JPS5868245A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5868245A JPS5868245A JP16517581A JP16517581A JPS5868245A JP S5868245 A JPS5868245 A JP S5868245A JP 16517581 A JP16517581 A JP 16517581A JP 16517581 A JP16517581 A JP 16517581A JP S5868245 A JPS5868245 A JP S5868245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- source
- evaporated
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
一般に短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂
直方向が磁化容゛易軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の
膜面に垂直方向全面き従って信号が短波長になる程媒体
内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂
直方向が磁化容゛易軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の
膜面に垂直方向全面き従って信号が短波長になる程媒体
内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Co
とCrを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層(以下この磁性層fCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ)を
スパッタリング法により形成したものである。COとC
ri主筬分としたスパッタ膜は、Crの量が約30重量
%以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であp、そのC
軸を膜面に対して垂直方向に配向させることができ。
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Co
とCrを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層(以下この磁性層fCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ)を
スパッタリング法により形成したものである。COとC
ri主筬分としたスパッタ膜は、Crの量が約30重量
%以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であp、そのC
軸を膜面に対して垂直方向に配向させることができ。
かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きくなるま
で飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化膜を
実現できる。
で飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化膜を
実現できる。
しかしスパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いの
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。スパッタリング法に対し、゛真空蒸着法(イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオンイヒする
方法も含む)にょれ赫、数1ooOA/T!I)という
速い形成速度でCo−Cr垂直磁化膜が得られることが
本発明者によシ見い出された。真空蒸着法においては基
板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜
の形成を行なうとテープ状の垂直記録媒体が非常に生理
性良く得られる。第1図にこのような真空蒸着装置の内
部構造の概略を示す。基板1は円筒状キャン2に沿って
矢印への向きに走行する(、CoとCrf蒸発させる蒸
発源6と円筒状キャン2との間にはマスク6が配置され
ており、蒸発原子はスリットs−1通って基板1に付着
する。3,4はそれぞれ基板1の供給ロール及び巻取り
ロールである。
で、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である
。スパッタリング法に対し、゛真空蒸着法(イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオンイヒする
方法も含む)にょれ赫、数1ooOA/T!I)という
速い形成速度でCo−Cr垂直磁化膜が得られることが
本発明者によシ見い出された。真空蒸着法においては基
板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜
の形成を行なうとテープ状の垂直記録媒体が非常に生理
性良く得られる。第1図にこのような真空蒸着装置の内
部構造の概略を示す。基板1は円筒状キャン2に沿って
矢印への向きに走行する(、CoとCrf蒸発させる蒸
発源6と円筒状キャン2との間にはマスク6が配置され
ており、蒸発原子はスリットs−1通って基板1に付着
する。3,4はそれぞれ基板1の供給ロール及び巻取り
ロールである。
第1図の様に1つの蒸発源6からCOとCrを蒸発させ
てCo−Cr膜を作成すると%Crの蒸気圧がCoより
も高いためにCrの方が蒸発し易く。
てCo−Cr膜を作成すると%Crの蒸気圧がCoより
も高いためにCrの方が蒸発し易く。
従って基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。
すなわち蒸着初期においてはCrの多いCo−Cr膜が
でき、蒸着後期にはCrの少ないCo−Cr膜ができる
。Co−Cr膜において組成が異なると磁気特性も異な
るので、第1図の様に1つの蒸発源6からCoとCrと
全蒸発させて連続的にCo−Cr膜を作成することは好
ましくない。これに対しCoとCrとを別々の蒸発源か
ら蒸発させる2源蒸着法によりCo −Cr 411を
作成すれば、基板の長手方向に組成の均一な膜が得られ
、上記の欠点が除去される。すなわち第2図の如く蒸発
源全2つにし、蒸発源7からはCo(あるいはCr)を
蒸発させ、蒸発源8からはOr(あるいはCo)を蒸発
させる。それぞれの蒸発源の加熱装置に供給する電力を
調整することにより任意の組成のCo −Cr膜が安定
に得られる。実験の結果、第2図の装置においてはCO
とCrの蒸発源の配置の方法により、できた膜の特性が
異なることが明。
でき、蒸着後期にはCrの少ないCo−Cr膜ができる
。Co−Cr膜において組成が異なると磁気特性も異な
るので、第1図の様に1つの蒸発源6からCoとCrと
全蒸発させて連続的にCo−Cr膜を作成することは好
ましくない。これに対しCoとCrとを別々の蒸発源か
ら蒸発させる2源蒸着法によりCo −Cr 411を
作成すれば、基板の長手方向に組成の均一な膜が得られ
、上記の欠点が除去される。すなわち第2図の如く蒸発
源全2つにし、蒸発源7からはCo(あるいはCr)を
蒸発させ、蒸発源8からはOr(あるいはCo)を蒸発
させる。それぞれの蒸発源の加熱装置に供給する電力を
調整することにより任意の組成のCo −Cr膜が安定
に得られる。実験の結果、第2図の装置においてはCO
とCrの蒸発源の配置の方法により、できた膜の特性が
異なることが明。
らかになった。本発明は最も特性の良いCo−Cr垂直
磁化膜の得られるCoとCrの蒸発源の配置の方法を見
出したことによりなされたものである。
磁化膜の得られるCoとCrの蒸発源の配置の方法を見
出したことによりなされたものである。
以下に図面を用い本発明の説明を行う。
まずここで第2図の様な2源蒸着法においては基板の走
行方向の前方にある蒸発源8からはCxを蒸発させ、基
板の走行方向の後方にある蒸発源7からはCoを蒸発さ
せる第1の方法と、蒸発源8からCof蒸発させ蒸発源
7からCrを蒸発させる第2の方法とがある。
行方向の前方にある蒸発源8からはCxを蒸発させ、基
板の走行方向の後方にある蒸発源7からはCoを蒸発さ
せる第1の方法と、蒸発源8からCof蒸発させ蒸発源
7からCrを蒸発させる第2の方法とがある。
さて前記第1及び2の方法にてCo −Cr垂直イ→化
膜を作成すると、第2の方法で作成した膜の方が第1の
方法で作成した膜よりも神れた特性を有する実験結果の
1例を第3図に示す。第3図の横軸は蒸着時の基板温度
を表わし、縦軸はトルク法により測定し7m膜の垂直異
方性定数Kuを表わす。Kuが正であればCo−Cr蒸
着膜は垂直磁化ノ摸であり、負であれば面内方向が磁化
容易軸になる。またKuの正の値が大きい程、膜面に垂
直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる。第3図
中の白丸及び黒丸はそれぞれ第2の方法及び第1の方法
で作成した膜であり、いずれの基板温度においても第2
の方法で作成した膜の方が第1の方法で作成した膜より
も大きなKuの値を、有し従って特性が憂れている。
膜を作成すると、第2の方法で作成した膜の方が第1の
方法で作成した膜よりも神れた特性を有する実験結果の
1例を第3図に示す。第3図の横軸は蒸着時の基板温度
を表わし、縦軸はトルク法により測定し7m膜の垂直異
方性定数Kuを表わす。Kuが正であればCo−Cr蒸
着膜は垂直磁化ノ摸であり、負であれば面内方向が磁化
容易軸になる。またKuの正の値が大きい程、膜面に垂
直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる。第3図
中の白丸及び黒丸はそれぞれ第2の方法及び第1の方法
で作成した膜であり、いずれの基板温度においても第2
の方法で作成した膜の方が第1の方法で作成した膜より
も大きなKuの値を、有し従って特性が憂れている。
以上では基板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させ
つつCo−Cr膜の形成を行なう場合について述べたが
、第4図に示す様に基板1を半板9に沿って移動させつ
つCo−Cr膜の形成を行なう場合についても同様のこ
とが言える。すなわちこの場合も基板の走行方向の前方
にCoの蒸発源8を配置し、後方にCrの蒸発源7を配
置することにより特性の優れたCo−Cr垂直磁化膜が
得られる。
つつCo−Cr膜の形成を行なう場合について述べたが
、第4図に示す様に基板1を半板9に沿って移動させつ
つCo−Cr膜の形成を行なう場合についても同様のこ
とが言える。すなわちこの場合も基板の走行方向の前方
にCoの蒸発源8を配置し、後方にCrの蒸発源7を配
置することにより特性の優れたCo−Cr垂直磁化膜が
得られる。
以上の様に、2源蒸着法によりCo−Cr垂直磁化膜を
移動しつつある基板上に形成する際に。
移動しつつある基板上に形成する際に。
基板の走行方向の前方にCOの蒸発源を配置し後方にC
rの蒸発源を配置することにより、特性の優れた垂直磁
化膜が得られる。
rの蒸発源を配置することにより、特性の優れた垂直磁
化膜が得られる。
第1図は磁気記録媒体の製造方法においで用いられる真
空蒸着法を説明するための図、第2図および第4図はそ
れぞれ2源真空蒸着法全説明するための図、第3薗は本
発明の詳細な説明するための図である。 1 ・・・・・基板、2・・・・・ 円筒状キャン、5
・・・・・マスク、6,7.8・・・・・蒸発源、9・
・・・・・整板。
空蒸着法を説明するための図、第2図および第4図はそ
れぞれ2源真空蒸着法全説明するための図、第3薗は本
発明の詳細な説明するための図である。 1 ・・・・・基板、2・・・・・ 円筒状キャン、5
・・・・・マスク、6,7.8・・・・・蒸発源、9・
・・・・・整板。
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあるCoとCrを主成分
とする磁性層f、CoとCri別々の蒸発源から蒸発さ
せる2源蒸着法によシ移動しつつある基板上に形成する
際に、基板の走行方向の前方にCOの蒸発源を配置し後
方にCrの蒸発源を配置することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16517581A JPS5868245A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16517581A JPS5868245A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868245A true JPS5868245A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15807272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16517581A Pending JPS5868245A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868245A (ja) |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16517581A patent/JPS5868245A/ja active Pending
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