RU2661160C1 - Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок - Google Patents
Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок Download PDFInfo
- Publication number
- RU2661160C1 RU2661160C1 RU2017128039A RU2017128039A RU2661160C1 RU 2661160 C1 RU2661160 C1 RU 2661160C1 RU 2017128039 A RU2017128039 A RU 2017128039A RU 2017128039 A RU2017128039 A RU 2017128039A RU 2661160 C1 RU2661160 C1 RU 2661160C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- films
- nanogranules
- film
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910020639 Co-Al Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910020675 Co—Al Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 239000003832 thermite Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/22—Heat treatment; Thermal decomposition; Chemical vapour deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу получения тонких магнитных наногранулированных пленок. Способ включает последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре с последующим вакуумным отжигом полученной двухслойной пленки. Слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере из смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода при комнатной температуре. На полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия методом низкочастотного магнетронного распыления в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего осуществляют вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки при температуре 700°С. Технический результат заключается в упрощении технологии получения пленок, отсутствует агломерация магнитных наногранул, обеспечении возможности синтеза пленок с магнитными наногранулами заданного размера от единиц до сотни нанометров с малой дисперсностью магнитных наногранул. 2 ил., 1 пр.
Description
Изобретение относится к технологиям получения тонкопленочных материалов, состоящих из наногранул ферромагнитного металла, внедренных в оксидную матрицу, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике, нанотехнологии, а также для создания элементов магнитной памяти и каталитически активных покрытий.
Известны различные способы получения магнитных наногранулированных (нанокомпозитных) тонких пленок, состоящих из магнитных наночастиц распределенных в немагнитной матрице.
Существует метод получения магнитных нанокомпозитных материалов путем осаждения на подложку изолированных кластеров магнитных наночастиц и покрытия кластеров изолирующим слоем [патент US 8273407 В2, МПК B05D 1/12, B05D 1/36, опубл. 25.09.2012].
Основным недостатком данного изобретения является сложность технологии, включающей в себя специальную трудоемкую подготовку подложек, а также использование методик химического и физического парофазного осаждения, приводящие к высокой себестоимости данного метода.
Известен способ получения наногранулированных магнитных пленок [патент US 7060374 В2, МПК H01F 10/00, H01F 10/32, опубл. 13.06.2006] методом одновременного магнетронного распыления металлической (например, Со, Fe, Ni) и оксидной керамической мишени (например, Al2O3, MgO). При этом формируется наногранулированная пленка с размерами магнитных гранул до 10 нм и оксидной прослойкой 0,5-1,5 нм между ними.
К недостаткам изобретения можно отнести малый диапазон размеров получаемых наногранул и низкую термическую стабильность материала, проявляющуюся в агломерации наногранул при нагреве.
Наиболее близким аналогом, принятым за прототип, является способ получения тонких ферромагнитных пленок Co-ZrO2 с помощью термитной реакции между осажденными на термостойкую подложку слоями оксида кобальта и циркония [V.G. Myagkov, V.S. Zhigalov, L.E. Bykova and others. Thermite sinthesis and characterization Co-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films. - Journal of Alloys and Compounds, 2016, 665, c.197-203.]. Недостатком этого способа является сложная технология получения пленки оксида ферромагнитного металла и его более низкая реакционная способность, связанная с большим размером зерна, образующимся при термическом окислении.
Задачей, на решение которой направлено изобретение, является разработка способа получения тонких магнитных наногранулированных пленок с заданным размером магнитных наногранул, равномерно распределенных в оксидной матрице.
Техническим результатом данного изобретения является способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок, в котором упрощается технология получения пленок, отсутствует агломерация магнитных наногранул, существует возможность синтеза пленок с магнитными наногранулами заданного размера от единиц до сотни нанометров с малой дисперсностью магнитных наногранул.
Технический результат достигается тем, что в способе получения тонких магнитных наногранулированных пленок, включающем последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре и последующий вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки, новым является то, что слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, при комнатной температуре, на полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия низкочастотным магнетронным распылением в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки выполняют при температуре 700°С.
Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод о том, что заявляемое изобретение отличается от известного тем, что слой оксида ферромагнитного металла наносят при комнатной температуре методом высокочастотного магнетронного распыления металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, и полученный двухслойный образец подвергается вакуумному отжигу при температуре 700°С.
Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «новизна».
Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, не выявлены при изучении других известных технических решений в данной области техники и, следовательно, обеспечивают ему соответствие критерию «изобретательский уровень».
Изобретение поясняется фигурами. На фиг. 1 представлена микрофотография и гистограмма распределения размеров наногранул кобальта для пленки Со-Al2O3 с толщиной исходного слоя Co3O4 15 нм. На фиг. 2 - микрофотография и гистограмма распределения размеров наногранул кобальта для пленки Со-Al2O3 с толщиной исходного слоя Co3O4 80 нм.
Сущность изобретения заключается в проведении металлотермической реакции в тонких двухслойных пленках, состоящих из слоя оксида ферромагнитного металла (Fe2O3, Co3O4, NiO) и слоя металла-восстановителя (Al, Zr, In, Mg, Ti и др.), химически значительно более активного, чем восстанавливаемый металл, при повышенных температурах. Слой оксида ферромагнитного металла получают путем реактивного высокочастотного магнетронного распыления металлической мишени в смеси газов аргон (70%) + кислород (30%) при комнатной температуре. Слой металла-восстановителя также осаждают методом магнетронного распыления, но в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона при комнатной (или ниже) температуре для предотвращения преждевременного инициирования реакции между слоями. Соотношения толщин реагентов определяется стехиометрией химической реакции. Синтез наногранулированных пленок осуществляется методом вакуумного отжига полученной двухслойной пленки при остаточном давлении в камере не ниже 10-6 Торр и температуре, при которой восстанавливается максимально возможное количество ферромагнитного металла в виде наногранул. Для каждого типа магнитных наногранулированных пленок температура отжига ТОТЖ индивидуальна и подбирается экспериментально в процессе исследования реакции (например, для пленок Fe-In2O3 ТОТЖ=250°С, Fe-ZrO2 ТОТЖ=500°С, Со-Al2O3 ТОТЖ=700°С). Время отжига составляет 60 минут. При этом размер магнитных наногранул, формирующихся при вакуумном отжиге, напрямую зависит от толщины исходного слоя оксида ферромагнитного металла. Варьируя толщину можно синтезировать наногранулированные пленки с размером магнитных гранул от единиц до сотни нанометров.
Пример осуществления
Получение наногранулированных тонких магнитных пленок Со-Al2O3
Тонкие пленки Со-Al2O3 изготавливались в следующей технологической последовательности:
1) получение тонкой пленки оксида кобальта Co3O4: тонкая пленка Co3O4 получается путем высокочастотного магнетронного распыления металлической кобальтовой мишени в смеси газов аргон (70%) + кислород (30%) при комнатной температуре, давлении газов в камере порядка 3×10-3 Торр, мощности 100 Вт и скорости напыления порядка 1,3-1,4 нм/мин. В качестве подложки может использоваться любой термостойкий материал, не вступающий в реакцию с материалами пленки (поликристаллический оксид алюминия, кварц, термостойкие стекла, MgO);
2) осаждение слоя алюминия поверх пленки Co3O4 путем низкочастотного магнетронного распыления в атмосфере чистого (99,99%) аргона при комнатной температуре, давлении аргона в камере порядка 3×10-3 Торр, токе 0,1 А и скорости напыления порядка 7 нм/мин;
3) вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки Co3O4/Al при температуре 700°С в течение 60 минут при остаточном давлении в камере порядка 10-6 Торр, необходимый для проведения термитной реакции: 3Co3O4+8Al → 9Со+4Al2O3.
Полученные тонкие магнитные пленки, содержащие наногранулы кобальта, внедренные в матрицу из оксида алюминия изучались на просвечивающем электронном микроскопе НТ-7700 Hitachi при ускоряющем напряжении 100 кэВ. На фиг. 1 видно, что полученный материал содержит наногранулы кобальта, средний размер которых 20 нм, на фиг. 2 - средний размер наногранул 150 нм. Частицы равномерно распределены в оксидной матрице.
Claims (1)
- Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок, включающий последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре и последующий вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки, отличающийся тем, что слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, при комнатной температуре, на полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия низкочастотным магнетронным распылением в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки выполняют при температуре 700°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017128039A RU2661160C1 (ru) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017128039A RU2661160C1 (ru) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2661160C1 true RU2661160C1 (ru) | 2018-07-12 |
Family
ID=62916923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017128039A RU2661160C1 (ru) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2661160C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2711700C1 (ru) * | 2019-02-12 | 2020-01-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-Al2O3 с вращательной анизотропией |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103456A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| SU1499573A1 (ru) * | 1987-09-08 | 1992-03-07 | Предприятие П/Я А-7873 | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова |
| JPH08296032A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-12 | Bridgestone Corp | ゴム系複合材の製造方法 |
| RU2210619C2 (ru) * | 2001-04-04 | 2003-08-20 | Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан | Способ формирования пленочного покрытия и магнетронное устройство для его осуществления |
| RU2316613C1 (ru) * | 2006-04-19 | 2008-02-10 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Способ получения пленок оксида цинка |
| JP2011138954A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Canon Anelva Corp | 強磁性層の垂直磁化を用いた磁気トンネル接合デバイスの製造方法 |
| RU2522956C2 (ru) * | 2012-11-02 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Росбиоквант" (ООО "Росбиоквант") | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники |
| RU2532187C1 (ru) * | 2013-09-26 | 2014-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения наноразмерных пленок феррита |
-
2017
- 2017-08-04 RU RU2017128039A patent/RU2661160C1/ru active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103456A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| SU1499573A1 (ru) * | 1987-09-08 | 1992-03-07 | Предприятие П/Я А-7873 | Способ получени прозрачных провод щих пленок на основе оксидов инди и олова |
| JPH08296032A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-12 | Bridgestone Corp | ゴム系複合材の製造方法 |
| RU2210619C2 (ru) * | 2001-04-04 | 2003-08-20 | Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан | Способ формирования пленочного покрытия и магнетронное устройство для его осуществления |
| RU2316613C1 (ru) * | 2006-04-19 | 2008-02-10 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Способ получения пленок оксида цинка |
| JP2011138954A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Canon Anelva Corp | 強磁性層の垂直磁化を用いた磁気トンネル接合デバイスの製造方法 |
| RU2522956C2 (ru) * | 2012-11-02 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Росбиоквант" (ООО "Росбиоквант") | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники |
| RU2532187C1 (ru) * | 2013-09-26 | 2014-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения наноразмерных пленок феррита |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| V.G. Myagkov, V.S. Zhigalov, L.E. Bykova and others. Thermite sinthesis and characterization Co-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films. - Journal of Alloys and Compounds, 2016, 665, c. 197-203. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2711700C1 (ru) * | 2019-02-12 | 2020-01-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-Al2O3 с вращательной анизотропией |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Music et al. | Ab initio study of Ti0. 5Al0. 5N (001)—residual and environmental gas interactions | |
| US20040137158A1 (en) | Method for preparing a noble metal surface | |
| Zhang et al. | Modification of structure and wear resistance of closed-field unbalanced-magnetron sputtered MoS2 film by vacuum-heat-treatment | |
| Masłyk et al. | Influence of absolute argon and oxygen flow values at a constant ratio on the growth of Zn/ZnO nanostructures obtained by DC reactive magnetron sputtering | |
| Koh et al. | Structural characterization of dual-metal containing diamond-like carbon nanocomposite films by pulsed laser deposition | |
| Chappé et al. | Influence of substrate temperature on titanium oxynitride thin films prepared by reactive sputtering | |
| CN103956261B (zh) | 纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法 | |
| RU2661160C1 (ru) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок | |
| ITMI990744A1 (it) | Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione di strati sottili su un substrato e dispositivi getter per la realizzazione | |
| Jiang et al. | Influence of oxygen plasma treatment on the microstructure of SnOx thin films | |
| Daniel et al. | Texture development in polycrystalline CrN coatings: the role of growth conditions and a Cr interlayer | |
| Dalbauer et al. | On the phase evolution of arc evaporated Al-Cr-based intermetallics and oxides | |
| Nielsch et al. | Ferromagnetic nanostructures by atomic layer deposition: From thin films towards core-shell nanotubes | |
| Luciu et al. | Phase separation in NiCrN coatings induced by N2 addition in the gas phase: A way to generate magnetic thin films by reactive sputtering of a non-magnetic NiCr target | |
| US6790476B1 (en) | Method of adhesion between an oxide layer and a metal layer | |
| Leng et al. | Comparative properties of titanium oxide biomaterials grown by pulsed vacuum arc plasma deposition and by unbalanced magnetron sputtering | |
| EP1624087B1 (en) | A method for depositing thin layers of titanium dioxide on support surfaces | |
| Zafeiratos et al. | The interaction of oxygen with ultrathin Ni deposits on yttria-stabilized ZrO2 (1 0 0) | |
| Watanabe et al. | Surface oxidation of aluminium nitride thin films | |
| JP5783669B2 (ja) | 触媒金属微粒子形成方法 | |
| Pulsipher et al. | O2 plasma treatment of mesoporous and compact TiO2 photovoltaic films: Revealing and eliminating effects of Si incorporation | |
| KR101327262B1 (ko) | 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법 및 이로부터 합성한 산화금속 나노와이어 | |
| KR100701106B1 (ko) | 금속 나노 입자의 형성방법 | |
| RU2751704C1 (ru) | Способ получения антикоррозионного покрытия на изделиях из монолитного никелида титана | |
| Shin et al. | Formation and characterization of crystalline iron oxide films on self-assembled organic monolayers and their in situ patterning |