JPS58158029A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58158029A JPS58158029A JP57041276A JP4127682A JPS58158029A JP S58158029 A JPS58158029 A JP S58158029A JP 57041276 A JP57041276 A JP 57041276A JP 4127682 A JP4127682 A JP 4127682A JP S58158029 A JPS58158029 A JP S58158029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- deposited
- magnetization
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては、媒体の膜面に垂直方
向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。この
ような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に
垂直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反
磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
方式がある。この方式においては、媒体の膜面に垂直方
向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。この
ような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に
垂直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反
磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は基板上にＣ。
とＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層をスパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成し
たものである。ＣＯとＣｒを主成分とした膜は、Ｃｒの
量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造
であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させる
ことができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも
大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能なので
、垂直磁化膜を実現できる。
層をスパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成し
たものである。ＣＯとＣｒを主成分とした膜は、Ｃｒの
量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造
であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させる
ことができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも
大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能なので
、垂直磁化膜を実現できる。
真空蒸着法によりＣ６−Ｃｒ垂直磁化膜を作成すべく検
討した結果、膜の特性に基板依存性があり、特に、Ｃ軸
が膜面に垂直方向に配向したＴｉ膜上。
討した結果、膜の特性に基板依存性があり、特に、Ｃ軸
が膜面に垂直方向に配向したＴｉ膜上。
にＣｏ−Ｃｒ膜を形成すると、特性の良い垂直磁化膜が
得られることが明らかになった。なお特性の良い垂直磁
化膜とは、垂直異方性定数Ｋｕが正で、かつ垂直方向の
残留磁化Ｍｒｘ と面内方向の残留磁化Ｍ ｒ ｕの
比が１以上の膜のことであり、このような膜は優れた短
波長記録特性を有する。
得られることが明らかになった。なお特性の良い垂直磁
化膜とは、垂直異方性定数Ｋｕが正で、かつ垂直方向の
残留磁化Ｍｒｘ と面内方向の残留磁化Ｍ ｒ ｕの
比が１以上の膜のことであり、このような膜は優れた短
波長記録特性を有する。
上記のことを言いかえると、特性の良いＣ。
−Ｃｒ垂直磁化膜を得るためには、Ｃ軸が膜面に垂直方
向に配向したＴｉ下地を形成する必要がある。このよう
なＴｉ膜は、真空蒸着法により、膜の析出速度と真空蒸
着装置内部の酸素分圧との比Ｘを限定して形成すること
により得られることが、実験の結果間らかになった。
向に配向したＴｉ下地を形成する必要がある。このよう
なＴｉ膜は、真空蒸着法により、膜の析出速度と真空蒸
着装置内部の酸素分圧との比Ｘを限定して形成すること
により得られることが、実験の結果間らかになった。
本発明は上記Ｘを限定することにより、真空蒸着法にて
Ｃ軸が膜面に垂直方向に配向したＴｉ膜を、従って特性
の優れたＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成する方法を提供す
るものである。以下に図面を用い本発明の説明を行う。
Ｃ軸が膜面に垂直方向に配向したＴｉ膜を、従って特性
の優れたＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成する方法を提供す
るものである。以下に図面を用い本発明の説明を行う。
Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜が垂直磁化膜であるための条件は、垂
直異方性定数Ｋｕが正なることである。Ｔｉ膜上にＣｏ
−９ｒ膜を蒸着し、垂直磁化膜を得るためには、Ｔｉ膜
の配向性を良くする必要がある。
直異方性定数Ｋｕが正なることである。Ｔｉ膜上にＣｏ
−９ｒ膜を蒸着し、垂直磁化膜を得るためには、Ｔｉ膜
の配向性を良くする必要がある。
第１図にＴｉ蒸着膜上にＣｏ−Ｃｒ蒸着膜を形成した場
合の、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜のＫｕとＴｉ蒸着膜のΔθ６゜
との関係を示す。なおＫｕはトルクカーブから求めた。
合の、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜のＫｕとＴｉ蒸着膜のΔθ６゜
との関係を示す。なおＫｕはトルクカーブから求めた。
また第１図の曲線はＣｏ−Ｃｒ膜を蒸着時の基板温度Ｔ
ｓｕｂが３６０℃なる条件で形成した場合の関係を示し
、Ｔｓｕｂが３６０℃以外の場合にはＫｕはこれより小
さくなる。すなわち、Ｔｓｕｂが３６０℃なる条件でＣ
ｏ−Ｃｒ膜を蒸着した場合に、最大のＫｕが得られる。
ｓｕｂが３６０℃なる条件で形成した場合の関係を示し
、Ｔｓｕｂが３６０℃以外の場合にはＫｕはこれより小
さくなる。すなわち、Ｔｓｕｂが３６０℃なる条件でＣ
ｏ−Ｃｒ膜を蒸着した場合に、最大のＫｕが得られる。
従ってＫｕ）０なるためにはＴｉ膜のｄθ６゜を１２°
以下にしなければならない。なおｄθ６ｏは（００２）
面の配向の分散を表現していると考えられ、この値が小
さい程配向性が良い。以上をまとめると、Ｔｉ膜上にＫ
ｕ）ＯなるＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成するためには、
Ｔｉ膜のΔθ６゜を１２°以下にする必要がある。
以下にしなければならない。なおｄθ６ｏは（００２）
面の配向の分散を表現していると考えられ、この値が小
さい程配向性が良い。以上をまとめると、Ｔｉ膜上にＫ
ｕ）ＯなるＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成するためには、
Ｔｉ膜のΔθ６゜を１２°以下にする必要がある。
Ｔｉ膜を真空蒸着法で形成する場合には、膜の析出速度
、残留ガスの種類及び量が、膜の特性に大きく影響を及
ぼす。
、残留ガスの種類及び量が、膜の特性に大きく影響を及
ぼす。
クライオポンプにて蒸着装置内部を５ＸＩＱ ’Ｔｏ
ｒｒの真空度にしてから、アルゴン、窒素及び酸素を蒸
着装置内部に導入し、Ｔｉを蒸着して特性を調べると、
膜の析出速度及び酸素が影響を及ぼすことが明らかにな
った。アルゴン及び窒素は、２Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒま
で導入して検討したが、Ｔｉ膜に及ぼす影響は見られな
かった。
ｒｒの真空度にしてから、アルゴン、窒素及び酸素を蒸
着装置内部に導入し、Ｔｉを蒸着して特性を調べると、
膜の析出速度及び酸素が影響を及ぼすことが明らかにな
った。アルゴン及び窒素は、２Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒま
で導入して検討したが、Ｔｉ膜に及ぼす影響は見られな
かった。
膜の析出速度と酸素分圧は、いずれもＴｉ蒸着膜の特性
に影響を及ぼすが、それぞれが独立ではなく、これらの
比Ｘの形で影響していた。第２図にＴｉ蒸着膜のΔθ６
ｏとＸとの関係を示す。第２図の曲線はＴｉ膜を蒸着時
の基板温度Ｔｓｕｂが２００℃なる条件で形成した場合
の関係を示し、Ｔｓｕｂが２００℃以外の場合にはｄθ
６゜はこれより大きくなる。すなわち、Ｔｓｕｂが２０
０’Ｃなる条件でＴｉ膜を蒸着した場合に、最小のΔθ
６゜が得られればならないことがわかる。従ってＫｕ＞
Ｏなるある。ＸをｌＸ１０’−−ニー−としてＴｉ膜を
蒸秒・Ｔｏｒｒ 着し、その上にＣｏ −Ｃｒ膜を蒸着した場合に得られ
た垂直磁化膜のヒステリシス曲線の１例を第３図に示す
。ただし、第３図の縦軸は磁化Ｍ、横軸は印加磁界Ｈ２
曲線１及び２はそれぞれ膜面に垂直方向、及び面内方向
のヒステリシス曲線である。
に影響を及ぼすが、それぞれが独立ではなく、これらの
比Ｘの形で影響していた。第２図にＴｉ蒸着膜のΔθ６
ｏとＸとの関係を示す。第２図の曲線はＴｉ膜を蒸着時
の基板温度Ｔｓｕｂが２００℃なる条件で形成した場合
の関係を示し、Ｔｓｕｂが２００℃以外の場合にはｄθ
６゜はこれより大きくなる。すなわち、Ｔｓｕｂが２０
０’Ｃなる条件でＴｉ膜を蒸着した場合に、最小のΔθ
６゜が得られればならないことがわかる。従ってＫｕ＞
Ｏなるある。ＸをｌＸ１０’−−ニー−としてＴｉ膜を
蒸秒・Ｔｏｒｒ 着し、その上にＣｏ −Ｃｒ膜を蒸着した場合に得られ
た垂直磁化膜のヒステリシス曲線の１例を第３図に示す
。ただし、第３図の縦軸は磁化Ｍ、横軸は印加磁界Ｈ２
曲線１及び２はそれぞれ膜面に垂直方向、及び面内方向
のヒステリシス曲線である。
第３図中に示すＭｒ上及びｙｔｒｕ はそれぞれ膜面に
垂直方向の残留磁化（反磁場補正は行なわれていない）
、及び面内方向の残留磁化である。
垂直方向の残留磁化（反磁場補正は行なわれていない）
、及び面内方向の残留磁化である。
一般にＭｒ↓／Ｍｘｔ／ が大きい程、特性の良い垂直
磁化膜であると言える。特に優れた短波長記録特性を得
るためにはＭｒＪ−βＫｌ／ を１以上にすることが
望ましい。第４図にはＴｉ蒸着膜上に形成されたＣｏ−
Ｃｒ蒸着膜のＭｒＪＬ／Ｍｒｌｌ と、Ｔｉ蒸着膜形
成時のＸとの関係を示す。第４図の曲線はＴｉ膜を、蒸
着時の基板温度Ｔｓｕｂが２００℃なる条件で形、成し
た場合の関係を示し、Ｔｓｕｂが２００℃以外の場合に
はＭｒＬ／Ｍｒｌｌはこれよりも小さくなる。第１図、
第２図及び第４図より次のととＴｉ膜を蒸着し、その上
にＣｏ−Ｃｒ膜を蒸着するとＫｕ）Ｏなる垂直磁化膜が
得られるが、Ｋｕ）０であっても、２ Ｘ １ ｏ’＞
ｘ＞ １．５ Ｘ １０’する必要がある。
磁化膜であると言える。特に優れた短波長記録特性を得
るためにはＭｒＪ−βＫｌ／ を１以上にすることが
望ましい。第４図にはＴｉ蒸着膜上に形成されたＣｏ−
Ｃｒ蒸着膜のＭｒＪＬ／Ｍｒｌｌ と、Ｔｉ蒸着膜形
成時のＸとの関係を示す。第４図の曲線はＴｉ膜を、蒸
着時の基板温度Ｔｓｕｂが２００℃なる条件で形、成し
た場合の関係を示し、Ｔｓｕｂが２００℃以外の場合に
はＭｒＬ／Ｍｒｌｌはこれよりも小さくなる。第１図、
第２図及び第４図より次のととＴｉ膜を蒸着し、その上
にＣｏ−Ｃｒ膜を蒸着するとＫｕ）Ｏなる垂直磁化膜が
得られるが、Ｋｕ）０であっても、２ Ｘ １ ｏ’＞
ｘ＞ １．５ Ｘ １０’する必要がある。
以上の説明で明らかなように、本発明により特性の優れ
ｆｃＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を容易に得ることができる
。
ｆｃＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を容易に得ることができる
。
第１図はＴｉ膜上に形成されたＣｏ−Ｃｒ膜のｈとＴｉ
膜のΔθ との関係を示す図、第２図は０ Ｔｉ蒸着膜のΔθ６゜とＸとの関係を示す図、第３図は
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁化膜のヒステリシス曲線を示す図、
第４図はＴｉ膜上に形成されたＣｏ −Ｃｒ膜のＭｒ工
／Ｍｒｌｌ とＴｉ模膜蒸着時Ｘとの関係を示す図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 パーｍｌ
膜のΔθ との関係を示す図、第２図は０ Ｔｉ蒸着膜のΔθ６゜とＸとの関係を示す図、第３図は
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁化膜のヒステリシス曲線を示す図、
第４図はＴｉ膜上に形成されたＣｏ −Ｃｒ膜のＭｒ工
／Ｍｒｌｌ とＴｉ模膜蒸着時Ｘとの関係を示す図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 パーｍｌ
Claims (1)
- 基板上にＴｉ薄膜が形成され、さらにその上に膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有し、ＣｏとＣｒを主成分とする
磁性層が形成されて成る磁気記録媒体の製造方法におい
て、上記Ｔｉ薄膜を真空蒸着法により、膜の析出速度と
真空蒸着装置内部の酸うにして形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041276A JPS58158029A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041276A JPS58158029A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158029A true JPS58158029A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=12603916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041276A Pending JPS58158029A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269221A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生方法 |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57041276A patent/JPS58158029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269221A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生方法 |
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