JPH0465803A - 酸化物誘電体薄膜作成方法 - Google Patents
酸化物誘電体薄膜作成方法Info
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- JPH0465803A JPH0465803A JP2177248A JP17724890A JPH0465803A JP H0465803 A JPH0465803 A JP H0465803A JP 2177248 A JP2177248 A JP 2177248A JP 17724890 A JP17724890 A JP 17724890A JP H0465803 A JPH0465803 A JP H0465803A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は酸化物誘電体薄膜作成方法に関するものである
。
。
［従来の技術］
従来より、硝子やセラミックなどの基板上に、酸化物誘
電体の薄膜を作り、エツチングと酸化技術によって導電
体、抵抗体およびコンデンサを形成する薄膜回路製造技
術が知られている。
電体の薄膜を作り、エツチングと酸化技術によって導電
体、抵抗体およびコンデンサを形成する薄膜回路製造技
術が知られている。
この薄膜回路を製造する場合、酸化物誘電体の薄膜作成
方法として蒸着法やスパッタ法か用いられている。この
うち、スパッタ法は薄膜にしたい祠料をターゲットとし
、グロー放電で生じた正イオンをこのターゲットに衝突
させる。すると、陰極（ターゲット）から二次電子、二
次イオン、粒子（ターゲットの物質）などが放出される
。この陰極から飛び出した粒子が基板に凝縮して薄膜を
形成する。
方法として蒸着法やスパッタ法か用いられている。この
うち、スパッタ法は薄膜にしたい祠料をターゲットとし
、グロー放電で生じた正イオンをこのターゲットに衝突
させる。すると、陰極（ターゲット）から二次電子、二
次イオン、粒子（ターゲットの物質）などが放出される
。この陰極から飛び出した粒子が基板に凝縮して薄膜を
形成する。
以上のようなスパッタ法は、薄膜にしたい材料をターゲ
ットとすることにより、真空蒸着しがたい高融点材料や
合金なとても薄膜化できる特徴がある。特に、高速マグ
ネトロンスパッタ法は従来のスパッタ法に比べて生産性
が高く、電子ビーム蒸着法に変わって、半導体製造プロ
セスへの導入が進んでいる。
ットとすることにより、真空蒸着しがたい高融点材料や
合金なとても薄膜化できる特徴がある。特に、高速マグ
ネトロンスパッタ法は従来のスパッタ法に比べて生産性
が高く、電子ビーム蒸着法に変わって、半導体製造プロ
セスへの導入が進んでいる。
ところで、近年エレクトロルミネセンス素子（以下、Ｅ
Ｌ素子と呼ぶ）への応用を目的として、ＩＴＯコート硝
子基板上に絶縁物薄膜の作成が試みられている。中でも
五酸化タンタルは誘電子が大きく、ＥＬ用絶縁膜に適し
たものとして、注目を集めている。
Ｌ素子と呼ぶ）への応用を目的として、ＩＴＯコート硝
子基板上に絶縁物薄膜の作成が試みられている。中でも
五酸化タンタルは誘電子が大きく、ＥＬ用絶縁膜に適し
たものとして、注目を集めている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、五酸化タンタルを含め、酸化物誘電体薄
膜をＩＴＯ膜がコートされた硝子基板上に作成する際、
ＩＴＯが黒くなる黒化現象が知られている。
膜をＩＴＯ膜がコートされた硝子基板上に作成する際、
ＩＴＯが黒くなる黒化現象が知られている。
この黒化現象のメカニズムは次のように説明されている
。
。
即ち、五酸化タンタルと酸化インジウムの生成自由エネ
ルギーを比較すると、五酸化タンタルの方がかなり低い
。この為、ＩＴＯコート硝子基板上に低級の酸化物が形
成され、この酸化物はＩＴＯを還元して、ＩＴＯの酸素
を奪う。従って、金属のインジウムが析出し、ＩＴＯ膜
の透過率は減少する。このことはＥＬ素子のような透光
性が要求されるものに関しては、大きな課題となってい
た。
ルギーを比較すると、五酸化タンタルの方がかなり低い
。この為、ＩＴＯコート硝子基板上に低級の酸化物が形
成され、この酸化物はＩＴＯを還元して、ＩＴＯの酸素
を奪う。従って、金属のインジウムが析出し、ＩＴＯ膜
の透過率は減少する。このことはＥＬ素子のような透光
性が要求されるものに関しては、大きな課題となってい
た。
本発明の酸化物誘電体薄膜作成方法は、上記のような従
来技術の持つ課題を解決するために提案されたものであ
り、その目的は、ＩＴＯコート硝−ｒ基板上に、ＩＴＯ
を黒化させることなく透明な酸化物誘電体薄膜を作成す
る方法を提供することである。
来技術の持つ課題を解決するために提案されたものであ
り、その目的は、ＩＴＯコート硝−ｒ基板上に、ＩＴＯ
を黒化させることなく透明な酸化物誘電体薄膜を作成す
る方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明の酸化物誘電体薄膜作成方法は、酸素もしくは酸
素と他のガスとの混合ガスをスパッタガスとし、このガ
ス中でプリスパッタを行い、その後、ベース圧まで引き
、再度所定のガスを導入してスパッタ成膜せしめること
を特徴とする。
素と他のガスとの混合ガスをスパッタガスとし、このガ
ス中でプリスパッタを行い、その後、ベース圧まで引き
、再度所定のガスを導入してスパッタ成膜せしめること
を特徴とする。
［作用］
以上のような構成を有する本発明によれは、■ＴＯコー
ト硝子基板上に、透明な酸化物誘電体薄。
ト硝子基板上に、透明な酸化物誘電体薄。
膜を作成することができる。
［実施例］
以上説明したような本発明の酸化物誘電体薄膜作成方法
の一実施例を、第１図及び第２図を参照して具体的に説
明する。
の一実施例を、第１図及び第２図を参照して具体的に説
明する。
即ち、本実施例は、第１図に示すように、ｒｆマグネト
ロンスパッタリング法を用いて、硝子基板１にコーティ
ングされたＩＴＯ膜２の一トに酸化物誘電体薄膜として
五酸化タンタル膜３を作成するものである。
ロンスパッタリング法を用いて、硝子基板１にコーティ
ングされたＩＴＯ膜２の一トに酸化物誘電体薄膜として
五酸化タンタル膜３を作成するものである。
第２図のフローチャートに示すように、まず、成膜前に
反応室をベース圧力にし、アルゴン雰囲気中で５分間（
これはターゲットであるタンタル表面をきれいにするも
のであり、黒化現象を防ぐための本質的なプロセスでは
なく、省略可能である。）、更に、アルゴンと酸素との
混合ガス雰囲気中で２０分間のプリスパッタを行う。更
に、もう１度ベース圧力まで引き、その後、再びアルゴ
ン雰囲気中でプリスパッタを５分間行う（これもターゲ
ットであるタンタル表面をきれいにするものであり、黒
化現象を防ぐための本質的なプロセスではなく、省略可
能である。）。最後に、アルゴンと酸素との混合ガス雰
囲気中で、反応性スパッタリングにより、五酸化タンタ
ル膜３をＩＴＯ膜２上２上成する。
反応室をベース圧力にし、アルゴン雰囲気中で５分間（
これはターゲットであるタンタル表面をきれいにするも
のであり、黒化現象を防ぐための本質的なプロセスでは
なく、省略可能である。）、更に、アルゴンと酸素との
混合ガス雰囲気中で２０分間のプリスパッタを行う。更
に、もう１度ベース圧力まで引き、その後、再びアルゴ
ン雰囲気中でプリスパッタを５分間行う（これもターゲ
ットであるタンタル表面をきれいにするものであり、黒
化現象を防ぐための本質的なプロセスではなく、省略可
能である。）。最後に、アルゴンと酸素との混合ガス雰
囲気中で、反応性スパッタリングにより、五酸化タンタ
ル膜３をＩＴＯ膜２上２上成する。
以上のような作業を行った結果、透明な五酸化タンタル
薄膜３を得ることができる。従って、■ＴＯｖ２の黒化
現象を回避することができ、硝ｆ基板１」二に五酸化タ
ンタル薄膜３を作成することができる。その為、五酸化
タンタル薄膜３をＥＬ用絶縁膜として使用することが可
能となる。
薄膜３を得ることができる。従って、■ＴＯｖ２の黒化
現象を回避することができ、硝ｆ基板１」二に五酸化タ
ンタル薄膜３を作成することができる。その為、五酸化
タンタル薄膜３をＥＬ用絶縁膜として使用することが可
能となる。
又、本実施例において、チャンバーのベーキングは行っ
ても、行わなくても結果は同じであった。
ても、行わなくても結果は同じであった。
なお、本発明の酸化物誘電体薄膜作成方法は、上記実施
例に限定されるものではなく、五酸化タンタル薄膜以外
の酸化物誘電体薄膜を作成することも可能である。
例に限定されるものではなく、五酸化タンタル薄膜以外
の酸化物誘電体薄膜を作成することも可能である。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、ＩＴＯ硝子基板上
に、酸素もしくは酸素と他のガスとの混合ガス雰囲気中
でプリスパッタを行った後、−旦ベース圧力まで引き、
再度所定のガスを導入することにより、透明な酸化物誘
電体薄膜をスパッタ成膜することができ、従って、酸化
物誘電体薄膜をＥＬ用絶縁膜として使用することが可能
である優れた酸化物誘電体薄膜作成方法を提供すること
ができる。
に、酸素もしくは酸素と他のガスとの混合ガス雰囲気中
でプリスパッタを行った後、−旦ベース圧力まで引き、
再度所定のガスを導入することにより、透明な酸化物誘
電体薄膜をスパッタ成膜することができ、従って、酸化
物誘電体薄膜をＥＬ用絶縁膜として使用することが可能
である優れた酸化物誘電体薄膜作成方法を提供すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
一実施例を示すフローチャー１・である。 １・・・硝子基板、 タル薄膜。 ２・・・ＩＴＯ膜、 ３・・・五酸化タン
一実施例を示すフローチャー１・である。 １・・・硝子基板、 タル薄膜。 ２・・・ＩＴＯ膜、 ３・・・五酸化タン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸素もしくは酸素と他のガスとの混合ガスをスパッタ
ガスとして酸化物薄膜を作成する酸化物誘電体薄膜作成
方法において、 上記ガス中でプリスパッタを行い、その後ベース圧まで
引き、再度所定のガスを導入してスパッタ成膜せしめる
ことを特徴とする酸化物誘電体薄膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177248A JPH0465803A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 酸化物誘電体薄膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177248A JPH0465803A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 酸化物誘電体薄膜作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465803A true JPH0465803A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16027749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177248A Pending JPH0465803A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 酸化物誘電体薄膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465803A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100062558A1 (en) * | 2008-09-01 | 2010-03-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing transparent conductive layer comprising TIO2 and method for producing semiconductor light-emitting element utilizing said method for producing transparent conductive layer |
| CN107488828A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2177248A patent/JPH0465803A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100062558A1 (en) * | 2008-09-01 | 2010-03-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing transparent conductive layer comprising TIO2 and method for producing semiconductor light-emitting element utilizing said method for producing transparent conductive layer |
| US8716047B2 (en) * | 2008-09-01 | 2014-05-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing transparent conductive layer comprising TIO2 and method for producing semiconductor light-emitting element utilizing said method for producing transparent conductive layer |
| CN107488828A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| WO2017215146A1 (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| CN107488828B (zh) * | 2016-06-12 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| US10640862B2 (en) | 2016-06-12 | 2020-05-05 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Method for forming film and method for forming aluminum nitride film |
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