JP2004270035A - タングステン又はタングステン含有薄膜を形成する方法 - Google Patents
タングステン又はタングステン含有薄膜を形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004270035A JP2004270035A JP2004067518A JP2004067518A JP2004270035A JP 2004270035 A JP2004270035 A JP 2004270035A JP 2004067518 A JP2004067518 A JP 2004067518A JP 2004067518 A JP2004067518 A JP 2004067518A JP 2004270035 A JP2004270035 A JP 2004270035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- thin film
- sputtering
- krypton
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 3
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 タングステンターゲットから半導体ウエハの上にタングステン又はタングステン含有薄膜をスパッタリングする方法において、クリプトン又はキセノンをスパッタガスとして使用するように構成する。また、タングステン/窒化タングステンの堆積物をウエハ上に形成する方法において、ウエハの上に窒化タングステンの薄膜をスパッタリングしかつその窒化タングステンの薄膜の上にタングステンの薄膜をスパッタリングし、その際、これらの2種類のスパッタリングプロセスを単一のターゲットを使用して単一のチャンバ内で実施するように構成する。
【選択図】 なし
Description
図1は、特定の堆積条件に関して、アルゴンの圧力に対するタングステンスパッタ薄膜の抵抗率の関係をプロットしたグラフであり、
図2は、図1の場合とは別の条件を適用した場合の、定盤温度に対するタングステンスパッタ薄膜の抵抗率の関係をプロットしたグラフであり、
第1表は、アルゴン及び窒素の混合物を使用してそれぞれ200℃及び400℃で堆積させた窒化タングステン薄膜について薄膜特性をまとめた図表であり、
図3は、アルゴン及びクリプトンのそれぞれを使用して堆積させた薄膜に関して圧力と抵抗率の関係をプロットしたグラフであり、
図4は、クリプトン誘導堆積の間における定盤のバイアスと抵抗率の変動との関係をプロットしたグラフであり、
図5は、バイアス電圧を伴わない場合の、電力と抵抗率の変動との関係をプロットしたグラフであり、
第2表は、アルゴン及びクリプトンのそれぞれを使用して堆積させた窒化タングステン薄膜について薄膜特性をまとめた図表であり、
第3表は、スパッタリング条件をまとめた図表であり、そして
第4表は、タングステン薄膜を堆積した場合の、そのタングステン薄膜の応力に対するスパッタガスの変更の影響をまとめた図表である。
Claims (15)
- タングステンターゲットから半導体ウエハの上にタングステン又はタングステン含有薄膜をスパッタリングする方法であって、クリプトン又はキセノンをスパッタガスとして使用することを含む方法。
- 真空室内で、10mT未満のクリプトン圧力を使用して堆積を実施する、請求項1に記載の方法。
- クリプトン圧力が6mT未満である、請求項2に記載の方法。
- タングステン薄膜の抵抗率が11μΩcm未満である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ターゲットに供給される電力が、1W/cmよりも大である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 堆積の間に前記ウエハを定盤上に載置し、かつ定盤温度を200〜400℃とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記定盤に負のDCバイアスを印加する、請求項6に記載の方法。
- 前記スパッタリングが反応性スパッタリングであり、スパッタガスが窒素を含み、かつ堆積される薄膜が窒化タングステンである、請求項1に記載の方法。
- 前記スパッタガスがさらにアルゴンを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- アルゴンとクリプトン又はキセノンの比率を選択して、堆積される薄膜の応力を最小にする、請求項9に記載の方法。
- タングステン/窒化タングステンの堆積物をウエハ上に形成する方法であって、ウエハの上に窒化タングステンの薄膜をスパッタリングすること及びその窒化タングステンの薄膜の上にタングステンの薄膜をスパッタリングすることを含み、その際、これらの2種類のスパッタリングプロセスを単一のターゲットを使用して単一のチャンバ内で実施する、方法。
- 前記ウエハを定盤上に載置し、かつ前記2種類のスパッタリングプロセスについて実質的に同じ定盤温度を維持する、請求項11に記載の方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法を使用して前記タングステンの薄膜をスパッタリングする、請求項11又は12に記載の方法。
- 請求項8〜10のいずれか1項に記載の方法を使用してタングステン又は窒化タングステンの薄膜を堆積する、請求項11〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項11〜14のいずれか1項に記載の方法によって形成されたゲート構造体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0305544A GB2399350B (en) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | Methods of forming tungsten or tungsten containing films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004270035A true JP2004270035A (ja) | 2004-09-30 |
Family
ID=9954543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004067518A Pending JP2004270035A (ja) | 2003-03-11 | 2004-03-10 | タングステン又はタングステン含有薄膜を形成する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004270035A (ja) |
DE (1) | DE102004010354A1 (ja) |
GB (1) | GB2399350B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011214067A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法及びターゲット |
JP2014107470A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Ulvac Japan Ltd | タングステン膜の形成方法、タングステン配線層の形成方法及びスパッタリング装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090220777A1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-03 | Martin Sporn | Sputter Deposition Method, Sputter Deposition System and Chip |
KR20170137225A (ko) * | 2015-05-27 | 2017-12-12 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 도전성 박막 복합체 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05263226A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH08153722A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | 電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板 |
JP2613646B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-05-28 | 大日本印刷株式会社 | 低応力金属薄膜の形成方法 |
JP2000200763A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2001240963A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-09-04 | Applied Materials Inc | 重ガススパッタリングによるイオン化金属プラズマ技術 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3472751A (en) * | 1965-06-16 | 1969-10-14 | Ion Physics Corp | Method and apparatus for forming deposits on a substrate by cathode sputtering using a focussed ion beam |
JPS5828306B2 (ja) * | 1975-11-20 | 1983-06-15 | ニホントクシユトリヨウ カブシキガイシヤ | ダンセイスナカベジヨウシアゲヨウトリヨウ |
JPS63140509A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Tdk Corp | 軟磁性膜の製造法 |
US5082749A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
EP0598422B1 (en) * | 1992-10-15 | 2000-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming a Ti and a TiN layer on a semiconductor body by a sputtering process, comprising an additional step of cleaning the target |
US5738917A (en) * | 1995-02-24 | 1998-04-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for in-situ deposition of a Ti/TiN/Ti aluminum underlayer |
JP2000080473A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭素系被膜及びその形成方法 |
GB2357371B (en) * | 1999-11-04 | 2004-02-11 | Trikon Holdings Ltd | A method of forming a barrier layer |
WO2001059849A1 (fr) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transistor a film mince a gachette en alliage molybdene-tungstene |
AU4262201A (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-08 | Trikon Holdings Limited | Method of depositing metal films |
GB0100151D0 (en) * | 2001-01-04 | 2001-02-14 | Trikon Holdings Ltd | Methods of sputtering |
JP2002305163A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Ebara Corp | 複合クラスタ及びその製造方法、並びにその製造装置 |
KR20030001744A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 텅스텐 질화(WNx)막 및 텅스텐(W)막의 증착 방법 |
-
2003
- 2003-03-11 GB GB0305544A patent/GB2399350B/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-03 DE DE102004010354A patent/DE102004010354A1/de not_active Withdrawn
- 2004-03-10 JP JP2004067518A patent/JP2004270035A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2613646B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-05-28 | 大日本印刷株式会社 | 低応力金属薄膜の形成方法 |
JPH05263226A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH08153722A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | 電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板 |
JP2000200763A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2001240963A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-09-04 | Applied Materials Inc | 重ガススパッタリングによるイオン化金属プラズマ技術 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011214067A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法及びターゲット |
JP2014107470A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Ulvac Japan Ltd | タングステン膜の形成方法、タングステン配線層の形成方法及びスパッタリング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2399350B (en) | 2006-06-21 |
GB2399350A (en) | 2004-09-15 |
GB0305544D0 (en) | 2003-04-16 |
DE102004010354A1 (de) | 2004-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6139699A (en) | Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films | |
US5882399A (en) | Method of forming a barrier layer which enables a consistently highly oriented crystalline structure in a metallic interconnect | |
US5985759A (en) | Oxygen enhancement of ion metal plasma (IMP) sputter deposited barrier layers | |
US6554914B1 (en) | Passivation of copper in dual damascene metalization | |
US7019399B2 (en) | Copper diffusion barriers made of diamond-like nanocomposits doped with metals | |
JPH09501612A (ja) | 選択的プラズマ成長 | |
JP2726118B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
US7846835B2 (en) | Contact barrier layer deposition process | |
US6174823B1 (en) | Methods of forming a barrier layer | |
US20190157102A1 (en) | Methods of reducing or eliminating defects in tungsten film | |
US6573181B1 (en) | Method of forming contact structures using nitrogen trifluoride preclean etch process and a titanium chemical vapor deposition step | |
US8216933B2 (en) | Krypton sputtering of low resistivity tungsten | |
EP1115898A1 (en) | Tantalum films and methods for their deposition | |
KR20110110261A (ko) | 성막 방법 및 플라즈마 성막 장치 | |
US6156647A (en) | Barrier layer structure which prevents migration of silicon into an adjacent metallic layer and the method of fabrication of the barrier layer | |
US20020093101A1 (en) | Method of metallization using a nickel-vanadium layer | |
US20040214417A1 (en) | Methods of forming tungsten or tungsten containing films | |
US20050048775A1 (en) | Depositing a tantalum film | |
JP2004270035A (ja) | タングステン又はタングステン含有薄膜を形成する方法 | |
WO2001024227A2 (en) | IMPROVED PECVD AND CVD PROCESSES FOR WNx DEPOSITION | |
WO2001073153A1 (en) | Method of depositing metal films | |
US7153769B2 (en) | Methods of forming a reaction product and methods of forming a conductive metal silicide by reaction of metal with silicon | |
US20240249921A1 (en) | In-situ focus ring coating | |
JPH10209084A (ja) | 金属窒化物膜の形成方法 | |
WO2011034089A1 (ja) | 成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100708 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110104 |