JPS58137134A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58137134A JPS58137134A JP1923282A JP1923282A JPS58137134A JP S58137134 A JPS58137134 A JP S58137134A JP 1923282 A JP1923282 A JP 1923282A JP 1923282 A JP1923282 A JP 1923282A JP S58137134 A JPS58137134 A JP S58137134A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- atoms
- vacuum
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃｏ
とＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層をスパッタリング法により形成したものである。ｃｏ
とＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０
重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり、そ
のＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることができ
、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きくなる
まで飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化膜
を実現できる。
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃｏ
とＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層をスパッタリング法により形成したものである。ｃｏ
とＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０
重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり、そ
のＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることができ
、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きくなる
まで飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化膜
を実現できる。
しかしスパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いの
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。
本発明はスパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化す
る方法も含む）によれば、数１ｏＯＯス／秒という速い
形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることが見い
出されたことに基いてなされたものである。この真空蒸
着法においては基板を円筒状キャンの周側面に沿りて移
動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂直記録
媒体が非常に生産性良く得られる。以下に図面を用い本
発明を説明する。
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化す
る方法も含む）によれば、数１ｏＯＯス／秒という速い
形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることが見い
出されたことに基いてなされたものである。この真空蒸
着法においては基板を円筒状キャンの周側面に沿りて移
動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂直記録
媒体が非常に生産性良く得られる。以下に図面を用い本
発明を説明する。
まず第１図を用い真空蒸着について説明する。
基板１は円筒状キャン２に沿りて矢印Ａの向きに走行す
る。蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配
置されており、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に
付着する。３，４はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻
取りロールである。
る。蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配
置されており、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に
付着する。３，４はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻
取りロールである。
さてこのような真空蒸着において、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜が
垂直磁化膜になるためには、稠密六方構造のＣ軸が膜面
に垂直方向に配向し、垂直方向の異方性磁界が反磁界よ
りも大きくなることが必要である。そのためには蒸着原
子の入射角を限定する必要があることが実験により明ら
かになった。
垂直磁化膜になるためには、稠密六方構造のＣ軸が膜面
に垂直方向に配向し、垂直方向の異方性磁界が反磁界よ
りも大きくなることが必要である。そのためには蒸着原
子の入射角を限定する必要があることが実験により明ら
かになった。
本発明は真空蒸着法において蒸発原子の入射角を限定す
ることにより、移動しつつある基板上にＣｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜を容易に形成する方法を提供するものである。
ることにより、移動しつつある基板上にＣｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜を容易に形成する方法を提供するものである。
第１図に示すψ１は膜形成初期における蒸発原子の入射
角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への平均の入射方向
とのなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期にお
ける蒸発原子の入射角を示す。
角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への平均の入射方向
とのなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期にお
ける蒸発原子の入射角を示す。
ψ１及びψ・２を変化させてＣｏ−Ｃｒ蒸着膜を作成し
た場合の膜の垂直方向の異方性磁界ＨＡを測定した結果
を第３，４図に示す。ただし膜の異方性磁界ＨＡは次の
様にして求める。第２図はＣｏ−Ｃｒ蒸着膜のヒステリ
シス曲線を示しており、図中７及び８はそれぞれ膜面に
垂直方向及び面内方向のヒステリシス曲線である。面内
磁化曲線８の原点を通る増磁曲線の接線９と飽和磁化Ｍ
３との交点の磁界がＨＡである。このＨＡが４πＭｓ
よりも大であればＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜にな
っているといえる。第３図にはψ１をパラメータとして
、ψ２とＨＡ−４πＭｓとの関係を示しである。ψ１を
一定にしておけばψ２を０から９０°の範囲で変えても
ＨＡ−４πＭｓはほぼ一定である。ψ１が６ （曲線１
１）、２６゜（曲線１２）及び４６（曲線１３）の場合
にはＨＡ−４πＭｓは正となり、従、りてＣｏ−Ｃｒ蒸
着膜は垂直磁化膜になっているが、ψ１が６０（曲線１
４）５ではＨｐ、 −４π町は負であり、Ｃｏ−Ｃｒ蒸
着膜は垂直磁化膜になっていない。なお第３図は蒸着時
の基板温度が２００℃にて行なった実験である。また蒸
着膜の組成はＣｒが２２重量％である。第４図は蒸着時
の基板温度をパラメータとした場合のψ１とＨｐ、 −
４π殉 との関係である。曲線１５．１６及び１７０基
板温度はそれぞれ１００Ｃ，２００℃及び３００℃であ
る。基板温度が１００℃の場合にはψが１３°以下では
Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜はＨＡ−４πＭｓが正となり、従って
垂直磁化膜となるが１３以上では垂直磁化膜にならない
。基板温度が２００℃及び３００℃の場合にはψ１がそ
れぞれ６０°以下及び６０°以下でないと垂直磁化膜に
々らない。なおこの図に示す蒸着膜の組成はＯｒが２２
重量％である。基板温度を３００℃以上にするとＣｏ−
Ｃｒ蒸着膜のＨＡ ４ｒｒＭＢは３００℃の場合より
も小さくなる。従ってＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成する
ためにはψ１を６００以下にすることが必要である。
た場合の膜の垂直方向の異方性磁界ＨＡを測定した結果
を第３，４図に示す。ただし膜の異方性磁界ＨＡは次の
様にして求める。第２図はＣｏ−Ｃｒ蒸着膜のヒステリ
シス曲線を示しており、図中７及び８はそれぞれ膜面に
垂直方向及び面内方向のヒステリシス曲線である。面内
磁化曲線８の原点を通る増磁曲線の接線９と飽和磁化Ｍ
３との交点の磁界がＨＡである。このＨＡが４πＭｓ
よりも大であればＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜にな
っているといえる。第３図にはψ１をパラメータとして
、ψ２とＨＡ−４πＭｓとの関係を示しである。ψ１を
一定にしておけばψ２を０から９０°の範囲で変えても
ＨＡ−４πＭｓはほぼ一定である。ψ１が６ （曲線１
１）、２６゜（曲線１２）及び４６（曲線１３）の場合
にはＨＡ−４πＭｓは正となり、従、りてＣｏ−Ｃｒ蒸
着膜は垂直磁化膜になっているが、ψ１が６０（曲線１
４）５ではＨｐ、 −４π町は負であり、Ｃｏ−Ｃｒ蒸
着膜は垂直磁化膜になっていない。なお第３図は蒸着時
の基板温度が２００℃にて行なった実験である。また蒸
着膜の組成はＣｒが２２重量％である。第４図は蒸着時
の基板温度をパラメータとした場合のψ１とＨｐ、 −
４π殉 との関係である。曲線１５．１６及び１７０基
板温度はそれぞれ１００Ｃ，２００℃及び３００℃であ
る。基板温度が１００℃の場合にはψが１３°以下では
Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜はＨＡ−４πＭｓが正となり、従って
垂直磁化膜となるが１３以上では垂直磁化膜にならない
。基板温度が２００℃及び３００℃の場合にはψ１がそ
れぞれ６０°以下及び６０°以下でないと垂直磁化膜に
々らない。なおこの図に示す蒸着膜の組成はＯｒが２２
重量％である。基板温度を３００℃以上にするとＣｏ−
Ｃｒ蒸着膜のＨＡ ４ｒｒＭＢは３００℃の場合より
も小さくなる。従ってＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成する
ためにはψ１を６００以下にすることが必要である。
また磁気記録媒体の生産性を考慮すると、ψ１が大きい
程好ましい。すなわちψ１が大きい程、蒸発源から蒸発
した蒸発原子の中で基板に付着する原子の割合、付着効
率ηが増加し、生産性が向上する。例えばψ２を６０と
した場合の付着効率ηとψ。
程好ましい。すなわちψ１が大きい程、蒸発源から蒸発
した蒸発原子の中で基板に付着する原子の割合、付着効
率ηが増加し、生産性が向上する。例えばψ２を６０と
した場合の付着効率ηとψ。
との関係は第６図の様になる。ただしη＝１は蒸発原子
のすべてが基板に付着した場合である。この図よりψ１
が３６まではηは急激に増加し、３６以上ではほぼ一定
値０９になる。従ってψ１を３６゜以上にすることによ
り、ηの大きいすなわち生産性のよいＣｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜が得られる。
のすべてが基板に付着した場合である。この図よりψ１
が３６まではηは急激に増加し、３６以上ではほぼ一定
値０９になる。従ってψ１を３６゜以上にすることによ
り、ηの大きいすなわち生産性のよいＣｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜が得られる。
以上では基板を円筒状キャンの周側面に沿りて移動させ
つつ薄膜の形成を行なう場合について述べたが、第６図
に示す様に基板１を平板１８に沿りて移動させつつ薄膜
の形成を行なう場合についても同様のことが言える。す
なわちこの場合もψ１を６００以下にすることによりＣ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
つつ薄膜の形成を行なう場合について述べたが、第６図
に示す様に基板１を平板１８に沿りて移動させつつ薄膜
の形成を行なう場合についても同様のことが言える。す
なわちこの場合もψ１を６００以下にすることによりＣ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
以上では１個の蒸発源からＣＯとＣｒを蒸発させる１源
蒸着法の場合について述べたが、ＣＱとＣｒの蒸気圧が
異なるために、１源蒸着法で長尺のＣ０−Ｃｒ 垂直磁
化膜を一定組成で作成することは困難である。そこで長
尺のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を得るためには、ＣＯとＣｒ
を別々の蒸発源から蒸発させる２源蒸着法を用いること
が好ましい。この場合には蒸発原子数はＣＯ原子の方か
Ｃｒ原子よりもかなり多いために（Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化
膜の組成としてはＣｒが約２０原子係程度が望捷しい）
、蒸着膜の特性はＣＯ原子の入射角によってほぼ決定さ
鳩。
蒸着法の場合について述べたが、ＣＱとＣｒの蒸気圧が
異なるために、１源蒸着法で長尺のＣ０−Ｃｒ 垂直磁
化膜を一定組成で作成することは困難である。そこで長
尺のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を得るためには、ＣＯとＣｒ
を別々の蒸発源から蒸発させる２源蒸着法を用いること
が好ましい。この場合には蒸発原子数はＣＯ原子の方か
Ｃｒ原子よりもかなり多いために（Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化
膜の組成としてはＣｒが約２０原子係程度が望捷しい）
、蒸着膜の特性はＣＯ原子の入射角によってほぼ決定さ
鳩。
従りて１源蒸着法では、入射角を膜の法線方向と蒸発原
子の基板への平均の入射方向とのなす鋭角として定義し
たが、２源蒸着法の場合には、膜の法線方向とＣＯ蒸発
原子の基板への平均の入射方向とのなす鋭角を入射角と
定義し、以上に述べた製造条件を適用すれば良い。
子の基板への平均の入射方向とのなす鋭角として定義し
たが、２源蒸着法の場合には、膜の法線方向とＣＯ蒸発
原子の基板への平均の入射方向とのなす鋭角を入射角と
定義し、以上に述べた製造条件を適用すれば良い。
以上のように、本発明によれば真空蒸着法によりＣｏ−
０ｒ垂直磁化膜を容易に得ることができる。
０ｒ垂直磁化膜を容易に得ることができる。
第１図は本発明における真空蒸着の一例を示すだめの図
、第２図、第３図、第４図、第６図は本発明の詳細な説
明するための図で、このうち第２一 げそｏ−Ｃｒ蒸着膜のヒステリシス曲線を示す図、第３
図はＨＡ−４πＭｓ とψ２との関係を示す図、第４図
はＨＡ−４πＭＢ とψ１との関係を示す図、第５図は
ηとψ１との関係を示す図である。第６図、は本発明に
おける真空蒸着の他の例を示すための図である。 １１Ｉ・・・・・基板、２Φ軸・・・キャン、６・＠＠
ａ＠・マスク、６・・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 磁１’１−（Ｋｏｅ） 第３図 第４図
、第２図、第３図、第４図、第６図は本発明の詳細な説
明するための図で、このうち第２一 げそｏ−Ｃｒ蒸着膜のヒステリシス曲線を示す図、第３
図はＨＡ−４πＭｓ とψ２との関係を示す図、第４図
はＨＡ−４πＭＢ とψ１との関係を示す図、第５図は
ηとψ１との関係を示す図である。第６図、は本発明に
おける真空蒸着の他の例を示すための図である。 １１Ｉ・・・・・基板、２Φ軸・・・キャン、６・＠＠
ａ＠・マスク、６・・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 磁１’１−（Ｋｏｅ） 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）磁化容易軸が膜面に垂直方向にあるＣｏとＣｒを
主成分とする磁性層を移動しつつある基板上に真空蒸着
法により形成するに際し、上記磁性層形成初期における
蒸発原子の一ト記基板に対する入射角が６０度以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - （２）入射角が６０度以下でかつ３６度以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923282A JPS58137134A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP19820104203 EP0066146B1 (en) | 1981-05-15 | 1982-05-13 | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| DE8282104203T DE3280144D1 (de) | 1981-05-15 | 1982-05-13 | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers. |
| US06/549,633 US4547398A (en) | 1981-05-15 | 1983-11-04 | Method for manufacturing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923282A JPS58137134A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137134A true JPS58137134A (ja) | 1983-08-15 |
Family
ID=11993632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1923282A Pending JPS58137134A (ja) | 1981-05-15 | 1982-02-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236732A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0732832A (ja) * | 1991-03-12 | 1995-02-03 | Jidosha Buhin Kogyo Kk | リヤ・サスペンション |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1923282A patent/JPS58137134A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236732A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0732832A (ja) * | 1991-03-12 | 1995-02-03 | Jidosha Buhin Kogyo Kk | リヤ・サスペンション |
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