での酸化層が厚く
なってＣｏ−Ｏ膜の耐久性向上に役立つ。
【００１０】また、図２に示すような従来の連続蒸着法
においては、初期入射側では入射角が大きいため蒸着速
度が遅く、たとえ酸素の回り込みがわずかであっても、
蒸発原子は酸素と反応して酸化物となる可能性は大き
い。しかし、本発明のように、初期入射側近傍において
窒素、Ａｒ等の不活性ガスを導入して初期入射側近傍を
不活性ガス雰囲気とすることにより、酸素のこの付近へ
の侵入を最小限とし、酸化層の形成を抑制する。したが
って、第２の磁性層の形成初期における酸化層が薄くな
り、第１の磁性層と第２の磁性層との磁気的結合が強固
なものとなって記録再生特性に優れた磁気記録媒体が得
られる。
においては、初期入射側では入射角が大きいため蒸着速
度が遅く、たとえ酸素の回り込みがわずかであっても、
蒸発原子は酸素と反応して酸化物となる可能性は大き
い。しかし、本発明のように、初期入射側近傍において
窒素、Ａｒ等の不活性ガスを導入して初期入射側近傍を
不活性ガス雰囲気とすることにより、酸素のこの付近へ
の侵入を最小限とし、酸化層の形成を抑制する。したが
って、第２の磁性層の形成初期における酸化層が薄くな
り、第１の磁性層と第２の磁性層との磁気的結合が強固
なものとなって記録再生特性に優れた磁気記録媒体が得
られる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の一実施例における磁気記録媒
体の製造方法を図面に基づいて説明する。
体の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は本発明の磁気記録媒体の製造方法を
実施する製造装置の一例を示す図である。図１におい
て、図２と異なるのは窒素導入管１０を設けた点であ
る。第１の磁性層の形成は従来と同様であるのでここで
は説明を省略し、第２の磁性層のＣｏ−Ｏ膜の形成につ
いて述べる。
実施する製造装置の一例を示す図である。図１におい
て、図２と異なるのは窒素導入管１０を設けた点であ
る。第１の磁性層の形成は従来と同様であるのでここで
は説明を省略し、第２の磁性層のＣｏ−Ｏ膜の形成につ
いて述べる。
【００１３】第１の磁性層が形成された高分子基板１ａ
は、巻出しロール２から巻出されて矢印Ａの向きに円筒
状キャン３の周面上に沿って走行し、巻取りロール４に
巻取られる。この間、円筒状キャン３の周面上で、坩堝
５に入ったＣｏ金属の蒸発源６より飛来した蒸発原子７
が高分子基板１ａの第１の磁性層の表面に付着してＣｏ
−Ｏ膜が形成される。このとき蒸発原子７の高分子基板
１ａへの入射角は、仕切り板８により、初期入射角φi
から終期入射角φfまで連続的に変化する。
は、巻出しロール２から巻出されて矢印Ａの向きに円筒
状キャン３の周面上に沿って走行し、巻取りロール４に
巻取られる。この間、円筒状キャン３の周面上で、坩堝
５に入ったＣｏ金属の蒸発源６より飛来した蒸発原子７
が高分子基板１ａの第１の磁性層の表面に付着してＣｏ
−Ｏ膜が形成される。このとき蒸発原子７の高分子基板
１ａへの入射角は、仕切り板８により、初期入射角φi
から終期入射角φfまで連続的に変化する。
【００１４】酸素導入管９および窒素導入管１０からの
酸素および窒素ガスの導入方向としては、ほぼ蒸着原子
の入射方向と一致しているのがよい。この方向にガスを
導入すると、ガスは蒸発してきたＣｏ原子の運動を妨げ
ず、Ｃｏ原子は高いエネルギーのまま酸素原子と結合し
高分子基板１ａに到達することができる。また窒素の導
入量としては、酸素の約３倍以下とするのが望ましい。
窒素を大量に導入すると、Ｃｏ原子と窒素ガスとの衝突
が増大し、Ｃｏ−Ｏ膜の柱状結晶粒が高分子基板１ａの
垂直方向に成長し、強い垂直磁気異方性を有するＣｏ−
Ｏ膜と成り易い。その場合、現在一般に用いられている
リング型磁気ヘッドを用いて記録再生すると、高出力は
得られない。なぜなら、リング型磁気ヘッドから漏れる
磁束の垂直方向の成分が小さいからである。
酸素および窒素ガスの導入方向としては、ほぼ蒸着原子
の入射方向と一致しているのがよい。この方向にガスを
導入すると、ガスは蒸発してきたＣｏ原子の運動を妨げ
ず、Ｃｏ原子は高いエネルギーのまま酸素原子と結合し
高分子基板１ａに到達することができる。また窒素の導
入量としては、酸素の約３倍以下とするのが望ましい。
窒素を大量に導入すると、Ｃｏ原子と窒素ガスとの衝突
が増大し、Ｃｏ−Ｏ膜の柱状結晶粒が高分子基板１ａの
垂直方向に成長し、強い垂直磁気異方性を有するＣｏ−
Ｏ膜と成り易い。その場合、現在一般に用いられている
リング型磁気ヘッドを用いて記録再生すると、高出力は
得られない。なぜなら、リング型磁気ヘッドから漏れる
磁束の垂直方向の成分が小さいからである。
【００１５】次に、図１に示す製造装置を用いた磁気記
録媒体の製造方法をより具体的に説明する。まず、本実
施例１のＣｏ−Ｃｒ／Ｃｏ−Ｏ２層膜からなる磁気記録
媒体を次のようにして作製した。円筒状キャン３の直径
が５０cmのものを用い、高分子基板１としては、厚さ１
０μｍ、幅が５００mmのポリイミド基板を用いた。ま
ず、真空装置内部を３．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気し
た後、蒸発源６としてＣｏ−１０ｗｔ％Ｃｒ合金を用
い、円筒状キャン３の温度は２５０℃、初期入射角φi
は７０°、終期入射角φfは４０°としてＣｏ−Ｃｒ膜
を形成した。この時のＣｏ−Ｃｒ膜形成速度は０．２μ
ｍ／ｓｅｃ、形成されたＣｏ−Ｃｒ膜の膜厚は０．１μ
ｍ、飽和磁化は約４５０ｅｍｕ／ccであった。
録媒体の製造方法をより具体的に説明する。まず、本実
施例１のＣｏ−Ｃｒ／Ｃｏ−Ｏ２層膜からなる磁気記録
媒体を次のようにして作製した。円筒状キャン３の直径
が５０cmのものを用い、高分子基板１としては、厚さ１
０μｍ、幅が５００mmのポリイミド基板を用いた。ま
ず、真空装置内部を３．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気し
た後、蒸発源６としてＣｏ−１０ｗｔ％Ｃｒ合金を用
い、円筒状キャン３の温度は２５０℃、初期入射角φi
は７０°、終期入射角φfは４０°としてＣｏ−Ｃｒ膜
を形成した。この時のＣｏ−Ｃｒ膜形成速度は０．２μ
ｍ／ｓｅｃ、形成されたＣｏ−Ｃｒ膜の膜厚は０．１μ
ｍ、飽和磁化は約４５０ｅｍｕ／ccであった。
【００１６】この後、真空中で図１の矢印Ａとは逆の方
向にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した高分子基板１ａを走行さ
せ、巻取りロール４に巻取られた高分子基板１ａを巻出
しロール２に巻直した。そして、蒸発源６にＣｏを用
い、円筒状キャン３の温度を１００℃、初期入射角φi
は６０°、終期入射角φfは３０°として、Ｃｏ−Ｏ膜
を作製した。円筒状キャン３の温度を１００℃とするの
は、室温とするよりも保磁力のより大きい磁気記録媒体
が得られるためである。また、Ｃｏ−Ｏ膜作製の際、酸
素導入管９から酸素を０．６ｌ／ｍｉｎ、窒素導入管１
０から窒素を０．３ｌ／ｍｉｎで導入した。このときの
残留ガス圧は２．０×１０-4Ｔｏｒｒ程度であった。残
留ガス圧は少なくとも３．０×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保
つのが望ましい。残留ガス圧が大きくなると、Ｃｏ原子
とガス分子との衝突が増加し、垂直磁気異方性の強すぎ
るＣｏ−Ｏ膜となるからである。高分子基板１ａの搬送
速度を２０ｍ／ｍｉｎとし、蒸着速度は１μｍ／ｓｅｃ
で膜厚約０．１５μｍのＣｏ−Ｏ膜を作製した。
向にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した高分子基板１ａを走行さ
せ、巻取りロール４に巻取られた高分子基板１ａを巻出
しロール２に巻直した。そして、蒸発源６にＣｏを用
い、円筒状キャン３の温度を１００℃、初期入射角φi
は６０°、終期入射角φfは３０°として、Ｃｏ−Ｏ膜
を作製した。円筒状キャン３の温度を１００℃とするの
は、室温とするよりも保磁力のより大きい磁気記録媒体
が得られるためである。また、Ｃｏ−Ｏ膜作製の際、酸
素導入管９から酸素を０．６ｌ／ｍｉｎ、窒素導入管１
０から窒素を０．３ｌ／ｍｉｎで導入した。このときの
残留ガス圧は２．０×１０-4Ｔｏｒｒ程度であった。残
留ガス圧は少なくとも３．０×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保
つのが望ましい。残留ガス圧が大きくなると、Ｃｏ原子
とガス分子との衝突が増加し、垂直磁気異方性の強すぎ
るＣｏ−Ｏ膜となるからである。高分子基板１ａの搬送
速度を２０ｍ／ｍｉｎとし、蒸着速度は１μｍ／ｓｅｃ
で膜厚約０．１５μｍのＣｏ−Ｏ膜を作製した。
【００１７】次に、本実施例１と同様の方法で本実施例
１とは酸素および窒素の導入量を変えて本実施例２〜４
および比較例１，２の磁気記録媒体を作製した。ただし
比較例２は窒素を導入しない場合である。これらの磁気
記録媒体について、Ｃｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ２層膜の界面
の酸化層の厚みをオージェ電子分光により求めた。な
お、この場合の膜厚はＳｉのスパッタレートを基準にし
て求めている。また、これらの磁気記録媒体を８mm幅に
スリットして、市販のハイバンド８ミリデッキを用い輝
度信号Ｓ／Ｎ比の評価を行った。その測定結果を酸素お
よび窒素の導入量とともに（表１）に示す。
１とは酸素および窒素の導入量を変えて本実施例２〜４
および比較例１，２の磁気記録媒体を作製した。ただし
比較例２は窒素を導入しない場合である。これらの磁気
記録媒体について、Ｃｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ２層膜の界面
の酸化層の厚みをオージェ電子分光により求めた。な
お、この場合の膜厚はＳｉのスパッタレートを基準にし
て求めている。また、これらの磁気記録媒体を８mm幅に
スリットして、市販のハイバンド８ミリデッキを用い輝
度信号Ｓ／Ｎ比の評価を行った。その測定結果を酸素お
よび窒素の導入量とともに（表１）に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】（表１）から明らかなように、窒素の導入
量が増加するとともに界面の酸化層の厚みが減少する。
また、本実施例１〜４は比較例１，２に比べて３〜５ｄ
Ｂ高いＳ／Ｎ比を有することがわかった。これは本実施
例の磁気記録媒体がＣｏ−Ｃｒ層とＣｏ−Ｏ層との界面
の非磁性の酸化層が薄く、両層の相互作用が大きいため
と考えられる。また比較例１の場合は、両層間の酸化層
が薄いにもかかわらず、Ｓ／Ｎ比が低い。これは、窒素
を大量に導入したため、蒸着部近傍の真空度が５．０×
１０-4Ｔｏｒｒまで悪くなっている。そのため、蒸発原
子とガス原子の衝突が増加し、柱状結晶粒が高分子基板
１ａに対して垂直に成長し、垂直磁気異方性が強くなり
すぎたため、リング型磁気ヘッドによる記録再生に適さ
なくなったと考えられる。Ｓ／Ｎ比の高い磁気記録媒体
を作製するためには、蒸着部近傍の真空度は、３．０×
１０-4Ｔｏｒｒ以下にするのが望ましい。
量が増加するとともに界面の酸化層の厚みが減少する。
また、本実施例１〜４は比較例１，２に比べて３〜５ｄ
Ｂ高いＳ／Ｎ比を有することがわかった。これは本実施
例の磁気記録媒体がＣｏ−Ｃｒ層とＣｏ−Ｏ層との界面
の非磁性の酸化層が薄く、両層の相互作用が大きいため
と考えられる。また比較例１の場合は、両層間の酸化層
が薄いにもかかわらず、Ｓ／Ｎ比が低い。これは、窒素
を大量に導入したため、蒸着部近傍の真空度が５．０×
１０-4Ｔｏｒｒまで悪くなっている。そのため、蒸発原
子とガス原子の衝突が増加し、柱状結晶粒が高分子基板
１ａに対して垂直に成長し、垂直磁気異方性が強くなり
すぎたため、リング型磁気ヘッドによる記録再生に適さ
なくなったと考えられる。Ｓ／Ｎ比の高い磁気記録媒体
を作製するためには、蒸着部近傍の真空度は、３．０×
１０-4Ｔｏｒｒ以下にするのが望ましい。
【００２０】以上は窒素を用いる場合について述べた
が、窒素の代りに窒素導入管１０からＡｒなどの不活性
ガスを用いても同様の効果がある。また本実施例では、
第２の磁性層としてはＣｏ−Ｏ膜を作製する場合につい
て説明したが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜についてもほぼ同様に
本発明は有効である。第１の磁性層としてはＣｏ−Ｃｒ
膜を作製する場合について説明したが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを用いる場合もほぼ同様
である。高分子基板１としてはポリイミド基板を用いる
場合について説明したが、ポリエチレンテレフタレート
基板、ポリアミド基板またはポリエチレンナフタレート
基板を用いる場合についても本発明は有効である。
が、窒素の代りに窒素導入管１０からＡｒなどの不活性
ガスを用いても同様の効果がある。また本実施例では、
第２の磁性層としてはＣｏ−Ｏ膜を作製する場合につい
て説明したが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜についてもほぼ同様に
本発明は有効である。第１の磁性層としてはＣｏ−Ｃｒ
膜を作製する場合について説明したが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを用いる場合もほぼ同様
である。高分子基板１としてはポリイミド基板を用いる
場合について説明したが、ポリエチレンテレフタレート
基板、ポリアミド基板またはポリエチレンナフタレート
基板を用いる場合についても本発明は有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
磁気記録媒体の製造方法は、第２の磁性層の形成時に蒸
発原子の初期入射側から窒素等の不活性ガスを、また終
期入射側から酸素をそれぞれ導入することにより、第２
の磁性層と第１の磁性層の界面の酸化層を薄くできるの
で磁性層間の磁気的な相互作用を大きくすることがで
き、Ｓ／Ｎ比が良好で優れた記録再生特性を有する磁気
記録媒体が製造できる有用性の高いものである。
磁気記録媒体の製造方法は、第２の磁性層の形成時に蒸
発原子の初期入射側から窒素等の不活性ガスを、また終
期入射側から酸素をそれぞれ導入することにより、第２
の磁性層と第１の磁性層の界面の酸化層を薄くできるの
で磁性層間の磁気的な相互作用を大きくすることがで
き、Ｓ／Ｎ比が良好で優れた記録再生特性を有する磁気
記録媒体が製造できる有用性の高いものである。
【図１】本発明の一実施例における磁気記録媒体の製造
方法を実施する製造装置の概略図
方法を実施する製造装置の概略図
【図２】従来の磁気記録媒体の製造装置の概略図
１，１ａ 高分子基板 ３ 円筒状キャン ７ 蒸発原子 ９ 酸素導入管 １０ 窒素導入管 φi 初期入射角 φf 終期入射角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 達朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】円筒状キャンの円周面上を走行する非磁性
基板上に第１の磁性層を形成し、その第１の磁性層上に
Ｃｏおよび酸素を成分とする第２の磁性層を連続蒸着法
により形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
第２の磁性層を形成する際、窒素、Ａｒのうち少なくと
も一種類のガスを蒸発原子の初期入射側近傍より導入
し、酸素を終期入射側近傍より導入することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33651091A JPH05166184A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33651091A JPH05166184A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166184A true JPH05166184A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18299878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33651091A Pending JPH05166184A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235545A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜形成装置ならびに金属酸化物薄膜付きシートの製造方法 |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP33651091A patent/JPH05166184A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235545A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜形成装置ならびに金属酸化物薄膜付きシートの製造方法 |
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