KR20230151538A - 막 증착을 위한 펄스식 dc 전력 - Google Patents

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KR20230151538A
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아비짓 락스만 상글
닐레쉬 파틸
비제이 반 샤르마
비스웨스와렌 시바라마크리슈난
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기상 증착 시스템 및 그 동작의 방법들이 개시된다. 기상 증착 시스템은 진공 챔버; 진공 챔버 내의 유전체 타깃 ― 유전체 타깃은 전방 표면 및 두께를 가짐 ― ; 진공 챔버 내의 기판 지지체 ― 기판 지지체는 유전체 타깃의 전방 표면으로부터 이격되어 프로세스 갭을 형성하는 전방 표면을 가짐 ― ; 및 진공 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위해 유전체 타깃에 연결되는 신호 생성기 ― 신호 생성기는 전력 소스를 포함하고, 전력 소스는 유전체 타깃에서 전하 축적을 방지하도록 구성됨 ― 를 포함한다. 방법은 유전체 타깃과 기판 지지체 사이의 프로세스 갭에서 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버 내의 유전체 타깃에 전력을 인가하는 것, 및 전하 축적을 방지하기 위해 유전체 타깃에 인가되는 전력을 펄스화하는 것을 포함한다.

Description

막 증착을 위한 펄스식 DC 전력
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 상에 막을 증착하기 위한 방법들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은 기판 상에 유전체 막을 증착하는 방법들에 관한 것이다.
[0002] 대안적으로 물리적 기상 증착(physical vapor deposition; PVD)으로 칭해지는 스퍼터링은 오랫동안 반도체 집적 회로들의 제조에서 금속들 및 관련된 재료들의 증착을 위해 사용되어 왔다. 스퍼터링의 사용은 비아들 또는 다른 수직 인터커넥트 구조물들과 같은 고종횡비 구멍들의 측벽들 상으로 금속 층들을 증착하는 것으로 확장되었고, 뿐만 아니라, 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 마스크 블랭크들의 제조에서도 확장되었다. EUV 마스크 블랭크들의 제조에서, 입자 생성의 최소화가 바람직한데, 그 이유는, 입자들이 최종 제품의 속성들에 부정적인 영향을 끼치기 때문이다.
[0003] 플라즈마 스퍼터링은 DC 스퍼터링 또는 RF 스퍼터링 중 어느 하나를 사용하여 달성될 수 있다. 플라즈마 스퍼터링은, 전형적으로, 스퍼터링 타깃의 배면(back)에 포지셔닝되는 마그네트론을 포함하는데, 마그네트론은, 프로세싱 공간 안으로 자기장을 투영하여 플라즈마의 밀도를 증가시키고 타깃의 전면(front face)으로부터의 스퍼터링 레이트를 향상시키기 위해, 자기 요크를 통해 그들의 배면에서 자기적으로 커플링되는 반대 극들의 두 개의 자석들을 포함한다. 마그네트론에서 사용되는 자석들은 전형적으로 DC 스퍼터링의 경우 폐루프이고 RF 스퍼터링의 경우 개루프이다.
[0004] 플라즈마 강화 기판 프로세싱 시스템들, 예컨대 물리적 기상 증착(PVD) 챔버들에서, 높은 자기장들 및 높은 DC 전력을 사용한 고전력 밀도 PVD 스퍼터링은 스퍼터링 타깃에서 높은 에너지를 생성할 수 있고, 스퍼터링 타깃의 표면 온도에서 큰 상승을 야기할 수 있다. 스퍼터링 타깃은 타깃 백킹 플레이트를 냉각 유체를 접촉시키는 것에 의해 냉각된다. 전형적으로 상업적으로 실시되는 바와 같은 플라즈마 스퍼터링에서는, 스퍼터 증착될 재료의 타깃이 코팅될 기판을 포함하는 진공 챔버에 밀봉된다. 아르곤이 챔버에 유입된다. 챔버 벽들 또는 차폐물들이 접지된 상태에서 유지되는 동안 수백 볼트의 음의 DC 바이어스가 타깃에 인가되는 경우, 아르곤은 플라즈마로 여기된다. 양으로 하전된 아르곤 이온들은 높은 에너지에서 음으로 바이어싱된 타깃으로 유인되고 타깃으로부터 타깃 원자들을 스퍼터링한다.
[0005] PVD 챔버 설계에서의 발전들이 이루어졌지만, 유전체 막을 증착하고 유전체 타깃 상에서 과도한 전하 축적을 방지하는 방법의 필요성이 여전히 남아 있다.
[0006] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 기상 증착 장치에 관한 것이다. 하나 이상의 실시예들에서, 기상 증착 장치는 진공 챔버, 진공 챔버 내의 유전체 타깃, 진공 챔버 내의 기판 지지체, 및 진공 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위해 유전체 타깃에 연결되는 신호 생성기를 포함한다. 일부 실시예들에서, 유전체 타깃은 전방 표면(front surface) 및 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체는 유전체 타깃의 전방 표면으로부터 이격되어 프로세스 갭(process gap)을 형성하는 전방 표면을 갖는다. 일부 실시예들에서, 신호 생성기는 유전체 타깃에서 전하 축적을 방지하도록 구성된다.
[0007] 본 개시내용의 다른 실시예는 유전체 막을 증착하는 방법에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 방법은 진공 챔버 내의 유전체 타깃과 기판 지지체 사이의 프로세스 갭에서 플라즈마를 생성하기 위해 유전체 타깃에 전력을 인가하는 것, 및 전하 축적을 방지하기 위해 유전체 타깃에 인가되는 전력을 펄스화하는(pulsing) 것을 포함한다.
[0008] 그러므로 본 개시내용의 실시예들의 상기 기재된 피처들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 상기에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 실시예들의 더욱 상세한 설명이 실시예들에 대한 참조에 의해 이루어질 수 있는데, 그들 중 일부는 첨부된 도면들에서 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법의 프로세스 흐름도를 도시한다;
[0010] 도 2는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 물리적 기상 증착(PVD) 챔버의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0011] 본 개시내용의 여러 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용은 다음 설명에서 기술되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들에 제한되지 않는다고 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하고 다양한 방식들로 실시 또는 실행될 수 있다.
[0012] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 용어 "기판"은 프로세스가 작용하는 표면, 또는 표면의 일부를 지칭한다. 기판에 대한 언급은, 문맥이 명백하게 달리 나타내지 않는 한, 기판의 일부만을 또한 가리킬 수 있다는 것이 당업자들에 의해 또한 이해될 것이다. 부가적으로, 기판 상에 증착하는 것에 대한 언급은, 베어 기판(bare substrate) 및 하나 이상의 막들 또는 피처들이 상부에 증착된 또는 형성된 기판 둘 모두를 의미할 수 있다.
[0013] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"은, 제조 프로세스 동안 막 프로세싱이 수행되는 임의의 기판 또는 기판 상에 형성되는 재료 표면을 가리킨다. 예를 들어, 프로세싱이 수행될 수 있는 기판 표면은 애플리케이션에 따라, 실리콘, 실리콘 산화물, 변형된 실리콘, 실리콘 온 인슐레이터(silicon on insulator; SOI), 탄소 도핑된 실리콘 산화물들, 비정질 실리콘, 도핑된 실리콘, 게르마늄, 갈륨 비화물, 유리, 사파이어와 같은 재료들, 및 금속들, 금속 질화물들, 금속 합금들 및 다른 전도성 재료들과 같은 임의의 다른 재료들을 포함한다. 기판들은 제한 없이, 반도체 웨이퍼들을 포함한다. 기판들은 기판 표면을 연마, 에칭, 환원, 산화, 수산화, 어닐링, UV 경화, e-빔 경화 및/또는 베이크(bake)하기 위한 전처리 프로세스에 노출될 수 있다. 본 개시내용에서는, 기판의 표면 자체에 대해 직접 막을 프로세싱하는 것 외에도, 아래에서 보다 상세히 개시되는 바와 같이 기판 상에 형성된 하층에 대해서도, 개시된 막 프로세싱 단계들 중 임의의 단계가 또한 수행될 수 있으며, "기판 표면"이라는 용어는 맥락이 나타내는 것과 같은 그러한 하층을 포함하는 것으로 의도된다. 따라서 예를 들어, 막/층 또는 부분 막/층이 기판 표면 상에 증착된 경우, 새로 증착된 막/층의 노출된 표면이 기판 표면이 된다.
[0014] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 물리적 기상 증착(PVD) 프로세스를 사용하여 막을 증착하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, PVD 막은 유전체 막을 포함한다.
[0015] 도 1은 막을 증착하기 위한 예시적인 방법(100)을 설명한다. 일부 실시예들에서, 방법은 기상 증착 방법을 포함한다. 일부 실시예들에서, 기상 증착 방법은 물리적 기상 증착(PVD) 프로세스 또는 그 변형을 포함한다.
[0016] 하나 이상의 실시예들에서, 방법(100)은 선택적인(optional) 전처리 동작(110)을 포함한다. 전처리 동안, 기판은 당업자에게 공지되어 있는 임의의 적절한 전처리를 사용하여 처리된다. 적절한 전처리들은, 예열, 세정, 침지(soaking), 자연 산화물 제거, 또는 접착제 층 및/또는 배리어 층의 증착이 포함하지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다.
[0017] 본 개시내용의 일부 실시예들은 막을 증착하기 위한 장치에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 물리적 기상 증착 프로세스는 임의의 적절한 장치에서 수행된다. 일부 실시예들에서, 적절한 장치는 물리적 기상 증착 시스템을 포함한다.
[0018] 일부 실시예들에서, 물리적 기상 증착 시스템은 진공 증착 시스템을 포함한다. 일부 실시예들에서, 진공 증착 시스템은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링, 펄스식(pulsed) 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합을 위해 구성된다. 일부 실시예들에서, 진공 증착 시스템은 마그네트론 스퍼터링에 의해 기판 상에 막을 형성하도록 구성되는 마그네트론 스퍼터링 시스템을 포함한다.
[0019] 일부 실시예들에서, 동일한 챔버 구성에서 적절한 타깃을 사용하여 다양한 유전체 막들이 증착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 방법들은 현존하는 증착 챔버들에서 수행된다. 따라서, 본 개시내용의 실시예들은 애노드/캐소드 면적 비율 튜닝(area ratio tuning)을 통해 타깃 바이어스(target bias)를 제어하기 위해 하드웨어를 변경할 필요가 없고 다기능인 방법들을 유리하게 제공한다.
[0020] 하나 이상의 실시예들의 방법들에 대해 유용한 예시적인 물리적 기상 증착 시스템(200)이 도 2에서 예시되어 있다. 물리적 기상 증착 시스템(200)은 진공 챔버(252), 진공 챔버(252) 내의 타깃(256), 진공 챔버(252) 내의 기판 지지체(280) 및 타깃(256)에 연결되는 신호 생성기(286)를 포함한다.
[0021] 진공 챔버(252)는 중심 축(254)을 중심으로 배열되는데, 타깃(256)은, 진공 챔버(252)에 타깃(256)을 진공 밀봉하는 아이솔레이터(258)를 통해, 그 중심 축 상에서 지지된다. 아이솔레이터(258)는 전기적으로 접지된 진공 챔버(252)로부터 타깃(256)을 전기적으로 절연시킨다. 진공 펌프 시스템(도시되지 않음)은 진공 챔버(252)의 내부를 낮은 milliTorr(밀리토르) 범위의 압력까지 펌핑한다. 일부 실시예들에서, 진공 챔버(252)는 1 milliTorr 내지 30 milliTorr, 5 milliTorr 내지 30 milliTorr, 10 milliTorr 내지 30 milliTorr, 20 milliTorr 내지 30 milliTorr, 1 milliTorr 내지 20 milliTorr, 5 milliTorr 내지 20 milliTorr, 10 milliTorr 내지 20 milliTorr, 1 milliTorr 내지 10 milliTorr, 5 milliTorr 내지 10 milliTorr, 또는 1 milliTorr 내지 5 milliTorr 범위의 압력을 갖는다.
[0022] 하나 이상의 실시예들에서, 타깃(256)의 전방 표면의 형상은 평면형일 수 있거나 또는 일반적으로 내경 부분들보다 더 두꺼운 외부 주변 가장자리들을 가지면서 오목할 수 있다. 타깃(256)은 진공 챔버(252)의 내부를 향하는 재료의 층을 포함하며, 이것은 전형적으로 스퍼터링되는 재료의 소스를 제공하기 위한 증착될 재료 외에 5 원자% 이하의 원소들을 포함한다.
[0023] 신호 생성기(286)는 전력 소스(260)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 전력 소스(260)에 동작 가능하게 연결되는 파형 생성기(267)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 타깃(256)을 바이어싱하기 위해 전력을 인가한다. 일부 실시예들에서, 전력 소스(260)는 DC 전력 소스를 포함한다. 일부 실시예들에서, DC 전력 소스는 플라즈마 가스를 플라즈마로 여기시키기 위해 접지된 진공 챔버(252) 또는 접지된 측벽 차폐물(도시되지 않음)과 관련하여 타깃을 바이어싱한다. 일부 실시예들에서, 타깃(256)은 진공 챔버(252) 또는 측벽 차폐물(도시되지 않음)보다 더욱 음으로 바이어싱된다.
[0024] 도 1의 120에서, 방법(100)은 타깃(256)에 전력을 인가하는 것을 포함한다. 일부 실시예들에서, 전력은 DC 전력을 포함한다. 일부 실시예들에서, 타깃(256)은 유전체 타깃을 포함한다.
[0025] 동작의 임의의 특정한 이론에 의해 구속되지는 않지만, 타깃의 절연 성질에 기인하여 유전체들의 단순한 DC 스퍼터링은 가능하지 않다고 여겨진다. 타깃(256)의 성질은 타깃 표면 상에 전하들의 축적을 초래하여 타깃 표면, 챔버 벽들 및/또는 기판 사이에서 높은 전위 축적을 생성한다. 아크는 막, 기판, 진공 챔버 컴포넌트들 및/또는 전력 공급부를 손상시킬 수 있다.
[0026] 반응성 펄스식 DC 스퍼터링은 반드시 동일하지는 않은 양 및 음의 하프 사이클(half cycle)들을 갖는 그리고 사인파 대신 구형 파형(square waveform)을 갖는 일종의 교류(alternating current; AC) 스퍼터링으로 간주될 수 있다. 반응성 펄스식 DC 스퍼터링은 합금 타깃들을 사용한다. 그러나, 합금 타깃들로부터의 반응성 펄스식 DC 스퍼터링은 화학량론 제어가 어렵다. 반면, 복합 타깃들로부터의 RF 스퍼터 증착을 사용한 증착은, RF 플라즈마를 튜닝함에 있어서 어려움에 기인하여, 특히 타깃 바이어스, 막 속성들, 등의 정밀한 제어가 필요로 되는 경우, 제어하기 너무 어려울 수 있다. 따라서, 원하는 범위에 가까운 화학량론을 달성하기 위한 장치 및 방법들을 제공할 필요가 있다.
[0027] 본 개시내용은 방법(100)의 실시예들을 설명하며, 방법(100)은 펄스식 DC 파형을 사용하는 것을 포함하는데, 여기서 ON(온) 및 OFF(오프) 전압 및/또는 듀티 사이클들은 타깃 및 챔버 기하학적 형상(geometry)의 임피던스에 따라 독립적으로 제어된다. 하나 이상의 실시예들에서, 본 개시내용은 파형을 생성하기 위해 유전체 타깃들 및 펄스식 DC 스퍼터링을 사용하는 방법들을 제공한다. 일부 실시예들에서, 파형은 전압, 듀티 사이클 또는 주파수 중 하나 이상에 의해 성형된다.
[0028] 일부 실시예들에서, 펄스화 전력(pulsing power)이 타깃(256)에 인가된다. 일부 실시예들에서, 펄스화 전력은 펄스화 DC 전력(pulsing DC power)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 타깃(256)은 펄스화 DC 전력을 인가받고 있다. 일부 실시예들에서, 유전체 타깃은 티탄산 지르콘산 납(lead zirconate titanate; PZT), 니오브산 마그네슘 납-티탄산 납(lead magnesium niobate-lead titanate; PMN-PT), 알루미늄 산화물(Al2O3), 리튬 니오브산염(LiNbO3) 또는 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시예들에서, 타깃(256)은 당업자에게 공지되어 있는 임의의 적절한 유전체 재료일 수 있다.
[0029] 일부 실시예들에서, 타깃(256)은 0 ℃ 내지 60 ℃, 20 ℃ 내지 60 ℃, 40 ℃ 내지 60 ℃, 0 ℃ 내지 40 ℃, 20 ℃ 내지 40 ℃, 또는 0 ℃ 내지 20 ℃ 범위의 온도에서 유지된다.
[0030] 도 2를 다시 참조하면, 하나 이상의 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 펄스화 DC 전력을 생성하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 펄스화 DC 전력은 펄스식 DC 파형을 포함한다. 일부 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 전하 축적을 방지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 파형은 10 kHz 내지 500 kHz, 50 kHz 내지 500 kHz, 100 kHz 내지 500 kHz, 250 kHz 내지 500 kHz, 10 kHz 내지 250 kHz, 50 kHz 내지 250 kHz, 100 kHz 내지 250 kHz, 10 kHz 내지 100 kHz, 50 kHz 내지 100 kHz, 또는 10 kHz 내지 50 kHz 범위의 주파수에서 생성된다. 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 파형은 0 초과 내지 0.6, 0 초과 내지 0.5, 0 초과 내지 0.4, 0 초과 내지 0.3, 0 초과 내지 0.2, 또는 0 초과 내지 0.1 범위의 듀티 사이클을 갖는다. 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 파형은 0 초과 내지 0.6 미만, 0 초과 내지 0.5 미만, 0 초과 내지 0.4 미만, 0 초과 내지 0.3 미만, 0 초과 내지 0.2 미만, 또는 0 초과 내지 0.1 미만 범위의 듀티 사이클을 갖는다. 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 파형은 복수의 ON 펄스들 및 OFF 펄스들을 포함한다. 일부 실시예들에서, ON 펄스들 각각은 ON 시간을 갖는다. 일부 실시예들에서, OFF 펄스들 각각은 OFF 시간을 갖는다.
[0031] 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 전력은 ON 전압 및 OFF 전압을 갖는다. 일부 실시예들에서, ON 전압은 9 V 초과 내지 1500 V, 10 V 초과 내지 1500 V, 50 V 초과 내지 1500 V, 100 V 초과 내지 1500 V, 500 V 초과 내지 1500 V, 또는 1000 V 초과 내지 1500 V 범위에 있다.
[0032] 일부 실시예들에서, 펄스식 DC 파형은 ON 시간 및 OFF 시간을 갖는다. 일부 실시예들에서, ON 시간 및 OFF 시간 각각은, 독립적으로, 1 ㎲ 내지 50 ㎲, 10 ㎲ 내지 50 ㎲, 25 ㎲ 내지 50 ㎲, 1 ㎲ 내지 25 ㎲, 10 ㎲ 내지 25 ㎲, 또는 1 ㎲ 내지 10 ㎲ 범위를 갖는다.
[0033] 일부 실시예들에서, 파형 생성기(267)는 독립적으로 동일한 양의 또는 음의 하프 사이클들을 생성한다. 일부 실시예들에서, 파형 생성기(267)는 독립적으로 동일하지 않은 음의 하프 사이클들을 생성한다. 일부 실시예들에서, 파형 생성기(267)는 구형 파형을 생성한다. 일부 실시예들에서, 파형 생성기(267)는 사인파 파형(sinusoidal waveform)을 생성하지 않는다.
[0034] 130에서, DC 전력 소스(260)에 의해 타깃(256)으로 공급되는 전력은 플라즈마 프로세싱 가스를 플라즈마로 여기시킨다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 프로세스 갭에서 생성된다. 프로세스 갭은 타깃(256)과 기판 지지체(280) 사이의 갭이다. 플라즈마는 플라즈마 가스의 양으로 하전된 이온들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 가스는 질량 유량 컨트롤러(mass flow controller; 264)를 통해 가스 소스(262)로부터 진공 챔버(252) 내에 공급된다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 가스는 2 sccm 내지 100 sccm, 20 sccm 내지 100 sccm, 50 sccm 내지 100 sccm, 75 sccm 내지 100 sccm, 2 sccm 내지 75 sccm, 20 sccm 내지 75 sccm, 50 sccm 내지 75 sccm, 2 sccm 내지 50 sccm, 20 sccm 내지 50 sccm, 또는 2 sccm 내지 20 sccm 범위에서 공급된다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 가스는 진공 챔버(252) 내부의 압력을 유지한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 가스는 진공 챔버(252) 내부의 압력을 1 milliTorr 내지 30 milliTorr, 5 milliTorr 내지 30 milliTorr, 10 milliTorr 내지 30 milliTorr, 20 milliTorr 내지 30 milliTorr, 1 milliTorr 내지 20 milliTorr, 5 milliTorr 내지 20 milliTorr, 10 milliTorr 내지 20 milliTorr, 1 milliTorr 내지 10 milliTorr, 5 milliTorr 내지 10 milliTorr, 또는 1 milliTorr 내지 5 milliTorr 범위에서 유지한다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체(280)는 15 ℃ 내지 1000 ℃, 50 ℃ 내지 1000 ℃, 100 ℃ 내지 1000 ℃, 250 ℃ 내지 1000 ℃, 500 ℃ 내지 1000 ℃, 750 ℃ 내지 1000 ℃, 15 ℃ 내지 750 ℃, 50 ℃ 내지 750 ℃, 100 ℃ 내지 750 ℃, 250 ℃ 내지 750 ℃, 500 ℃ 내지 750 ℃, 15 ℃ 내지 500 ℃, 50 ℃ 내지 500 ℃, 100 ℃ 내지 500 ℃, 250 ℃ 내지 500 ℃, 15 ℃ 내지 250 ℃, 50 ℃ 내지 250 ℃, 100 ℃ 내지 250 ℃, 15 ℃ 내지 100 ℃, 50 ℃ 내지 100 ℃, 또는 15 ℃ 내지 50 ℃ 범위의 온도에서 유지된다.
[0035] 하나 이상의 실시예들에서, 플라즈마 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 및 제논(Xe) 중 하나 이상을 포함한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 또는 아르곤(Ar) 중 하나 이상을 포함한다.
[0036] 140에서, 플라즈마의 양으로 하전된 이온들은 타깃(256)을 향해 가속되고 타깃(256)으로부터의 재료를 스퍼터링한다. 플라즈마의 밀도는 반대의 자기 극성의 외부 자극(outer magnetic pole; 270)에 의해 둘러싸이는 하나의 자기 극성의 내부 자극(268)을 갖는 마그네트론(266)을 타깃(256)의 배면에 배치하는 것에 의해 증가된다. 극들(268, 270)은 타깃(256)의 면에 평행한 자기장을 진공 챔버(252) 안으로 투영하여 전자들을 포획하고, 그러므로, 플라즈마 밀도 및 결과적으로 나타나는 스퍼터링 레이트를 증가시킨다. 스퍼터링 균일성과 타깃 활용을 개선하기 위해, 자극들(268, 270)은 중심 축(254)을 중심으로 비대칭이지만 그러나 중심 축(254)을 따라 연장되는 샤프트(274)에 연결되는 암(272) 상에서 지지된다. 모터(276)는 중심 축(254)을 중심으로 샤프트(274)를 그러므로 마그네트론(266)을 회전시켜 적어도 방위각 균일성을 제공한다.
[0037] RF 스퍼터링에서, 전력의 교대하는 성질은, 이온 충격에 기인하는 고갈된 전자들이 주기적인 간격들에서 계속 보충되고 플라즈마가 지속될 수 있다는 것을 의미한다. 고주파수들에서 플라즈마의 프로세스 가스 이온들 및 전자들의 이동도에서의 차이에 기인하여, 타깃은 음의 넷 바이어스(net negative bias)를 발생시키고 양의 가스 이온들을 자신의 표면을 향해 유인하는데, 이들은 막들을 스퍼터링한다. 이 접근법은, 타깃 상에서 발생되는 음의 셀프 바이어스를 좌우하는 애노드/캐소드 비율을 조정하기 위해 과대 사이즈의 챔버들을 사용하는 것을 수반한다. 그러나, RF 플라즈마는, 타깃 셀프 바이어스의 크기가 애노드/캐소드 비율에 의존하고 시간이 지남에 따라 챔버 키트들의 임피던스에 따라 변경될 수 있기 때문에, 제어하기 어렵다. 다른 접근법은 펄스식 레이저 증착 기술의 사용을 포함하는데, 이것은 여전히 실험실 규모의 샘플들에 가장 잘 적합되고 규모를 확장하기가 어렵다.
[0038] 일부 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 펄스식 DC 스퍼터링을 생성한다. 일부 실시예들에서, 신호 생성기(286)는 프로세스 노브들을 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 노브들은 펄스식 DC 스퍼터링을 생성한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 노브들은 다음의 것들 중 하나 이상을 포함한다: (A) DC 전력 레벨(ON); (B) DC 전력 레벨(OFF); (C) ON 펄스 폭(); (D) OFF 펄스 폭(); (E) 듀티 사이클(/( + )); 및 (F) 펄스화의 주파수(1/( + )). 일부 실시예들에서, (A) DC 전력 레벨(ON), (B) DC 전력 레벨(OFF), (C) ON 펄스 폭(), 및 (D) OFF 펄스 폭()은 독립 변수들이다. 일부 실시예들에서, (E) 듀티 사이클(/( + )) 및 (F) 펄스화의 주파수(1/( + ))는 (C) ON 펄스 폭(), 및 (D) OFF 펄스 폭()에 의존한다.
[0039] 도 1의 150에서, 방법(100)은 막을 증착하는 것을 포함한다. 도 2는 타깃(256) 반대쪽에서 기판(282)을 지지하는 진공 챔버(252) 내의 기판 지지체(280)를 도시한다. 기판(282)은 타깃(256)으로부터 스퍼터링되는 재료의 막으로 증착된다. 일부 실시예들에서, 기판(282)은 당업자에게 공지되어 있는 임의의 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판은 유리, 사파이어, 석영, SrTiO3, LaAlO3, Si, SiO2 코팅된 Si 또는 이들의 조합들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 기판은 당업자에게 공지되어 있는 임의의 적절한 재료를 포함한다. 일부 실시예들에서, 기판은 15 ℃ 내지 1000 ℃, 50 ℃ 내지 1000 ℃, 100 ℃ 내지 1000 ℃, 250 ℃ 내지 1000 ℃, 500 ℃ 내지 1000 ℃, 750 ℃ 내지 1000 ℃, 15 ℃ 내지 750 ℃, 50 ℃ 내지 750 ℃, 100 ℃ 내지 750 ℃, 250 ℃ 내지 750 ℃, 500 ℃ 내지 750 ℃, 15 ℃ 내지 500 ℃, 50 ℃ 내지 500 ℃, 100 ℃ 내지 500 ℃, 250 ℃ 내지 500 ℃, 15 ℃ 내지 250 ℃, 50 ℃ 내지 250 ℃, 100 ℃ 내지 250 ℃, 15 ℃ 내지 100 ℃, 50 ℃ 내지 100 ℃, 또는 15 ℃ 내지 50 ℃ 범위의 온도에서 유지된다.
[0040] 일부 실시예들에서, 역 바이어스 소스(284)가 기판 지지체(280)에 동작 가능하게 연결된다. 일부 실시예들에서, 역 바이어스 소스(284)는 AC 전력, DC 전력 또는 RF 전력이다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체(280)는 전도성이다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체(280)는 전극으로서 작용한다. 일부 실시예들에서, 역 바이어스 소스(284)는 기판 지지체(280)에 역 바이어스를 인가한다. 기판 지지체(280) 상에서의 음의 DC 바이어스는 스퍼터링된 이온들로 하여금 기판(282)을 향해 가속되게 하고 그들의 궤적들은 기판(282)에서 형성되는 임의의 고종횡비 구멍들 또는 피처들 내에서 깊게 진입한다. 일부 실시예들에서, 역 바이어스는 0 V 내지 225 V, 0 V 내지 200 V, 20 V 내지 200 V, 50 V 내지 200 V, 100 V 내지 200 V, 150 V 내지 200 V, 0 V 내지 150 V, 20 V 내지 150 V, 50 V 내지 150 V, 100 V 내지 150 V, 0 V 내지 100 V, 20 V 내지 100 V, 50 V 내지 100 V, 0 V 내지 50 V, 20 V 내지 50 V, 또는 0 V 내지 20 V 범위에서 인가된다.
[0041] 물리적 기상 증착 시스템(200)의 동작은 컨트롤러(240)에 의해 제어된다. 컨트롤러(240)는 모터(276), DC 전력 소스(260), 신호 생성기(286), 파형 생성기(267) 또는 질량 유량 컨트롤러(264) 중 하나 이상에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 개개의 컴포넌트들에 연결되는 하나 초과의 컨트롤러(240)가 있으며 물리적 기상 증착 시스템(200)을 제어하기 위해 주 제어 프로세서(primary control processor)가 별개의 프로세서들 각각에 커플링된다. 컨트롤러(240)는 다양한 챔버들 및 하위 프로세서들을 제어하기 위해 산업 환경에서 사용될 수 있는 범용 컴퓨터 프로세서, 마이크로컨트롤러, 마이크로프로세서, 등의 임의의 형태 중 하나일 수 있다.
[0042] 적어도 하나의 컨트롤러(240)는 프로세서(242), 프로세서(242)에 커플링되는 메모리(244), 프로세서(242)에 커플링되는 입력/출력 디바이스들(246), 및 상이한 전자 컴포넌트들 사이의 통신을 위한 지원 회로들(248)을 가질 수 있다. 메모리(244)는 일시적 메모리(예를 들면, 랜덤 액세스 메모리) 및 비일시적 메모리(예를 들면, 스토리지) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
[0043] 프로세서의 메모리(244), 또는 컴퓨터 판독 가능 매체는, 로컬에 있는 또는 원격에 있는, 랜덤 액세스 메모리(random access memory; RAM), 판독-전용 메모리(read-only memory; ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 디지털 스토리지와 같은 쉽게 이용 가능한 메모리 중 하나 이상일 수 있다. 메모리(244)는 물리적 기상 증착 챔버(200)의 컴포넌트들 및 파라미터들을 제어하기 위해 프로세서(242)에 의해 동작 가능한 명령어 세트를 유지할 수 있다. 지원 회로들(248)은 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 프로세서(242)에 커플링된다. 회로들은, 예를 들면, 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로부(circuitry), 서브시스템들, 등을 포함할 수 있다.
[0044] 프로세스들은, 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스 챔버로 하여금, 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격에 로케이팅되는 제2 프로세서(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법의 일부 또는 전부는 또한 하드웨어로 수행될 수 있다. 그러한 만큼, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행될 수 있거나, 예를 들면, 주문형 집적 회로로서 또는 다른 타입의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현될 수 있거나, 또는 소프트웨어 및 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특정 목적 컴퓨터(컨트롤러)로 범용 컴퓨터를 변환시킨다.
[0045] 일부 실시예들에서, 컨트롤러(240)는 방법을 수행하기 위해 개개의 프로세스들 또는 하위 프로세스들을 실행하는 하나 이상의 구성들을 갖는다. 컨트롤러(240)는 방법들의 기능들을 수행하기 위해 중간 컴포넌트들에 연결되어 그들을 동작시키도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 컨트롤러(240)는 가스 밸브들, 액추에이터들, 모터들, 슬릿 밸브들, 진공 제어부, 등 중 하나 이상에 연결되어 그들을 제어하도록 구성될 수 있다.
[0046] 일부 실시예들의 컨트롤러(240)는 다음의 것들로부터 선택되는 하나 이상의 구성들을 갖는다: 샤프트(274)를 회전시키기 위한 구성; 타깃(256)을 바이어싱하기 위한 구성; 기판(282)을 바이어싱하기 위한 구성; 기판 바이어스에 파형을 인가하기 위한 구성; 또는 플라즈마 가스의 흐름을 제어하기 위한 구성.
[0047] 결정(160)에서, 증착된 막의 두께, 또는 듀티 사이클들의 수가 고려된다. 증착된 막이 사전 결정된 두께에 도달하였거나 또는 사전 결정된 수의 듀티 사이클들이 수행된 경우, 방법(100)은 선택적인 사후 프로세싱 동작(160)으로 이동한다. 증착된 막의 두께 또는 듀티 사이클들의 수가 사전 결정된 임계치에 도달하지 않은 경우, 방법(100)은 동작(120)으로 복귀하여 계속된다.
[0048] 선택적인 사후 프로세싱 동작(170)은, 예를 들면, 막 속성들을 수정하기 위한 프로세스(예를 들면, 어닐링) 또는 부가적인 막들을 성장시키기 위한 추가적인 막 증착 프로세스(예를 들면, 부가적인 ALD 또는 CVD 프로세스들)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 선택적인 사후 프로세싱 동작(170)은 증착된 막의 속성을 수정하는 프로세스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 선택적인 사후 프로세싱 동작(170)은 증착 직후의(as-deposited) 막을 어닐링하는 것을 포함한다. 일부 실시예들에서, 어닐링은 300 ℃ 내지 1000 ℃, 500 ℃ 내지 1000 ℃, 800 ℃ 내지 1000 ℃, 300 ℃ 내지 800 ℃, 500 ℃ 내지 800 ℃, 또는 300 ℃ 내지 500 ℃ 범위의 온도들에서 행해진다. 일부 실시예들의 어닐링 환경은 불활성 가스(예를 들면, 분자 질소(N2), 아르곤(Ar)) 또는 환원 가스(예를 들면, 분자 수소(H2) 또는 암모니아(NH3)) 또는 산소(O2), 오존(O3), 또는 과산화물과 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 산화제 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 산화제는 복합 산화물들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복합 산화물들은 BaTiO3을 포함한다. 어닐링은 임의의 적절한 길이의 시간 동안 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 막은 15 초 내지 6 시간, 1 분 내지 6 시간, 30 분 내지 6 시간, 1 시간 내지 6 시간, 2 시간 내지 6 시간, 4 시간 내지 6 시간, 15 초 내지 4 시간, 1 분 내지 4 시간, 30 분 내지 4 시간, 1 시간 내지 4 시간, 2 시간 내지 4 시간, 15 초 내지 2 시간, 1 분 내지 2 시간, 30 분 내지 2 시간, 1 시간 내지 2 시간, 15 초 내지 1 시간, 1 분 내지 1 시간, 30 분 내지 1 시간, 15 초 내지 30 분, 1 분 내지 30 분, 또는 15 초 내지 1 분 범위의 사전 결정된 시간 동안 어닐링된다. 일부 실시예들에서, 증착 직후의 막을 어닐링하는 것은 밀도를 증가시키고, 저항률을 증가시키고, 저항률을 감소시키고 및/또는 막의 순도를 증가시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 어닐링은 또한 플라즈마 하에서 가스를 사용하여 수행될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 복합 산화물들의 존재 하에서 증착 직후의 막을 어닐링하는 것은 막의 저항률을 감소시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 복합 산화물들의 존재 하에서 증착 직후의 막을 어닐링하는 것은 산소 결손(oxygen vacancy)들의 개수를 감소시킨다.
[0049] 하나 이상의 실시예들에서, 방법(100)은 전력이 설정 지점들인 전력 모드에서 실행된다. 하나 이상의 실시예들에서, 방법(100)은 전류가 설정 지점들인 전류 모드에서 실행된다. 하나 이상의 실시예들에서, 방법(100)은 전압이 설정 지점들인 전압 모드에서 실행된다. 하나 이상의 실시예들에서, 방법(100)은, 전력, 전류 또는 전압이 각각 설정 지점들인 전력, 전류 또는 전압 모드에서 실행된다.
[0050] 하나 이상의 실시예들에서, 플라즈마는 원격에서 또는 프로세싱 챔버 내에서 생성될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 플라즈마는 유도적으로 커플링된 플라즈마(inductively coupled plasma; ICP) 또는 전도적으로 커플링된 플라즈마(conductively coupled plasma; CCP)이다. 예를 들면, 반응물들, 또는 다른 프로세스 조건들에 따라 임의의 적절한 전력이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 10 W 내지 3000 W 범위에 있는 플라즈마 전력을 사용하여 생성된다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 3000 W 이하, 2000 W 이하, 1000 W 이하, 500 W 이하, 또는 250 W 이하의 플라즈마 전력을 사용하여 생성된다.
[0051] 일부 실시예들에서, 형성되는 유전체막은 유전체를 포함한다. 일부 실시예들에서, 유전체 막은 본질적으로 유전체로 구성된다. 이러한 방식에서 사용될 때, 용어 "본질적으로 유전체로 구성된다"는, 유전체 막이 볼륨 단위 기반으로 80 %, 85 %, 90 %, 95 %, 98 %, 99 % 또는 99.5 % 이상의 유전체를 갖는다는 것을 의미한다. 유전체 막의 조성의 측정들은, 인접한 막들로부터 원소들의 확산이 발생할 수 있는 계면 영역들을 제외한, 막의 벌크 부분을 참조한다.
[0052] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 고종횡비 피처들에서 유전체 막들을 증착하는 방법들에 관한 것이다. 고종횡비 피처는 10 이상, 20 이상, 또는 50 이상, 또는 그 초과인 높이:폭 비율을 갖는 트렌치, 비아 또는 필라(pillar)이다. 일부 실시예들에서, 유전체 막은 고종횡비 피처 상에서 등각적으로(conformally) 증착된다. 이러한 방식으로서 사용될 때, 등각 막(conformal film)은, 피처의 최상부(top) 근처에서, 피처의 저부에서의 두께의 80-120 %의 범위에 있는 두께를 갖는다.
[0053] 본 개시내용의 일부 실시예들은 피처의 상향식 갭충전(bottom-up gapfill)을 위한 방법들에 관한 것이다. 저부 및 측면들로부터 피처를 충전하는 등각적 프로세스와 대비하여, 상향식 갭충전 프로세스는 저부로부터 피처를 충전한다. 일부 실시예들에서, 피처는 저부에서 제1 재료를 가지며 측벽들에서 제2 재료를 갖는다. 유전체 막은 금속 막이 상향식 방식으로 피처를 충전하도록 제2 재료에 비해 제1 재료 상에서 선택적으로 증착된다.
[0054] 본 개시내용의 실시예들은 증착 시스템, 예를 들면, 물리적 기상 증착("PVD") 챔버에 관한 것이다. 하나 이상의 실시예들에서, PVD 챔버는 적어도 하나의 캐소드 어셈블리를 포함하고, 특정한 실시예들에서, PVD 챔버는 다중 캐소드 어셈블리들을 포함한다(본원에서는 "다중 캐소드 챔버"로서 지칭됨).
[0055] 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 피처, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 위치들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", "일 실시예에서" 또는 "한 실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 더구나, 특정 피처들, 구조들, 재료들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0056] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이들 실시예들은 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시한다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 그들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 기상 증착 장치로서,
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내의 유전체 타깃 ― 상기 유전체 타깃은 전방 표면(front surface) 및 두께를 가짐 ― ;
    상기 진공 챔버 내의 기판 지지체 ― 상기 기판 지지체는 상기 유전체 타깃의 상기 전방 표면으로부터 이격되어 프로세스 갭(process gap)을 형성하는 전방 표면을 가짐 ― ; 및
    상기 진공 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위해 상기 유전체 타깃에 연결되는 신호 생성기 ― 상기 신호 생성기는 상기 유전체 타깃에서 전하 축적을 방지하도록 구성됨 ― 를 포함하는,
    기상 증착 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 신호 생성기는 펄스식(pulsed) DC 파형을 생성하도록 구성되는,
    기상 증착 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 복수의 ON(온) 펄스들 및 OFF(오프) 펄스들을 포함하고, 상기 ON 펄스들 각각은 ON 시간을 가지며, 상기 OFF 펄스들 각각은 OFF 시간을 갖는,
    기상 증착 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 10 kHz 내지 500 kHz 범위의 주파수에서 생성되는,
    기상 증착 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 0 초과 내지 0.6 미만 범위의 듀티 사이클을 갖는,
    기상 증착 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 신호 생성기는 전력 공급부에 동작 가능하게 연결되는 파형 생성기를 포함하는,
    기상 증착 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 온 전압 또는 상기 오프 전압은 9 V 초과 내지 1500 V 범위에 있는,
    기상 증착 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 유전체 타깃은 티탄산 지르콘산 납(lead zirconate titanate; PZT), 니오브산 마그네슘 납-티탄산 납(lead magnesium niobate-lead titanate; PMN-PT), 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 리튬 니오브산염(LiNbO3) 중 하나 이상을 포함하는,
    기상 증착 장치.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 기판 지지체 상의 기판에 역 바이어스를 인가하기 위해 상기 기판 지지체에 동작 가능하게 연결되는 역 바이어스 소스를 더 포함하는,
    기상 증착 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 역 바이어스는 0 V 내지 200 V 범위에서 인가되는,
    기상 증착 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 역 바이어스 소스는 DC 전력인,
    기상 증착 장치.
  12. 유전체 막을 증착하는 방법으로서,
    진공 챔버 내의 유전체 타깃과 기판 지지체 사이의 프로세스 갭에서 플라즈마를 생성하기 위해 상기 유전체 타깃에 전력을 인가하는 단계; 및
    전하 축적을 방지하기 위해 상기 유전체 타깃에 인가되는 상기 전력을 펄스화하는(pulsing) 단계를 포함하는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 유전체 타깃에 인가되는 상기 전력은 펄스식 DC 파형을 갖는 펄스식 DC 전력인,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 10 kHz 내지 500 kHz 범위의 주파수에서 생성되는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 0 초과 내지 0.6 미만 범위의 듀티 사이클을 갖는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 ON 시간 및 OFF 시간을 가지며, 상기 ON 시간과 상기 OFF 시간 각각은 독립적으로 1㎲ 내지 50㎲ 범위를 갖는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 펄스식 DC 파형은 ON 전압과 OFF 전압을 갖는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 ON 전압은 9 V 초과 내지 1500 V 범위에 있는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 유전체 타깃은 티탄산 지르콘산 납(PZT), 니오브산 마그네슘 납-티탄산 납(PMN-PT), 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 리튬 니오브산염(LiNbO3) 중 하나 이상을 포함하는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
  20. 제12 항에 있어서,
    역 바이어스를 상기 기판 지지체에 인가하는 단계를 더 포함하고, 상기 역 바이어스는 DC 전력을 포함하는,
    유전체 막을 증착하는 방법.
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