JP2001084533A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直二層磁気記録方式の磁気ディスク装置に
おける再生の分解能を改善する。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体２０は、下地軟磁性膜
２４と垂直磁化膜２８とが基板２２上に形成されたもの
である。ＭＲヘッド２１０は、軟磁性体からなる磁気シ
ールド層２１１，２１２間にＭＲ素子２１３が配置され
たものである。垂直二層磁気記録方式のＭＲヘッド再生
応答に関するシミュレーションにより、再生ギャップ長
ｇを０．１［μｍ］以下、磁気スペーシングｄを２０
［ｎｍ］以下、垂直磁化膜２８の膜厚δを５０［ｎｍ］
以下、下地軟磁性膜２４の膜厚を２００［ｎｍ］以下と
した。
おける再生の分解能を改善する。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体２０は、下地軟磁性膜
２４と垂直磁化膜２８とが基板２２上に形成されたもの
である。ＭＲヘッド２１０は、軟磁性体からなる磁気シ
ールド層２１１，２１２間にＭＲ素子２１３が配置され
たものである。垂直二層磁気記録方式のＭＲヘッド再生
応答に関するシミュレーションにより、再生ギャップ長
ｇを０．１［μｍ］以下、磁気スペーシングｄを２０
［ｎｍ］以下、垂直磁化膜２８の膜厚δを５０［ｎｍ］
以下、下地軟磁性膜２４の膜厚を２００［ｎｍ］以下と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報ストレージと
して用いられる磁気ディスク装置に関し、詳しくは垂直
磁気記録媒体とＭＲ（magnetoresistivity）ヘッドとを
少なくとも備えている磁気ディスク装置に関する。
して用いられる磁気ディスク装置に関し、詳しくは垂直
磁気記録媒体とＭＲ（magnetoresistivity）ヘッドとを
少なくとも備えている磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ク
ステ−ションの進歩に伴い、ハ−ドディスクドライブを
はじめとする磁気ディスク装置は更なる高面密度化が必
要とされている。しかし、現在広く普及している長手磁
気記録方式を用いた磁気ディスク装置では、高記録密度
を実現しようとすると、記録ビットの微細化に伴う記録
磁化の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの記録能力を越え
かねない高保磁力化の問題が発生する。そこで、これら
の問題を解決しつつ、面記録密度を大幅に向上できる手
段として、垂直磁気記録方式を用いた磁気ディスク装置
が検討されている。
ステ−ションの進歩に伴い、ハ−ドディスクドライブを
はじめとする磁気ディスク装置は更なる高面密度化が必
要とされている。しかし、現在広く普及している長手磁
気記録方式を用いた磁気ディスク装置では、高記録密度
を実現しようとすると、記録ビットの微細化に伴う記録
磁化の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの記録能力を越え
かねない高保磁力化の問題が発生する。そこで、これら
の問題を解決しつつ、面記録密度を大幅に向上できる手
段として、垂直磁気記録方式を用いた磁気ディスク装置
が検討されている。
【０００３】図７５は、このような磁気ディスク装置の
従来例を示す外観斜視図である。この従来の磁気ディス
ク装置は、回転するスピンドル３３に支えられた垂直磁
気記録媒体５０と、垂直磁気記録媒体５０上の記録トラ
ック３５に位置決めされるとともにアクチュエータ３４
に支えられた単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ（induct
ive）／ＭＲ複合ヘッド３１を含むスライダ３２とを備
えている。
従来例を示す外観斜視図である。この従来の磁気ディス
ク装置は、回転するスピンドル３３に支えられた垂直磁
気記録媒体５０と、垂直磁気記録媒体５０上の記録トラ
ック３５に位置決めされるとともにアクチュエータ３４
に支えられた単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ（induct
ive）／ＭＲ複合ヘッド３１を含むスライダ３２とを備
えている。
【０００４】図７６は、従来の磁気ディスク装置に用い
られる再生系を示す概略断面図である。この再生系は、
垂直磁気記録媒体５０及びＭＲヘッド３１０からなる。
垂直磁気記録媒体５０は、下地軟磁性膜５２と垂直磁化
膜５４とが基板５６上に形成されたものである。例え
ば、下地軟磁性膜５２としてはＮｉＦｅ合金、垂直磁化
膜としてはＣｏＣｒ系合金が用いられる（日本応用磁気
学会誌、Vol.8, No.1, 1984, p17）。このように下地軟
磁性膜５２及び垂直磁化膜５４を有する垂直磁気記録媒
体５０を用いる磁気記録方式を、「垂直二層磁気記録方
式」という。ＭＲヘッド３１０は、軟磁性体からなる磁
気シールド層３１１，３１２間にＭＲ素子３１３が配置
されたものである。一例を挙げれば、磁気スペーシング
ｄ、媒体膜厚（垂直磁化膜５４の膜厚）δ、再生ギャッ
プ長ｇは、それぞれ４０［ｎｍ］、１００［ｎｍ］、
０．２［μｍ］である。
られる再生系を示す概略断面図である。この再生系は、
垂直磁気記録媒体５０及びＭＲヘッド３１０からなる。
垂直磁気記録媒体５０は、下地軟磁性膜５２と垂直磁化
膜５４とが基板５６上に形成されたものである。例え
ば、下地軟磁性膜５２としてはＮｉＦｅ合金、垂直磁化
膜としてはＣｏＣｒ系合金が用いられる（日本応用磁気
学会誌、Vol.8, No.1, 1984, p17）。このように下地軟
磁性膜５２及び垂直磁化膜５４を有する垂直磁気記録媒
体５０を用いる磁気記録方式を、「垂直二層磁気記録方
式」という。ＭＲヘッド３１０は、軟磁性体からなる磁
気シールド層３１１，３１２間にＭＲ素子３１３が配置
されたものである。一例を挙げれば、磁気スペーシング
ｄ、媒体膜厚（垂直磁化膜５４の膜厚）δ、再生ギャッ
プ長ｇは、それぞれ４０［ｎｍ］、１００［ｎｍ］、
０．２［μｍ］である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７６
に示す再生系では、長手磁気記録方式における再生ギャ
ップ長、磁気スペーシング、媒体膜厚等のバランス関係
を踏襲かつ援用することによって設計されており、必ず
しも垂直二層磁気記録方式の再生に最適な諸元バランス
を実現していたとは言えない。したがって、再生の分解
能が悪いために、高記録密度の再生が困難であるという
問題があった。
に示す再生系では、長手磁気記録方式における再生ギャ
ップ長、磁気スペーシング、媒体膜厚等のバランス関係
を踏襲かつ援用することによって設計されており、必ず
しも垂直二層磁気記録方式の再生に最適な諸元バランス
を実現していたとは言えない。したがって、再生の分解
能が悪いために、高記録密度の再生が困難であるという
問題があった。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、高記録密度時
の再生の分解能を向上できる磁気ディスク装置を提供す
ることにある。
の再生の分解能を向上できる磁気ディスク装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、垂直二層
磁気記録方式におけるＭＲヘッド再生応答に関するシミ
ュレーションプログラムを作成した。そして、このシミ
ュレーションプログラムを用い、諸元値の最適領域値の
範囲内で垂直二層磁気記録方式の再生系を設計した。そ
の結果、従来の設計値は、長手磁気記録方式に適するも
のの、垂直二層磁気記録方式には適さないことが明らか
になった。例えば、磁気スペーシングｄ、媒体膜厚δに
対して再生ギャップ長ｇが過大となっていた。したがっ
て、本発明に係る磁気ディスク装置によれば、シミュレ
ーションで得られた最適な設計値とすることにより、従
来の垂直二層磁気記録方式による磁気ディスク装置に比
べて遙かに再生の分解能が改善された。
磁気記録方式におけるＭＲヘッド再生応答に関するシミ
ュレーションプログラムを作成した。そして、このシミ
ュレーションプログラムを用い、諸元値の最適領域値の
範囲内で垂直二層磁気記録方式の再生系を設計した。そ
の結果、従来の設計値は、長手磁気記録方式に適するも
のの、垂直二層磁気記録方式には適さないことが明らか
になった。例えば、磁気スペーシングｄ、媒体膜厚δに
対して再生ギャップ長ｇが過大となっていた。したがっ
て、本発明に係る磁気ディスク装置によれば、シミュレ
ーションで得られた最適な設計値とすることにより、従
来の垂直二層磁気記録方式による磁気ディスク装置に比
べて遙かに再生の分解能が改善された。
【０００８】すなわち、本発明に係る磁気ディスク装置
は、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体に対し
て情報の記録又は再生を行う磁気記録再生系とを備えて
いる。垂直磁気記録媒体は、下地軟磁性膜及び垂直磁化
膜を有するものである。磁気記録再生系は、記録用の単
磁極ヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなる単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド、又は記録用のＩＤヘッドと再生用のＭＲ
ヘッドとからなるＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを有するもので
ある。そして、次の点を特徴としている。
は、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体に対し
て情報の記録又は再生を行う磁気記録再生系とを備えて
いる。垂直磁気記録媒体は、下地軟磁性膜及び垂直磁化
膜を有するものである。磁気記録再生系は、記録用の単
磁極ヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなる単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド、又は記録用のＩＤヘッドと再生用のＭＲ
ヘッドとからなるＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを有するもので
ある。そして、次の点を特徴としている。
【０００９】請求項１又は２記載の磁気ディスク装置
は、ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間
隙である再生ギャップ長が、０．１［μｍ］以下であ
る。請求項３又は４記載の磁気ディスク装置は、請求項
１又は２記載の磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂
直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、単磁
極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドと垂直磁
気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが、２０
［ｎｍ］以下である。請求項５記載の磁気ディスク装置
は、請求項３又は４記載の磁気ディスク装置において、
垂直磁化膜の膜厚が５０［ｎｍ］以下である。請求項６
記載の磁気ディスク装置は、請求項５記載の磁気ディス
ク装置において、下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎｍ］
以下である。
は、ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間
隙である再生ギャップ長が、０．１［μｍ］以下であ
る。請求項３又は４記載の磁気ディスク装置は、請求項
１又は２記載の磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂
直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、単磁
極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドと垂直磁
気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが、２０
［ｎｍ］以下である。請求項５記載の磁気ディスク装置
は、請求項３又は４記載の磁気ディスク装置において、
垂直磁化膜の膜厚が５０［ｎｍ］以下である。請求項６
記載の磁気ディスク装置は、請求項５記載の磁気ディス
ク装置において、下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎｍ］
以下である。
【００１０】再生ギャップ長、磁気スペーシング、垂直
磁化膜の膜厚及び下地軟磁性膜の膜厚は、一般に上記各
上限値以下であれば小さいほど再生の分解能が向上す
る。このことは、上記シミュレーションによっても確認
している。しかし、次のような下限値を設定してもよ
い。再生ギャップ長は、現在の微細加工技術の限界とし
て例えば０．０５［μｍ］以上である。磁気スペーシン
グは、ヘッド浮上量に媒体保護膜膜厚や媒体潤滑膜膜厚
等が加わるので、例えば１２［ｎｍ］以上である。垂直
磁化膜の膜厚は、薄膜化しすぎると再生出力が過小とな
ってＳＮ比が劣化するので、例えば２０［ｎｍ］以上で
ある。下地軟磁性膜の膜厚は、薄膜化しすぎると再生出
力の劣化を招くので、例えば１００［ｎｍ］以上であ
る。
磁化膜の膜厚及び下地軟磁性膜の膜厚は、一般に上記各
上限値以下であれば小さいほど再生の分解能が向上す
る。このことは、上記シミュレーションによっても確認
している。しかし、次のような下限値を設定してもよ
い。再生ギャップ長は、現在の微細加工技術の限界とし
て例えば０．０５［μｍ］以上である。磁気スペーシン
グは、ヘッド浮上量に媒体保護膜膜厚や媒体潤滑膜膜厚
等が加わるので、例えば１２［ｎｍ］以上である。垂直
磁化膜の膜厚は、薄膜化しすぎると再生出力が過小とな
ってＳＮ比が劣化するので、例えば２０［ｎｍ］以上で
ある。下地軟磁性膜の膜厚は、薄膜化しすぎると再生出
力の劣化を招くので、例えば１００［ｎｍ］以上であ
る。
【００１１】また、下地軟磁性膜の材料は、ＦｅＳｉＡ
ｌ、ＦｅＳｉＡｌ系合金、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ
系合金、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＮｂ合金等とすること
が好ましい。垂直磁化膜の材料は、ＣｏＣｒＭ合金（Ｍ
がＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ又はＴｍである）ＦｅＰｔ合
金、ＦｅＰｔ系合金、ＲＣｏ５（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，
Ｌａ，Ｐｒ）、Ｒ２Ｃｏ１７（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｌ
ａ，Ｐｒ）等とすることが好ましい。
ｌ、ＦｅＳｉＡｌ系合金、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ
系合金、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＮｂ合金等とすること
が好ましい。垂直磁化膜の材料は、ＣｏＣｒＭ合金（Ｍ
がＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ又はＴｍである）ＦｅＰｔ合
金、ＦｅＰｔ系合金、ＲＣｏ５（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，
Ｌａ，Ｐｒ）、Ｒ２Ｃｏ１７（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｌ
ａ，Ｐｒ）等とすることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る磁気ディスク
装置の一実施形態を示す外観斜視図、図２は図１の磁気
ディスク装置における再生系の概略断面図である。以
下、この図面に基づき説明する。
装置の一実施形態を示す外観斜視図、図２は図１の磁気
ディスク装置における再生系の概略断面図である。以
下、この図面に基づき説明する。
【００１３】本実施形態の磁気ディスク装置は、回転す
るスピンドル３３に支えられた垂直磁気記録媒体２０
と、垂直磁気記録媒体２０上の記録トラック３５に位置
決めされるとともにアクチュエータ３４に支えられた単
磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッド２１を
含むスライダ３２から構成される。垂直磁気記録媒体２
０は、下地軟磁性膜２４と垂直磁化膜２８とが基板２２
上に形成されたものである。ＭＲヘッド２１０は、軟磁
性体からなる磁気シールド層２１１，２１２間にＭＲ素
子２１３が配置されたものである。
るスピンドル３３に支えられた垂直磁気記録媒体２０
と、垂直磁気記録媒体２０上の記録トラック３５に位置
決めされるとともにアクチュエータ３４に支えられた単
磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッド２１を
含むスライダ３２から構成される。垂直磁気記録媒体２
０は、下地軟磁性膜２４と垂直磁化膜２８とが基板２２
上に形成されたものである。ＭＲヘッド２１０は、軟磁
性体からなる磁気シールド層２１１，２１２間にＭＲ素
子２１３が配置されたものである。
【００１４】本実施形態では、垂直二層磁気記録方式の
ＭＲヘッド再生応答のシミュレーションによる諸元値の
最適領域値の範囲内で、垂直二層磁気記録方式のヘッド
−垂直磁気記録媒体再生系を設計している。そのため、
従来の垂直二層磁気記録による磁気ディスク装置よりも
遙かに再生の分解能を改善し、高記録密度時の再生を遙
かに容易にした磁気ディスク装置とすることが可能であ
る。以下、実施例１〜２４として、更に具体的に本実施
形態について説明する。なお、各実施例における「比較
装置」とは、本発明装置と比較するための新規なもので
あり、従来からあるものではない。
ＭＲヘッド再生応答のシミュレーションによる諸元値の
最適領域値の範囲内で、垂直二層磁気記録方式のヘッド
−垂直磁気記録媒体再生系を設計している。そのため、
従来の垂直二層磁気記録による磁気ディスク装置よりも
遙かに再生の分解能を改善し、高記録密度時の再生を遙
かに容易にした磁気ディスク装置とすることが可能であ
る。以下、実施例１〜２４として、更に具体的に本実施
形態について説明する。なお、各実施例における「比較
装置」とは、本発明装置と比較するための新規なもので
あり、従来からあるものではない。
【００１５】
【実施例１】垂直磁気記録媒体を次のように製造した。
まず、６インチのＦｅＳｉＡｌタ−ゲットを用いて、
２．５インチの基板上に下地軟磁性膜をスパッタ法によ
り２００ｎｍ成膜した。成膜条件は、初期真空度５×１
０−７ｍＴｏｒｒ以下において、投入電力０．５ｋｗ、
アルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃ
とした。そして、Ｃｏ７７Ｃｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ
−ゲットを用いて基板温度４００℃として、下地軟磁性
膜上に垂直磁化膜をスパッタ法により５０ｎｍ成膜し
た。更にその上にカーボン保護膜を５ｎｍ成膜した。
まず、６インチのＦｅＳｉＡｌタ−ゲットを用いて、
２．５インチの基板上に下地軟磁性膜をスパッタ法によ
り２００ｎｍ成膜した。成膜条件は、初期真空度５×１
０−７ｍＴｏｒｒ以下において、投入電力０．５ｋｗ、
アルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃ
とした。そして、Ｃｏ７７Ｃｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ
−ゲットを用いて基板温度４００℃として、下地軟磁性
膜上に垂直磁化膜をスパッタ法により５０ｎｍ成膜し
た。更にその上にカーボン保護膜を５ｎｍ成膜した。
【００１６】この垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合
ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディ
スク装置を構成した。その際、ＭＲヘッドの再生ギャッ
プ長を０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
ここで、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッド記録トラック幅は４μ
ｍ、再生トラック幅は３μｍ、記録ギャップ長は０．４
μｍである。また、単磁極ヘッドの記録トラック幅は４
μｍ、主磁極膜厚は０．４μｍである。なお、記録電流
は１０ｍＡｏｐ、センス電流は１２ｍＡ、周速度は１
２．７ｍ／ｓ、磁気スペーシングは２０ｎｍとした。
ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディ
スク装置を構成した。その際、ＭＲヘッドの再生ギャッ
プ長を０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
ここで、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッド記録トラック幅は４μ
ｍ、再生トラック幅は３μｍ、記録ギャップ長は０．４
μｍである。また、単磁極ヘッドの記録トラック幅は４
μｍ、主磁極膜厚は０．４μｍである。なお、記録電流
は１０ｍＡｏｐ、センス電流は１２ｍＡ、周速度は１
２．７ｍ／ｓ、磁気スペーシングは２０ｎｍとした。
【００１７】下地軟磁性膜２００ｎｍ、垂直磁化膜５０
ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシング
２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／ＭＲ複
合ヘッドを用いたものを本発明装置ＡＡ３、ＩＤ／ＭＲ
複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＡＡ４とした。ま
た、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＡＡ３，ＡＡ４と同じものを、それぞれ比較装置Ａ
Ａ１，ＡＡ２とした。
ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシング
２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／ＭＲ複
合ヘッドを用いたものを本発明装置ＡＡ３、ＩＤ／ＭＲ
複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＡＡ４とした。ま
た、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＡＡ３，ＡＡ４と同じものを、それぞれ比較装置Ａ
Ａ１，ＡＡ２とした。
【００１８】比較装置ＡＡ１，ＡＡ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図３に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＡＡ１，ＡＡ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、図４［１］，［２］に示
す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気記録
媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比較装
置ＡＡ１，ＡＡ２による記録密度約５００ｋＦＲＰＩを
越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の不良
によるものではなく、再生の分解能の不良によるもので
あることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図３に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＡＡ１，ＡＡ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、図４［１］，［２］に示
す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気記録
媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比較装
置ＡＡ１，ＡＡ２による記録密度約５００ｋＦＲＰＩを
越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の不良
によるものではなく、再生の分解能の不良によるもので
あることが分かる。
【００１９】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５に示す。この
予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＡＡ３，ＡＡ
４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性を
図３に示す。この図から分かるように、本発明装置ＡＡ
３，ＡＡ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩを
越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発明
装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化した
ことにより、再生の分解能が向上したためである。それ
ゆえ、再生ギャップ長０．１０μｍ以下のときも、同様
な効果が得られる。さらに、垂直磁化膜の第３元素Ｔｂ
がＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様の効果が得
られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５に示す。この
予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＡＡ３，ＡＡ
４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性を
図３に示す。この図から分かるように、本発明装置ＡＡ
３，ＡＡ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩを
越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発明
装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化した
ことにより、再生の分解能が向上したためである。それ
ゆえ、再生ギャップ長０．１０μｍ以下のときも、同様
な効果が得られる。さらに、垂直磁化膜の第３元素Ｔｂ
がＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様の効果が得
られる。
【００２０】以上のことにより、本発明装置ＡＡ３，Ａ
Ａ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ａ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００２１】
【実施例２】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃ
ｒ１ ９Ｄｙ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。そして、こ
の垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ
／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成
した。記録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、
ＭＲヘッドの再生ギャップ長を０．１０μｍとし、磁気
スペーシングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
の代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃ
ｒ１ ９Ｄｙ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。そして、こ
の垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ
／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成
した。記録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、
ＭＲヘッドの再生ギャップ長を０．１０μｍとし、磁気
スペーシングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
【００２２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＢＢ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＢＢ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＢＢ３，ＢＢ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＢＢ１，ＢＢ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＢＢ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＢＢ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＢＢ３，ＢＢ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＢＢ１，ＢＢ２とした。
【００２３】比較装置ＢＢ１，ＢＢ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図６に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＢＢ１，ＢＢ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、それぞれ図７［１］，
［２］に示す。これらの図から分かるように、信号は垂
直磁気記録媒体上に明瞭に記録されている。このことか
ら、比較装置ＢＢ１，ＢＢ２による記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録
状態の不良によるものではなく、再生の分解能の不良に
よるものであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図６に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＢＢ１，ＢＢ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、それぞれ図７［１］，
［２］に示す。これらの図から分かるように、信号は垂
直磁気記録媒体上に明瞭に記録されている。このことか
ら、比較装置ＢＢ１，ＢＢ２による記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録
状態の不良によるものではなく、再生の分解能の不良に
よるものであることが分かる。
【００２４】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図８に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＢＢ３，Ｂ
Ｂ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６に示す。この図から分かるように、本発明装置Ｂ
Ｂ３，ＢＢ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩ
を越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発
明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、磁気スペーシング２０ｎｍ以下のときも、同
様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第
３元素ＤｙがＴｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様
の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図８に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＢＢ３，Ｂ
Ｂ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６に示す。この図から分かるように、本発明装置Ｂ
Ｂ３，ＢＢ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩ
を越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発
明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、磁気スペーシング２０ｎｍ以下のときも、同
様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第
３元素ＤｙがＴｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様
の効果が得られる。
【００２５】以上のことにより、本発明装置ＢＢ３，Ｂ
Ｂ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｂ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００２６】
【実施例３】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｈｏ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッド
の再生ギャップ長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で
変化させた。
の代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｈｏ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッド
の再生ギャップ長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で
変化させた。
【００２７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＣＣ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＣＣ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除
き、本発明装置ＣＣ３，ＣＣ４と同じものを、それぞれ
比較装置ＣＣ１，ＣＣ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＣＣ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＣＣ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除
き、本発明装置ＣＣ３，ＣＣ４と同じものを、それぞれ
比較装置ＣＣ１，ＣＣ２とした。
【００２８】比較装置ＣＣ１，ＣＣ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図９に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＣＣ１，ＣＣ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、それぞれ図１０［１］，
［２］に示す。これらの図から分かるように、信号は垂
直磁気記録媒体上に明瞭に記録されている。このことか
ら、比較装置ＣＣ１，ＣＣ２による記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録
状態の不良によるものではなく、再生の分解能の不良に
よるものであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図９に示す。この図
から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまでは
ある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較装
置ＣＣ１，ＣＣ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩのと
きの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し
たときの記録磁化パターンを、それぞれ図１０［１］，
［２］に示す。これらの図から分かるように、信号は垂
直磁気記録媒体上に明瞭に記録されている。このことか
ら、比較装置ＣＣ１，ＣＣ２による記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録
状態の不良によるものではなく、再生の分解能の不良に
よるものであることが分かる。
【００２９】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図１１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＣＣ３，Ｃ
Ｃ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図９に示す。この図から分かるように、本発明装置Ｃ
Ｃ３，ＣＣ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩ
を越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発
明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化し
たことにより、再生の分解能が向上したためである。そ
れゆえ、再生ギャップ長が０．１μｍ以下のときも同様
な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第３
元素ＨｏがＴｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様の
効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図１１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＣＣ３，Ｃ
Ｃ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図９に示す。この図から分かるように、本発明装置Ｃ
Ｃ３，ＣＣ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰＩ
を越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本発
明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化し
たことにより、再生の分解能が向上したためである。そ
れゆえ、再生ギャップ長が０．１μｍ以下のときも同様
な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第３
元素ＨｏがＴｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍの場合でも、同様の
効果が得られる。
【００３０】以上のことにより、本発明装置ＣＣ３，Ｃ
Ｃ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｃ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００３１】
【実施例４】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃ
ｒ１ ９Ｅｒ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長を０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
の代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃ
ｒ１ ９Ｅｒ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長を０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
【００３２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＤＤ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＤＤ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＤＤ３，ＤＤ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＤＤ１，ＤＤ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＤＤ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＤＤ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＤＤ３，ＤＤ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＤＤ１，ＤＤ２とした。
【００３３】比較装置ＤＤ１，ＤＤ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図１２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＤＤ１，ＤＤ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＤＤ１，ＤＤ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図１２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＤＤ１，ＤＤ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＤＤ１，ＤＤ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００３４】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図１４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＤＤ３，
ＤＤ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図１２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＤＤ３，ＤＤ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の第３元素ＥｒがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図１４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＤＤ３，
ＤＤ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図１２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＤＤ３，ＤＤ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の第３元素ＥｒがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍの場合で
も、同様の効果が得られる。
【００３５】以上のことにより、本発明装置ＤＤ３，Ｄ
Ｄ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｄ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００３６】
【実施例５】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｍ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし再生ギャップ
長０．１０μｍとし、下地軟磁性膜の膜厚を１５０ｎｍ
〜２５０ｎｍの間で変化させた。
の代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｍ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし再生ギャップ
長０．１０μｍとし、下地軟磁性膜の膜厚を１５０ｎｍ
〜２５０ｎｍの間で変化させた。
【００３７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＥＥ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＥＥ４とし
た。下地軟磁性膜２５０ｎｍである点を除き本発明装置
ＥＥ３，ＥＥ４と同じものを、それぞれ比較装置ＥＥ
１，ＥＥ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＥＥ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＥＥ４とし
た。下地軟磁性膜２５０ｎｍである点を除き本発明装置
ＥＥ３，ＥＥ４と同じものを、それぞれ比較装置ＥＥ
１，ＥＥ２とした。
【００３８】比較装置ＥＥ１，ＥＥ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図１５に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＥＥ１，ＥＥ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＥＥ１，ＥＥ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図１５に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＥＥ１，ＥＥ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＥＥ１，ＥＥ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００３９】比較装置の再生諸元値に対して下地軟磁性
膜の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が
向上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシ
ミュレーションで予想できた。この様子を図１７に示
す。この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＥＥ
３，ＥＥ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度
依存性を図１５に示す。この図から分かるように、本発
明装置ＥＥ３，ＥＥ４を用いると、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これ
は、本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜を薄
膜化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、下地軟磁性膜の膜厚が２００ｎｍ以下の
ときも、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直
磁化膜の第３元素ＴｍがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの場合
でも、同様の効果が得られる。
膜の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が
向上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシ
ミュレーションで予想できた。この様子を図１７に示
す。この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＥＥ
３，ＥＥ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度
依存性を図１５に示す。この図から分かるように、本発
明装置ＥＥ３，ＥＥ４を用いると、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これ
は、本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜を薄
膜化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、下地軟磁性膜の膜厚が２００ｎｍ以下の
ときも、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直
磁化膜の第３元素ＴｍがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの場合
でも、同様の効果が得られる。
【００４０】以上のことにより、本発明装置ＥＥ３，Ｅ
Ｅ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｅ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００４１】
【実施例６】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｍ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし再生ギャップ
長０．１０μｍとし、垂直磁化膜の膜厚を３０ｎｍ〜７
０ｎｍの間で変化させた。
の代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ１９
Ｔｂ４（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＣｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｍ４（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気
記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合
ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録
再生条件は実施例１と同様とした。ただし再生ギャップ
長０．１０μｍとし、垂直磁化膜の膜厚を３０ｎｍ〜７
０ｎｍの間で変化させた。
【００４２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＦＦ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＦＦ４とし
た。また、垂直磁化膜６０ｎｍである点を除き、本発明
装置ＦＦ３，ＦＦ４と同じものをそれぞれ比較装置ＦＦ
１，ＦＦ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＦＦ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＦＦ４とし
た。また、垂直磁化膜６０ｎｍである点を除き、本発明
装置ＦＦ３，ＦＦ４と同じものをそれぞれ比較装置ＦＦ
１，ＦＦ２とした。
【００４３】比較装置ＦＦ１，ＦＦ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図１８に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＦＦ１，ＦＦ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１９［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＦＦ１，ＦＦ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図１８に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＦＦ１，ＦＦ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図１９［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＦＦ１，ＦＦ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００４４】比較装置の再生諸元値に対して垂直磁化膜
の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図２０に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＦＦ３，
ＦＦ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図１８に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＦＦ３，ＦＦ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも垂直磁化膜を薄膜化し
たことにより、再生の分解能が向上したためである。そ
れゆえ、垂直磁化膜の膜厚が５０ｎｍ以下のときも、同
様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第
３元素ＴｍがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの場合でも、同様
の効果が得られる。
の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図２０に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＦＦ３，
ＦＦ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図１８に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＦＦ３，ＦＦ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも垂直磁化膜を薄膜化し
たことにより、再生の分解能が向上したためである。そ
れゆえ、垂直磁化膜の膜厚が５０ｎｍ以下のときも、同
様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の第
３元素ＴｍがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの場合でも、同様
の効果が得られる。
【００４５】以上のことにより、本発明装置ＦＦ３，Ｆ
Ｆ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｆ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００４６】
【実施例７】実施例１におけるＣｏ７７Ｃｒ１９Ｔｂ４
（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ５０（ａ
ｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直
磁気記録媒体を作製し、この垂直磁気記録媒体と単磁極
／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用い
て、磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施
例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ
長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ５０（ａ
ｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直
磁気記録媒体を作製し、この垂直磁気記録媒体と単磁極
／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用い
て、磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施
例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ
長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【００４７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＧＧ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＧＧ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除
き、本発明装置ＧＧ３，ＧＧ４と同じものをそれぞれ比
較装置ＧＧ１，ＧＧ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＧＧ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＧＧ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除
き、本発明装置ＧＧ３，ＧＧ４と同じものをそれぞれ比
較装置ＧＧ１，ＧＧ２とした。
【００４８】比較装置ＧＧ１，ＧＧ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図２１に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＧＧ１，ＧＧ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２２［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＧＧ１，ＧＧ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図２１に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＧＧ１，ＧＧ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２２［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＧＧ１，ＧＧ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００４９】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図２３に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＧＧ３，Ｇ
Ｇ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図２１に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＧＧ３，ＧＧ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長の狭小化
により再生の分解能が向上したためである。それゆえ、
再生ギャップ長が０．１μｍ以下のときも、同様な効果
が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図２３に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＧＧ３，Ｇ
Ｇ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図２１に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＧＧ３，ＧＧ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長の狭小化
により再生の分解能が向上したためである。それゆえ、
再生ギャップ長が０．１μｍ以下のときも、同様な効果
が得られる。
【００５０】以上のことにより、本発明装置ＧＧ３，Ｇ
Ｇ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｇ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００５１】
【実施例８】実施例７におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲットを、Ｆｅ５０Ｐ
ｔ５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ
４０Ｔａ１０〈ａｔ％〉タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５ｎｍ〜２５ｎｍの間で変化させた。
の代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲットを、Ｆｅ５０Ｐ
ｔ５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ
４０Ｔａ１０〈ａｔ％〉タ−ゲットを用いて、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５ｎｍ〜２５ｎｍの間で変化させた。
【００５２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＨＨ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＨＨ４とす
る。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＨＨ３，ＨＨ４と同じものをそれぞれ比較装置
ＨＨ１，ＨＨ２とする。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＨＨ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＨＨ４とす
る。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＨＨ３，ＨＨ４と同じものをそれぞれ比較装置
ＨＨ１，ＨＨ２とする。
【００５３】比較装置ＨＨ１，ＨＨ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図２４に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＨＨ１，ＨＨ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２５［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＨＨ１，ＨＨ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図２４に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＨＨ１，ＨＨ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２５［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＨＨ１，ＨＨ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００５４】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図２６に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＨＨ３，
ＨＨ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図２４に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＨＨ３，ＨＨ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図２６に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＨＨ３，
ＨＨ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図２４に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＨＨ３，ＨＨ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
【００５５】以上のことにより、本発明装置ＨＨ３，Ｈ
Ｈ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｈ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００５６】
【実施例９】実施例７におけるＦｅＳｉＡｌターゲット
の代わりにＣｏＮｉＦｅターゲットを用いて、実施例７
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間
で変化させた。
の代わりにＣｏＮｉＦｅターゲットを用いて、実施例７
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．０８μｍ〜０．１５μｍの間
で変化させた。
【００５７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＪＪ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＪＪ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＪＪ３，ＪＪ４と同じものをそれぞれ比較装
置ＪＪ１，ＪＪ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＪＪ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＪＪ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＪＪ３，ＪＪ４と同じものをそれぞれ比較装
置ＪＪ１，ＪＪ２とした。
【００５８】比較装置ＪＪ１，ＪＪ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図２７に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＪＪ１，ＪＪ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２８［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＪＪ１，ＪＪ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図２７に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＪＪ１，ＪＪ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図２８［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＪＪ１，ＪＪ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００５９】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図２９に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＪＪ３，Ｊ
Ｊ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図２７に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＪＪ３，ＪＪ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図２９に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＪＪ３，Ｊ
Ｊ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図２７に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＪＪ３，ＪＪ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
【００６０】以上のことにより、本発明装置ＪＪ３，Ｊ
Ｊ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｊ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００６１】
【実施例１０】実施例７におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｆｅ５０Ｐ
ｔ５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ
４０Ｔａ １０（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例７
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｆｅ５０Ｐ
ｔ５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ
４０Ｔａ １０（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例７
と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁
気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複
合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記
録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッ
ドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、磁気スペーシ
ングは１５〜２５ｎｍの間で変化させた。
【００６２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＫＫ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＫＫ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＫＫ３，ＫＫ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＫＫ１，ＫＫ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＫＫ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＫＫ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＫＫ３，ＫＫ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＫＫ１，ＫＫ２とした。
【００６３】比較装置ＫＫ１，ＫＫ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図３０に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＫＫ１，ＫＫ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３１［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＫＫ１，ＫＫ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図３０に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＫＫ１，ＫＫ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３１［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＫＫ１，ＫＫ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００６４】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図３２に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＫＫ３，Ｋ
Ｋ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図３０に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＫＫ３，ＫＫ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭小
化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図３２に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＫＫ３，Ｋ
Ｋ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図３０に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＫＫ３，ＫＫ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭小
化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。
【００６５】以上のことにより、本発明装置ＫＫ３，Ｋ
Ｋ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｋ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００６６】
【実施例１１】実施例７におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲットを用いて、実施例
７と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直
磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ
複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。
記録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘ
ッドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、垂直磁気記
録媒体の下地軟磁性膜の膜厚は１５０〜２５０ｎｍの間
で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲットを用いて、実施例
７と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直
磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ
複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク装置を構成した。
記録再生条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘ
ッドの再生ギャップ長は０．１０μｍとし、垂直磁気記
録媒体の下地軟磁性膜の膜厚は１５０〜２５０ｎｍの間
で変化させた。
【００６７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＬＬ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＬＬ４とし
た。また、下地軟磁性膜２５０ｎｍである点を除き本発
明装置ＬＬ３，ＬＬ４と同じものを、それぞれ比較装置
ＬＬ１，ＬＬ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＬＬ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＬＬ４とし
た。また、下地軟磁性膜２５０ｎｍである点を除き本発
明装置ＬＬ３，ＬＬ４と同じものを、それぞれ比較装置
ＬＬ１，ＬＬ２とした。
【００６８】比較装置ＬＬ１，ＬＬ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図３３に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＬＬ１，ＬＬ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３４［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＬＬ１，ＬＬ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図３３に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＬＬ１，ＬＬ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３４［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＬＬ１，ＬＬ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００６９】比較装置の再生諸元値に対して下地軟磁性
膜の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が
向上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシ
ミュレーションで予想できた。この様子を図３５に示
す。この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＬＬ
３，ＬＬ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度
依存性を図３３に示す。この図から分かるように、本発
明装置ＬＬ３，ＬＬ４を用いると、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これ
は、本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜の膜
厚を薄膜化したことにより、再生の分解能が向上したた
めである。それゆえ、下地軟磁性膜の膜厚が２００ｎｍ
以下のときも、同様な効果が得られる。
膜の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が
向上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシ
ミュレーションで予想できた。この様子を図３５に示
す。この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＬＬ
３，ＬＬ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度
依存性を図３３に示す。この図から分かるように、本発
明装置ＬＬ３，ＬＬ４を用いると、記録密度約５００ｋ
ＦＲＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これ
は、本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜の膜
厚を薄膜化したことにより、再生の分解能が向上したた
めである。それゆえ、下地軟磁性膜の膜厚が２００ｎｍ
以下のときも、同様な効果が得られる。
【００７０】以上のことにより、本発明装置ＬＬ３，Ｌ
Ｌ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｌ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００７１】
【実施例１２】実施例７におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｆｅ５０Ｐｔ
５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ４０
Ｔａ１０（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例７と同
様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気記
録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘ
ッドを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録再生
条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再
生ギャップ長は０．１０μｍとし、垂直磁化膜の膜厚は
３０〜７０ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｆｅ５０Ｐｔ
５０（ａｔ％）タ−ゲットの代わりにＦｅ５０Ｐｔ４０
Ｔａ１０（ａｔ％）タ−ゲットを用いて、実施例７と同
様にして垂直磁気記録媒体を作製した。この垂直磁気記
録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘ
ッドを用いて、磁気ディスク装置を構成した。記録再生
条件は実施例１と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再
生ギャップ長は０．１０μｍとし、垂直磁化膜の膜厚は
３０〜７０ｎｍの間で変化させた。
【００７２】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＭＭ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＭＭ４とし
た。垂直磁化膜６０ｎｍである点を除き本発明装置ＭＭ
３，ＭＭ４と同じものを、それぞれ比較装置ＭＭ１，Ｍ
Ｍ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＭＭ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＭＭ４とし
た。垂直磁化膜６０ｎｍである点を除き本発明装置ＭＭ
３，ＭＭ４と同じものを、それぞれ比較装置ＭＭ１，Ｍ
Ｍ２とした。
【００７３】比較装置ＭＭ１，ＭＭ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図３６に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＭＭ１，ＭＭ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３７［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＭＭ１，ＭＭ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図３６に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＭＭ１，ＭＭ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図３７［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＭＭ１，ＭＭ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００７４】比較装置の再生諸元値に対して垂直磁化膜
の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図３８に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＭＭ３，
ＭＭ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図３６に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＭＭ３，ＭＭ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜の膜厚を
薄膜化したことにより、再生の分解能が向上したためで
ある。それゆえ、垂直磁化膜の膜厚が５０ｎｍ以下のと
きも、同様な効果が得られる。
の膜厚を約１割薄膜化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図３８に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＭＭ３，
ＭＭ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図３６に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＭＭ３，ＭＭ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも下地軟磁性膜の膜厚を
薄膜化したことにより、再生の分解能が向上したためで
ある。それゆえ、垂直磁化膜の膜厚が５０ｎｍ以下のと
きも、同様な効果が得られる。
【００７５】以上のことにより、本発明装置ＭＭ３，Ｍ
Ｍ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｍ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００７６】
【実施例１３】実施例１におけるＣｏ７７Ｃｒ１９Ｔｂ
４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＹＣｏ５ターゲット
を用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作
製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッ
ド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク
装置を構成した。記録再生条件は実施例１と同様とし
た。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は０．０８μ
ｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＹＣｏ５ターゲット
を用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作
製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合ヘッ
ド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディスク
装置を構成した。記録再生条件は実施例１と同様とし
た。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は０．０８μ
ｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【００７７】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＮＮ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＮＮ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＮＮ３，ＮＮ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＮＮ１，ＮＮ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＮＮ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＮＮ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＮＮ３，ＮＮ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＮＮ１，ＮＮ２とした。
【００７８】比較装置ＮＮ１，ＮＮ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図３９に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。
を行った。出力の記録密度依存性を図３９に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。
【００７９】比較装置ＮＮ１，ＮＮ２による記録密度６
００ｋＦＲＰＩのときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦ
Ｍ）によって観察したときの記録磁化パターンを、図４
０［１］，［２］に示す。これらの図から分かるよう
に、信号は垂直磁気記録媒体上に明瞭に記録されてい
る。このことから、比較装置ＮＮ１，ＮＮ２による記録
密度約５００ｋＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激
な低下は、記録状態の不良によるものではなく、再生の
分解能の不良によるものであることが分かる。
００ｋＦＲＰＩのときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦ
Ｍ）によって観察したときの記録磁化パターンを、図４
０［１］，［２］に示す。これらの図から分かるよう
に、信号は垂直磁気記録媒体上に明瞭に記録されてい
る。このことから、比較装置ＮＮ１，ＮＮ２による記録
密度約５００ｋＦＲＰＩを越えたときの再生出力の急激
な低下は、記録状態の不良によるものではなく、再生の
分解能の不良によるものであることが分かる。
【００８０】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図４１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＮＮ３，Ｎ
Ｎ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図３９に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＮＮ３，ＮＮ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＹがＣｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図４１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＮＮ３，Ｎ
Ｎ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図３９に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＮＮ３，ＮＮ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＹがＣｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【００８１】以上のことにより、本発明装置ＮＮ３，Ｎ
Ｎ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｎ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００８２】
【実施例１４】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＣｅＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５〜２５ｎｍ
の間で変化させた。
トの代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＣｅＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５〜２５ｎｍ
の間で変化させた。
【００８３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＰＰ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＰＰ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＰＰ３，ＰＰ４と同じものを、比較装置ＰＰ１，ＰＰ
２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＰＰ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＰＰ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＰＰ３，ＰＰ４と同じものを、比較装置ＰＰ１，ＰＰ
２とした。
【００８４】比較装置ＰＰ１，ＰＰ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図４２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＰＰ１，ＰＰ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＰＰ１，ＰＰ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図４２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＰＰ１，ＰＰ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＰＰ１，ＰＰ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００８５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図４４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＰＰ３，
ＰＰ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図４２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＰＰ３，ＰＰ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＣｅがＹ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図４４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＰＰ３，
ＰＰ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図４２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＰＰ３，ＰＰ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＣｅがＹ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【００８６】以上のことにより、本発明装置ＰＰ３，Ｐ
Ｐ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｐ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００８７】
【実施例１５】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【００８８】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＱＱ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＱＱ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＱＱ３，ＱＱ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＱＱ１，ＱＱ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＱＱ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＱＱ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＱＱ３，ＱＱ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＱＱ１，ＱＱ２とした。
【００８９】比較装置ＱＱ１，ＱＱ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図４５に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＱＱ１，ＱＱ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＱＱ１，ＱＱ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図４５に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＱＱ１，ＱＱ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＱＱ１，ＱＱ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００９０】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図４７に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＱＱ３，Ｑ
Ｑ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図４５に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＱＱ３，ＱＱ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図４７に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＱＱ３，Ｑ
Ｑ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図４５に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＱＱ３，ＱＱ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【００９１】以上のことにより、本発明装置ＱＱ３，Ｑ
Ｑ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｑ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００９２】
【実施例１６】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＬａＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＬａＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
【００９３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＲＲ３とし、Ｉ
Ｄ／ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＲＲ４と
した。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明
装置ＲＲ３，ＲＲ４と同じものを、それぞれ比較装置Ｒ
Ｒ１，ＲＲ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＲＲ３とし、Ｉ
Ｄ／ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＲＲ４と
した。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明
装置ＲＲ３，ＲＲ４と同じものを、それぞれ比較装置Ｒ
Ｒ１，ＲＲ２とした。
【００９４】比較装置ＲＲ１，ＲＲ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図４８に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＲＲ１，ＲＲ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＲＲ１，ＲＲ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図４８に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＲＲ１，ＲＲ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図４６［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＲＲ１，ＲＲ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【００９５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図５０に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＲＲ３，
ＲＲ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図４８に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＲＲ３，ＲＲ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングの狭
小化により再生の分解能が向上したためである。それゆ
え、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のときも、同様な
効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の希土類
元素ＬａがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｐｒの場合でも、同様の効
果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図５０に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＲＲ３，
ＲＲ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図４８に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＲＲ３，ＲＲ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングの狭
小化により再生の分解能が向上したためである。それゆ
え、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のときも、同様な
効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化膜の希土類
元素ＬａがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｐｒの場合でも、同様の効
果が得られる。
【００９６】以上のことにより、本発明装置ＲＲ３，Ｒ
Ｒ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｒ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【００９７】
【実施例１７】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＰｒＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＰｒＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【００９８】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＳＳ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＳＳ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＳＳ３，ＳＳ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＳＳ１，ＳＳ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＳＳ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＳＳ４とし
た。また、再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き
本発明装置ＳＳ３，ＳＳ４と同じものを、それぞれ比較
装置ＳＳ１，ＳＳ２とした。
【００９９】比較装置ＳＳ１，ＳＳ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図５１に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＳＳ１，ＳＳ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５２［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＳＳ１，ＳＳ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図５１に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＳＳ１，ＳＳ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５２［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＳＳ１，ＳＳ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１００】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５３に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＳＳ３，Ｓ
Ｓ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図５１に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＳＳ３，ＳＳ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
することにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＰｒがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５３に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＳＳ３，Ｓ
Ｓ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図５１に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＳＳ３，ＳＳ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
することにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＰｒがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１０１】以上のことにより、本発明装置ＳＳ３，Ｓ
Ｓ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｓ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１０２】
【実施例１８】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
【０１０３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＴＴ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＴＴ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＴＴ３，ＴＴ４と同じものをそれぞれ比較装置ＴＴ
１，ＴＴ２とする。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＴＴ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＴＴ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＴＴ３，ＴＴ４と同じものをそれぞれ比較装置ＴＴ
１，ＴＴ２とする。
【０１０４】比較装置ＴＴ１，ＴＴ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図５４に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＴＴ１，ＴＴ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５５［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＴＴ１，ＴＴ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図５４に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＴＴ１，ＴＴ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５５［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＴＴ１，ＴＴ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１０５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図５６に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＴＴ３，
ＴＴ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図５４に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＴＴ３，ＴＴ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図５６に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＴＴ３，
ＴＴ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図５４に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＴＴ３，ＴＴ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１０６】以上のことにより、本発明装置ＴＴ３，Ｔ
Ｔ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｔ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１０７】
【実施例１９】実施例１におけるＣｏ７７Ｃｒ１９Ｔｂ
４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＹ ２Ｃｏ１７ターゲ
ットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体
を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合
ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディ
スク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と同様と
した。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は０．０８
μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＹ ２Ｃｏ１７ターゲ
ットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体
を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／ＭＲ複合
ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁気ディ
スク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と同様と
した。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は０．０８
μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【０１０８】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを本発明装置ＵＵ３、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッ
ドを用いたものを本発明装置ＵＵ４とした。再生ギャッ
プ長０．１２μｍである点を除き本発明装置ＵＵ３，Ｕ
Ｕ４と同じものを、それぞれ比較装置ＵＵ１，ＵＵ２と
した。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを本発明装置ＵＵ３、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッ
ドを用いたものを本発明装置ＵＵ４とした。再生ギャッ
プ長０．１２μｍである点を除き本発明装置ＵＵ３，Ｕ
Ｕ４と同じものを、それぞれ比較装置ＵＵ１，ＵＵ２と
した。
【０１０９】比較装置ＵＵ１，ＵＵ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図５７に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＵＵ１，ＵＵ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５８［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＵＵ１，ＵＵ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図５７に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＵＵ１，ＵＵ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図５８［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＵＵ１，ＵＵ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１１０】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５９に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＵＵ３，Ｕ
Ｕ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図５７に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＵＵ３，ＵＵ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
することにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＹがＣｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図５９に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＵＵ３，Ｕ
Ｕ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図５７に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＵＵ３，ＵＵ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
することにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＹがＣｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１１１】以上のことにより、本発明装置ＵＵ３，Ｕ
Ｕ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｕ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１１２】
【実施例２０】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＣｅＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５〜２５ｎｍ
の間で変化させた。
トの代わりにＦｅＳｉＡｌＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＣｅＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５〜２５ｎｍ
の間で変化させた。
【０１１３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＶＶ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＶＶ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＶＶ３，ＶＶ４と同じものをそれぞれ比較装置ＶＶ
１，ＶＶ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＶＶ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＶＶ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＶＶ３，ＶＶ４と同じものをそれぞれ比較装置ＶＶ
１，ＶＶ２とした。
【０１１４】比較装置ＶＶ１，ＶＶ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図６０に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＶＶ１，ＶＶ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６１［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＶＶ１，ＶＶ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図６０に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＶＶ１，ＶＶ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６１［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＶＶ１，ＶＶ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１１５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図６２に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＶＶ３，
ＶＶ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図６０に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＶＶ３，ＶＶ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＣｅがＹ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図６２に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＶＶ３，
ＶＶ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図６０に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＶＶ３，ＶＶ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＣｅがＹ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１１６】以上のことにより、本発明装置ＶＶ３，Ｖ
Ｖ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｖ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１１７】
【実施例２１】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＮｉＦｅターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【０１１８】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＷＷ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＷＷ４とし
た。再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＷＷ３，ＷＷ４と同じものをそれぞれ比較装置ＷＷ
１，ＷＷ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＷＷ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＷＷ４とし
た。再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＷＷ３，ＷＷ４と同じものをそれぞれ比較装置ＷＷ
１，ＷＷ２とした。
【０１１９】比較装置ＷＷ１，ＷＷ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図６３に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＷＷ１，ＷＷ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６４［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＷＷ１，ＷＷ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図６３に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＷＷ１，ＷＷ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６４［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＷＷ１，ＷＷ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１２０】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図６５に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＷＷ３，Ｗ
Ｗ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６３に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＷＷ３，ＷＷ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図６５に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＷＷ３，Ｗ
Ｗ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６３に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＷＷ３，ＷＷ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１２１】以上のことにより、本発明装置ＷＷ３，Ｗ
Ｗ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｗ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１２２】
【実施例２２】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＬａＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＮｉＦｅＴｉターゲット、Ｃｏ７７Ｃ
ｒ１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＬａＣｏ
５ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気
記録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／
ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、
磁気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１
と同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
【０１２３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＸＸ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＸＸ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＸＸ３，ＸＸ４と同じものをそれぞれ比較装置ＸＸ
１，ＸＸ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＸＸ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＸＸ４とし
た。磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本発明装
置ＸＸ３，ＸＸ４と同じものをそれぞれ比較装置ＸＸ
１，ＸＸ２とした。
【０１２４】比較装置ＸＸ１，ＸＸ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図６６に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＸＸ１，ＸＸ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６７［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＸＸ１，ＸＸ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図６６に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＸＸ１，ＸＸ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図６７［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＸＸ１，ＸＸ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１２５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図６８に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＸＸ３，
ＸＸ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図６６に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＸＸ３，ＸＸ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＬａがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図６８に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＸＸ３，
ＸＸ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図６６に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＸＸ３，ＸＸ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化することにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＬａがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｐｒの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１２６】以上のことにより、本発明装置ＸＸ３，Ｘ
Ｘ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｘ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１２７】
【実施例２３】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＰｒＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＴａターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＰｒＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．０８μｍ〜０．１５μｍの間で変化させた。
【０１２８】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＹＹ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＹＹ４とし
た。再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＹＹ３，ＹＹ４と同じものをそれぞれ比較装置ＹＹ
１，ＹＹ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＹＹ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＹＹ４とし
た。再生ギャップ長０．１２μｍである点を除き本発明
装置ＹＹ３，ＹＹ４と同じものをそれぞれ比較装置ＹＹ
１，ＹＹ２とした。
【０１２９】比較装置ＹＹ１，ＹＹ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図６９に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＹＹ１，ＹＹ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図７０［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＹＹ１，ＹＹ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図６９に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＹＹ１，ＹＹ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図７０［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＹＹ１，ＹＹ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１３０】比較装置の再生諸元値に対して再生ギャッ
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図７１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＹＹ３，Ｙ
Ｙ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６９に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＹＹ３，ＹＹ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＰｒがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
プ長を約１割狭小化することにより再生の分解能が向上
することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミュ
レーションで予想できた。この様子を図７１に示す。こ
の予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＹＹ３，Ｙ
Ｙ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存性
を図６９に示す。この図から分かるように、本発明装置
ＹＹ３，ＹＹ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、本
発明装置では、比較装置よりも再生ギャップ長を狭小化
したことにより、再生の分解能が向上したためである。
それゆえ、再生ギャップ長が０．１０μｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＰｒがＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１３１】以上のことにより、本発明装置ＹＹ３，Ｙ
Ｙ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｙ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１３２】
【実施例２４】実施例１におけるＦｅＳｉＡｌターゲッ
トの代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
トの代わりにＣｏＺｒＮｂターゲット、Ｃｏ７７Ｃｒ
１９Ｔｂ４（ａｔ％）ターゲットの代わりにＳｍＣｏ５
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製した。この垂直磁気記録媒体と単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッドとを用いて、磁
気ディスク装置を構成した。記録再生条件は実施例１と
同様とした。ただし、ＭＲヘッドの再生ギャップ長は
０．１０μｍとし、磁気スペーシングは１５ｎｍ〜２５
ｎｍの間で変化させた。
【０１３３】下地軟磁性膜膜厚２００ｎｍ、垂直磁化膜
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＺＺ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＺＺ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＺＺ３，ＺＺ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＺＺ１，ＺＺ２とした。
５０ｎｍ、再生ギャップ長０．１０μｍ、磁気スペーシ
ング２０ｎｍの磁気ディスク装置において、単磁極／Ｍ
Ｒ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＺＺ３、ＩＤ／
ＭＲ複合ヘッドを用いたものを本発明装置ＺＺ４とし
た。また、磁気スペーシング２３ｎｍである点を除き本
発明装置ＺＺ３，ＺＺ４と同じものを、それぞれ比較装
置ＺＺ１，ＺＺ２とした。
【０１３４】比較装置ＺＺ１，ＺＺ２で記録再生の実験
を行った。出力の記録密度依存性を図７２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＺＺ１，ＺＺ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図７３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＺＺ１，ＺＺ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
を行った。出力の記録密度依存性を図７２に示す。この
図から分かるように、記録密度約５００ｋＦＲＰＩまで
はある程度の再生出力が得られるが、記録密度約５００
ｋＦＲＰＩを越えると急激に再生出力が減少する。比較
装置ＺＺ１，ＺＺ２による記録密度６００ｋＦＲＰＩの
ときの記録状態を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察
したときの記録磁化パターンを、図７３［１］，［２］
に示す。これらの図から分かるように、信号は垂直磁気
記録媒体上に明瞭に記録されている。このことから、比
較装置ＺＺ１，ＺＺ２による記録密度約５００ｋＦＲＰ
Ｉを越えたときの再生出力の急激な低下は、記録状態の
不良によるものではなく、再生の分解能の不良によるも
のであることが分かる。
【０１３５】比較装置の再生諸元値に対して磁気スペー
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図７４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＺＺ３，
ＺＺ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図７２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＺＺ３，ＺＺ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
シングを約１割狭小化することにより再生の分解能が向
上することは、垂直二層磁気記録方式の再生応答のシミ
ュレーションで予想できた。この様子を図７４に示す。
この予想に基づいて組み上げられた本発明装置ＺＺ３，
ＺＺ４で記録再生の実験を行った。出力の記録密度依存
性を図７２に示す。この図から分かるように、本発明装
置ＺＺ３，ＺＺ４を用いると、記録密度約５００ｋＦＲ
ＰＩを越えても再生出力が十分に確保できる。これは、
本発明装置では、比較装置よりも磁気スペーシングを狭
小化したことにより、再生の分解能が向上したためであ
る。それゆえ、磁気スペーシングが２０ｎｍ以下のとき
も、同様な効果が得られる。さらに、この際、垂直磁化
膜の希土類元素ＳｍがＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｌａの場合で
も、同様の効果が得られる。
【０１３６】以上のことにより、本発明装置ＺＺ３，Ｚ
Ｚ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
Ｚ４を用いることにより、超高記録密度での再生を容易
にした、超高記録密度の垂直二層磁気記録方式による情
報ストレージを実現することができる。
【０１３７】
【発明の効果】本発明に係る磁気ディスク装置によれ
ば、長手磁気記録方式の再生ギャップ長、磁気スペーシ
ング、媒体膜厚等のバランス関係を踏襲かつ援用するこ
とによって設計されていた垂直二層磁気記録方式の磁気
ディスク装置と異なり、垂直二層磁気記録方式のＭＲヘ
ッド再生応答に関するシミュレーションにより再生系を
設計している。したがって、従来の垂直二層磁気記録方
式の磁気ディスク装置よりも遙かに再生の分解能を向上
でき、これにより高記録密度時の再生を遙かに容易にし
た垂直二層磁気記録方式の磁気ディスク装置を提供する
ことができる。
ば、長手磁気記録方式の再生ギャップ長、磁気スペーシ
ング、媒体膜厚等のバランス関係を踏襲かつ援用するこ
とによって設計されていた垂直二層磁気記録方式の磁気
ディスク装置と異なり、垂直二層磁気記録方式のＭＲヘ
ッド再生応答に関するシミュレーションにより再生系を
設計している。したがって、従来の垂直二層磁気記録方
式の磁気ディスク装置よりも遙かに再生の分解能を向上
でき、これにより高記録密度時の再生を遙かに容易にし
た垂直二層磁気記録方式の磁気ディスク装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明に係る磁気ディスク装置の一実施形態を
示す外観斜視図である。
示す外観斜視図である。
【図２】図１の磁気ディスク装置における再生系の概略
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の実施例１における出力の記録密度依存
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１における記録磁化パターンを
示す磁気力顕微鏡写真であり、図４［１］は比較装置Ａ
Ａ１による記録磁化パターン、図４［２］は比較装置Ａ
Ａ２による記録磁化パターンである。
示す磁気力顕微鏡写真であり、図４［１］は比較装置Ａ
Ａ１による記録磁化パターン、図４［２］は比較装置Ａ
Ａ２による記録磁化パターンである。
【図５】本発明の実施例１における再生応答のシミュレ
ーション結果を示すグラフである。
ーション結果を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例２における出力の記録密度依存
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例２における記録磁化パターンを
示す磁気力顕微鏡写真であり、図７［１］は比較装置Ｂ
Ｂ１による記録磁化パターン、図７［２］は比較装置Ｂ
Ｂ２による記録磁化パターンである。
示す磁気力顕微鏡写真であり、図７［１］は比較装置Ｂ
Ｂ１による記録磁化パターン、図７［２］は比較装置Ｂ
Ｂ２による記録磁化パターンである。
【図８】本発明の実施例２における再生応答のシミュレ
ーション結果を示すグラフである。
ーション結果を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例３における出力の記録密度依存
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例３における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１０［１］は比較装
置ＣＣ１による記録磁化パターン、図１０［２］は比較
装置ＣＣ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１０［１］は比較装
置ＣＣ１による記録磁化パターン、図１０［２］は比較
装置ＣＣ２による記録磁化パターンである。
【図１１】本発明の実施例３における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例４における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図１３】本発明の実施例４における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１３［１］は比較装
置ＤＤ１による記録磁化パターン、図１３［２］は比較
装置ＤＤ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１３［１］は比較装
置ＤＤ１による記録磁化パターン、図１３［２］は比較
装置ＤＤ２による記録磁化パターンである。
【図１４】本発明の実施例４における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施例５における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例５における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１６［１］は比較装
置ＥＥ１による記録磁化パターン、図１６［２］は比較
装置ＥＥ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１６［１］は比較装
置ＥＥ１による記録磁化パターン、図１６［２］は比較
装置ＥＥ２による記録磁化パターンである。
【図１７】本発明の実施例５における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例６における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図１９】本発明の実施例６における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１９［１］は比較装
置ＦＦ１による記録磁化パターン、図１９［２］は比較
装置ＦＦ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図１９［１］は比較装
置ＦＦ１による記録磁化パターン、図１９［２］は比較
装置ＦＦ２による記録磁化パターンである。
【図２０】本発明の実施例６における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図２１】本発明の実施例７における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図２２】本発明の実施例７における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２２［１］は比較装
置ＧＧ１による記録磁化パターン、図２２［２］は比較
装置ＧＧ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２２［１］は比較装
置ＧＧ１による記録磁化パターン、図２２［２］は比較
装置ＧＧ２による記録磁化パターンである。
【図２３】本発明の実施例７における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図２４】本発明の実施例８における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図２５】本発明の実施例８における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２５［１］は比較装
置ＨＨ１による記録磁化パターン、図２５［２］は比較
装置ＨＨ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２５［１］は比較装
置ＨＨ１による記録磁化パターン、図２５［２］は比較
装置ＨＨ２による記録磁化パターンである。
【図２６】本発明の実施例８における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図２７】本発明の実施例９における出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施例９における記録磁化パターン
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２８［１］は比較装
置ＪＪ１による記録磁化パターン、図２８［２］は比較
装置ＪＪ２による記録磁化パターンである。
を示す磁気力顕微鏡写真であり、図２８［１］は比較装
置ＪＪ１による記録磁化パターン、図２８［２］は比較
装置ＪＪ２による記録磁化パターンである。
【図２９】本発明の実施例９における再生応答のシミュ
レーション結果を示すグラフである。
レーション結果を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施例１０における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３１】本発明の実施例１０における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３１［１］は比較
装置ＫＫ１による記録磁化パターン、図３１［２］は比
較装置ＫＫ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３１［１］は比較
装置ＫＫ１による記録磁化パターン、図３１［２］は比
較装置ＫＫ２による記録磁化パターンである。
【図３２】本発明の実施例１０における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図３３】本発明の実施例１１における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３４】本発明の実施例１１における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３４［１］は比較
装置ＬＬ１による記録磁化パターン、図３４［２］は比
較装置ＬＬ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３４［１］は比較
装置ＬＬ１による記録磁化パターン、図３４［２］は比
較装置ＬＬ２による記録磁化パターンである。
【図３５】本発明の実施例１１における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図３６】本発明の実施例１２における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３７】本発明の実施例１２における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３７［１］は比較
装置ＭＭ１による記録磁化パターン、図３７［２］は比
較装置ＭＭ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図３７［１］は比較
装置ＭＭ１による記録磁化パターン、図３７［２］は比
較装置ＭＭ２による記録磁化パターンである。
【図３８】本発明の実施例１２における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図３９】本発明の実施例１３における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図４０】本発明の実施例１３における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４０［１］は比較
装置ＮＮ１による記録磁化パターン、図４０［２］は比
較装置ＮＮ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４０［１］は比較
装置ＮＮ１による記録磁化パターン、図４０［２］は比
較装置ＮＮ２による記録磁化パターンである。
【図４１】本発明の実施例１３における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図４２】本発明の実施例１４における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図４３】本発明の実施例１４における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４３［１］は比較
装置ＰＰ１による記録磁化パターン、図４３［２］は比
較装置ＰＰ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４３［１］は比較
装置ＰＰ１による記録磁化パターン、図４３［２］は比
較装置ＰＰ２による記録磁化パターンである。
【図４４】本発明の実施例１４における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図４５】本発明の実施例１５における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図４６】本発明の実施例１５における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４６［１］は比較
装置ＱＱ１による記録磁化パターン、図４６［２］は比
較装置ＱＱ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４６［１］は比較
装置ＱＱ１による記録磁化パターン、図４６［２］は比
較装置ＱＱ２による記録磁化パターンである。
【図４７】本発明の実施例１５における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図４８】本発明の実施例１６における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図４９】本発明の実施例１６における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４９［１］は比較
装置ＲＲ１による記録磁化パターン、図４９［２］は比
較装置ＲＲ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図４９［１］は比較
装置ＲＲ１による記録磁化パターン、図４９［２］は比
較装置ＲＲ２による記録磁化パターンである。
【図５０】本発明の実施例１６における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図５１】本発明の実施例１７における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図５２】本発明の実施例１７における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５２［１］は比較
装置ＳＳ１による記録磁化パターン、図５２［２］は比
較装置ＳＳ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５２［１］は比較
装置ＳＳ１による記録磁化パターン、図５２［２］は比
較装置ＳＳ２による記録磁化パターンである。
【図５３】本発明の実施例１７における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図５４】本発明の実施例１８における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図５５】本発明の実施例１８における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５５［１］は比較
装置ＴＴ１による記録磁化パターン、図５５［２］は比
較装置ＴＴ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５５［１］は比較
装置ＴＴ１による記録磁化パターン、図５５［２］は比
較装置ＴＴ２による記録磁化パターンである。
【図５６】本発明の実施例１８における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図５７】本発明の実施例１９における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図５８】本発明の実施例１９における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５８［１］は比較
装置ＵＵ１による記録磁化パターン、図５８［２］は比
較装置ＵＵ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図５８［１］は比較
装置ＵＵ１による記録磁化パターン、図５８［２］は比
較装置ＵＵ２による記録磁化パターンである。
【図５９】本発明の実施例１９における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図６０】本発明の実施例２０における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図６１】本発明の実施例２０における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６１［１］は比較
装置ＶＶ１による記録磁化パターン、図６１［２］は比
較装置ＶＶ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６１［１］は比較
装置ＶＶ１による記録磁化パターン、図６１［２］は比
較装置ＶＶ２による記録磁化パターンである。
【図６２】本発明の実施例２０における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図６３】本発明の実施例２１における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図６４】本発明の実施例２１における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６４［１］は比較
装置ＷＷ１による記録磁化パターン、図６４［２］は比
較装置ＷＷ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６４［１］は比較
装置ＷＷ１による記録磁化パターン、図６４［２］は比
較装置ＷＷ２による記録磁化パターンである。
【図６５】本発明の実施例２１における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図６６】本発明の実施例２２における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図６７】本発明の実施例２２における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６７［１］は比較
装置ＸＸ１による記録磁化パターン、図６７［２］は比
較装置ＸＸ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図６７［１］は比較
装置ＸＸ１による記録磁化パターン、図６７［２］は比
較装置ＸＸ２による記録磁化パターンである。
【図６８】本発明の実施例２２における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図６９】本発明の実施例２３における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図７０】本発明の実施例２３における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図７０［１］は比較
装置ＹＹ１による記録磁化パターン、図７０［２］は比
較装置ＹＹ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図７０［１］は比較
装置ＹＹ１による記録磁化パターン、図７０［２］は比
較装置ＹＹ２による記録磁化パターンである。
【図７１】本発明の実施例２３における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図７２】本発明の実施例２４における出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図７３】本発明の実施例２４における記録磁化パター
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図７３［１］は比較
装置ＺＺ１による記録磁化パターン、図７３［２］は比
較装置ＺＺ２による記録磁化パターンである。
ンを示す磁気力顕微鏡写真であり、図７３［１］は比較
装置ＺＺ１による記録磁化パターン、図７３［２］は比
較装置ＺＺ２による記録磁化パターンである。
【図７４】本発明の実施例２４における再生応答のシミ
ュレーション結果を示すグラフである。
ュレーション結果を示すグラフである。
【図７５】従来の磁気ディスク装置を示す外観斜視図で
ある。
ある。
【図７６】図７５の磁気ディスク装置における再生系の
概略断面図である。
概略断面図である。
２０ 垂直磁気記録媒体 ２１ 単磁極／ＭＲ複合ヘッド又はＩＤ／ＭＲ複合ヘッ
ド ２２ 基板 ２４ 下地軟磁性膜 ２８ 垂直磁化膜 ２１０ ＭＲヘッド ２１１，２１２ 磁気シールド層 ２１３ ＭＲ素子
ド ２２ 基板 ２４ 下地軟磁性膜 ２８ 垂直磁化膜 ２１０ ＭＲヘッド ２１１，２１２ 磁気シールド層 ２１３ ＭＲ素子
Claims (17)
- 【請求項１】 下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂
直磁気記録媒体と、記録用の単磁極ヘッドと再生用のＭ
Ｒヘッドとからなる単磁極／ＭＲ複合ヘッドを有する磁
気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、 前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間
隙である再生ギャップ長が０．１［μｍ］以下であるこ
とを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂
直磁気記録媒体と、記録用のＩＤヘッドと再生用のＭＲ
ヘッドとからなるＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記
録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、 前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間
隙であるギャップ長が０．１［μｍ］以下であることを
特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記単磁極／ＭＲ複合ヘッドを用いて前
記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、
当該単磁極／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体と
の間隙である磁気スペーシングが２０［ｎｍ］以下であ
る、請求項１記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記
垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当
該ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間
隙である磁気スペーシングが２０［ｎｍ］以下である、
請求項２記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記垂直磁化膜の膜厚が５０［ｎｍ］以
下である、請求項３又は４記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎ
ｍ］以下である、請求項５記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記下地軟磁性膜の材料がＦｅＳｉＡｌ
である、請求項１，２，３，４，５又は６記載の磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項８】 前記下地軟磁性膜の材料がＦｅＳｉＡｌ
系合金である、請求項１，２，３，４，５又は６記載の
磁気ディスク装置。 - 【請求項９】 前記下地軟磁性膜の材料がＣｏＮｉＦｅ
である、請求項１，２，３，４，５又は６記載の磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項１０】 前記下地軟磁性膜の材料がＣｏＮｉＦ
ｅ系合金である、請求項１，２，３，４，５又は６記載
の磁気ディスク装置。 - 【請求項１１】 前記下地軟磁性膜の材料がＣｏＺｒＴ
ａである、請求項１，２，３，４，５又は６記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項１２】 前記下地軟磁性膜の材料がＣｏＺｒＮ
ｂ合金である、請求項１，２，３，４，５又は６記載の
磁気ディスク装置。 - 【請求項１３】 前記垂直磁化膜の材料がＣｏＣｒＭ合
金であり、当該ＭがＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ又はＴｍで
ある、請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１
０，１１又は１２記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１４】 前記垂直磁化膜の材料がＦｅＰｔ合金
である、請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，
１０，１１又は１２記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１５】 前記垂直磁化膜の材料がＦｅＰｔ系合
金である、請求項１，２，３，４，５，６，７，８，
９，１０，１１又は１２記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１６】 前記垂直磁化膜の材料がＲＣｏ５（Ｒ
＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｐｒ）である、請求項１，
２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２
記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１７】 前記垂直磁化膜の材料がＲ２Ｃｏ１７
（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｐｒ）である、請求項
１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は
１２記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP25713899A JP2001084533A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 磁気ディスク装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25713899A JP2001084533A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 磁気ディスク装置 |
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|---|---|
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ID=17302255
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP25713899A Pending JP2001084533A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 磁気ディスク装置 |
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| KR100455296B1 (ko) * | 2002-05-15 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 자기재생헤드 |
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-
1999
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-
2000
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| A02 | Decision of refusal |
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