JPS6357856B2 - - Google Patents
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- JPS6357856B2 JPS6357856B2 JP55159290A JP15929080A JPS6357856B2 JP S6357856 B2 JPS6357856 B2 JP S6357856B2 JP 55159290 A JP55159290 A JP 55159290A JP 15929080 A JP15929080 A JP 15929080A JP S6357856 B2 JPS6357856 B2 JP S6357856B2
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- Japan
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- film
- filling factor
- magnetic
- magnetic recording
- recording medium
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、残留磁化が媒体の法線方向を向くこ
とにより優れた短波長記録特性を有する垂直型磁
気記録に特に好適な磁気記録媒体に関する。
とにより優れた短波長記録特性を有する垂直型磁
気記録に特に好適な磁気記録媒体に関する。
従来、第１図に示すようなリング形磁気ヘツド
による磁気記録再生方式が一般に用いられてい
た。図中、１は磁気記録媒体であり、基板２上に
形成された水平方向（矢印の方向）に磁化容易軸
を有する磁性層３から構成されている。４は記録
再生用リング形磁気ヘツドであり、励磁巻線５に
信号電流が流れることにより、前記矢印のように
膜面に水平な向きに磁性層３を磁化し、信号を記
録する。この方式では残留磁化の方向が膜面に水
平であるために、信号が短波長になると媒体内反
磁界が増加し、再生出力は著しく低下する。
による磁気記録再生方式が一般に用いられてい
た。図中、１は磁気記録媒体であり、基板２上に
形成された水平方向（矢印の方向）に磁化容易軸
を有する磁性層３から構成されている。４は記録
再生用リング形磁気ヘツドであり、励磁巻線５に
信号電流が流れることにより、前記矢印のように
膜面に水平な向きに磁性層３を磁化し、信号を記
録する。この方式では残留磁化の方向が膜面に水
平であるために、信号が短波長になると媒体内反
磁界が増加し、再生出力は著しく低下する。
これを改善するために残留磁化が媒体の垂直方
向を向く様な記録再生方式（以下この方式を垂直
記録方式という）が提案されている。これは第２
図に示す如く、膜の垂直方向（矢印方向）に磁化
容易軸を有する磁性薄膜７（以下これを垂直型磁
化膜という）を基板２上に形成した磁気記録媒体
６（以下これを垂直型記録媒体という）に、励磁
巻線５を有する強磁性薄膜８からなる垂直形磁気
ヘツド９にて信号を記録する方式である。この方
式では信号の記録された媒体の残留磁化の方向が
媒体の垂直方向にあるので、信号が短波長になる
程媒体内の反磁界は減少し優れた再生出力が得ら
れる。
向を向く様な記録再生方式（以下この方式を垂直
記録方式という）が提案されている。これは第２
図に示す如く、膜の垂直方向（矢印方向）に磁化
容易軸を有する磁性薄膜７（以下これを垂直型磁
化膜という）を基板２上に形成した磁気記録媒体
６（以下これを垂直型記録媒体という）に、励磁
巻線５を有する強磁性薄膜８からなる垂直形磁気
ヘツド９にて信号を記録する方式である。この方
式では信号の記録された媒体の残留磁化の方向が
媒体の垂直方向にあるので、信号が短波長になる
程媒体内の反磁界は減少し優れた再生出力が得ら
れる。
現在用いられている垂直型磁化膜７はCoとCr
を主成分とし、スパツタリング法によつて作成さ
れた金属薄膜である。CoとCrを主成分とするス
パツタ膜はCrの量が約30重量％以下の範囲では
結晶系が稠密六方構造であり、Ｃ軸を膜面に対し
て垂直方向に配向させることができ、かつ垂直方
向の結晶異方性磁界が反磁界よりも大きくなるま
で飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁
化膜を実現出来る。
を主成分とし、スパツタリング法によつて作成さ
れた金属薄膜である。CoとCrを主成分とするス
パツタ膜はCrの量が約30重量％以下の範囲では
結晶系が稠密六方構造であり、Ｃ軸を膜面に対し
て垂直方向に配向させることができ、かつ垂直方
向の結晶異方性磁界が反磁界よりも大きくなるま
で飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁
化膜を実現出来る。
しかしスパツタリング法は磁性薄膜の形成速度
が遅いので、低コストで垂直型磁化膜を生産する
ことが困難である。
が遅いので、低コストで垂直型磁化膜を生産する
ことが困難である。
このようなスパツタリング法に対し、真空蒸着
法（イオンプレーテイング法の様に蒸発原子の一
部をイオン化する方法も含む）によれば、薄膜形
成時の基板温度及びその他の製造条件を調整する
ことにより、数100〜数1000Å／秒という速い形
成速度で垂直型磁化膜が得られることが本発明者
により見い出された。真空蒸着法では蒸着時の雰
囲気、薄膜形成速度、基板温度あるいは蒸発原子
の励起およびイオン化の状態等の製造条件を変え
ることによつて、充填率ｘの異なる垂直型磁化膜
が容易に得られる。ここで、充填率ｘとは、磁化
膜の密度（ｇ／cm3）を、この膜と同じ組成を有す
る単結晶の密度（ｇ／cm3）で割つたものである。
法（イオンプレーテイング法の様に蒸発原子の一
部をイオン化する方法も含む）によれば、薄膜形
成時の基板温度及びその他の製造条件を調整する
ことにより、数100〜数1000Å／秒という速い形
成速度で垂直型磁化膜が得られることが本発明者
により見い出された。真空蒸着法では蒸着時の雰
囲気、薄膜形成速度、基板温度あるいは蒸発原子
の励起およびイオン化の状態等の製造条件を変え
ることによつて、充填率ｘの異なる垂直型磁化膜
が容易に得られる。ここで、充填率ｘとは、磁化
膜の密度（ｇ／cm3）を、この膜と同じ組成を有す
る単結晶の密度（ｇ／cm3）で割つたものである。
特に、垂直型磁化膜の磁気特性としては高保持
力（500ｅ以上）であることが要求され、さら
に実用特性として耐食性の良いことが要求され
る。本発明は充填率ｘを0.75≦ｘ≦0.95にするこ
とにより、高保持力でかつ優れた耐食性を有する
磁化膜を提供するものである。
力（500ｅ以上）であることが要求され、さら
に実用特性として耐食性の良いことが要求され
る。本発明は充填率ｘを0.75≦ｘ≦0.95にするこ
とにより、高保持力でかつ優れた耐食性を有する
磁化膜を提供するものである。
以下、本発明の実施例を第３図ないし第５図を
用いて説明する。
用いて説明する。
第３図は真空蒸着法により得られたCo−Cr垂
直型磁化膜の蒸着レートと充填率との関係を示す
ものである。ただし蒸着時の基板温度は30℃、真
空度は４×10-5Torrである、電子ビームにより
Co−Crインゴツトを加熱し蒸発させた。蒸着レ
ートが高い程、充填率は大きくなつている。
直型磁化膜の蒸着レートと充填率との関係を示す
ものである。ただし蒸着時の基板温度は30℃、真
空度は４×10-5Torrである、電子ビームにより
Co−Crインゴツトを加熱し蒸発させた。蒸着レ
ートが高い程、充填率は大きくなつている。
第４図は真空蒸着法により得られたCo−Cr垂
直型磁化膜の蒸着時の基板温度と充填率との関係
を示すものである。ただし、蒸着時の真空度は４
×10-5Torrであり、蒸着レートは1000Å／秒で
ある。また同様に電子ビームによりCo−Crイン
ゴツトを加熱し蒸発させた。蒸着時の基板温度が
高い程、充填率は小さくなつている。
直型磁化膜の蒸着時の基板温度と充填率との関係
を示すものである。ただし、蒸着時の真空度は４
×10-5Torrであり、蒸着レートは1000Å／秒で
ある。また同様に電子ビームによりCo−Crイン
ゴツトを加熱し蒸発させた。蒸着時の基板温度が
高い程、充填率は小さくなつている。
第５図は真空蒸着法により、製造条件を変えて
作成したCo−Cr垂直型磁化膜の充填率と膜面に
対し垂直方向の保磁力との関係を示すものであ
る。充填率が0.95以下では600ｅ以上の保磁力
を有し短波長記録特性の優れた垂直型磁化膜とな
るが、0.95以上になると保磁力が急激に低くな
り、その結果、電磁変換特性が悪くなり垂直型記
録媒体に適していない。なお、第５図はCrが20
重量％のCo−Cr垂直型磁化膜の場合であるが、
Crが20重量％以外のCo−Cr垂直型磁化膜であつ
ても同様の傾向を示すことは本発明者により実験
的に確認している。
作成したCo−Cr垂直型磁化膜の充填率と膜面に
対し垂直方向の保磁力との関係を示すものであ
る。充填率が0.95以下では600ｅ以上の保磁力
を有し短波長記録特性の優れた垂直型磁化膜とな
るが、0.95以上になると保磁力が急激に低くな
り、その結果、電磁変換特性が悪くなり垂直型記
録媒体に適していない。なお、第５図はCrが20
重量％のCo−Cr垂直型磁化膜の場合であるが、
Crが20重量％以外のCo−Cr垂直型磁化膜であつ
ても同様の傾向を示すことは本発明者により実験
的に確認している。
垂直型記録媒体が実用化されるためには、磁気
特性以外に耐食性も優れていなければならない。
特にVTR用の磁気記録媒体として使用する場合
には、わずかでも錆が発生するとその部分がドロ
ツプアウトになつたり、あるいは付着強度が弱く
なつて剥離してしまうために実用的使用が不可能
となる。そこで真空蒸着法により作成した充填率
の異なるCo−Cr垂直型磁化膜の耐食性を調べた
結果、充填率ｘが0.75以上であれば殆ど錆が発生
せず実用可能であることが本発明者により見い出
された。なお、耐食性を調べる実験は、試料を60
℃、90％の雰囲気中に１カ月間放置した後に表面
状態を顕微鏡で観察することにより行なつた。充
填率ｘが0.75未満のCo−Cr垂直型磁化膜は表面
に斑点状あるいは、まんだら状の錆が発生した
が、充填率ｘが0.75以上であれば錆は殆ど発生し
ないことを見い出したのである。
特性以外に耐食性も優れていなければならない。
特にVTR用の磁気記録媒体として使用する場合
には、わずかでも錆が発生するとその部分がドロ
ツプアウトになつたり、あるいは付着強度が弱く
なつて剥離してしまうために実用的使用が不可能
となる。そこで真空蒸着法により作成した充填率
の異なるCo−Cr垂直型磁化膜の耐食性を調べた
結果、充填率ｘが0.75以上であれば殆ど錆が発生
せず実用可能であることが本発明者により見い出
された。なお、耐食性を調べる実験は、試料を60
℃、90％の雰囲気中に１カ月間放置した後に表面
状態を顕微鏡で観察することにより行なつた。充
填率ｘが0.75未満のCo−Cr垂直型磁化膜は表面
に斑点状あるいは、まんだら状の錆が発生した
が、充填率ｘが0.75以上であれば錆は殆ど発生し
ないことを見い出したのである。
以上の様に本発明によれば真空蒸着法にて作成
されたCoとCrを主成分とする磁性層において、
該磁性層の充填率ｘを0.75≦ｘ≦0.95なるように
することにより、高保磁力を有しかつ耐食性が優
れた磁気記録媒体を容易に、かつ効率よく提供す
ることができる。
されたCoとCrを主成分とする磁性層において、
該磁性層の充填率ｘを0.75≦ｘ≦0.95なるように
することにより、高保磁力を有しかつ耐食性が優
れた磁気記録媒体を容易に、かつ効率よく提供す
ることができる。
第１図はリング形磁気ヘツドによる磁気記録再
生方式を示す原理図、第２図は垂直型磁気ヘツド
による磁気記録再生方式を示す原理図、第３図は
Co−Cr垂直型磁化膜の蒸着レートに対する充填
率ｘの特性図、第４図は同膜の蒸着時の基板温度
に対する充填率ｘとの関係を示す特性図、第５図
は同膜の充填率と同膜に垂直方向の保磁力との関
係を示す特性図である。
生方式を示す原理図、第２図は垂直型磁気ヘツド
による磁気記録再生方式を示す原理図、第３図は
Co−Cr垂直型磁化膜の蒸着レートに対する充填
率ｘの特性図、第４図は同膜の蒸着時の基板温度
に対する充填率ｘとの関係を示す特性図、第５図
は同膜の充填率と同膜に垂直方向の保磁力との関
係を示す特性図である。
Claims (1)
- １ 基板上にCoとCrを主成分とする磁化膜が真
空蒸着法を用いて形成された垂直磁気記録媒体に
おいて、前記磁化膜の密度（ｇ／cm3）をこの磁化
膜と同一組成を有する単結晶の密度（ｇ／cm3）で
割つたものを充填率ｘとした場合、前記磁化膜の
充填率ｘが0.75≦Ｘ≦0.95であることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55159290A JPS5782227A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | Magnetic recording medium |
| EP81300905A EP0036717A1 (en) | 1980-03-07 | 1981-03-04 | Magnetic recording medium |
| US06/240,368 US4429016A (en) | 1980-03-07 | 1981-03-04 | Magnetic recording medium with vacuum deposited magnetic layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55159290A JPS5782227A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | Magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5782227A JPS5782227A (en) | 1982-05-22 |
| JPS6357856B2 true JPS6357856B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=15690557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55159290A Granted JPS5782227A (en) | 1980-03-07 | 1980-11-11 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5782227A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111774B2 (ja) * | 1983-11-04 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
-
1980
- 1980-11-11 JP JP55159290A patent/JPS5782227A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5782227A (en) | 1982-05-22 |
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