JPS58102334A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58102334A JPS58102334A JP20221481A JP20221481A JPS58102334A JP S58102334 A JPS58102334 A JP S58102334A JP 20221481 A JP20221481 A JP 20221481A JP 20221481 A JP20221481 A JP 20221481A JP S58102334 A JPS58102334 A JP S58102334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- evaporation source
- cylindrical
- recording medium
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記@!P!j注の優れた磁気記録方式として、垂
直記録方式がある。この方式においては、磁rヒ芥易軸
が膜厚に垂直な方向と平行な磁気記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると、残留磁rヒは媒
体の膜厚に垂直な方向を向き、信号が短波長になるほど
媒体内反磁界が減少して、優れた再生出力が得られる。
直記録方式がある。この方式においては、磁rヒ芥易軸
が膜厚に垂直な方向と平行な磁気記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると、残留磁rヒは媒
体の膜厚に垂直な方向を向き、信号が短波長になるほど
媒体内反磁界が減少して、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非fB、開基板上に
直接にあるいはパーマロイ等の軟磁叶薄膜を介して、膜
面に対して垂直方向に磁1ヒ谷易軸を有するco、l!
:Crを主成分とする磁性層をスパッタリング法により
形成したものである。COとCrを主成分としたスバ・
ツタ膜け、Crの鼠が約3Q重量係は上の範囲では結晶
系が稠密六方構造であり、そのC軸を膜面に対し垂直方
向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁界
が反磁界よりも大きくなる捷で飽和Crヒを低下させる
ことが可能であるので、垂直磁「ヒ膜を実現できる。
直接にあるいはパーマロイ等の軟磁叶薄膜を介して、膜
面に対して垂直方向に磁1ヒ谷易軸を有するco、l!
:Crを主成分とする磁性層をスパッタリング法により
形成したものである。COとCrを主成分としたスバ・
ツタ膜け、Crの鼠が約3Q重量係は上の範囲では結晶
系が稠密六方構造であり、そのC軸を膜面に対し垂直方
向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁界
が反磁界よりも大きくなる捷で飽和Crヒを低下させる
ことが可能であるので、垂直磁「ヒ膜を実現できる。
しかし、スパッタリング法はa附三薄膜の形成速度が遅
いので、低コストで垂直磁「ヒ膜を生産することが置敷
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法(イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン〔ヒ
する方法も含む)Kよれは、数1000λ/秒 という
速い形成速度でCo−Cr垂直磁1ヒ膜が得られること
を、発見者らは見出した。
いので、低コストで垂直磁「ヒ膜を生産することが置敷
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法(イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン〔ヒ
する方法も含む)Kよれは、数1000λ/秒 という
速い形成速度でCo−Cr垂直磁1ヒ膜が得られること
を、発見者らは見出した。
真空蒸着法においては、基板を円筒状キャンの周側面に
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産姓よく得られる。
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産姓よく得られる。
第1図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。基板1け円筒状キャン2に沿って走行する。Coと
Crを蒸着させる蒸発源6と円筒状キャン2との間には
マスク5が配置されており、蒸発原子はスリットSを通
って基板1に付着する。
す。基板1け円筒状キャン2に沿って走行する。Coと
Crを蒸着させる蒸発源6と円筒状キャン2との間には
マスク5が配置されており、蒸発原子はスリットSを通
って基板1に付着する。
9はキャン2の中心を通る鉛直線である。
禰1図に示すように、一つの蒸発源からCOとCrを蒸
発させてCo−Cr膜を作製すると、Crの蒸気圧がC
Oよりも高いためにCrの方が蒸発しやすぐ、したが・
りて基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。すなわ
ち、蒸着初期においてはCrの多いC0−Cr膜ができ
、蒸着後期にはCrの少ないCo−Cr膜ができる。C
o−Cr膜において組成が異なると磁気特性も異なるの
で、一つの蒸発源からCoとCrとを蒸発させて連続的
にC〇二Cr膜を作製することは好寸しくない。
発させてCo−Cr膜を作製すると、Crの蒸気圧がC
Oよりも高いためにCrの方が蒸発しやすぐ、したが・
りて基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。すなわ
ち、蒸着初期においてはCrの多いC0−Cr膜ができ
、蒸着後期にはCrの少ないCo−Cr膜ができる。C
o−Cr膜において組成が異なると磁気特性も異なるの
で、一つの蒸発源からCoとCrとを蒸発させて連続的
にC〇二Cr膜を作製することは好寸しくない。
これに対してCOとCrとを別々の蒸発源から蒸上記の
欠点が除去される。すなわち、第2図に示すように、C
Oを蒸発させる蒸発源7とCrを蒸発させる蒸発源8を
用い、それぞれの蒸発源7,8の加熱装置に供給する電
力を調整することにより、任意の組成のCo−Cr膜が
安定して得られる。実験の結果、第2図の装置において
は、COとCrの蒸発源7.8の配置の方法により、得
られた膜の特注が異なることが明らかにな・りた。本発
明はこのような知見にもとづくもので、特性の優れたC
0−Cr垂直磁[ヒ膜の得られる方法を提供する。
欠点が除去される。すなわち、第2図に示すように、C
Oを蒸発させる蒸発源7とCrを蒸発させる蒸発源8を
用い、それぞれの蒸発源7,8の加熱装置に供給する電
力を調整することにより、任意の組成のCo−Cr膜が
安定して得られる。実験の結果、第2図の装置において
は、COとCrの蒸発源7.8の配置の方法により、得
られた膜の特注が異なることが明らかにな・りた。本発
明はこのような知見にもとづくもので、特性の優れたC
0−Cr垂直磁[ヒ膜の得られる方法を提供する。
上記のような二源蒸着法においては、coの蒸発源7と
Crの蒸発源8の配置に関して、大別して第3図(ハ)
、(E)、(QK示す三種がある。tなわち、第3図(
八け、キャン2の中心を通る鉛直線9とC。
Crの蒸発源8の配置に関して、大別して第3図(ハ)
、(E)、(QK示す三種がある。tなわち、第3図(
八け、キャン2の中心を通る鉛直線9とC。
の蒸発源7との距離β1が、この直線9とCrの蒸発源
8との距離℃2よりも小なる場合、第3図(B)は11
と12が等しい場合、@3図(qはIV、1がL2より
も大なる場合である。
8との距離℃2よりも小なる場合、第3図(B)は11
と12が等しい場合、@3図(qはIV、1がL2より
も大なる場合である。
これらの三種の配置にてCo−Cr垂直磁「ヒ膜を作製
し、得られた膜の特性を比較したところ、第3図(A)
の配置で作製した膜がもつとも優れていた。
し、得られた膜の特性を比較したところ、第3図(A)
の配置で作製した膜がもつとも優れていた。
その−例を第4図に示す。第4図の横軸のA、B。
Cはそれぞれ第3図(〜、 (B) 、 (C1の配置
を表わし、縦軸はトルク法により測定した膜の垂直異方
性定数Kuを表わしている。Kuが正であればCo −
Cr蒸着膜は垂直磁1ヒ膜であり、負であれば面内方向
が磁rヒ容易軸になる。またKuの正の値が大きい程、
膜面に垂直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる
。第4図の白丸、黒丸、および三角はそれぞれ基板温度
が100℃、200℃および30o℃阜 にて作製した膜Kuを示している。いずれの温度におい
ても、第3図(ハ))の配置にて作製した膜が他の配置
で作製した膜に比べて大きなKuを有し、優れた特性を
有している。
を表わし、縦軸はトルク法により測定した膜の垂直異方
性定数Kuを表わしている。Kuが正であればCo −
Cr蒸着膜は垂直磁1ヒ膜であり、負であれば面内方向
が磁rヒ容易軸になる。またKuの正の値が大きい程、
膜面に垂直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる
。第4図の白丸、黒丸、および三角はそれぞれ基板温度
が100℃、200℃および30o℃阜 にて作製した膜Kuを示している。いずれの温度におい
ても、第3図(ハ))の配置にて作製した膜が他の配置
で作製した膜に比べて大きなKuを有し、優れた特性を
有している。
以」二のように、本発明は、二源蒸着法によりC。
−Cr垂直磁「ヒ膜を移動している基板上に形成する際
に、円筒状キャンの中心を通る鉛直線すなわち前記中心
から真下に引いた直線とCOの蒸発源との距離が、この
鉛直線とCrの蒸発源との距離よりも小なるように二つ
の蒸発源を配置しているので、特性の優れた垂直磁「ヒ
膜を芥易に得ることができる。
に、円筒状キャンの中心を通る鉛直線すなわち前記中心
から真下に引いた直線とCOの蒸発源との距離が、この
鉛直線とCrの蒸発源との距離よりも小なるように二つ
の蒸発源を配置しているので、特性の優れた垂直磁「ヒ
膜を芥易に得ることができる。
第1図は真空蒸着装置の内部構成の一例を示す図、第2
図は二源蒸着法による真空蒸着装置の内部の構成を示す
図、第3図(八は本発明の方法を実施するだめの真空蒸
着装置の内部の構成を示す図、同図(B) 、 (Qは
その比較例を説明するための図、第4図は本発明の方法
と比較例の効果を対比させて示す図である。 2軸・1111・回転キャン、5・00・マスク、?−
・・・・COの蒸発源、8・・・・・・Crの蒸発源、
9・・・・・・鉛直線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 2 第2図 3図
図は二源蒸着法による真空蒸着装置の内部の構成を示す
図、第3図(八は本発明の方法を実施するだめの真空蒸
着装置の内部の構成を示す図、同図(B) 、 (Qは
その比較例を説明するための図、第4図は本発明の方法
と比較例の効果を対比させて示す図である。 2軸・1111・回転キャン、5・00・マスク、?−
・・・・COの蒸発源、8・・・・・・Crの蒸発源、
9・・・・・・鉛直線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 2 第2図 3図
Claims (1)
- CoとCrをそれぞれの蒸発源から蒸着させて、磁[ヒ
容易軸が膜面に垂直方向にあるCoとCrを主成分とす
る磁性層を、円筒状キャンに沿って移動しつつある基板
上に形成する際に、前記円筒状キャンの中心を通る鉛直
線と前記COの蒸発源との距離が、前記鉛直線と前記C
rの蒸発源との距離よりも小なることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20221481A JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20221481A JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58102334A true JPS58102334A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16453845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20221481A Pending JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58102334A (ja) |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20221481A patent/JPS58102334A/ja active Pending
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