JPS58102334A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58102334A JPS58102334A JP20221481A JP20221481A JPS58102334A JP S58102334 A JPS58102334 A JP S58102334A JP 20221481 A JP20221481 A JP 20221481A JP 20221481 A JP20221481 A JP 20221481A JP S58102334 A JPS58102334 A JP S58102334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- evaporation source
- cylindrical
- recording medium
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記＠！Ｐ！ｊ注の優れた磁気記録方式として、垂
直記録方式がある。この方式においては、磁ｒヒ芥易軸
が膜厚に垂直な方向と平行な磁気記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると、残留磁ｒヒは媒
体の膜厚に垂直な方向を向き、信号が短波長になるほど
媒体内反磁界が減少して、優れた再生出力が得られる。
直記録方式がある。この方式においては、磁ｒヒ芥易軸
が膜厚に垂直な方向と平行な磁気記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると、残留磁ｒヒは媒
体の膜厚に垂直な方向を向き、信号が短波長になるほど
媒体内反磁界が減少して、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非ｆＢ、開基板上に
直接にあるいはパーマロイ等の軟磁叶薄膜を介して、膜
面に対して垂直方向に磁１ヒ谷易軸を有するｃｏ、ｌ！
：Ｃｒを主成分とする磁性層をスパッタリング法により
形成したものである。ＣＯとＣｒを主成分としたスバ・
ツタ膜け、Ｃｒの鼠が約３Ｑ重量係は上の範囲では結晶
系が稠密六方構造であり、そのＣ軸を膜面に対し垂直方
向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁界
が反磁界よりも大きくなる捷で飽和Ｃｒヒを低下させる
ことが可能であるので、垂直磁「ヒ膜を実現できる。
直接にあるいはパーマロイ等の軟磁叶薄膜を介して、膜
面に対して垂直方向に磁１ヒ谷易軸を有するｃｏ、ｌ！
：Ｃｒを主成分とする磁性層をスパッタリング法により
形成したものである。ＣＯとＣｒを主成分としたスバ・
ツタ膜け、Ｃｒの鼠が約３Ｑ重量係は上の範囲では結晶
系が稠密六方構造であり、そのＣ軸を膜面に対し垂直方
向に配向させることができ、かつ垂直方向の異方性磁界
が反磁界よりも大きくなる捷で飽和Ｃｒヒを低下させる
ことが可能であるので、垂直磁「ヒ膜を実現できる。
しかし、スパッタリング法はａ附三薄膜の形成速度が遅
いので、低コストで垂直磁「ヒ膜を生産することが置敷
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン〔ヒ
する方法も含む）Ｋよれは、数１０００λ／秒 という
速い形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁１ヒ膜が得られること
を、発見者らは見出した。
いので、低コストで垂直磁「ヒ膜を生産することが置敷
である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン〔ヒ
する方法も含む）Ｋよれは、数１０００λ／秒 という
速い形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁１ヒ膜が得られること
を、発見者らは見出した。
真空蒸着法においては、基板を円筒状キャンの周側面に
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産姓よく得られる。
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非常に生産姓よく得られる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。基板１け円筒状キャン２に沿って走行する。Ｃｏと
Ｃｒを蒸着させる蒸発源６と円筒状キャン２との間には
マスク５が配置されており、蒸発原子はスリットＳを通
って基板１に付着する。
す。基板１け円筒状キャン２に沿って走行する。Ｃｏと
Ｃｒを蒸着させる蒸発源６と円筒状キャン２との間には
マスク５が配置されており、蒸発原子はスリットＳを通
って基板１に付着する。
９はキャン２の中心を通る鉛直線である。
禰１図に示すように、一つの蒸発源からＣＯとＣｒを蒸
発させてＣｏ−Ｃｒ膜を作製すると、Ｃｒの蒸気圧がＣ
Ｏよりも高いためにＣｒの方が蒸発しやすぐ、したが・
りて基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。すなわ
ち、蒸着初期においてはＣｒの多いＣ０−Ｃｒ膜ができ
、蒸着後期にはＣｒの少ないＣｏ−Ｃｒ膜ができる。Ｃ
ｏ−Ｃｒ膜において組成が異なると磁気特性も異なるの
で、一つの蒸発源からＣｏとＣｒとを蒸発させて連続的
にＣ〇二Ｃｒ膜を作製することは好寸しくない。
発させてＣｏ−Ｃｒ膜を作製すると、Ｃｒの蒸気圧がＣ
Ｏよりも高いためにＣｒの方が蒸発しやすぐ、したが・
りて基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。すなわ
ち、蒸着初期においてはＣｒの多いＣ０−Ｃｒ膜ができ
、蒸着後期にはＣｒの少ないＣｏ−Ｃｒ膜ができる。Ｃ
ｏ−Ｃｒ膜において組成が異なると磁気特性も異なるの
で、一つの蒸発源からＣｏとＣｒとを蒸発させて連続的
にＣ〇二Ｃｒ膜を作製することは好寸しくない。
これに対してＣＯとＣｒとを別々の蒸発源から蒸上記の
欠点が除去される。すなわち、第２図に示すように、Ｃ
Ｏを蒸発させる蒸発源７とＣｒを蒸発させる蒸発源８を
用い、それぞれの蒸発源７，８の加熱装置に供給する電
力を調整することにより、任意の組成のＣｏ−Ｃｒ膜が
安定して得られる。実験の結果、第２図の装置において
は、ＣＯとＣｒの蒸発源７．８の配置の方法により、得
られた膜の特注が異なることが明らかにな・りた。本発
明はこのような知見にもとづくもので、特性の優れたＣ
０−Ｃｒ垂直磁［ヒ膜の得られる方法を提供する。
欠点が除去される。すなわち、第２図に示すように、Ｃ
Ｏを蒸発させる蒸発源７とＣｒを蒸発させる蒸発源８を
用い、それぞれの蒸発源７，８の加熱装置に供給する電
力を調整することにより、任意の組成のＣｏ−Ｃｒ膜が
安定して得られる。実験の結果、第２図の装置において
は、ＣＯとＣｒの蒸発源７．８の配置の方法により、得
られた膜の特注が異なることが明らかにな・りた。本発
明はこのような知見にもとづくもので、特性の優れたＣ
０−Ｃｒ垂直磁［ヒ膜の得られる方法を提供する。
上記のような二源蒸着法においては、ｃｏの蒸発源７と
Ｃｒの蒸発源８の配置に関して、大別して第３図（ハ）
、（Ｅ）、（ＱＫ示す三種がある。ｔなわち、第３図（
八け、キャン２の中心を通る鉛直線９とＣ。
Ｃｒの蒸発源８の配置に関して、大別して第３図（ハ）
、（Ｅ）、（ＱＫ示す三種がある。ｔなわち、第３図（
八け、キャン２の中心を通る鉛直線９とＣ。
の蒸発源７との距離β１が、この直線９とＣｒの蒸発源
８との距離℃２よりも小なる場合、第３図（Ｂ）は１１
と１２が等しい場合、＠３図（ｑはＩＶ、１がＬ２より
も大なる場合である。
８との距離℃２よりも小なる場合、第３図（Ｂ）は１１
と１２が等しい場合、＠３図（ｑはＩＶ、１がＬ２より
も大なる場合である。
これらの三種の配置にてＣｏ−Ｃｒ垂直磁「ヒ膜を作製
し、得られた膜の特性を比較したところ、第３図（Ａ）
の配置で作製した膜がもつとも優れていた。
し、得られた膜の特性を比較したところ、第３図（Ａ）
の配置で作製した膜がもつとも優れていた。
その−例を第４図に示す。第４図の横軸のＡ、Ｂ。
Ｃはそれぞれ第３図（〜、 （Ｂ） 、 （Ｃ１の配置
を表わし、縦軸はトルク法により測定した膜の垂直異方
性定数Ｋｕを表わしている。Ｋｕが正であればＣｏ −
Ｃｒ蒸着膜は垂直磁１ヒ膜であり、負であれば面内方向
が磁ｒヒ容易軸になる。またＫｕの正の値が大きい程、
膜面に垂直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる
。第４図の白丸、黒丸、および三角はそれぞれ基板温度
が１００℃、２００℃および３０ｏ℃阜 にて作製した膜Ｋｕを示している。いずれの温度におい
ても、第３図（ハ））の配置にて作製した膜が他の配置
で作製した膜に比べて大きなＫｕを有し、優れた特性を
有している。
を表わし、縦軸はトルク法により測定した膜の垂直異方
性定数Ｋｕを表わしている。Ｋｕが正であればＣｏ −
Ｃｒ蒸着膜は垂直磁１ヒ膜であり、負であれば面内方向
が磁ｒヒ容易軸になる。またＫｕの正の値が大きい程、
膜面に垂直方向に異方性の強い、特性の優れた膜になる
。第４図の白丸、黒丸、および三角はそれぞれ基板温度
が１００℃、２００℃および３０ｏ℃阜 にて作製した膜Ｋｕを示している。いずれの温度におい
ても、第３図（ハ））の配置にて作製した膜が他の配置
で作製した膜に比べて大きなＫｕを有し、優れた特性を
有している。
以」二のように、本発明は、二源蒸着法によりＣ。
−Ｃｒ垂直磁「ヒ膜を移動している基板上に形成する際
に、円筒状キャンの中心を通る鉛直線すなわち前記中心
から真下に引いた直線とＣＯの蒸発源との距離が、この
鉛直線とＣｒの蒸発源との距離よりも小なるように二つ
の蒸発源を配置しているので、特性の優れた垂直磁「ヒ
膜を芥易に得ることができる。
に、円筒状キャンの中心を通る鉛直線すなわち前記中心
から真下に引いた直線とＣＯの蒸発源との距離が、この
鉛直線とＣｒの蒸発源との距離よりも小なるように二つ
の蒸発源を配置しているので、特性の優れた垂直磁「ヒ
膜を芥易に得ることができる。
第１図は真空蒸着装置の内部構成の一例を示す図、第２
図は二源蒸着法による真空蒸着装置の内部の構成を示す
図、第３図（八は本発明の方法を実施するだめの真空蒸
着装置の内部の構成を示す図、同図（Ｂ） 、 （Ｑは
その比較例を説明するための図、第４図は本発明の方法
と比較例の効果を対比させて示す図である。 ２軸・１１１１・回転キャン、５・００・マスク、？−
・・・・ＣＯの蒸発源、８・・・・・・Ｃｒの蒸発源、
９・・・・・・鉛直線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 第２図 ３図
図は二源蒸着法による真空蒸着装置の内部の構成を示す
図、第３図（八は本発明の方法を実施するだめの真空蒸
着装置の内部の構成を示す図、同図（Ｂ） 、 （Ｑは
その比較例を説明するための図、第４図は本発明の方法
と比較例の効果を対比させて示す図である。 ２軸・１１１１・回転キャン、５・００・マスク、？−
・・・・ＣＯの蒸発源、８・・・・・・Ｃｒの蒸発源、
９・・・・・・鉛直線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 第２図 ３図
Claims (1)
- ＣｏとＣｒをそれぞれの蒸発源から蒸着させて、磁［ヒ
容易軸が膜面に垂直方向にあるＣｏとＣｒを主成分とす
る磁性層を、円筒状キャンに沿って移動しつつある基板
上に形成する際に、前記円筒状キャンの中心を通る鉛直
線と前記ＣＯの蒸発源との距離が、前記鉛直線と前記Ｃ
ｒの蒸発源との距離よりも小なることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221481A JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221481A JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102334A true JPS58102334A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16453845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20221481A Pending JPS58102334A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102334A (ja) |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20221481A patent/JPS58102334A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04504023A (ja) | 厚い蒸着コバルト白金磁気フィルムおよびその製法 | |
| JPS58102334A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58137134A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5862830A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08129736A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS5877025A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0334614B2 (ja) | ||
| JPS59162622A (ja) | 垂直磁気記録体並にその製造法 | |
| JPS60195737A (ja) | 磁気記録体及びその製造法 | |
| JPH0219533B2 (ja) | ||
| JPS60167123A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58102335A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5868245A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5814326A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58125236A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5922235A (ja) | 垂直磁気記録用媒体の製造装置 | |
| JPH0544728B2 (ja) | ||
| JPS5870430A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58102336A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5933628A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05159267A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS58102333A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63102028A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58125237A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60201521A (ja) | 磁気記録媒体 |