JPH06342512A

JPH06342512A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06342512A
Application number: JP27859591A
Authority: JP
Inventors: Toshio Ando; 敏男安藤
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1991-09-30
Filing date: 1991-09-30
Publication date: 1994-12-13

Abstract

(57)【要約】【目的】下地層の磁化容易軸の配列を改良すると共に
垂直磁化層の配向度も改良して低ノイズ化を図り、ま
た、下地層のヘッド走行方向に対する透磁率を高めて記
録再生効率を向上させる。【構成】円形基板８上に軟磁性下地層１０と垂直磁化
層１２を順次積層して垂直磁気記録媒体を製造するに際
して、上記円形基板８の半径方向に磁界を印加しながら
Ｃｏ系軟磁性下地層８を形成し、この上面に下地層成膜
終了後の所定の時間内にＣｏ系垂直磁化層１２の形成を
開始して、これに含まれるＣｏ原子と上記下地層１０に
含まれるＣｏ原子とを結合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に良好な記録特性を
有するディスク状の垂直磁気記録媒体及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、垂直磁気ヘッドを用いて記録再
生を行うときの垂直磁気記録媒体としては、軟磁性下地
層を有する２層膜垂直磁気記録媒体があり、そしてこの
２層膜垂直磁気記録媒体の製造方法としては、例えば特
開昭６２−１２９９４０号公報に示すごとく円形基板の
中央部に第１の磁石を設け、上記円形基板の外周に第２
の磁石をその極性が上記第１の磁石に対して逆になるよ
うに配置して、基板半径方向へ磁界を印加した状態で上
記円形基板に円周方向に磁化困難軸を持つ軟磁性層を形
成し、更にこの軟磁性層上面に垂直磁化層を形成するよ
うにした方法が知られている。また、垂直磁気記録方式
の従来の磁気記録媒体としては、特公平３−１３６４６
号公報に示すように、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の１つの元
素と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂの内の１つの元素と、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの内の１つの元素とからなるアモルフ
ァス高透磁率の下地層上面にＣｒ含有のＣｏ合金よりな
る垂直磁化層を形成して、垂直磁化層の配向性の向上及
び記録密度の向上を図った記録媒体が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記特開昭
６２−１２９９４０号公報に開示されているような２層
膜垂直磁気記録媒体の製造方法にあっては、円形基板の
中央部に第１の磁石を設け、上記円形基板の外周に第２
の磁石をそれぞれ極性が逆になるように配置して、上記
円形基板に円周方向に磁化困難性を持つ軟磁性下地層を
形成するという製造方法が著しく複雑なものである。ま
た、成膜方法がスパッタの場合、基板の近くに磁石があ
ってもスパッタレートの向上に寄与するわけではなし、
スループットの低下を招く。更に、上記軟磁性下地層上
に形成する垂直磁化層の特性については何ら考慮されて
いないため、垂直配向性のよい垂直磁化層を得ることが
できず、したがって良好な記録特性を得ることができな
いなどの問題点があった。また、上記特公平３−１３６
４６号公報に示す磁気記録媒体にあっては、上記のよう
なアモルファス高透磁率の下地層を有する２層構造記録
媒体を従来方法により製造しても、垂直磁化層の配向度
が常に高くなるわけではなく、配向度のバラツキが比較
的大きく、特性上不安定であるという問題がある。

【０００４】更に、この記録媒体にあっては軟磁性下地
層の磁化容易軸の方向が何ら考慮されておらず、ノイズ
の増大を招くという不都合があった。以上のような理由
により、現在では下地層としてＣｏＺｒ系のアモルファ
ス膜はほとんど検討されておらず、パーマロイ（ＮｉＦ
ｅ系合金）が下地層用として一般的に用いられている。
しかしながら、このパーマロイを使用した場合には、前
述したごとき問題点が依然として残っている。例えばこ
のパーマロイを用いた場合には垂直層の結晶配向性が十
分良好でないという問題があり、この欠点を補うために
ＴｉやＧｅ等の中間層を設けることも行われているが、
その効果は十分ではないばかりか、製造工程の複雑化を
招き、スループットが低下するという問題があった。

【０００５】更に、下地層としてパーマロイを用いた場
合には、軟磁気特性の良いパーマロイを得るために成膜
条件が限定されるという不都合がある。例えばパーマロ
イ成膜時に基板温度が高いと縞状磁区が形成されて軟磁
気特性が著しく劣化するので基板温度は低くなされ、一
方、垂直層成膜時には保磁力Ｈｃを確保するために成膜
温度は高く設定されている。このため、下地層と垂直層
の成膜条件が異なるのでそれだけ製造工程が煩雑にな
り、スループットが低下するという問題があった。本発
明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決
すべく創案されたものである。本発明の目的は、製造方
法を複雑化することなくハイレートで下地層を成膜し、
かつ、下地層の磁化容易軸の配列を改良すると共に垂直
磁化層の配向度も改良して低ノイズ化を図り、下地層の
ヘッド走行方向に対する透磁率を高めて記録再生効率を
向上させることができる垂直磁気記録媒体及びその製造
方法を提供することにある。

【０００６】本発明は、軟磁性下地層としてＣｏＺｒ系
アモルファスを用いてこれを円形基板に半径方向磁界中
で成膜することによりハイレートかつ簡便に半径方向に
磁化容易軸のそろった下地層が得られ、かつ下地層のＣ
ｏ原子とその上に形成する垂直磁化層のＣｏ原子とを直
接結合させるようにＣｏＣｒ系合金を成膜することによ
って、極めて安定して垂直配向度の高い垂直磁化層が得
られることを見い出すことによりなされたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、第１の発明は、成膜装置のプラズマ集束用コイル
もしくは磁石により円形基板の半径方向に磁界を印加し
ながらＣｏ系軟磁性下地層を成膜する工程と、このＣｏ
系軟磁性下地層を成膜した後の所定の時間内に、真空中
でＣｏ系垂直磁化層の成膜を開始して前記下地層のＣｏ
原子と前記垂直磁化層のＣｏ原子とを直接結合させる工
程とにより構成したものである。また、上記問題点を解
決するために、第２の発明は、円形基板の半径方向に磁
界を印加しながら形成されたＣｏ系軟磁性下地層と、前
記下地層上に、前記下地層の形成後の所定の時間内に成
膜処理を開始することにより形成されて、含有するＣｏ
原子が前記下地層のＣｏ原子と直接結合したＣｏ系垂直
磁化層とを有するように構成したものである。

【０００８】

【作用】第１及び第２の発明は、以上のように構成され
たので、成膜方法を複雑化せずに軟磁性下地層をハイレ
ートで成膜し、かつその半径方向に磁化容易軸をそろえ
ることが可能となり、また、下地層のＣｏ原子とこの上
に形成されたＣｏ原子とを直接結合させたので、垂直配
向度の高い垂直磁化層を安定に得ることが可能である。
従って、記録感度の向上及び低ノイズ化が可能である。
また、下地層において、円周方向に対する透磁率を高め
ることが可能なので、記録再生効率を向上させることが
可能となる。

【０００９】

【実施例】以下に、本発明に係る垂直磁気記録媒体及び
その製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明の一実施例の垂直磁気記録媒体の製造
方法を説明するためのＤＣマグネトロンスパッタ装置の
ターゲット電極付近の概略断面図、図２は本発明方法に
より製造された垂直磁気記録媒体の断面図である。この
本実施例においては、図１に示すように例えばＣｏＺｒ
Ｎｂのごときターゲット２の下方中央部には第１の希土
類永久磁石４を、ターゲット２の下方外周部には第２の
希土類永久磁石６を配置する。これら第１と第２の希土
類永久磁石４、６の極性は、図中に示したようにそれぞ
れ逆にしてある。前記ターゲット２の上方には、例えば
鏡面研磨したガラスからなる円形基板８を配置してあ
る。この円形基板８上には、前記第１と第２の希土類永
久磁石によって常に半径方向に数１０、例えば約５０エ
ルステッドの磁界が加わっている。この磁界の強さは、
軟磁性下地層１０の磁化容易軸が半径方向に向く程度で
よく、例えば１０エルステッド（８００Ｔ）以上もあれ
ば十分である。また、上記磁石はマグネトロンの磁石と
しても作用し、ターゲット近傍のプラズマを集束させて
ハイレートで成膜することにも寄与している。

【００１０】上記のようなＤＣマグネトロンスパッタ装
置を用いてガラスからなる円形基板８上に、この半径方
向に磁界を印加しながらＣｏＺｒ系アモルファスを用い
てＣｏ系アモルファス軟磁性下地層１０（例えばＣｏＺ
ｒ₇ Ｎｂ₅ ａｔ％）を成膜し、そして、このＣｏ系アモ
ルファス軟磁性下地層１０を成膜した後の所定の時間
内、例えば約１０分以内に真空中でＣｏＣｒ系合金を用
いてＣｏ系垂直磁化層１２（例えばＣｏＣｒ₁₅Ｔａ₄ ａ
ｔ％）の成膜を開始し、これを形成する。この場合、ス
パッタ前の到着真空度を２×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、スパ
ッタ中のＡｒのガス圧を１．５×１０^-3Ｔｏｒｒとし、
これら下地層１０と垂直磁化層１２とを同一真空チャン
バ内で真空を維持しながら成膜を行った。この際の下地
層１０の膜厚は約０．５μｍであり、垂直磁化層１２の
膜厚は約０．２μｍである。

【００１１】更に、このようにして成膜された下地層１
０と垂直磁化層１２との２層膜を１×１０^-4Ｔｏｒｒ
（１．３×１０^-2Ｐａ）以下の真空中で、しかも１５０
℃〜５００℃の範囲内において、例えば約３００エルス
テッド（２．４ＫＴ）の回転磁界中で約３時間熱処理を
行なった。この場合、回転磁界を熱処理中、連続的或い
は断続的に印加する。また、加熱温度の最高値は、軟磁
性下地層の結晶化温度以下とする。ここで、前記Ｃｏ系
垂直磁化層１２の垂直配向性を高めるためには、下地層
１０の材質を、この垂直磁化層１２と同じＣｏ系金属に
することと、下地層１０の成膜後から垂直磁化層１２の
成膜開始時までの時間間隔を短くすることにより実現可
能となった。

【００１２】すなわち、下地層１０の材質を、この垂直
磁化層１２と同じＣｏ系金属とすることにより下地層１
０のＣｏ原子と、垂直磁化層１２のＣｏ原子との強い直
接結合が得られ、また下地層１０の成膜完了後から垂直
磁化層１２の成膜開始時までの時間間隔を短くすること
により、下地層上面が汚染されたり変質することなく、
垂直配向性の良い垂直磁化層１２を得ることができる。
通常の成膜装置の場合、この時間間隔としては、下地層
形成完了後約１０分以内が望ましいのであるが、成膜装
置の性能及び成膜条件により前後する。いずれにしても
この時間間隔を長くすると下地層上面が汚染されてしま
い、この結果、下地層のＣｏ原子と垂直磁化層のＣｏ原
子との強い直接結合が得られず、垂直配向性が乱れてし
まう。また、前記円形基板４の円周方向に対して軟磁性
下地層１２の透磁率μを飛躍的に上げるためには、まず
半径方向の磁界中で軟磁性下地層１２の成膜を行ない
（この状態では半径方向の異方性が強く、透磁率μはそ
れ程高くない）、その上で円周方向に連続的に或いは断
続的に磁界を加えながら熱処理を行なうことにより異方
性を弱めることができ、透磁率μを上げることができる
のである。

【００１３】以下に、軟磁性下地層１０としてＣｏＺｒ
Ｎｂを用いたときと、下地層としてパーマロイを用いた
ときの各種特性の比較を行なう。軟磁性下地層用にＣｏ
Ｚｒ₇ Ｎｂ₅ ａｔ％を用い、比較用の下地層用にＣｕＭ
ｏパーマロイ（ＮｉＦｅ₁₄Ｍｏ₄ Ｃｕ₅ ａｔ％）用い
た。また、垂直磁化層用に種々の組成のＣｏＣｒＴａ合
金を用いた。そして、下地層１０を０．５〜１．５μ
ｍ、垂直磁化層１２を０．０１〜０．５μｍ順次成膜し
て種々の特性を調べた。まず、下地層の軟磁気特性につ
いて示す。下記の表１は、ＣｏＺｒＮｂ及びパーマロイ
の軟磁特性を示す。

【００１４】

【表１】

【００１５】この表１によればＣｏＺｒＮｂは、パーマ
ロイと比較して飽和磁束密度Ｂは大きく、磁界の強さＨ
ｃは小さいので、パーマロイよりも良好な軟磁気特性を
有していることが判明する。図３（Ａ）（Ｂ）は両下地
層の磁化容易軸を示す。図３（Ｂ）に示すＣｏＺｒＮｂ
では磁化容易軸は均一に半径方向にそろっているのに対
して、図３（Ａ）に示すパーマロイでは方向が定まって
おらず、むしろ円周方向に向く傾向を示した。この容易
軸を半径方向にそろえることが特に重要であり、これに
よってヘッドが走行する円周方向の透磁率μを十分な値
に一定に保つことができる。μの値はＣｏＺｒＮｂの場
合８００〜１０００の範囲に納まっており、十分かつ一
定だったのに対して、パーマロイの場合にはほとんどゼ
ロから数１０００まで場所によって大きくことなってい
た。また、容易軸が半径方向にそろっていないと円周方
向に磁壁が多数存在し、ヘッドで再生した際に媒体ノイ
ズを引き起こすことになる。

【００１６】図４（Ａ）（Ｂ）は、ディスク１周分のＤ
Ｃノイズエンベロープを示したものである。図４（Ｂ）
に示すＣｏＺｒＮｂでは容易軸が半径方向にそろってい
るためにノイズはほとんど見られないのに対して、図４
（Ａ）に示すパーマロイでは容易軸は不均一であるため
に全周に渡ってノイズが発生しており、良好ではない。

【００１７】次に、成膜完了後の熱処理の効果について
説明する。図５はＣｏＺｒＮｂを０．５μｍ成膜後、１
×１０^-4Ｔｏｒｒ（１．３×１０^-2Ｐａ）以下の真空中
で３時間、３００エルステッド（２．４ＫＴ）の回転磁
界中で熱処理したときのμの変化を示すグラフである。
図６は下地層の熱処理温度と異方性磁界Ｈｋとの関係を
示すグラフである。

【００１８】図５及び図６において示すように、ａｓ
ｄｅｐｏ．では、マグネトロンスパッタ装置によるＣｏ
ＺｒＮｂスパッタ中の半径方向の磁界のため、半径方向
に磁化容易軸（ＥＡ）を有し、異方性磁界（Ｈｋ）は１
５エルステッドと大きくなる。このため、透磁率μはそ
れ程高くなく、１０³ 以下である。これに対して、回転
磁界中で約１５０℃〜約４００℃の温度に熱処理を行う
と、円周方向の磁界が有効となり、磁化容易軸（ＥＡ）
を半径方向に保ちつつ異方性磁界（Ｈｋ）が減少し、透
磁率μは３〜６×１０³ 程度に飛躍的に向上する。約４
００℃以上の温度で熱処理を行うと、異方性の逆転（円
周方向がＥＡとなる）または結晶化が起こり、透磁率μ
は低下することになる。すなわち、記録効率を向上させ
るためにμは高い程よく、熱処理前においても８００〜
１０００の十分良好な値であるが、１５０℃〜４００℃
の熱処理でμは２０００以上に飛躍的に向上する。尚、
この例では約４００℃以上で膜の結晶化によりμが急激
に減少しているが、この結晶化温度はＣｏＺｒ系合金の
組成によって変化し、高いものでは５００℃以上となる
ので、そのような組成の場合には材料の結晶化温度、す
なわち５００℃程度の温度で熱処理しても構わない。

【００１９】次いで、垂直磁化層の結晶配向性について
述べる。図７は下地層成膜後から垂直磁化層成膜開始ま
での時間間隔ｔと垂直磁化層のＣ軸分散角Δθ₅₀（垂直
配向性）との関係を示すグラフである。下地層がパーマ
ロイの場合は、ｔとは関係なくΔθ₅₀は約０．２４ｒａ
ｄ（７°）と大きく、結晶配向が乱れている。尚、前記
表１に示したパーマロイの軟磁気特性を得るためには、
基板温度は室温程度に低くなければいけない。一方、垂
直磁化層においては保磁力Ｈｃを高くするためには基板
温度を高くする必要があるため、パーマロイ成膜後に基
板を加熱しなければならず、必然的にｔは長くなり、ス
ループットが低くなるばかりでなく、製造工程も複雑と
なる。これに対して、下地層がＣｏＺｒＮｂの場合に
は、ｔの短いところでΔθ₅₀は０．１ｒａｄ（３°）以
下となり、極めて結晶配向の優れた垂直磁化層が得られ
た。また、ＣｏＺｒ系アモルファスでは良好な軟磁気特
性の得られる成膜条件が広いために、垂直磁化層の成膜
条件と同じく基板温度を２００℃程度に高くしてもよ
く、製造工程も簡単となり、ｔを短くすることでスルー
プットも向上する。ただし、ｔが長くなり過ぎるとΔθ
₅₀は大きくなり、結晶配向が乱れる傾向を示した。例え
ばｔを１０分以内とすることにより、Δθ₅₀は０．２４
ｒａｄ以下の垂直配向性の極めて良好な垂直磁化層を得
ることができる。

【００２０】図８（Ａ）は時間間隔ｔが短くΔθ₅₀が小
さい媒体におけるＡＥＳ（オージェ電子分光分析）によ
る深さ方向におけるＣｏのプロファイルを示すグラフで
あり、図８（Ｂ）は時間間隔ｔが長くΔθ₅₀が大きい媒
体におけるＡＥＳによる深さ方向のＣｏのプロファイル
を示すグラフである。垂直磁化層のＣｏＣｒＴａと、下
地層のＣｏＺｒＮｂの界面付近に着目すると、図８
（Ａ）ではアトミックパーセントの変化が小さく、垂直
磁化層のＣｏ原子が下地層のＣｏ原子上に連続的に成長
していることが判明する。すなわち、下地層がアモルフ
ァスであるが故に垂直磁化層のＣｏｈｃｐが成長しや
すいサイトが多数存在し、そこを核にして結晶成長する
ことが判明する。これに対して、図８（Ｂ）では、プロ
ファイルに急峻なアトミックパーセントの変化がみら
れ、構造が不連続になっていることを示している。つま
り、時間間隔ｔが長いことによる下地層表面の変質或い
は成膜装置内の残留ガスの付着等の理由で下地層と垂直
磁化層のＣｏ原子同士の結合がなされないために、垂直
磁化層の結晶配向が乱れてしまっている。

【００２１】従来は、下地層と垂直磁化層のＣｏ原子同
士は直接結合させた連続構造とする考慮がなされていな
かったために、得られる結晶配向度Δθ₅₀が不安定でバ
ラツキが大きかった。このように結晶配向度が悪くなる
と、記録感度の低下及び結晶の乱れからくるノイズの発
生を引き起こすことになる。しかしながら、本発明によ
れば、常に結晶配向度の良い垂直磁化層が安定して得ら
れる。尚、この効果は特定の組成の垂直磁化層に限定さ
れるものではなく、図９に示すようにＭｓの異なる広範
囲の組成の垂直磁化層について発揮する。また、下地層
の組成もＣｒＺｒＮｂ以外でもＣｏにＺｒを含んだアモ
ルファス構造の磁性膜となる組成であればよい。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような優れた作用効果を発揮することができる。軟磁
性下地層の磁化容易軸を半径方向にそろえることがで
き、しかも高い垂直配向性の垂直磁化膜を得ることがで
きるので、記録感度の向上及びノイズの低減化を図るこ
とができる。また、軟磁性下地層のヘッド走行方向であ
る円周方向に対する透磁率を高めることができるので、
記録再生効率を大幅に向上させることができる。更に、
Ｔｉ、Ｇｅ等の中間層を設けることなく上記した良好な
特性を得ることができるので、製造工程の簡略化及び記
録再生効率の向上を図ることができる。また、下地層と
垂直磁化層の成膜条件が全く同じでよく、この点よりも
製造工程の簡略化を図ることができる。また更に、既存
の円形ターゲットを有するマグネトロンスパッタ装置を
利用できるので、設備の変更なく容易にかつ高いスルー
プットで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法を実施するためのＤＣマグネトロン
スパッタ装置の内部を示す内部構成図である。

【図２】本発明に係る垂直磁気記録媒体を示す断面図で
ある。

【図３】軟磁性下地層の磁化容易軸の分布を示す図であ
る。

【図４】円形基板１周分のＤＣノイズエンベロープを示
すグラフである。

【図５】ＣｏＺｒＮｂ下地層の透磁率μの熱処理温度依
存性を示すグラフである。

【図６】ＣｏＺｒＮｂ下地層の熱処理温度と異方性磁界
との関係を示すグラフである。

【図７】下地成膜後から垂直磁化層成膜開始までの時間
間隔とＣ軸分散角との関係を示すグラフである。

【図８】ＣｏＣｒＴａ／ＣｏＺｒＮｂ界面のＡＥＳのＣ
_D の深さ方向のプロファイルを示すグラフである。

【図９】本発明による種々の組成の垂直磁化層の結晶配
向度を示すグラフである。

【符号の説明】

２…ターゲット、４…第１の希土類永久磁石、６…第２
の希土類永久磁石、８…円形基板、１０…軟磁性下地
層、１２…垂直磁化層。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年８月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】更に、この記録媒体にあっては軟磁性下地
層の磁化容易軸の方向が何ら考慮されておらず、ノイズ
の増大を招くという不都合があった。以上のような理由
により、現在では下地層としてＣｏＺｒ系のアモルファ
ス膜はほとんど検討されておらず、パーマロイ（ＮｉＦ
ｅ系合金）が下地層用として一般的に用いられている。
しかしながら、このパーマロイを使用した場合には、前
述したごとき問題点が依然として残っている。例えばこ
のパーマロイを用いた場合には垂直層の結晶配向性が十
分良好でないという問題があり、この欠点を補うために
ＴｉやＧｅ、更に非磁性のＣｏＣｒ等の中間層を設ける
ことも行われているが、その効果は十分ではないばかり
か、製造工程の複雑化を招き、スループットが低下する
という問題があるのみならず、ヘッドと下地軟磁性層と
の間のスペーシングの増大を招き、それによって記録特
性を劣化させるという問題があった。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】更に、下地層としてパーマロイを用いた場
合には、軟磁気特性の良いパーマロイを得るために組成
や成膜条件が限定されるという不都合がある。例えばパ
ーマロイ成膜時に基板温度が高いと縞状磁区が形成され
て軟磁気特性が著しく劣化するので基板温度は低くなさ
れ、一方、垂直層成膜時には保磁力Ｈｃを確保するため
に成膜温度は高く設定されている。このため、下地層と
垂直層の成膜条件が異なるのでそれだけ製造工程が煩雑
になり、スループットが低下するという問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に
解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、製
造方法を複雑化することなくハイレートで下地層を成膜
し、かつ、下地層の磁化容易軸の配列を改良すると共に
ヘッドスペーシングを増大させることなしに垂直磁化層
の配向度も改良して記録特性の向上及び低ノイズ化を図
り、下地層のヘッド走行方向に対する透磁率を高めて記
録再生効率を向上させることができる垂直磁気記録媒体
及びその製造方法を提供することにある。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円形基板の半径方向に磁界を印加しなが
らＣｏ系軟磁性下地層を成膜する工程と、このＣｏ系軟
磁性下地層を成膜した後の所定の時間内に、真空中でＣ
ｏ系垂直磁化層の成膜を開始して前記下地層のＣｏ原子
と前記垂直磁化層のＣｏ原子とを直接結合させる工程と
よりなることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項２】円形基板の半径方向に磁界を印加しなが
ら形成されたＣｏ系軟磁性下地層と、前記下地層上に、
前記下地層の形成後の所定の時間内に成膜処理を開始す
ることにより形成されて、含有するＣｏ原子が前記下地
層のＣｏ原子と直接結合したＣｏ系垂直磁化層とを有す
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。