JPS58125236A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58125236A JPS58125236A JP705982A JP705982A JPS58125236A JP S58125236 A JPS58125236 A JP S58125236A JP 705982 A JP705982 A JP 705982A JP 705982 A JP705982 A JP 705982A JP S58125236 A JPS58125236 A JP S58125236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- substrate
- depositing
- sec
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜。
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜。
を介して、ＣＯとＯｒを主成分とし垂直方向に磁化容易
軸を有する磁性層をスパッタリング法により形成したも
のである。ＧｏとＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｏ
ｒの量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方
構造であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向さ
せることができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よ
りも大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能な
ので垂直磁化膜を実現できる。
軸を有する磁性層をスパッタリング法により形成したも
のである。ＧｏとＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｏ
ｒの量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方
構造であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向さ
せることができ、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よ
りも大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能な
ので垂直磁化膜を実現できる。
しかしスパッタリング法は磁性薄膜の析出速度が遅いの
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。スパッタリング法に対し、電子ビーム蒸発源を用いた
真空蒸着法（イオンブレーティング法のように蒸発原子
の一部をイオン化する方法も含む）によれば、数１００
０人／秒という速い析出速度でＧ ｏ −Ｏｒ垂直磁化
膜が得られることが本発明者により見い出された。真空
蒸着法においては基板を円筒状キャンの周側面に沿って
移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂直記
録媒体が非常に生産性良く得られる。第１図にこのよう
な真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。図に示すよう
に基板１は円筒状キャン２に沿って矢印Ａの向きに走行
する。ｃｏとＯｒを蒸発させる電子ビーム蒸発源６と円
筒状キャン２との間にはマスク５が配置されており、蒸
発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。３，４
はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロールである
。また電子ビーム蒸発源６は蒸発物質８を入れる水冷銅
・・−スフ及び蒸発物質８を加熱し蒸発させるための電
子銃９から成っている。１０は電子銃９から放射される
電子ビームである。
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。スパッタリング法に対し、電子ビーム蒸発源を用いた
真空蒸着法（イオンブレーティング法のように蒸発原子
の一部をイオン化する方法も含む）によれば、数１００
０人／秒という速い析出速度でＧ ｏ −Ｏｒ垂直磁化
膜が得られることが本発明者により見い出された。真空
蒸着法においては基板を円筒状キャンの周側面に沿って
移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂直記
録媒体が非常に生産性良く得られる。第１図にこのよう
な真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。図に示すよう
に基板１は円筒状キャン２に沿って矢印Ａの向きに走行
する。ｃｏとＯｒを蒸発させる電子ビーム蒸発源６と円
筒状キャン２との間にはマスク５が配置されており、蒸
発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。３，４
はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロールである
。また電子ビーム蒸発源６は蒸発物質８を入れる水冷銅
・・−スフ及び蒸発物質８を加熱し蒸発させるための電
子銃９から成っている。１０は電子銃９から放射される
電子ビームである。
第１図に示される真空蒸着装置においてスリット幅Ｓを
５ Ｃｍ ＋基板の送り速度’１１０ｍ／分、蒸発物質
８の表面と基板１の蒸着される部分との距離を１０ｃｍ
（電子ビーム蒸発源を使用する場合には、蒸発源の構造
、マスクの大きさ等の原因により、１０．Ｃｍ以下にす
ることは困難である）、キャン２の温度を１６０℃とし
、基板として厚み１２μｍのポリアミド系の耐熱性菌分
子基板を使用して、Ｇｏ−Ｏｒ膜を作成すると垂直磁化
膜が得ら７１る。ところが得られたＧｏ−Ｏｒｒ垂直磁
化膜膜面に垂直方向の保磁力Ｈｃ上を測定す。ると、膜
の長さ方向に一定ではなく、第２図に示す様な落ち込み
があることが明らかになった。Ｈｃ土が変動すると信号
を記録再生した場合の出力も変動し好ましくない。本発
明はＨａ上の変動がなく、また表面性の良い垂直磁化膜
を作成する方法を提供するものである。以下に本発明の
説明を行う。
５ Ｃｍ ＋基板の送り速度’１１０ｍ／分、蒸発物質
８の表面と基板１の蒸着される部分との距離を１０ｃｍ
（電子ビーム蒸発源を使用する場合には、蒸発源の構造
、マスクの大きさ等の原因により、１０．Ｃｍ以下にす
ることは困難である）、キャン２の温度を１６０℃とし
、基板として厚み１２μｍのポリアミド系の耐熱性菌分
子基板を使用して、Ｇｏ−Ｏｒ膜を作成すると垂直磁化
膜が得ら７１る。ところが得られたＧｏ−Ｏｒｒ垂直磁
化膜膜面に垂直方向の保磁力Ｈｃ上を測定す。ると、膜
の長さ方向に一定ではなく、第２図に示す様な落ち込み
があることが明らかになった。Ｈｃ土が変動すると信号
を記録再生した場合の出力も変動し好ましくない。本発
明はＨａ上の変動がなく、また表面性の良い垂直磁化膜
を作成する方法を提供するものである。以下に本発明の
説明を行う。
実験の結果、Ｈｃ↓の長さ方向の変動には膜の析出速度
が影響を及ぼしていることが明らかになった。すなわち
蒸発源として電子ビーム蒸発源を使用すると、電子銃に
供給する電力を増加し膜の析出速度を高くすると蒸発原
子が放電状態になる。
が影響を及ぼしていることが明らかになった。すなわち
蒸発源として電子ビーム蒸発源を使用すると、電子銃に
供給する電力を増加し膜の析出速度を高くすると蒸発原
子が放電状態になる。
この放電状態にてＧｏ−Ｏｒ膜を析出させると、膜のＨ
ＣＪＬは大きくなるが、放電状態にない時に膜を析出さ
せるとＨａｐは大きくならなかった。すなわちＨａ上の
大きな、特性の優れたＧｏ−Ｏｒｒ垂直磁化膜蒸発原子
が放電状態にある時に得られる。ところが膜の析出速度
が０６μｍ／秒程度までは蒸発原子が放電状態になって
も不安定であり、従って長尺のＧｏ−Ｏｒ膜を作成した
場合に膜の長さ方向にＨｃｈの変動するＧｏ−Ｏｒｒ垂
直磁化膜できる。
ＣＪＬは大きくなるが、放電状態にない時に膜を析出さ
せるとＨａｐは大きくならなかった。すなわちＨａ上の
大きな、特性の優れたＧｏ−Ｏｒｒ垂直磁化膜蒸発原子
が放電状態にある時に得られる。ところが膜の析出速度
が０６μｍ／秒程度までは蒸発原子が放電状態になって
も不安定であり、従って長尺のＧｏ−Ｏｒ膜を作成した
場合に膜の長さ方向にＨｃｈの変動するＧｏ−Ｏｒｒ垂
直磁化膜できる。
これに対し析出速度を０．６６μｍ／秒以上にすると蒸
発原子の放電状態が安定になることが明らかになった。
発原子の放電状態が安定になることが明らかになった。
従って析出速度をｏ、６６μｍ／秒以上にすることによ
りＨｃ↓の安定なＣｏ−Ｏｒ垂直磁化膜が得られる。以
上の様に長さ方向に安定なＨｃ＋を有する長尺のＣｏ
−ｃｒ 垂直磁化膜を得るためには、膜の析出速度を０
．６６μｍ／秒以上にすることが好ましい。たたし膜の
析出速度を上げるために電子銃に供給する電力を大きく
していくと、蒸発物質がバブリング状態になるために、
Ｇｏ−Ｏｒの小さな粒子が蒸発源から飛び出し、これが
基板に付着する。このような粒子が基板に付着すると基
板に穴あるいは突起が生じ表面性が悪くなる。
りＨｃ↓の安定なＣｏ−Ｏｒ垂直磁化膜が得られる。以
上の様に長さ方向に安定なＨｃ＋を有する長尺のＣｏ
−ｃｒ 垂直磁化膜を得るためには、膜の析出速度を０
．６６μｍ／秒以上にすることが好ましい。たたし膜の
析出速度を上げるために電子銃に供給する電力を大きく
していくと、蒸発物質がバブリング状態になるために、
Ｇｏ−Ｏｒの小さな粒子が蒸発源から飛び出し、これが
基板に付着する。このような粒子が基板に付着すると基
板に穴あるいは突起が生じ表面性が悪くなる。
このような部分は、信号を記録再生した際にドロップア
ウトの原因となり、磁気記録媒体としての使用は不可能
である。実際の結果、膜の析出速度を６μｍ／秒以上に
すると蒸発物質がバブリング状態になることが明らかに
なった。従って析出速度を６μｍ／秒以下にすることが
必要である。
ウトの原因となり、磁気記録媒体としての使用は不可能
である。実際の結果、膜の析出速度を６μｍ／秒以上に
すると蒸発物質がバブリング状態になることが明らかに
なった。従って析出速度を６μｍ／秒以下にすることが
必要である。
以上に説明したように本発明の製造方法によれば表面性
の艮いＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が安定に得られる。
の艮いＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が安定に得られる。
垂直方向の保持力ＨＣ上の長さ方向の変動の１例を示す
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・キャン、６・・・
・・・マスク、６・・・・・・蒸発源。
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・キャン、６・・・
・・・マスク、６・・・・・・蒸発源。
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあるＣＯとＯｒを主成分
とする磁性層を電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着法に
よシ基板上に形成する際に、該磁性層の析出速度が０．
６６μｍ／秒以上６μｍ／秒以下であることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705982A JPS58125236A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705982A JPS58125236A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125236A true JPS58125236A (ja) | 1983-07-26 |
Family
ID=11655489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP705982A Pending JPS58125236A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283029A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Tdk Corp | 磁気記録媒体製造用磁性合金材料および磁気記録媒体の製造方法 |
| US5105136A (en) * | 1988-06-23 | 1992-04-14 | Fanuc Ltd. | Structure of shaft supporter in industrial robot |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP705982A patent/JPS58125236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283029A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Tdk Corp | 磁気記録媒体製造用磁性合金材料および磁気記録媒体の製造方法 |
| US5105136A (en) * | 1988-06-23 | 1992-04-14 | Fanuc Ltd. | Structure of shaft supporter in industrial robot |
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