JPH0757237A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0757237A JPH0757237A JP21494393A JP21494393A JPH0757237A JP H0757237 A JPH0757237 A JP H0757237A JP 21494393 A JP21494393 A JP 21494393A JP 21494393 A JP21494393 A JP 21494393A JP H0757237 A JPH0757237 A JP H0757237A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高価なＰｔを使用しないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系あるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ
ｒ系の磁性薄膜において、スパッタの際に基板を加熱す
ることなく１７００ Oe を超える保磁力を実現する。 【構成】 ディスク状の非磁性基体２の少なくとも一方
の面上に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏからなる下地層とＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ
−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜とをスパッ
タにより形成して磁気記録媒体を製造するに際し、ター
ゲット１０表面の中心と非磁性基体２表面の中心とを結
ぶ線が非磁性基体２表面となす角度φを４０度以下と
し、かつ、非磁性基体２を加熱しない。
系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系あるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ
ｒ系の磁性薄膜において、スパッタの際に基板を加熱す
ることなく１７００ Oe を超える保磁力を実現する。 【構成】 ディスク状の非磁性基体２の少なくとも一方
の面上に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏからなる下地層とＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ
−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜とをスパッ
タにより形成して磁気記録媒体を製造するに際し、ター
ゲット１０表面の中心と非磁性基体２表面の中心とを結
ぶ線が非磁性基体２表面となす角度φを４０度以下と
し、かつ、非磁性基体２を加熱しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタによって成膜し
た磁性薄膜を有する面内磁気記録用の磁気記録媒体と、
その製造方法とに関する。
た磁性薄膜を有する面内磁気記録用の磁気記録媒体と、
その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ａｌ合金基板上などに磁性薄膜を形成し
たハードディスクの記録密度は、過去１０年間で一桁以
上の伸びを示し、さらにこの伸び率を維持する方向で高
記録密度化の検討が進められている。このような高記録
密度化を実現していく上で媒体の高保磁力化がますます
重要になっている。
たハードディスクの記録密度は、過去１０年間で一桁以
上の伸びを示し、さらにこの伸び率を維持する方向で高
記録密度化の検討が進められている。このような高記録
密度化を実現していく上で媒体の高保磁力化がますます
重要になっている。
【０００３】スパッタによる磁性薄膜を有する磁気ディ
スク媒体の保磁力も媒体の高記録密度化とともに増大
し、当初の９００ Oe 程度から現在では１５００ Oe 前
後が主流になりつつある。さらに今後の高記録密度化を
想定すると、媒体の保磁力として約１７００ Oe 以上の
実用化が重要になってきている。
スク媒体の保磁力も媒体の高記録密度化とともに増大
し、当初の９００ Oe 程度から現在では１５００ Oe 前
後が主流になりつつある。さらに今後の高記録密度化を
想定すると、媒体の保磁力として約１７００ Oe 以上の
実用化が重要になってきている。
【０００４】現在、検討されているスパッタによる磁性
薄膜の磁気特性は、組成の大部分を占める強磁性金属Ｃ
ｏに由来するところが大きいが、Ｃｏのみの薄膜では得
られる保磁力はせいぜい５００ Oe 以下と極めて小さ
い。このため、他元素との合金化や膜構造の検討などが
行なわれ、保磁力が１０００〜２０００ Oe の範囲の磁
性薄膜が得られている。このうち、現在、主として製品
化ないし検討されている磁性膜は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系などであ
る。これらはいずれも、基板上に設けた非磁性Ｃｒ下地
層の上に形成する。Ｃｒ下地層は、その上に成膜される
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｐｔなどを含む六方晶Ｃｏ合金のｃ
軸を基板面内に向け、磁性層の面内保磁力を高める作用
を果たしている。これについては、体心立方構造をとる
下地層Ｃｒの（１１０）面が基板表面に平行に配向して
成長し、このＣｒの（１１０）面上に、六方晶Ｃｏ合金
のｃ軸を面内に含む結晶面、例えば、（１０１）面など
がエピタキシャル的に成長するため、六方晶Ｃｏ合金の
磁化容易軸であるｃ軸が基板面内に配向して面内保磁力
が大きくなるなどの説明がなされている。ただし、後述
するように、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系以外は、成膜時に基板
を加熱しない場合には１５００ Oe 以上の保磁力が得ら
れていない。このため、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｔ
ａ−Ｃｒ系ではスパッタ時の基板加熱が重要になってお
り、通常、１００〜３００℃まで基板を加熱したり、ま
た、同時に−３０〜−２００Ｖ程度の基板バイアス電圧
を印加することなどにより、合金の結晶化やＣｒの偏析
を促進して１５００ Oe を超える高保磁力を実現してい
るのが現状である。この例として、資料１：”ＣｏＮｉ
Ｃｒ／Ｃｒスパッタハードディスクの高保磁力化”電子
情報通信学会技術研究報告ＣＰＭ８８−９２，ｐ．２３
−ｐ．２８（１９８８）を挙げることができる。例え
ば、同資料の図２に示されるように基板温度の上昇によ
り保磁力は増加し、さらに同資料の図５、６に示される
ように基板温度２００℃以上でバイアス電圧を印加する
と１５００ Oe から２０００ Oe 以上の高保磁力が得ら
れることがわかる。ただし、同資料の図２に示されるよ
うに、基板温度が１５０℃以下では保磁力は１０００ O
e 以下である。
薄膜の磁気特性は、組成の大部分を占める強磁性金属Ｃ
ｏに由来するところが大きいが、Ｃｏのみの薄膜では得
られる保磁力はせいぜい５００ Oe 以下と極めて小さ
い。このため、他元素との合金化や膜構造の検討などが
行なわれ、保磁力が１０００〜２０００ Oe の範囲の磁
性薄膜が得られている。このうち、現在、主として製品
化ないし検討されている磁性膜は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系などであ
る。これらはいずれも、基板上に設けた非磁性Ｃｒ下地
層の上に形成する。Ｃｒ下地層は、その上に成膜される
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｐｔなどを含む六方晶Ｃｏ合金のｃ
軸を基板面内に向け、磁性層の面内保磁力を高める作用
を果たしている。これについては、体心立方構造をとる
下地層Ｃｒの（１１０）面が基板表面に平行に配向して
成長し、このＣｒの（１１０）面上に、六方晶Ｃｏ合金
のｃ軸を面内に含む結晶面、例えば、（１０１）面など
がエピタキシャル的に成長するため、六方晶Ｃｏ合金の
磁化容易軸であるｃ軸が基板面内に配向して面内保磁力
が大きくなるなどの説明がなされている。ただし、後述
するように、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系以外は、成膜時に基板
を加熱しない場合には１５００ Oe 以上の保磁力が得ら
れていない。このため、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｔ
ａ−Ｃｒ系ではスパッタ時の基板加熱が重要になってお
り、通常、１００〜３００℃まで基板を加熱したり、ま
た、同時に−３０〜−２００Ｖ程度の基板バイアス電圧
を印加することなどにより、合金の結晶化やＣｒの偏析
を促進して１５００ Oe を超える高保磁力を実現してい
るのが現状である。この例として、資料１：”ＣｏＮｉ
Ｃｒ／Ｃｒスパッタハードディスクの高保磁力化”電子
情報通信学会技術研究報告ＣＰＭ８８−９２，ｐ．２３
−ｐ．２８（１９８８）を挙げることができる。例え
ば、同資料の図２に示されるように基板温度の上昇によ
り保磁力は増加し、さらに同資料の図５、６に示される
ように基板温度２００℃以上でバイアス電圧を印加する
と１５００ Oe から２０００ Oe 以上の高保磁力が得ら
れることがわかる。ただし、同資料の図２に示されるよ
うに、基板温度が１５０℃以下では保磁力は１０００ O
e 以下である。
【０００５】一方、磁性層の厚さを薄くすることも高保
磁力化に有効であり、磁性層の膜厚を１００〜３００ A
程度まで薄くすることにより１５００ Oe 前後の保磁力
を得ている例もある。この例として、 資料２："Magnetic and Recording Characteristics of
Very Thin Metal-Film Media" ; IEEE Trans. on Mag.
vol.25, p.3869-p.3871(1989)、 資料３："Dependence of Magnetics, Microstructures
and Recording Properties on Underlayer Thickness i
n CoNiCr/Cr Media"; IEEE Trans. on Mag.vol.24, p.2
727-p.2729(1988) 、 資料４："A Comparison of Magnetic and Recording Pr
operties of Sputtered Ternary Alloys for High Dens
ity Applications" ; IEEE Trans. on Mag.vol.23, p.1
22-p.124(1987) 、 資料５："Magnetic Properties and Read-Write Charac
teristics of Multilayer Films on a Glass Substrat
e"; IEEE Trans. on Mag. vol.24, p.2982-p.2984(198
8)、 資料６：”高密度CoNiCr二層膜媒体”；電子情報通信学
会技術研究報告 CPM89-78, p.7-p.11(1989) などが挙げられる。これらの資料に示される磁性薄膜の
保磁力を表１にまとめて示す。
磁力化に有効であり、磁性層の膜厚を１００〜３００ A
程度まで薄くすることにより１５００ Oe 前後の保磁力
を得ている例もある。この例として、 資料２："Magnetic and Recording Characteristics of
Very Thin Metal-Film Media" ; IEEE Trans. on Mag.
vol.25, p.3869-p.3871(1989)、 資料３："Dependence of Magnetics, Microstructures
and Recording Properties on Underlayer Thickness i
n CoNiCr/Cr Media"; IEEE Trans. on Mag.vol.24, p.2
727-p.2729(1988) 、 資料４："A Comparison of Magnetic and Recording Pr
operties of Sputtered Ternary Alloys for High Dens
ity Applications" ; IEEE Trans. on Mag.vol.23, p.1
22-p.124(1987) 、 資料５："Magnetic Properties and Read-Write Charac
teristics of Multilayer Films on a Glass Substrat
e"; IEEE Trans. on Mag. vol.24, p.2982-p.2984(198
8)、 資料６：”高密度CoNiCr二層膜媒体”；電子情報通信学
会技術研究報告 CPM89-78, p.7-p.11(1989) などが挙げられる。これらの資料に示される磁性薄膜の
保磁力を表１にまとめて示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】表１から、磁性薄膜を薄くすることにより
高保磁力化が可能であることがわかる。なお、磁性薄膜
を薄くすることは媒体ノイズの低減にも有効であり、今
後の高記録密度磁気ディスクの進むべき方向の一つを示
唆するものとなっている。
高保磁力化が可能であることがわかる。なお、磁性薄膜
を薄くすることは媒体ノイズの低減にも有効であり、今
後の高記録密度磁気ディスクの進むべき方向の一つを示
唆するものとなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術によ
れば、保磁力として約１７００ Oe 以上を実現するに
は、Ｐｔを含む系の磁性膜とするか、あるいは資料１に
示されるように２００℃以上の基板加熱と基板バイアス
電圧の印加とが必要であった。しかし、高価なＰｔの使
用は媒体コストの上昇につながるので好ましくない。ま
た、基板加熱と基板バイアスの印加もコスト増の要因と
なる。さらに、ＮｉＰめっきにより表面硬度を改善した
Ａｌ基板を使用する場合は、非磁性のＮｉＰが熱処理に
より磁性を帯びる危険性が強まるので、基板加熱はでき
るだけ避けることが好ましい。
れば、保磁力として約１７００ Oe 以上を実現するに
は、Ｐｔを含む系の磁性膜とするか、あるいは資料１に
示されるように２００℃以上の基板加熱と基板バイアス
電圧の印加とが必要であった。しかし、高価なＰｔの使
用は媒体コストの上昇につながるので好ましくない。ま
た、基板加熱と基板バイアスの印加もコスト増の要因と
なる。さらに、ＮｉＰめっきにより表面硬度を改善した
Ａｌ基板を使用する場合は、非磁性のＮｉＰが熱処理に
より磁性を帯びる危険性が強まるので、基板加熱はでき
るだけ避けることが好ましい。
【０００９】本発明の目的は、高価なＰｔを使用しない
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系あるいはＣｏ
−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系の磁性薄膜において、スパッタの
際に基板を加熱することなく１７００ Oe を超える保磁
力を実現することである。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系あるいはＣｏ
−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系の磁性薄膜において、スパッタの
際に基板を加熱することなく１７００ Oe を超える保磁
力を実現することである。
【００１０】このような本発明の目的は、例えば上記表
１に示されるように、従来技術では達成されていない。
１に示されるように、従来技術では達成されていない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１）ディスク状の非磁性基体の少なくとも一方の面上
に、下地層と磁性薄膜とを有する磁気記録媒体であっ
て、下地層がＣｒ、ＷまたはＭｏのスパッタ膜であり、
磁性薄膜が、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ
ｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金から構成
されるスパッタ膜であり、スパッタの際に非磁性基体を
加熱せず、かつ、ターゲットからの粒子を非磁性基体表
面に対し斜め方向から入射させて形成したものであり、
厚さが５０〜４００ Aであり、面内方向の保磁力が１７
５０ Oe 以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 （２）ディスク状の非磁性基体の少なくとも一方の面上
に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏからなる下地層とＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ
−Ｔａ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜とをスパッタによ
り形成して磁気記録媒体を製造する方法であって、ター
ゲット表面の中心と非磁性基体表面の中心とを結ぶ線が
非磁性基体表面となす角度をφとしたとき、磁性薄膜を
形成するときの角度φが４０度以下であり、かつ、磁性
薄膜形成の際に非磁性基体を加熱しないことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 （３）磁性薄膜形成の際に非磁性基体を回転させる上記
（２）の磁気記録媒体の製造方法。 （４）上記（１）の磁気記録媒体が製造される上記
（２）または（３）の磁気記録媒体の製造方法。
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１）ディスク状の非磁性基体の少なくとも一方の面上
に、下地層と磁性薄膜とを有する磁気記録媒体であっ
て、下地層がＣｒ、ＷまたはＭｏのスパッタ膜であり、
磁性薄膜が、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ
ｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金から構成
されるスパッタ膜であり、スパッタの際に非磁性基体を
加熱せず、かつ、ターゲットからの粒子を非磁性基体表
面に対し斜め方向から入射させて形成したものであり、
厚さが５０〜４００ Aであり、面内方向の保磁力が１７
５０ Oe 以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 （２）ディスク状の非磁性基体の少なくとも一方の面上
に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏからなる下地層とＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ
−Ｔａ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜とをスパッタによ
り形成して磁気記録媒体を製造する方法であって、ター
ゲット表面の中心と非磁性基体表面の中心とを結ぶ線が
非磁性基体表面となす角度をφとしたとき、磁性薄膜を
形成するときの角度φが４０度以下であり、かつ、磁性
薄膜形成の際に非磁性基体を加熱しないことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 （３）磁性薄膜形成の際に非磁性基体を回転させる上記
（２）の磁気記録媒体の製造方法。 （４）上記（１）の磁気記録媒体が製造される上記
（２）または（３）の磁気記録媒体の製造方法。
【００１２】
【作用および効果】本発明では、ターゲットと非磁性基
体とを上記関係として、スパッタにより所定厚さの磁性
薄膜を形成する。これにより、基板の加熱や基板バイア
ス電圧の印加なしに、Ｐｔを含まない磁性薄膜で１７５
０ Oe 以上の高保磁力が得られる。
体とを上記関係として、スパッタにより所定厚さの磁性
薄膜を形成する。これにより、基板の加熱や基板バイア
ス電圧の印加なしに、Ｐｔを含まない磁性薄膜で１７５
０ Oe 以上の高保磁力が得られる。
【００１３】このような高保磁力が得られる要因として
は、定性的には磁性薄膜中の磁性粒子の斜め方向成分の
増加、および薄膜化による粒子サイズの減少などが考え
られるが、下地層の影響も考慮する必要があり、その解
明は今後の課題である。
は、定性的には磁性薄膜中の磁性粒子の斜め方向成分の
増加、および薄膜化による粒子サイズの減少などが考え
られるが、下地層の影響も考慮する必要があり、その解
明は今後の課題である。
【００１４】
【具体的構成】本発明の磁気記録媒体の構成例を図１に
示す。同図の磁気記録媒体は、非磁性基体２表面に、下
地層３、磁性薄膜４、保護層５をこの順で有する。本発
明は、図示例のような片面記録媒体の他、非磁性基体の
両面に磁性薄膜を設けた両面記録媒体にも適用すること
ができる。
示す。同図の磁気記録媒体は、非磁性基体２表面に、下
地層３、磁性薄膜４、保護層５をこの順で有する。本発
明は、図示例のような片面記録媒体の他、非磁性基体の
両面に磁性薄膜を設けた両面記録媒体にも適用すること
ができる。
【００１５】非磁性基体２の材質に特に制限はなく、各
種の金属、ガラス、セラミック、樹脂等、磁気ディスク
の剛性基板として従来用いられている材質を用いればよ
いが、樹脂フィルム等の可撓性のものを用いてもよい。
本発明では非磁性基体を加熱する必要がないので、耐熱
性の低い樹脂、例えば熱変形温度（Ｔｇ）が２００℃以
下の樹脂も用いることができる。表面性向上の難しいＡ
ｌ系材料を用いる場合には、その表面にＮｉ−Ｐめっき
膜などを形成したものを基体とし、かつめっき膜表面を
研磨することにより平滑化をはかることができる。非磁
性基体の形状はディスク状であり、その寸法は適宜決定
すればよいが、通常、外径２５〜３００mm程度、厚さ
０．３〜５mm程度とする。
種の金属、ガラス、セラミック、樹脂等、磁気ディスク
の剛性基板として従来用いられている材質を用いればよ
いが、樹脂フィルム等の可撓性のものを用いてもよい。
本発明では非磁性基体を加熱する必要がないので、耐熱
性の低い樹脂、例えば熱変形温度（Ｔｇ）が２００℃以
下の樹脂も用いることができる。表面性向上の難しいＡ
ｌ系材料を用いる場合には、その表面にＮｉ−Ｐめっき
膜などを形成したものを基体とし、かつめっき膜表面を
研磨することにより平滑化をはかることができる。非磁
性基体の形状はディスク状であり、その寸法は適宜決定
すればよいが、通常、外径２５〜３００mm程度、厚さ
０．３〜５mm程度とする。
【００１６】下地層３は、実質的にＣｒ、ＷまたはＭｏ
から構成され、スパッタにより形成される非磁性の連続
薄膜である。下地層の厚さは、５００〜５０００ Aとす
ることが好ましい。下地層が薄すぎると磁性薄膜のエピ
タキシャル成長が不十分となって高保磁力が得られなく
なり、前記範囲を超える厚さとしても磁気特性向上は頭
打ちとなるため、生産性が低下するだけになる。また、
可撓性の非磁性基体を用いる場合に下地層が厚すぎる
と、媒体の可撓性が低くなってヘッドタッチが不良とな
り、出力変動が大きくなってしまう。
から構成され、スパッタにより形成される非磁性の連続
薄膜である。下地層の厚さは、５００〜５０００ Aとす
ることが好ましい。下地層が薄すぎると磁性薄膜のエピ
タキシャル成長が不十分となって高保磁力が得られなく
なり、前記範囲を超える厚さとしても磁気特性向上は頭
打ちとなるため、生産性が低下するだけになる。また、
可撓性の非磁性基体を用いる場合に下地層が厚すぎる
と、媒体の可撓性が低くなってヘッドタッチが不良とな
り、出力変動が大きくなってしまう。
【００１７】磁性薄膜４は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、
Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ
系合金から構成される連続薄膜であり、磁化容易軸は膜
の面内方向に優先的に配向している。磁性薄膜４の具体
的組成は特に限定されず、高保磁力が得られる組成範囲
から適宜選択すればよいが、通常、Ｎｉは２０〜３０原
子％、Ｃｒは５〜２０原子％、Ｔａは１〜５原子％の範
囲から選択することが好ましい。磁性薄膜には、必要に
応じて、あるいは不可避的不純物として、Ｏ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｒ、Ｂ、Ｃ等の他の元素が含有され
ていてもよい。磁性薄膜の厚さは、５０〜４００ A、好
ましくは１００〜３５０ Aとする。磁性薄膜が厚すぎる
と高保磁力が得られなくなる。
Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ
系合金から構成される連続薄膜であり、磁化容易軸は膜
の面内方向に優先的に配向している。磁性薄膜４の具体
的組成は特に限定されず、高保磁力が得られる組成範囲
から適宜選択すればよいが、通常、Ｎｉは２０〜３０原
子％、Ｃｒは５〜２０原子％、Ｔａは１〜５原子％の範
囲から選択することが好ましい。磁性薄膜には、必要に
応じて、あるいは不可避的不純物として、Ｏ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｒ、Ｂ、Ｃ等の他の元素が含有され
ていてもよい。磁性薄膜の厚さは、５０〜４００ A、好
ましくは１００〜３５０ Aとする。磁性薄膜が厚すぎる
と高保磁力が得られなくなる。
【００１８】磁性薄膜は、スパッタにより形成される。
用いるスパッタ法は特に限定されず、ＤＣマグネトロン
スパッタやＲＦマグネトロンスパッタ等のいずれを用い
てもよい。スパッタに際しては、図２の（ａ）および
（ｂ）にそれぞれ示すように、ターゲット１０表面の中
心と非磁性基体２表面の中心とを結ぶ線が非磁性基体２
表面となす角度をφとしたとき、角度φが４０度以下、
好ましくは３５度以下となるように両者を配置する。こ
のとき、非磁性基体の中心軸とターゲットの中心軸とが
一致している通常の状態（φ＝９０度）から、図２の
（ａ）に示すように、非磁性基体２をターゲット１０に
対して相対的に平行移動させた位置関係としてもよく、
図２の（ｂ）に示すように、非磁性基体２をターゲット
１０に対して相対的に回転させた位置関係としてもよ
く、図２の（ａ）と（ｂ）とを組み合わせた構成、すな
わち、非磁性基体２をターゲット１０に対して相対的に
平行移動させかつ回転させた位置関係としてもよい。両
者をこのような位置関係とすることにより、ターゲット
からの粒子は非磁性基体表面に対し斜めから入射するこ
とになる。なお、下地層を形成する際の角度φは、磁性
薄膜形成の際の角度φと同様でよいが、異なっていても
よい。ターゲットと非磁性基体とを上記のような関係と
することにより、非磁性基体を加熱しないで磁性薄膜を
形成した場合でも高保磁力が得られる。なお、角度φは
０度超とするが、角度φの具体的値は、目的とする保磁
力や生産性等を考慮して適宜決定すればよい。
用いるスパッタ法は特に限定されず、ＤＣマグネトロン
スパッタやＲＦマグネトロンスパッタ等のいずれを用い
てもよい。スパッタに際しては、図２の（ａ）および
（ｂ）にそれぞれ示すように、ターゲット１０表面の中
心と非磁性基体２表面の中心とを結ぶ線が非磁性基体２
表面となす角度をφとしたとき、角度φが４０度以下、
好ましくは３５度以下となるように両者を配置する。こ
のとき、非磁性基体の中心軸とターゲットの中心軸とが
一致している通常の状態（φ＝９０度）から、図２の
（ａ）に示すように、非磁性基体２をターゲット１０に
対して相対的に平行移動させた位置関係としてもよく、
図２の（ｂ）に示すように、非磁性基体２をターゲット
１０に対して相対的に回転させた位置関係としてもよ
く、図２の（ａ）と（ｂ）とを組み合わせた構成、すな
わち、非磁性基体２をターゲット１０に対して相対的に
平行移動させかつ回転させた位置関係としてもよい。両
者をこのような位置関係とすることにより、ターゲット
からの粒子は非磁性基体表面に対し斜めから入射するこ
とになる。なお、下地層を形成する際の角度φは、磁性
薄膜形成の際の角度φと同様でよいが、異なっていても
よい。ターゲットと非磁性基体とを上記のような関係と
することにより、非磁性基体を加熱しないで磁性薄膜を
形成した場合でも高保磁力が得られる。なお、角度φは
０度超とするが、角度φの具体的値は、目的とする保磁
力や生産性等を考慮して適宜決定すればよい。
【００１９】磁性薄膜形成の際には、非磁性基体を回転
させることが好ましい。これにより磁性薄膜を均質に形
成でき、また、磁性薄膜の厚さむらを防ぐことができ
る。なお、下地層形成の際にも、同様な理由により非磁
性基体を回転させることが好ましい。
させることが好ましい。これにより磁性薄膜を均質に形
成でき、また、磁性薄膜の厚さむらを防ぐことができ
る。なお、下地層形成の際にも、同様な理由により非磁
性基体を回転させることが好ましい。
【００２０】磁性薄膜形成の際の雰囲気圧力は、高保磁
力を得るためには０．５〜５Paとすることが好ましい。
また、下地層形成の際の雰囲気圧力は、１〜５Paとする
ことが好ましい。その他のスパッタ条件は、公知の範囲
から適宜選択すればよい。
力を得るためには０．５〜５Paとすることが好ましい。
また、下地層形成の際の雰囲気圧力は、１〜５Paとする
ことが好ましい。その他のスパッタ条件は、公知の範囲
から適宜選択すればよい。
【００２１】保護層５は、磁性薄膜の保護のために設け
られる非磁性層である。保護層は、各種酸化物、窒化
物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、これらの混合物など
から構成することが好ましく、具体的には、例えば、
Ｃ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ（サイアロン）などのスパッタ膜が好ましく、また、
磁性薄膜の上部を酸化して酸化物層を形成し、これを保
護層としてもよい。保護層の厚さは、一般に５０〜５０
０ Aとする。保護層が薄すぎると磁性薄膜の保護効果が
不十分であり、厚すぎるとスペーシングロスによる再生
出力低下が目立つようになる。
られる非磁性層である。保護層は、各種酸化物、窒化
物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、これらの混合物など
から構成することが好ましく、具体的には、例えば、
Ｃ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ（サイアロン）などのスパッタ膜が好ましく、また、
磁性薄膜の上部を酸化して酸化物層を形成し、これを保
護層としてもよい。保護層の厚さは、一般に５０〜５０
０ Aとする。保護層が薄すぎると磁性薄膜の保護効果が
不十分であり、厚すぎるとスペーシングロスによる再生
出力低下が目立つようになる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００２３】＜実施例１＞直径３．５インチのディスク
状Ａｌ合金板の上にＮｉ−Ｐめっき膜を形成して非磁性
基体とし、この上に、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
（７．５原子％Ｃｒ、３０原子％Ｎｉ）磁性薄膜および
カーボン保護層を、１PaのＡｒ雰囲気中でスパッタによ
り順次成膜し、磁気ディスクを得た。下地層の膜厚は２
５００ A、磁性薄膜の膜厚は３００ A、保護層の膜厚は
４００ Aとした。スパッタにはＤＣマグネトロン方式の
スパッタ装置を用い、初期排気は１×１０-4Pa以下とし
た。スパッタ装置内では、非磁性基体とターゲットとを
図２の（ａ）に示すように配置した。角度φは３５度と
し、非磁性基体を回転させながらスパッタを行なった。
ターゲットの直径は８インチとした。なお、成膜中に非
磁性基体の加熱は行なわなかった。
状Ａｌ合金板の上にＮｉ−Ｐめっき膜を形成して非磁性
基体とし、この上に、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
（７．５原子％Ｃｒ、３０原子％Ｎｉ）磁性薄膜および
カーボン保護層を、１PaのＡｒ雰囲気中でスパッタによ
り順次成膜し、磁気ディスクを得た。下地層の膜厚は２
５００ A、磁性薄膜の膜厚は３００ A、保護層の膜厚は
４００ Aとした。スパッタにはＤＣマグネトロン方式の
スパッタ装置を用い、初期排気は１×１０-4Pa以下とし
た。スパッタ装置内では、非磁性基体とターゲットとを
図２の（ａ）に示すように配置した。角度φは３５度と
し、非磁性基体を回転させながらスパッタを行なった。
ターゲットの直径は８インチとした。なお、成膜中に非
磁性基体の加熱は行なわなかった。
【００２４】＜実施例２＞磁性薄膜の膜厚を２００ Aと
した以外はすべて実施例１と同様にした。
した以外はすべて実施例１と同様にした。
【００２５】＜実施例３＞下地層の膜厚を３０００ A、
磁性薄膜の膜厚を１００ Aとした以外はすべて実施例１
と同様にした。
磁性薄膜の膜厚を１００ Aとした以外はすべて実施例１
と同様にした。
【００２６】＜実施例４＞角度φを３０度、下地層の膜
厚を３０００ A、磁性薄膜の膜厚を２５０ Aとした以外
はすべて実施例１と同様にした。
厚を３０００ A、磁性薄膜の膜厚を２５０ Aとした以外
はすべて実施例１と同様にした。
【００２７】＜実施例５＞磁性薄膜の膜厚を２００ Aと
した以外はすべて実施例４と同様にした。
した以外はすべて実施例４と同様にした。
【００２８】＜比較例１＞磁性薄膜の膜厚を４２０ Aと
した以外はすべて実施例４と同様にした。
した以外はすべて実施例４と同様にした。
【００２９】＜比較例２＞磁性薄膜の膜厚を５００ Aと
した以外はすべて実施例４と同様にした。
した以外はすべて実施例４と同様にした。
【００３０】＜比較例３＞角度φを４２度、ターゲット
の直径を３インチとし、下地層の膜厚を３０００A、磁
性薄膜の膜厚を５００ Aとした以外はすべて実施例１と
同様にした。
の直径を３インチとし、下地層の膜厚を３０００A、磁
性薄膜の膜厚を５００ Aとした以外はすべて実施例１と
同様にした。
【００３１】＜比較例４＞実施例１と同組成で直径３イ
ンチのターゲットを用い、角度φを４２度とし、初期排
気を１×１０-4Pa以下とした後、Ａｒ雰囲気中で、下地
層は５Pa、磁性薄膜は２Pa、保護膜は１Paでスパッタを
行なった。下地層の膜厚は３０００ A、磁性薄膜の膜厚
は２５０ Aとした。
ンチのターゲットを用い、角度φを４２度とし、初期排
気を１×１０-4Pa以下とした後、Ａｒ雰囲気中で、下地
層は５Pa、磁性薄膜は２Pa、保護膜は１Paでスパッタを
行なった。下地層の膜厚は３０００ A、磁性薄膜の膜厚
は２５０ Aとした。
【００３２】＜比較例５＞磁性薄膜の膜厚を１００ Aと
した以外はすべて比較例３と同様にした。
した以外はすべて比較例３と同様にした。
【００３３】＜比較例６＞角度φを９０度とし、磁性薄
膜の膜厚を２００ Aとした以外はすべて実施例４と同様
にした。
膜の膜厚を２００ Aとした以外はすべて実施例４と同様
にした。
【００３４】以上の実施例および比較例の各磁気ディス
クの磁気特性を、表２に示す。なお、磁気特性は、最大
印加磁界強度を１０kOe としてＶＳＭにより測定した。
クの磁気特性を、表２に示す。なお、磁気特性は、最大
印加磁界強度を１０kOe としてＶＳＭにより測定した。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２に示すように、本発明の実施例では、
Ｐｔを含まない組成でしかも非磁性基体を加熱すること
なしに１７５０ Oe 以上の保磁力が得られている。この
結果から、本発明により、高密度記録が可能な磁気記録
媒体が低コストで得られることが明らかである。
Ｐｔを含まない組成でしかも非磁性基体を加熱すること
なしに１７５０ Oe 以上の保磁力が得られている。この
結果から、本発明により、高密度記録が可能な磁気記録
媒体が低コストで得られることが明らかである。
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成例を部分的に示す
断面図である。
断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、磁性薄膜形
成の際のターゲット１０と非磁性基体２との関係を示す
説明図である。
成の際のターゲット１０と非磁性基体２との関係を示す
説明図である。
２ 非磁性基体 ３ 下地層 ４ 磁性薄膜 ５ 保護層 １０ ターゲット
Claims (4)
- 【請求項１】 ディスク状の非磁性基体の少なくとも一
方の面上に、下地層と磁性薄膜とを有する磁気記録媒体
であって、 下地層がＣｒ、ＷまたはＭｏのスパッタ膜であり、 磁性薄膜が、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ
ｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金から構成
されるスパッタ膜であり、スパッタの際に非磁性基体を
加熱せず、かつ、ターゲットからの粒子を非磁性基体表
面に対し斜め方向から入射させて形成したものであり、
厚さが５０〜４００ Aであり、面内方向の保磁力が１７
５０ Oe 以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ディスク状の非磁性基体の少なくとも一
方の面上に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏからなる下地層とＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜とをスパ
ッタにより形成して磁気記録媒体を製造する方法であっ
て、 ターゲット表面の中心と非磁性基体表面の中心とを結ぶ
線が非磁性基体表面となす角度をφとしたとき、磁性薄
膜を形成するときの角度φが４０度以下であり、かつ、
磁性薄膜形成の際に非磁性基体を加熱しないことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 磁性薄膜形成の際に非磁性基体を回転さ
せる請求項２の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１の磁気記録媒体が製造される請
求項２または３の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21494393A JPH0757237A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21494393A JPH0757237A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757237A true JPH0757237A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16664143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21494393A Pending JPH0757237A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826825B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-12-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a magnetic recording medium |
| US7399387B2 (en) * | 2003-06-18 | 2008-07-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Target for sputtering and a method for manufacturing a magnetic recording medium using the target |
| CN115354287A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-18 | 深圳大学 | 在衬底上利用磁控溅射制备薄膜的方法 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP21494393A patent/JPH0757237A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826825B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-12-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a magnetic recording medium |
| US7399387B2 (en) * | 2003-06-18 | 2008-07-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Target for sputtering and a method for manufacturing a magnetic recording medium using the target |
| CN115354287A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-18 | 深圳大学 | 在衬底上利用磁控溅射制备薄膜的方法 |
| CN115354287B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-09-29 | 深圳大学 | 在衬底上利用磁控溅射制备薄膜的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020409 |