SU1499573A1 - Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова - Google Patents
Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова Download PDFInfo
- Publication number
- SU1499573A1 SU1499573A1 SU874303287A SU4303287A SU1499573A1 SU 1499573 A1 SU1499573 A1 SU 1499573A1 SU 874303287 A SU874303287 A SU 874303287A SU 4303287 A SU4303287 A SU 4303287A SU 1499573 A1 SU1499573 A1 SU 1499573A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- indium
- films based
- tin oxides
- discharge
- tin
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области технологии изготовлени приборов оп тоэлектроники, а именно к способам получени пленок на основе оксидов инди и олова дл то коЛпеночных электролюминесцентньпс и жидкокрис таллических. индикаторных панелей. Цель изобретени - улучшение элек- тричес1шх характеристик плеуок и расширение номенклатуры используемых материалов подложки. Методом магне- тронного распылени мишени на основе инди с добавкой олова.(6%) в смеси кислорода и аргона на стекл нную подложку при температуре 300°С нанос т прозрачно-провод щую оксидную пленку. Рабочее давление составл ет. 10 Па, ток разр да.2 А. Затем нанесенную пленку толщиной О,15-0,3 мкм обрабатывают в течение 2 мин в катод- ной области высокочастотного магнет; .ройного разр да при давлении 1-10 Па и удельной мощности разр да 2 Вт/см. Испбльзрванйе указанной последова- , тельности операций и технологических режимов приводит к снижению и ст аби- лйзадии удельного поверхностного сопротивлени прозрачных провод щих ;пленок на основе оксидов инди и олова.
Description
Изобретение относитс к техноло- ; гии изготовлени приборов оптоэлек- троники, а именно к способу получе ни пленок из оксидов инди и олова дл тонкогшеночньвс злектролюминес- центньрс и жидкокристаллических инди- .каторкых пайелей.
Целью изобретени вл етс улуч- шение электрических характеристик пленок за счет уменьшени и стабилизации величины удельного поверх- ностного Сопротивлени и расширение технсшогических возможностей способа. за счет расширени номенклатуры ис- водьа емык махесиалов подложки.
В процессе обработки оксидной пленки ионами азота и/или аргона происходит стимулированна этой обработкой диффузи кислорода из объема пленки и- селективное удаление его с поверхности пленки,
Сн жение величины удельного со- прот-ивлени обусловлено удалением дийМЬузней атомов кислорода, вл ющихс ловушками дл злектронов проводимости , внедренных между зернами и между узлами кристаллической решетки оксидов, а частично, за счет разрьгоа св зей 1п-0 в самих ; кристаллах. Конечное значение удельиого сопротивлени пленок в диапазоне 80-120 Ом/а определ етс остаточным процентным содержанием кислорода в пленке, св занного с индием в соединени типа 1п,(0у, где х 2, а у ; 3.
При удельной мощности ВЧ-разр да 1 Вт/см длительность обработки составл ет 5-10 мин. Снижение удельной мощности разр да ниже 1 Вт/см приво дит к неоправданному увеличению вре мени обработки. При удельной мощности разр да 2 Вт/см удельное сопро- тивл ;ние пленок снижаетс до мальной величины в течение t-2 мин и далее наблюдаетс его медленный рост. Повьшение удельной мощности свьппе 2 Вг/см приводит к снижению
но-провод щую пленку окислов инди - олова.
Режимы нанесени Температура подложек,С . 300 Рабочее давление. Па 10 Процентное содержание кислорода, % , 50 Ток разр да, А . 2 |л Толщина нанесенной пленки 0,15- 0,3 М1СМ. Удельное сопротивление пленок 500-600 Ом/о. Подложки загружаютс на катод установки ВЧ диодного либо магнетронного травлени и эа- 5 жигают разр д в плазме аргона либо азота при давлении 1-10 Па и удельной мощности разр да 2 Вт/см. Ърем обработки 2 мин. Конечное удельное сопротивление пленок «. 100 Ом/о.
удельного сопротивлени до минималь- 20 Прозрачность на длине волны 500 нм ной величины в течение нескольких 93%. Все подложки не имеют приобретенных в процессе обработки дефектов . Деформаций, нзрутпений качества
секунд. Дальнейша .обработка в этих .режимах приводит к росту удельного сопротивлени , т.е. в данных режимах становитс существенньм процесс Трав- 25 лени пленки. Так как вьщержать вре м обработки с точностью до секунд затруднительно, т о в этих режимах наблюдаетс невоспроизнодимость по величине полученного значени удельного сопротивлени до минимальной величины в течение нескольких с.екунд
В качестве рабочего газа исйоль- зуют азот и/или аргон„ которые не . образуют летучих соединений с о1сис- лами инди и олова. Использование других газов не обеспечивает достижение положительного эсЪфекта ввиду их реакционной способности-, сопропленки и подложки не наблюдаетс .
Пленки окислов инди -олова., обра ботаиные предлагаем.ым способом, имеют Величину удельного поверхностного сопротивлени 80-120 Он/О неза- 30 висимо от величины удельного сопротивлени до обработки.
Предложенный способ получени . йрозрачньк провод щих пленок на основе окислов инди -олова обеспечивает по сравнению с прототипом уменьшение величины и разброса удельного поверхностного сопротивлени , практически исключает выбрако.вку подложек на операции нанесени пленок.
35
но-провод щую пленку окислов инди - олова.
Режимы нанесени Температура подложек,С . 300 Рабочее давление. Па 10 Процентное содержание кислорода, % , 50 Ток разр да, А . 2 Толщина нанесенной пленки 0,15- 0,3 М1СМ. Удельное сопротивление пленок 500-600 Ом/о. Подложки загружаютс на катод установки ВЧ диодного либо магнетронного травлени и эа- жигают разр д в плазме аргона либо азота при давлении 1-10 Па и удельной мощности разр да 2 Вт/см. Ърем обработки 2 мин. Конечное удельное сопротивление пленок «. 100 Ом/о.
пленки и подложки не наблюдаетс .
Пленки окислов инди -олова., обра ботаиные предлагаем.ым способом, имет Величину удельного поверхностного сопротивлени 80-120 Он/О неза- висимо от величины удельного сопротивлени до обработки.
Предложенный способ получени йрозрачньк провод щих пленок на основе окислов инди -олова обеспечивает по сравнению с прототипом уменьшение величины и разброса удельного поверхностного сопротивлени , практически исключает выбрако.вку подложек на операции нанесени пленок.
вовдающейс травлением и образовани-. дО повышает процент выхода годных ем летучих соединений, загр зн ющихизделий .в целом и, в коиечном счете,
окислы инди -олова,.
При давлении рабочего газа
ниже
1 Па происходит, существенное увели- 1 чение скорости травлени пленки, при этом наблюдаетс рост удельного сопротивлени из-за уменьшени ее толщины . Увеличение давлени вьше 10 Па увеличивает врем обработки пластин. Изменение рабочего давлени в диапазоне от 1 до 1О Па значительных из- : менений на результаты и длительность обработЮ не оказывает.
П р и м е р. На установке магнет ронного распылени на подложки из стекла марки КВ имеющего температуру разм гчени , распьтением. мишени состава In + 6% Sn в смеси кислорода и аргона нанос т прозрач45
50
55
способствует повьшению производитель ности труда.
Кроме того, способ существенно расшир ет номенклатуру используемых подложек, что позвол ет снизить себестоимость готовых изделий за счет использовани более дешевых подложек из технических марок стекла.
Ф о р мула изобретени
Способ получени прозрачных- провод щих пленок на основе оксидов инди и олова, включающий нанесение оксидной пленки на подложку распы- мишени из сплава индий-олово в кислородсодержащей среде и последующую обработку оксидной пленки в инертной атмосфере, отличаю5
0
5
способствует повьшению производительности труда.
Кроме того, способ существенно расшир ет номенклатуру используемых подложек, что позвол ет снизить себестоимость готовых изделий за счет . использовани более дешевых подложек из технических марок стекла.
Ф о р мула изобретени
Способ получени прозрачных- провод щих пленок на основе оксидов инди и олова, включающий нанесение оксидной пленки на подложку распы- мишени из сплава индий-олово в кислородсодержащей среде и последующую обработку оксидной пленки в инертной атмосфере, отличаюБ1499573g
щ и и с тем, что, с целью улучше-оксидной пленки провод т в катодной
НИН электрических характеристик пле-области плазмы высокочастотного разнок и расширени технологическихр да удельной мощности J-2 Вт/см
I возмо шостей способа, обработку .при давлении 1-10 Па.
Claims (1)
- Ф op мула изобретения Способ получения прозрачных-, проводящих пленок на основе оксидов индия и олова, включающий нанесение оксидной пленки на подложку распылением мишени из сплава индий-олово в кислородсодержащей среде и последующую обработку оксидной пленки в инертной атмосфере, отличаю1499573 щ и й с я тем, что, с целью улучшения электрических характеристик пленок и расширения технологических возможностей способа, обработку оксидной пленки проводят в катодной области плазмУ высокочастотного разряда удельной мощности 1-2 Вт/см2 при давлении 1-10 Па.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874303287A SU1499573A1 (ru) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874303287A SU1499573A1 (ru) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1499573A1 true SU1499573A1 (ru) | 1992-03-07 |
Family
ID=21326720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874303287A SU1499573A1 (ru) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1499573A1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329044B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-12-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and method of making the film |
| RU2637044C2 (ru) * | 2016-04-15 | 2017-11-29 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова |
| RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
-
1987
- 1987-09-08 SU SU874303287A patent/SU1499573A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Электронна техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 1984 s,№1, .с.38. Патент US № 4399015, кл С 23 С 15/00; 1983, * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329044B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-12-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and method of making the film |
| RU2637044C2 (ru) * | 2016-04-15 | 2017-11-29 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова |
| RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6153271A (en) | Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide | |
| US5387542A (en) | Polycrystalline silicon thin film and low temperature fabrication method thereof | |
| US3661747A (en) | Method for etching thin film materials by direct cathodic back sputtering | |
| Amick et al. | Deposition techniques for dielectric films on semiconductor devices | |
| US4842705A (en) | Method for manufacturing transparent conductive indium-tin oxide layers | |
| EP0403936B1 (en) | Method for producing a conductive oxide pattern | |
| SU1499573A1 (ru) | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова | |
| US4104418A (en) | Glass layer fabrication | |
| CN108287430A (zh) | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 | |
| KR100859148B1 (ko) | 고평탄 투명도전막 및 그 제조 방법 | |
| RU2181389C2 (ru) | Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова | |
| JPH0874034A (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜の作製方法 | |
| JP2003086025A (ja) | 透明導電膜成膜基板及びその製造方法 | |
| US3607699A (en) | Technique for the deposition of gallium phosphide resistive films by cathodic sputtering | |
| RU2241065C2 (ru) | Способ нанесения проводящего прозрачного покрытия | |
| JP3639453B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造装置およびこれを用いた化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| CN111139439B (zh) | 一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法 | |
| CN108385073B (zh) | Ito薄膜的制作方法 | |
| KR20020080159A (ko) | 유기 전계발광 표시 소자의 자동 제조를 위한아이티오전극 증착 장치 및 방법 | |
| JPS62188777A (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JPH058527B2 (ru) | ||
| JPH09263948A (ja) | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 | |
| JPWO2009025285A1 (ja) | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、液晶表示装置、製造装置 | |
| JP2688999B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0465803A (ja) | 酸化物誘電体薄膜作成方法 |