JPS58102335A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58102335A JPS58102335A JP20221581A JP20221581A JPS58102335A JP S58102335 A JPS58102335 A JP S58102335A JP 20221581 A JP20221581 A JP 20221581A JP 20221581 A JP20221581 A JP 20221581A JP S58102335 A JPS58102335 A JP S58102335A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- base
- mask
- evaporated atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては、磁化容易軸が膜面に
垂直な方向と平行な記録媒体が必要となる。このような
媒体に信号を記録すると、残留磁化は媒体の膜面に垂直
な方向を向き、信号が短波長になるほど媒体内反磁界は
減少し、優れた再生出力が得られる。
方式がある。この方式においては、磁化容易軸が膜面に
垂直な方向と平行な記録媒体が必要となる。このような
媒体に信号を記録すると、残留磁化は媒体の膜面に垂直
な方向を向き、信号が短波長になるほど媒体内反磁界は
減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
にあるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、膜面に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層をスパッタ
リング法により形成したものである。ＣｏとＣｒを主成
分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０重置部以下の
範囲では結晶あ 系が稠密六方構造で寺り、そのＣ軸を膜面に対して垂直
方向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁
界が反磁界よりも太きくなるまで飽和磁化を低下させる
ことが可能であるので、垂直磁化膜を実現できる。
にあるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、膜面に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層をスパッタ
リング法により形成したものである。ＣｏとＣｒを主成
分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０重置部以下の
範囲では結晶あ 系が稠密六方構造で寺り、そのＣ軸を膜面に対して垂直
方向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁
界が反磁界よりも太きくなるまで飽和磁化を低下させる
ことが可能であるので、垂直磁化膜を実現できる。
しかし、スパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅い
ので、低コスー・で垂直磁化膜を生産するこ々が困難で
ある。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオンブ
レーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する
方法も含む）によれば、数１００ＯＡ／秒という速い形
成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることを、発明
者らは見／Ｊｊ Ｉ、た。
ので、低コスー・で垂直磁化膜を生産するこ々が困難で
ある。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオンブ
レーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する
方法も含む）によれば、数１００ＯＡ／秒という速い形
成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることを、発明
者らは見／Ｊｊ Ｉ、た。
真空蒸着法においては、基板を円筒状キャンの周側面に
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産性よく得られる。
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産性よく得られる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。基板１は円筒状キャン２に沿って矢印への方向へ走
行する。蒸着源７と円筒状キャン２との間にはマスク５
，６が配置されており、蒸発原子はそのスリン）Ｓを通
って基板１の表面に付着する。なお、マスク６は膜形成
初期における蒸発原子の高入射成分を遮蔽し、マスク６
は膜形成後期における蒸発原子の高入射成分を遮蔽する
。
す。基板１は円筒状キャン２に沿って矢印への方向へ走
行する。蒸着源７と円筒状キャン２との間にはマスク５
，６が配置されており、蒸発原子はそのスリン）Ｓを通
って基板１の表面に付着する。なお、マスク６は膜形成
初期における蒸発原子の高入射成分を遮蔽し、マスク６
は膜形成後期における蒸発原子の高入射成分を遮蔽する
。
３．４はそれぞれ基板１の供給ロールおよび巻取りロー
ルである。
ルである。
Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜が垂直磁化膜になるためには、稠密六
方構造のＣ軸が膜面に垂直な方向に配向し、垂直方向の
異方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である
。すなわち、膜の垂直異方性定数Ｋｕが正になることが
必要である。そのためには、膜形成初期における蒸発原
子の高入射成分を遮蔽するマスク６と基板１との距離を
限定する必要があることが発明者らの実験により明らか
になっだ。
方構造のＣ軸が膜面に垂直な方向に配向し、垂直方向の
異方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である
。すなわち、膜の垂直異方性定数Ｋｕが正になることが
必要である。そのためには、膜形成初期における蒸発原
子の高入射成分を遮蔽するマスク６と基板１との距離を
限定する必要があることが発明者らの実験により明らか
になっだ。
本発明はマスクと基板との距離を限定することにより、
移動しつつある基板上に真空蒸着法により、Ｃｏ −Ｃ
ｒ垂直磁化膜を形成する方法を提供するものである。
移動しつつある基板上に真空蒸着法により、Ｃｏ −Ｃ
ｒ垂直磁化膜を形成する方法を提供するものである。
以下、その詳細について、図面を用いて説明する。
第１図に示すψは膜形成初期における蒸発原子の入射角
（膜の法線方向と基板への蒸発原子の平均の入射方向と
のなす鋭角を入射角と呼ぶ）、および膜形成後期におけ
る蒸発原子の入射角を示す。
（膜の法線方向と基板への蒸発原子の平均の入射方向と
のなす鋭角を入射角と呼ぶ）、および膜形成後期におけ
る蒸発原子の入射角を示す。
丑だ、ｔｌ およびｔ２は、それぞれ、膜形成初期にお
ける蒸発原子の高入射成分すなわちψの大きな成分を遮
蔽するマスク６と基板１との距離、および膜形成後期に
おける蒸発原子の高入射成分を遮蔽するマスク６と基板
１との距離である。
ける蒸発原子の高入射成分すなわちψの大きな成分を遮
蔽するマスク６と基板１との距離、および膜形成後期に
おける蒸発原子の高入射成分を遮蔽するマスク６と基板
１との距離である。
１１＝１２＝１ としてｌを変化させて、Ｃｏ−Ｃｒ
蒸着膜を作製した場合の膜の垂直異方性定数Ｋｕを測定
した結果を第２図および第３図に示す。垂直異方性定数
Ｋｕはトルク法にて測定した。Ｋｕの値が正であればＣ
ｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜であり、負であれば面内方
向が磁化容易軸になる。
蒸着膜を作製した場合の膜の垂直異方性定数Ｋｕを測定
した結果を第２図および第３図に示す。垂直異方性定数
Ｋｕはトルク法にて測定した。Ｋｕの値が正であればＣ
ｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜であり、負であれば面内方
向が磁化容易軸になる。
第２図はψをパラメータとして、Ｋｕ とｔとの関係を
示している。ψが５°以下の場合には、Ｋｕとｔとの関
係は曲線８のようになり、ψが１００および１６°の場
合にはそれぞれ曲線９，１０のようになる。これから、
ψが小さいほどＫｕが大きくなり、寸だｌが大きくなる
とＫｕは小さくなることがわかる。ψが６°以下の場合
には、ｔが１２１！１１以下であれば、Ｋｕが正となり
、垂直磁化膜となるが、ｔが１２備を超えるとＫｕは負
になってしまい、垂直磁化膜にならない。ψが１ｏ０、
および１５°の場合には、それぞれｌが１１ｃｍ以下、
８目以下であれば、垂直磁化膜になる。以上のように、
Ｋｕがｔに依存する原因は蒸発原子のまわり込みにある
ものと考えられる。なお、第２図は蒸着時の基板温度を
３６０℃に保持して行なった実験結果である。
示している。ψが５°以下の場合には、Ｋｕとｔとの関
係は曲線８のようになり、ψが１００および１６°の場
合にはそれぞれ曲線９，１０のようになる。これから、
ψが小さいほどＫｕが大きくなり、寸だｌが大きくなる
とＫｕは小さくなることがわかる。ψが６°以下の場合
には、ｔが１２１！１１以下であれば、Ｋｕが正となり
、垂直磁化膜となるが、ｔが１２備を超えるとＫｕは負
になってしまい、垂直磁化膜にならない。ψが１ｏ０、
および１５°の場合には、それぞれｌが１１ｃｍ以下、
８目以下であれば、垂直磁化膜になる。以上のように、
Ｋｕがｔに依存する原因は蒸発原子のまわり込みにある
ものと考えられる。なお、第２図は蒸着時の基板温度を
３６０℃に保持して行なった実験結果である。
第３図は蒸着時の基板温度をパラメータとした場合のＫ
ｕとｔの関係を示している。図の曲線１１゜１２．１３
の基板温度はそれぞれ１００℃、２５０℃、３５０℃で
ある。基板温度が１００℃、２５０℃。
ｕとｔの関係を示している。図の曲線１１゜１２．１３
の基板温度はそれぞれ１００℃、２５０℃、３５０℃で
ある。基板温度が１００℃、２５０℃。
３５０℃の場合には、それぞれｔが５ ＣＩＲ以下、９
０以下、１１Ｃｊｌ以下であれば、垂直磁化膜に々る。
０以下、１１Ｃｊｌ以下であれば、垂直磁化膜に々る。
なお、第３図はψが１０°の場合の実験結果である。基
板温度を３５０℃以上にすると、蒸着膜のＫｕは３５０
℃の場合よりも小さくなる。したがってＣｏ −Ｃｒ垂
直磁化膜を形成するためには、ｌを１２ｃｍ以下にする
ことが必要である。以上は１１＝１．２＝１ とした
場合の結果であるが、ｔｌを１２ａ以下にすればｔ２を
１２ＣＩＩ＋以上にしても、上述とほぼ同等の結果が得
られた。したがってｔｌを１２ｃｍ以下にすれば垂直磁
化膜が得られる。
板温度を３５０℃以上にすると、蒸着膜のＫｕは３５０
℃の場合よりも小さくなる。したがってＣｏ −Ｃｒ垂
直磁化膜を形成するためには、ｌを１２ｃｍ以下にする
ことが必要である。以上は１１＝１．２＝１ とした
場合の結果であるが、ｔｌを１２ａ以下にすればｔ２を
１２ＣＩＩ＋以上にしても、上述とほぼ同等の結果が得
られた。したがってｔｌを１２ｃｍ以下にすれば垂直磁
化膜が得られる。
ｔｌ、ｔ２の下限値は基板１がマスク６．６に接触しな
い程度の大きさであればよい。
い程度の大きさであればよい。
以上、基板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させつ
つ薄膜の形成を行なう場合について述べだが、第４図に
示すように基板１を平板１４に沿って移動させつつ薄膜
の形成を行なう場合についても同様のことが言える。す
なわち、この場合も７ ｔｌ を１２ＣＩＩ＋以下にすることによりＣｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜が得られる。なお、第２図の構成と対応す
る部分には同じ符号を付している。
つ薄膜の形成を行なう場合について述べだが、第４図に
示すように基板１を平板１４に沿って移動させつつ薄膜
の形成を行なう場合についても同様のことが言える。す
なわち、この場合も７ ｔｌ を１２ＣＩＩ＋以下にすることによりＣｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜が得られる。なお、第２図の構成と対応す
る部分には同じ符号を付している。
以上のように、本発明の方法は、膜形成初期における蒸
発原子の基板への高入射成分を遮蔽するマスクと基板と
の距離を１２Ｃ諺以下に保持して、移動している基板上
に真空蒸着することにより垂直異方性定数の大きな磁性
層を形成することができる。
発原子の基板への高入射成分を遮蔽するマスクと基板と
の距離を１２Ｃ諺以下に保持して、移動している基板上
に真空蒸着することにより垂直異方性定数の大きな磁性
層を形成することができる。
第１図は本発明の方法を実施するだめの真空蒸着装置の
内部の構造の一例を示す図、第２図および第３図は本発
明の方法による効果を説明するための図、第４図は本発
明の方法を実施するだめの真空蒸着装置の内部の構造の
他の例を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
，６・・・・・・マスク、７・・・・・・蒸発源、１４
・・・・・・平板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３（！Ｉ 第４図
内部の構造の一例を示す図、第２図および第３図は本発
明の方法による効果を説明するための図、第４図は本発
明の方法を実施するだめの真空蒸着装置の内部の構造の
他の例を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
，６・・・・・・マスク、７・・・・・・蒸発源、１４
・・・・・・平板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３（！Ｉ 第４図
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあるＣＯとＣｒを主成分
とする磁性層を、移動しつつある基板」二に真空蒸着法
により形成する際に、膜形成初期における蒸発原子の高
入射成分を遮蔽するマスクと基板との距離が１２ｃｍ以
下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221581A JPS58102335A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP19820104203 EP0066146B1 (en) | 1981-05-15 | 1982-05-13 | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| DE8282104203T DE3280144D1 (de) | 1981-05-15 | 1982-05-13 | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221581A JPS58102335A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102335A true JPS58102335A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16453863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20221581A Pending JPS58102335A (ja) | 1981-05-15 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837480A1 (en) * | 1996-10-15 | 1998-04-22 | Unitika Ltd. | Magnetic device, and process and apparatus for producing the same |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20221581A patent/JPS58102335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837480A1 (en) * | 1996-10-15 | 1998-04-22 | Unitika Ltd. | Magnetic device, and process and apparatus for producing the same |
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