JPS5870430A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5870430A JPS5870430A JP16842781A JP16842781A JPS5870430A JP S5870430 A JPS5870430 A JP S5870430A JP 16842781 A JP16842781 A JP 16842781A JP 16842781 A JP16842781 A JP 16842781A JP S5870430 A JPS5870430 A JP S5870430A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- recording medium
- film
- magnetic recording
- manufacture
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
一般に短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂
直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂
直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜
面に垂直方向を向き、従って信号がろ波長になる程媒体
内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
面に垂直方向を向き、従って信号がろ波長になる程媒体
内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、例え
ばＣＯとＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有す
る磁性層（以下この磁性層をＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜と呼
ぶ）をスパッタリング法により形成したものである。Ｃ
ｏ とＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約
３０重量係以下の範囲ては結晶系が稠密六方構造であり
、そのＣ’ＩＩＩを膜面に対して垂直方向に配向させる
ことができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも
大きく々る捷で飽和磁化を低下させることが可能なので
垂直磁化膜を実現できる。
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、例え
ばＣＯとＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有す
る磁性層（以下この磁性層をＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜と呼
ぶ）をスパッタリング法により形成したものである。Ｃ
ｏ とＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約
３０重量係以下の範囲ては結晶系が稠密六方構造であり
、そのＣ’ＩＩＩを膜面に対して垂直方向に配向させる
ことができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも
大きく々る捷で飽和磁化を低下させることが可能なので
垂直磁化膜を実現できる。
しかしスパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いの
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困）！１ｔ
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化す
る方法も含む）によれば、数１０００Ａ／秒という速い
形成速度でＣｏ −Ｃｒ垂直磁化１；ｊ：が？Ｕられる
ことか本発明者により見い（イＪ。
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困）！１ｔ
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化す
る方法も含む）によれば、数１０００Ａ／秒という速い
形成速度でＣｏ −Ｃｒ垂直磁化１；ｊ：が？Ｕられる
ことか本発明者により見い（イＪ。
された。Ｊ′Ｃ空蒸着法においては基板を円筒状キャン
の周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行々うと
テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性良く得られる。
の周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行々うと
テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性良く得られる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。図に示すように基板１は円筒状キャン２に沿って矢
印Ａの向きに走行する。ＣｏとＣｒを蒸発させる蒸発源
６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配置されてお
り、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。
す。図に示すように基板１は円筒状キャン２に沿って矢
印Ａの向きに走行する。ＣｏとＣｒを蒸発させる蒸発源
６と円筒状キャン２との間にはマスク６が配置されてお
り、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。
３゜４はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロール
である。
である。
第１図の装置において基板温度が３ｏ〜３０ｏ℃の範囲
で実験を行なった結果、基板温度が高い程特性の優れた
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることが明らかになった
。第２図にＣｏ −Ｃｒ蒸着膜の保磁力Ｈｃ及び垂直異
方性定数Ｋｕと蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂとの関係の１
例を示す。ただし曲線７は膜面に垂直方向の保磁力ＨＣ
ＪＬであり、曲線８は膜面内の保磁力Ｈｃ ｕ であ
る。曲線９はトルク法により測定したＫｕを表わしてお
り、この値が正であればＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜
であり、負であれば面内方向に磁化容易軸を有する面内
磁化膜になる。捷たＫｕの正の値及びＨｃ↓が大きい程
、膜面に垂直方向に異方性の強い特性の優れた膜になる
。なお第２図のＣｏ−Ｃｒ膜の組成はＣｒが２０重量係
、膜厚は１０００人、蒸着レートば４０００人／秒であ
るが、これらが異なる条件でＣｏ−Ｃｒ膜を作成しても
第２図と同様の傾向が得られる。
で実験を行なった結果、基板温度が高い程特性の優れた
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることが明らかになった
。第２図にＣｏ −Ｃｒ蒸着膜の保磁力Ｈｃ及び垂直異
方性定数Ｋｕと蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂとの関係の１
例を示す。ただし曲線７は膜面に垂直方向の保磁力ＨＣ
ＪＬであり、曲線８は膜面内の保磁力Ｈｃ ｕ であ
る。曲線９はトルク法により測定したＫｕを表わしてお
り、この値が正であればＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜
であり、負であれば面内方向に磁化容易軸を有する面内
磁化膜になる。捷たＫｕの正の値及びＨｃ↓が大きい程
、膜面に垂直方向に異方性の強い特性の優れた膜になる
。なお第２図のＣｏ−Ｃｒ膜の組成はＣｒが２０重量係
、膜厚は１０００人、蒸着レートば４０００人／秒であ
るが、これらが異なる条件でＣｏ−Ｃｒ膜を作成しても
第２図と同様の傾向が得られる。
以上の如く蒸着時の基板温度を高くすれば、特性の優れ
たＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られるわけであるが、第１
図に示す様な真空蒸着装置によりテープ状の媒体を量産
する際にはキャン２の直径。
たＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られるわけであるが、第１
図に示す様な真空蒸着装置によりテープ状の媒体を量産
する際にはキャン２の直径。
幅をそれぞれ少々くとも５０ｃＩｌ＋及び３０ｃｍ程度
にすることが必要である。しかしこの程度の大きさのキ
ャンの温度を２０ｏ℃以上にすることは極めて困難であ
る。本発明は以上のような点に鑑みなされたもので、キ
ャンの温度を上げることなく、基板表面の温度のみを上
げることにより、特性の優れた垂直磁化膜を得る方法を
提供するものである。
にすることが必要である。しかしこの程度の大きさのキ
ャンの温度を２０ｏ℃以上にすることは極めて困難であ
る。本発明は以上のような点に鑑みなされたもので、キ
ャンの温度を上げることなく、基板表面の温度のみを上
げることにより、特性の優れた垂直磁化膜を得る方法を
提供するものである。
第３図及び第４図を用いて本発明の一実施例を５ 、Ｈ
−： 説明する。第３図に本発明の方法の１例を示すように、
キャン２とマスク６との間に光源としての例えばハロゲ
ンランプ１ｏ及び集光器１１が配置されている。ハロゲ
ンランプ１０の発する光は集光器１１により集光されて
基板１を照射し、基板表面における蒸発原子が付着する
部分あるいはその近傍を加熱する。これによって基板表
面の温度が上昇し、キャンの温度を上げたことと同様の
効果が得られる。
−： 説明する。第３図に本発明の方法の１例を示すように、
キャン２とマスク６との間に光源としての例えばハロゲ
ンランプ１ｏ及び集光器１１が配置されている。ハロゲ
ンランプ１０の発する光は集光器１１により集光されて
基板１を照射し、基板表面における蒸発原子が付着する
部分あるいはその近傍を加熱する。これによって基板表
面の温度が上昇し、キャンの温度を上げたことと同様の
効果が得られる。
本方法により作成したＣｏ−Ｃｒ膜のＨａ及びＫｕと蒸
着時にハロゲンランプに供給する電力との関係の１例を
第４図に示す。曲線１２．１３はそれぞれＨａ上及びＨ
Ｃ７ｌ２曲線１４はＫｕである。ただし蒸着時のキャン
２の温度は３０℃、組成はＣｒが２０重量係、膜厚は１
０００人、蒸着レートは４０００八／秒であり、これら
が異なる条件で膜を作成しても第４図と同様の傾向が得
られる。なお１’は耐熱性のあるポリイミドフィルムを
用いる。
着時にハロゲンランプに供給する電力との関係の１例を
第４図に示す。曲線１２．１３はそれぞれＨａ上及びＨ
Ｃ７ｌ２曲線１４はＫｕである。ただし蒸着時のキャン
２の温度は３０℃、組成はＣｒが２０重量係、膜厚は１
０００人、蒸着レートは４０００八／秒であり、これら
が異なる条件で膜を作成しても第４図と同様の傾向が得
られる。なお１’は耐熱性のあるポリイミドフィルムを
用いる。
第４図より明らかなようにハロゲンランプに供給する電
力を３００Ｗ以上にするとＫｕが正になり垂直磁化膜が
得られることがわかる。さらに電力を５００Ｗ以上にす
るとＨｃｒは６０００ｅ以上となり、特性の優れた垂直
磁化膜が得られる。
力を３００Ｗ以上にするとＫｕが正になり垂直磁化膜が
得られることがわかる。さらに電力を５００Ｗ以上にす
るとＨｃｒは６０００ｅ以上となり、特性の優れた垂直
磁化膜が得られる。
以上の様に本発明の方法にょシ垂直磁化膜を作成すれば
、キャンの温度を上げることなく特性の優れた膜が得ら
れる。さらに本発明の方法によれば、基板全体の温度を
上げることなく基板表面のみを上げて膜を形成するので
、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性の悪い基板上
にも垂直磁化膜を容易に形成しうる。
、キャンの温度を上げることなく特性の優れた膜が得ら
れる。さらに本発明の方法によれば、基板全体の温度を
上げることなく基板表面のみを上げて膜を形成するので
、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性の悪い基板上
にも垂直磁化膜を容易に形成しうる。
第１図は通常の磁気記録媒体の製造において用いられる
真空蒸着装置の内部を示す図、第２図は真空蒸着法によ
り得られたＣｏ−Ｃｒ膜のＨａ及びＫｕと蒸着時の基板
温度との関係の１例を示す図、第３図は本発明による磁
気記録媒体の製造方法の１例を示す図、第４図は本発明
により得られたＣｏ−Ｃｒ膜のＨａ及びＫｕと蒸着時に
ハロゲンランプに供給する電力との関係の１例を示す図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・キャン、５・・・
・・・マスク、６・・・・蒸発源、１ｏ・旧・・ハロケ
ンランプ、１１・旧・・集光器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 陣暇。 第２図 Ｔδｕｂｃ”ｃ） 敏 綜 １７３− （Ｄ：、しｙｌＪ石ン神ｘ）ｎジ〆 （θのりＨ
真空蒸着装置の内部を示す図、第２図は真空蒸着法によ
り得られたＣｏ−Ｃｒ膜のＨａ及びＫｕと蒸着時の基板
温度との関係の１例を示す図、第３図は本発明による磁
気記録媒体の製造方法の１例を示す図、第４図は本発明
により得られたＣｏ−Ｃｒ膜のＨａ及びＫｕと蒸着時に
ハロゲンランプに供給する電力との関係の１例を示す図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・キャン、５・・・
・・・マスク、６・・・・蒸発源、１ｏ・旧・・ハロケ
ンランプ、１１・旧・・集光器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 陣暇。 第２図 Ｔδｕｂｃ”ｃ） 敏 綜 １７３− （Ｄ：、しｙｌＪ石ン神ｘ）ｎジ〆 （θのりＨ
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にある磁性層を蒸着法によ
り円筒状キャンの周側面に沿って移動しつつある基板」
二に形成する際に、前記基板表面の蒸発原子が付着する
部分を光によって加熱することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842781A JPS5870430A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842781A JPS5870430A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870430A true JPS5870430A (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=15867914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16842781A Pending JPS5870430A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870430A (ja) |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16842781A patent/JPS5870430A/ja active Pending
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