JPH0544728B2 - - Google Patents
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- JPH0544728B2 JPH0544728B2 JP9123084A JP9123084A JPH0544728B2 JP H0544728 B2 JPH0544728 B2 JP H0544728B2 JP 9123084 A JP9123084 A JP 9123084A JP 9123084 A JP9123084 A JP 9123084A JP H0544728 B2 JPH0544728 B2 JP H0544728B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は垂直磁気記録再生装置に使用される垂
直磁気記録媒体に関し、特に基体表面に形成され
る膜の改良に関する。
直磁気記録媒体に関し、特に基体表面に形成され
る膜の改良に関する。
従来、垂直磁気記録再生装置に使用される垂直
磁気記録媒体としては、ステンレス鋼等からなる
基板上に垂直磁化膜としてのCo−Cr膜を形成し
た一層膜垂直磁気記録媒体、あるいは第１図に示
すように、基板１上に再生・記録感度向上のため
にFe−Niパーマロイなどの高透磁率軟磁性膜２
を形成し、さらにその上にCO−Cr膜３を形成し
た二層膜垂直磁気記録媒体が用いられている。上
記Co−Cr膜３は高周波スパツタリングあるいは
真空蒸着法等の膜形成手段によつて基板１上ある
いは高透磁率軟磁性膜２上に形成され、六方晶形
の結晶構造を有し、その結晶のＣ軸が膜面に対し
垂直にそろつて成長しており、またそのＣ軸方向
に強い異方性を持つため垂直磁気異方性が生じる
ものとなつている。
磁気記録媒体としては、ステンレス鋼等からなる
基板上に垂直磁化膜としてのCo−Cr膜を形成し
た一層膜垂直磁気記録媒体、あるいは第１図に示
すように、基板１上に再生・記録感度向上のため
にFe−Niパーマロイなどの高透磁率軟磁性膜２
を形成し、さらにその上にCO−Cr膜３を形成し
た二層膜垂直磁気記録媒体が用いられている。上
記Co−Cr膜３は高周波スパツタリングあるいは
真空蒸着法等の膜形成手段によつて基板１上ある
いは高透磁率軟磁性膜２上に形成され、六方晶形
の結晶構造を有し、その結晶のＣ軸が膜面に対し
垂直にそろつて成長しており、またそのＣ軸方向
に強い異方性を持つため垂直磁気異方性が生じる
ものとなつている。
しかるに上記Co−Cr膜３は、その結晶のＣ軸
のそろい方が基板１の条件によつて異なる。特に
前記二層垂直磁気記録媒体の場合は高透磁率軟磁
性膜２の面状態の影響を受けてさらにそろい方が
悪くなり、Ｃ軸が膜に対し垂直な方向からずれた
方向に分散して成長してしまい、ひどいときには
垂直磁気異方性すら消失してしまうともあつた。
のそろい方が基板１の条件によつて異なる。特に
前記二層垂直磁気記録媒体の場合は高透磁率軟磁
性膜２の面状態の影響を受けてさらにそろい方が
悪くなり、Ｃ軸が膜に対し垂直な方向からずれた
方向に分散して成長してしまい、ひどいときには
垂直磁気異方性すら消失してしまうともあつた。
そこでこのような問題を解決するために、特開
昭58−14318号公報において示されているように、
基板と垂直磁化膜との間に50〜1500Åの厚みの非
磁性層を形成した垂直磁気記録媒体が提案されて
いる。すなわち、アルマイト処理したアルミニウ
ム基板やガラス板等の基板上に非磁性層としての
Ti層を50〜1500Åの厚みで形成したのち垂直磁
化膜を形成する。そうすると、垂直磁化膜におけ
る基体に垂直方向の配向性を示す分散角Δθ5pが
Ti層を設けない場合に比べて小さくなる。たと
えばT1層を形成しない場合には分散角Δθ5pは９
〜13°となるのに対し、Ti層を500Åの厚みで形成
した場合には分散角Δθ5pは約6°となる。したがつ
て、垂直方向の配向性が向上し前述した問題点が
解決される。
昭58−14318号公報において示されているように、
基板と垂直磁化膜との間に50〜1500Åの厚みの非
磁性層を形成した垂直磁気記録媒体が提案されて
いる。すなわち、アルマイト処理したアルミニウ
ム基板やガラス板等の基板上に非磁性層としての
Ti層を50〜1500Åの厚みで形成したのち垂直磁
化膜を形成する。そうすると、垂直磁化膜におけ
る基体に垂直方向の配向性を示す分散角Δθ5pが
Ti層を設けない場合に比べて小さくなる。たと
えばT1層を形成しない場合には分散角Δθ5pは９
〜13°となるのに対し、Ti層を500Åの厚みで形成
した場合には分散角Δθ5pは約6°となる。したがつ
て、垂直方向の配向性が向上し前述した問題点が
解決される。
ところでTi層を設けるということは、垂直磁
化膜における下地の結晶粒を小さくしたことを意
味している。つまり下地の結晶粒を小さくするほ
ど分散角Δθ5pを小さくすることができる。したが
つて、Ti層の代わりに結晶粒のない非晶質層を
下地として形成すれば、より大きな効果を奏す
る。またＷ、Rh、M0、Ｙ、Zr、Pt、Cr、Irなど
の金属ならびにSiO2、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、
SiOなどの酸化物等からなる層を下地として形成
しても同様となる。
化膜における下地の結晶粒を小さくしたことを意
味している。つまり下地の結晶粒を小さくするほ
ど分散角Δθ5pを小さくすることができる。したが
つて、Ti層の代わりに結晶粒のない非晶質層を
下地として形成すれば、より大きな効果を奏す
る。またＷ、Rh、M0、Ｙ、Zr、Pt、Cr、Irなど
の金属ならびにSiO2、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、
SiOなどの酸化物等からなる層を下地として形成
しても同様となる。
いずれにしても特開昭58−14318号公報の骨子
は、下地の結晶粒を小さくすることにより垂直磁
化膜における垂直方向の配向性を向上させるとい
うものである。
は、下地の結晶粒を小さくすることにより垂直磁
化膜における垂直方向の配向性を向上させるとい
うものである。
しかしながら現在では、さらに垂直方向の配向
性の向上が望まれている。また従来は、下地に垂
直磁化膜を堆積させていく初期の段階においては
垂直異方性を持ちにくく、垂直方向の配向性も非
常に悪いものとなつていたため、この点の改善も
望まれている。
性の向上が望まれている。また従来は、下地に垂
直磁化膜を堆積させていく初期の段階においては
垂直異方性を持ちにくく、垂直方向の配向性も非
常に悪いものとなつていたため、この点の改善も
望まれている。
本発明の目的は、垂直磁化膜の基体に垂直な方
向の配向性をより向上させ得ると共に、上記垂直
磁化膜成長初期の段階から垂直方向の配向性がよ
い垂直磁気記録媒体を提供することにある。
向の配向性をより向上させ得ると共に、上記垂直
磁化膜成長初期の段階から垂直方向の配向性がよ
い垂直磁気記録媒体を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために次の如く構
成したことを特徴としている。すなわち、本発明
は基体と垂直磁化膜との間にCrとＮの化合物か
らなる膜を形成するようにしたことを特徴として
いる。
成したことを特徴としている。すなわち、本発明
は基体と垂直磁化膜との間にCrとＮの化合物か
らなる膜を形成するようにしたことを特徴として
いる。
本発明では垂直磁化膜の格子定数に非常に近い
格子定数を有する膜を垂直磁化膜の下地に用い
て、その下地の上にエピタキシヤル的に垂直磁化
膜を形成するようにしている。こうすることによ
り、さらに垂直磁化膜の垂直方向の配向性が向上
し、また垂直磁化膜成長初期の段階から垂直方向
に配向性のよい膜が形成できる。
格子定数を有する膜を垂直磁化膜の下地に用い
て、その下地の上にエピタキシヤル的に垂直磁化
膜を形成するようにしている。こうすることによ
り、さらに垂直磁化膜の垂直方向の配向性が向上
し、また垂直磁化膜成長初期の段階から垂直方向
に配向性のよい膜が形成できる。
第２図は本発明の第１の実施例としての垂直磁
気記録媒体を示す断面図である。図中１１は基体
としてのSUS420J2のSUS基板である。１２は上
記基板１１上にイオンプレーテイング法により
1μｍ程度の厚みで形成されたCrN膜である。１
３は上記CrN膜１２上に高周波スパツタリングに
より1μｍの厚みで形成されたCo−Cr膜である。
気記録媒体を示す断面図である。図中１１は基体
としてのSUS420J2のSUS基板である。１２は上
記基板１１上にイオンプレーテイング法により
1μｍ程度の厚みで形成されたCrN膜である。１
３は上記CrN膜１２上に高周波スパツタリングに
より1μｍの厚みで形成されたCo−Cr膜である。
上記基板１１上にイオンプレーテイング法によ
りCrN膜１２を形成する場合は次の如く行なう。
まず、基板１１を350℃で加熱しながら真空槽内
を10-7Torr台まで排気したのち、Arガスを上記
真空層内に８×10-3Torr導入する。そして電極
に400V、0.3Aの電力を２分間供給し、480V、
0.5Aの電力を５分間供給し、520V、0.7Aの電力
を３分間供給することにより、イオンボンバード
を計10分間行ない基板１１の表面洗浄を行なう。
その後、上記真空層内にArガスを５×10-4Torr、
N2ガスを９×10-4Torr流入しながら、Crを蒸発
させる。かくして基板１１上に約1μｍのCrN膜
１２が形成されることなる。
りCrN膜１２を形成する場合は次の如く行なう。
まず、基板１１を350℃で加熱しながら真空槽内
を10-7Torr台まで排気したのち、Arガスを上記
真空層内に８×10-3Torr導入する。そして電極
に400V、0.3Aの電力を２分間供給し、480V、
0.5Aの電力を５分間供給し、520V、0.7Aの電力
を３分間供給することにより、イオンボンバード
を計10分間行ない基板１１の表面洗浄を行なう。
その後、上記真空層内にArガスを５×10-4Torr、
N2ガスを９×10-4Torr流入しながら、Crを蒸発
させる。かくして基板１１上に約1μｍのCrN膜
１２が形成されることなる。
また、CrN膜１２上に高周波スパツタリングに
よりCo−Cr膜１３を形成する場合は次の如く行
なう。まず、CrN膜１２がその表面に形成された
基板１１を150℃で加熱しながらスパツタリング
装置の真空層内を10-7Torr台まで排気したのち、
基板１１への加熱を止め、放冷しかつ水冷する。
そしてバツクグラウンド圧力が２×10-7Torr以
下になつたところで、Arガスを５×10-3Torr導
入し、300Wの電力でスパツタリングする。かく
してCrN膜１２上に0.5μｍの厚みでCo−Cr膜１
３が形成されることになる。
よりCo−Cr膜１３を形成する場合は次の如く行
なう。まず、CrN膜１２がその表面に形成された
基板１１を150℃で加熱しながらスパツタリング
装置の真空層内を10-7Torr台まで排気したのち、
基板１１への加熱を止め、放冷しかつ水冷する。
そしてバツクグラウンド圧力が２×10-7Torr以
下になつたところで、Arガスを５×10-3Torr導
入し、300Wの電力でスパツタリングする。かく
してCrN膜１２上に0.5μｍの厚みでCo−Cr膜１
３が形成されることになる。
ところで、本実施例にて形成されたCrN膜１２
のCuKα−Ｘ線源によるＸ線回析は第３図に示す
ようになる。同図から明らかなように、回析ピー
クは一本しか現われず、その回析ピークから2θ＝
44.0°、格子定数2.06Åが読み取れる。なお2θはＸ
線源とカウンタとの角度である。
のCuKα−Ｘ線源によるＸ線回析は第３図に示す
ようになる。同図から明らかなように、回析ピー
クは一本しか現われず、その回析ピークから2θ＝
44.0°、格子定数2.06Åが読み取れる。なお2θはＸ
線源とカウンタとの角度である。
一方、第４図は50μｍの厚みのポリノイドフイ
ルム上に0.5μｍの厚みのCo−Cr膜を高周波スパ
ツタリングにより形成したものの、CuKα−Ｘ線
源によるＸ線回析の結果を示す図である。なおピ
ーク値を明らかにするために感度を代えることに
より基準線をずらして示している。上記Co−Cr
膜は基本的に六方結晶形の結晶構造を有してお
り、磁化容易軸と一致するＣ軸が膜面に垂直であ
り、（002）面からの回析ピークは2θ＝44.6°、格
子定数2.03Åとなる。
ルム上に0.5μｍの厚みのCo−Cr膜を高周波スパ
ツタリングにより形成したものの、CuKα−Ｘ線
源によるＸ線回析の結果を示す図である。なおピ
ーク値を明らかにするために感度を代えることに
より基準線をずらして示している。上記Co−Cr
膜は基本的に六方結晶形の結晶構造を有してお
り、磁化容易軸と一致するＣ軸が膜面に垂直であ
り、（002）面からの回析ピークは2θ＝44.6°、格
子定数2.03Åとなる。
このように前記CrN膜の格子定数は2.06Åであ
り、Co−Cr膜の格子定数2.03Åに対して非常に
近い値となつている。
り、Co−Cr膜の格子定数2.03Åに対して非常に
近い値となつている。
したがつて本実施例によれば、CrN膜のない
Co−Cr膜ではロツキングカーブ半値幅から求め
た垂直方向の配向性を表わす分散角Δθ5pは約5°で
あつたが、第２図のような構造の本実施例では分
散角Δθ5pは3°以下となり、垂直方向の配向性をさ
らに向上させることができる。また垂直磁化膜が
薄くても、その配向性は秀れている。
Co−Cr膜ではロツキングカーブ半値幅から求め
た垂直方向の配向性を表わす分散角Δθ5pは約5°で
あつたが、第２図のような構造の本実施例では分
散角Δθ5pは3°以下となり、垂直方向の配向性をさ
らに向上させることができる。また垂直磁化膜が
薄くても、その配向性は秀れている。
第５図は本発明の第２の実施例としての垂直磁
気記録媒体を示す断面図である。本実施例におい
ては、基板（SUS420J2基板）１１上にCo−Zr−
Nbからなる高透磁率軟磁性膜１４を0.5μｍの厚
みで形成したものを基体とし、その上に第１の実
施例と同様な方法でCrN膜１２を0.02μｍの厚み
で形成したものを基体とし、さらにその上にCo
−Cr膜１３を0.2μｍの厚みで形成したものとなつ
ている。
気記録媒体を示す断面図である。本実施例におい
ては、基板（SUS420J2基板）１１上にCo−Zr−
Nbからなる高透磁率軟磁性膜１４を0.5μｍの厚
みで形成したものを基体とし、その上に第１の実
施例と同様な方法でCrN膜１２を0.02μｍの厚み
で形成したものを基体とし、さらにその上にCo
−Cr膜１３を0.2μｍの厚みで形成したものとなつ
ている。
こうすることにより、前記分散角Δθ5pはCrN膜
１２をCo−Zr−Nbからなる高透磁率軟磁性膜１
４とCo−Cr膜１３との間に形成しない場合は約
8°であつのに対し、CrN膜１２を高透磁率軟磁性
膜１４とCo−Cr膜１３との間に形成した場合は
6°となり、配向性は若干ではあるが向上する。な
お、一般的に高透磁率軟磁性膜１４上にCo−Cr
膜１３を形成した場合は上記Co−Cr膜１３の配
向性が悪く、第６図に示すように（002）面から
の回析ピーク以外に（101）面からの回析ピーク
も現われる。しかし本実施例のようにCrN膜１２
を高透磁率軟磁性膜１４とCo−Cr膜１３との間
に形成すると、上記Co−Cr膜１３においては前
記（101）面からの回析ピークが減少し、（002）
面からの回析ピークの強度が増加するという効果
も奏する。
１２をCo−Zr−Nbからなる高透磁率軟磁性膜１
４とCo−Cr膜１３との間に形成しない場合は約
8°であつのに対し、CrN膜１２を高透磁率軟磁性
膜１４とCo−Cr膜１３との間に形成した場合は
6°となり、配向性は若干ではあるが向上する。な
お、一般的に高透磁率軟磁性膜１４上にCo−Cr
膜１３を形成した場合は上記Co−Cr膜１３の配
向性が悪く、第６図に示すように（002）面から
の回析ピーク以外に（101）面からの回析ピーク
も現われる。しかし本実施例のようにCrN膜１２
を高透磁率軟磁性膜１４とCo−Cr膜１３との間
に形成すると、上記Co−Cr膜１３においては前
記（101）面からの回析ピークが減少し、（002）
面からの回析ピークの強度が増加するという効果
も奏する。
なお本発明は上記各実施例に限定されるもので
はない。たとえば上記実施例におけるCrN膜１２
は、CrとＮとの比が１：１のものに限らず、化
学量論比をずらしたCrとの化合物を用いても、
その上に形成する垂直磁化膜の格子定数に非常に
近い格子定数を有するものならば、同様な効果を
奏する。また上記実施例ではイオンプレーテイグ
法によりCrN膜１２の膜形成を行なつたが、これ
以外の手段を用いてもよい。また上記実施例では
基板１１としてSUS基板を用いたが、たとえば
ポリアミド樹脂等からなる基体を用いてもよい。
このほか本発明の要旨を越えない範囲で種々変形
実施可能である。
はない。たとえば上記実施例におけるCrN膜１２
は、CrとＮとの比が１：１のものに限らず、化
学量論比をずらしたCrとの化合物を用いても、
その上に形成する垂直磁化膜の格子定数に非常に
近い格子定数を有するものならば、同様な効果を
奏する。また上記実施例ではイオンプレーテイグ
法によりCrN膜１２の膜形成を行なつたが、これ
以外の手段を用いてもよい。また上記実施例では
基板１１としてSUS基板を用いたが、たとえば
ポリアミド樹脂等からなる基体を用いてもよい。
このほか本発明の要旨を越えない範囲で種々変形
実施可能である。
本発明によれば、基体と垂直磁化膜との間に
CrとＮの化合物からなる層を形成するようにし
たので、垂直磁化膜における基体に垂直な方向の
配向性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化
膜成長初期の段階から垂直方向の配向性がよい垂
直磁気記録媒体を提供できる。
CrとＮの化合物からなる層を形成するようにし
たので、垂直磁化膜における基体に垂直な方向の
配向性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化
膜成長初期の段階から垂直方向の配向性がよい垂
直磁気記録媒体を提供できる。
第１図は従来の垂直磁気記録媒体を示す断面
図、第２図は本発明の第１の実施例としての垂直
磁気記録媒体を示す断面図、第３図および第４図
は同実施例の作用を説明するための図、第５図は
本発明の第２の実施例としての垂直磁気記録媒体
を示す断面図、第６図は同実施例の作用を説明す
るための図である。 １１……基板、１２……CrN膜、１３……Co
−Cr膜、１４……高透磁率軟磁性膜。
図、第２図は本発明の第１の実施例としての垂直
磁気記録媒体を示す断面図、第３図および第４図
は同実施例の作用を説明するための図、第５図は
本発明の第２の実施例としての垂直磁気記録媒体
を示す断面図、第６図は同実施例の作用を説明す
るための図である。 １１……基板、１２……CrN膜、１３……Co
−Cr膜、１４……高透磁率軟磁性膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上に、この基体表面に対して垂直な方向
に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を設けた垂直磁
気記録媒体において、前記基体と前記垂直磁化膜
との間にCrとＮの化合物からなる膜を形成した
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２ 上記基体は、ステンレス鋼等からなる基板の
表面に高透磁率軟磁性膜を設けたものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123084A JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123084A JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236115A JPS60236115A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0544728B2 true JPH0544728B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=14020619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9123084A Granted JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236115A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3222141B2 (ja) * | 1995-02-27 | 2001-10-22 | 株式会社 日立製作所 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US7736767B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-06-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having an interlayer formed from a NiWCr alloy |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9123084A patent/JPS60236115A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60236115A (ja) | 1985-11-22 |
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