RU2522956C2 - Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники - Google Patents
Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники Download PDFInfo
- Publication number
- RU2522956C2 RU2522956C2 RU2012146645/07A RU2012146645A RU2522956C2 RU 2522956 C2 RU2522956 C2 RU 2522956C2 RU 2012146645/07 A RU2012146645/07 A RU 2012146645/07A RU 2012146645 A RU2012146645 A RU 2012146645A RU 2522956 C2 RU2522956 C2 RU 2522956C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- pressure
- vacuum
- layer
- etching
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью, и может быть использовано для спинтроники.
Известен способ получения пленки спинтронного материала на основе диоксида титана, легированного ионами кобальта, включающий магнетронное распыление сплавной металлической мишени-прекурсора в аргонокислородной атмосфере (Балагуров Л.А. и др. О природе ферромагнетизма в полупроводниковом оксиде Ti2-δ: Со. Письма в ЖЭТФ, 79(2), 111, 2004). Полученный ферромагнитный полупроводник может быть использован в электронных устройствах для спинтроники, но степень его намагниченности насыщения, при этом оказывается невысокой.
Известен способ получения композитной гранулированной тонкой пленки, содержащей зерна высокоэрцетивного сплава FePt в изолирующей матрице Si3N4. Пленка изготавливается при помощи совместного вакуумного магнетронного распыления мишени заданного состава на охлажденную подложку из окиси кремния или кварцевого стекла. Для перевода сплава FePt в кристаллическую фазу пленка отжигалась в вакууме при температуре 600°С. К недостаткам данного способа можно отнести достаточно сложный и трудноконтролируемый технологический процесс и относительно большой размер магнитных зерен (патент США №6183606, 2001).
Известен способ получения среды для хранения информации, заключающийся в том, что в исходную матрицу из магнитного материала вводятся примеси или дефекты, которые взаимодействуют с матрицей (патент РФ №2227941, H01F 10/08, 2004). В результате чего в ней формируются мелкодисперсные области (кластеры) с характерными размерами от нескольких ангстрем до нескольких десятков нанометров и с существенно отличным от основной матрицы типом магнитного состояния. Кластеры устойчиво фиксируются в матрице в позициях, связанных с пространственным расположением примесей и дефектов. В качестве исходной матрицы используют материал, обладающий, например, ферромагнитным типом магнитного упорядочения, полученный, например, магнетронным распылением составной мишени в виде тонкой пленки. Введение дефектов и изменение их концентрации осуществляется облучением матрицы в процессе ее формирования или при ее последующей обработке высокоэнергетическими фотонами, ионами, электронами и другими частицами. Свойства полученного материала для записи могут также изменяться путем термообработки (отжиг, закалка и т.д.) в вакууме или газовой атмосфере (аргон и др.), вызывающей рекристаллизацию или иные изменения кристаллической структуры матрицы.
Недостатком данного способа является большое количество технологических операций при совмещении с кремниевым КМОП-процессом и использование нестандартного технологического оборудования.
Технический результат заключается в получении материала, обеспечивающего полностью оптическое перемагничивание, при помощи только стандартного промышленного оборудования.
Технический результат достигается тем, что в способе получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники, включающем магнетронное распыление составной мишени, обработку полученной пленки ионами, термическую обработку структур в вакууме, согласно изобретению мишень состоит из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, магнетронное распыление проводят в среде аргона, предварительный отжиг пластин при 200÷250°С, предварительный вакуум 5×10-4 Па, давление в рабочей камере во время распыления (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материала, кремния и продуктов их взаимодействия на подложке монокристаллического кремния (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление проводят во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, суммарном давлении хладона 14 и азота в рабочей камере во время травления 1,33 Па, скорость травления слоя (10÷12) нм/с, термическую обработку проводят при вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400°С, длительностью 10-15 мин.
В качестве ферромагнитных металлов используют железо, никель, кобальт.
Данный способ может быть использован для серийного производства получения на кремнии наноструктурированных магнитных слоев, так как ориентирован на использование технологии кремниевой микроэлектроники, заключающийся в следующем.
Получение базового слоя на кремнии для формирования наноструктурированной магнитной пленки.
Получение гетерогенных слоев для базового слоя на кремнии проводится методом магнетронного распыления составной мишени кремний + ферромагнитный металл с контролируемой концентрацией компонентов кремний 85-99% + ферромагнитный металл (железо, никель, кобальт) 1-15%. Эта операция обеспечивает частичный синтез силицидов в паровой фазе и формирование на подложке кремния базового слоя для магнитной пленки на кремнии. Полученный слой имеет мелкозернистую структуру, статистически однородное распределение компонентов. Фазовый состав базового слоя: ферромагнитные металлы, силициды ферромагнитных металлов и кремний. Толщина слоя с воспроизводимыми свойствами может меняться в пределах 0.1-0.12 мкм.
Плазмохимическая обработка и селективное травление.
Компоненты гетерогенной смеси выбираются таким образом, чтобы они различались химической активностью по отношению к фторсодержащей плазме: кремний - высокая химическая активность, силициды ферромагнитных металлов - низкая химическая активность, ферромагнитные металлы - инертны. При обработке во фторсодержащей плазме происходит селективное вытравливание свободного кремния из пленки и обогащение соответственно магнитным материалом. Это приводит, с одной стороны, к структурной неустойчивости гетерогенного слоя, с другой, - к локальному взаимодействию ФМ-металлов с подложкой. В результате совокупности элементарных стадий плазмохимических и топохимических реакций происходит формирование самоорганизованных наноструктур магнитных пленок на основе силицидов переходных металлов, характеризующихся:
- высокой адгезией пленка-подложка;
- однородностью наноструктуры с размером кластера до 50 нм;
- магнитным откликом.
Термическая обработка.
Термическая обработка проводится в вакууме при температуре 300-400°С. В выбранных режимах обнаруживается высокая термостабильность, происходит стабилизация магнитных и структурных свойств пленки.
На фиг.1 изображены: а - АСМ-топография подложки Si, размер скана 10×10 мкм; б - МСМ-картина намагниченности контрольного образца Si; на фиг.2 изображены: а - АСМ-топограмма поверхности в системе Si-Ni после процесса избирательного плазмохимического травления (размер скана 1×1 мкм), б - профиль сечения АСМ-топограммы поверхности в системе Si-Ni после процесса, в - магнитный отклик в системе Si-Ni после процесса магнетронного напыления (размер скана 10×10 мкм); на фиг 3 изображены: а - АСМ-топограмма поверхности в системе Si-Ni после процесса магнетронного напыления (размер скана 10×10 мкм); б - магнитный отклик в системе Si-Ni после избирательного плазмохимического травления (размер скана 1×1 мкм). Пример получения магнитных пленок на кремнии.
Используются кремниевые пластины с ориентацией [100].
Напыление базового слоя
Слой «кремний - магнитный материал» наносится методом вакуумного напыления на установке магнетронного распыления типа 01НИ-7-006 в среде аргона с использованием комбинированной (составной мишени) мишени, состоящей из кремния и магнитного материала, закрепленных на медном основании.
предварительный отжиг пластин | 2004÷250°С |
предварительный вакуум | 5×10-4 Па |
давление в рабочей камере во время распыления | (6÷7)×10-3 Па |
давление аргона в магнетроне | (6÷7)×10-1 Па |
скорость нанесения слоя | (22÷25) нм/с |
толщина нанесенного слоя | (0,1-0,12)мкм |
Плазмохимическая обработка
Плазмохимическая обработка проводилась на установке 08ПХО-100Т-005.
предварительный вакуум | 4×10-1 Па |
давление азота в рабочей камере | 4÷4,5 Па |
суммарное давление хладона 14 и азота в рабочей | |
камере во время травления | 1,33 Па |
скорость травления слоя | (10÷12) нм/с |
толщина удаленного слоя | 0,7-0,8 толщины исходного слоя (7000-10000) нм |
Термообработка
предварительный вакуум | 1×10-4 Па |
вакуум в процессе термообработки | 0,5×10-3 Па |
температура | 300-400°С |
длительность | 10-15 мин |
Контроль структуры и магнитных свойств наноструктуированных слоев магнитных материалов.
При отработке технологий получения наноструктурированных магнитных пленок в системах Si-Ni, Si-Co использовались такие методы сканирующей зондовой микроскопии как атомно-силовая и магнитно-силовая микроскопия. Исследованию подвергались исходные пластины кремния и все изготовленные образцы.
Для определения уровня шумового сигнала на картине намагниченности в методе магнитно-силовой микроскопии производилось сканирование шлифованной подложки Si с перепадом рельефа ~60 нм. Перепад сигнала на картине намагниченности содержит слабо заметные следы влияния рельефа подложки. При расстоянии между подложкой и зондом 10 нм перепад составил ~15 пА. Аналогичные измерения были проведены для других расстояний между подложкой и зондом и служили в качестве пороговой величины при оценке наличия/отсутствия магнитного отклика у исследуемых образцов.
Исследование образцов, полученных методом избирательного плазмохимического травления гетерогенного слоя кремний-силицид переходного металла (Fe, Ni, Со) - ферромагнитный металл (Fe, Ni, Со), показало, что в результате процесса избирательного травления кремния происходит образование нанокластеров силицидов ферромагнитных металлов до 50 нм и для этих структур характерен переход от многодоменного состояния к однодоменному. Размер магнитных наноструктур, полученных по данной технологии, не превышает 50 нм.
Claims (2)
1. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники, включающий магнетронное распыление составной мишени, обработку полученной пленки ионами, термическую обработку структур в вакууме, отличающийся тем, что мишень состоит из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материала, кремния и продуктов их взаимодействия на подложке монокристаллического кремния (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление проводят во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, суммарном давлении хладона 14 и азота в рабочей камере во время травления 1,33 Па, скорость травления слоя (10÷12) нм/с, термическую обработку проводят при вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве ферромагнитных металлов используют железо, никель, кобальт.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012146645/07A RU2522956C2 (ru) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012146645/07A RU2522956C2 (ru) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012146645A RU2012146645A (ru) | 2014-05-10 |
RU2522956C2 true RU2522956C2 (ru) | 2014-07-20 |
Family
ID=50629342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012146645/07A RU2522956C2 (ru) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2522956C2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
RU2711700C1 (ru) * | 2019-02-12 | 2020-01-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-Al2O3 с вращательной анизотропией |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07249519A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-26 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 |
JPH10340424A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用磁性薄膜とその製造方法 |
RU2227941C2 (ru) * | 2001-06-07 | 2004-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ формирования магнитного материала для записи информации с высокой плотностью |
CN101202144A (zh) * | 2007-11-12 | 2008-06-18 | 上海工程技术大学 | 一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法 |
-
2012
- 2012-11-02 RU RU2012146645/07A patent/RU2522956C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07249519A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-26 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 |
JPH10340424A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用磁性薄膜とその製造方法 |
RU2227941C2 (ru) * | 2001-06-07 | 2004-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ формирования магнитного материала для записи информации с высокой плотностью |
CN101202144A (zh) * | 2007-11-12 | 2008-06-18 | 上海工程技术大学 | 一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
RU2711700C1 (ru) * | 2019-02-12 | 2020-01-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-Al2O3 с вращательной анизотропией |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2012146645A (ru) | 2014-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6567208B2 (ja) | 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成 | |
JP6615853B2 (ja) | 半導体基板上におけるグラフェンの直接形成方法 | |
Nam et al. | Chemical vapor deposition of graphene on platinum: Growth and substrate interaction | |
JP5705315B2 (ja) | グラフェンの低温製造方法、及びこれを利用したグラフェンの直接転写方法 | |
Xu et al. | Effects of annealing ambient on oxygen vacancies and phase transition temperature of VO 2 thin films | |
Garzon-Fontecha et al. | The role of the nitrogen flow rate on the transport properties of CrN thin films produced by DC magnetron sputtering | |
Khojier et al. | Structural, mechanical and tribological characterization of chromium oxide thin films prepared by post-annealing of Cr thin films | |
Chaitoglou et al. | Effect of a balanced concentration of hydrogen on graphene CVD growth | |
Yamamuro et al. | Geometrical and electrical percolation in nanometre-sized Co-cluster assemblies | |
Li et al. | Effect of N2-gas flow rates on the structures and properties of copper nitride films prepared by reactive DC magnetron sputtering | |
Ding et al. | Sintering prevention and phase transformation of FePt nanoparticles | |
Yu et al. | Al and Ni co-doped ZnO films with room temperature ferromagnetism, low resistivity and high transparence | |
RU2522956C2 (ru) | Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники | |
Meng et al. | Controlled synthesis of large scale continuous monolayer WS2 film by atmospheric pressure chemical vapor deposition | |
Tian et al. | Synthesis of AAB‐stacked single‐crystal graphene/hBN/graphene trilayer van der Waals heterostructures by in situ CVD | |
JP6353901B2 (ja) | 磁性材料 | |
Chen et al. | Nanoscale ferromagnetic chromium oxide film from gas-phase nanocluster deposition | |
Sakuma et al. | Gas flow sputtering: Versatile process for the growth of nanopillars, nanoparticles, and epitaxial thin films | |
Kim et al. | Surface roughness and magnetic properties of L1 FePt films on MgO/CrRu/TiN | |
Katharria et al. | Self-organization of 6H‐SiC (0001) surface under keV ion irradiation | |
JP6175948B2 (ja) | グラフェンの製造方法 | |
Lee et al. | Characterization of α-Fe2O3 thin films processed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) | |
Bounour-Bouzamouche et al. | Structural and magnetic properties of cobalt nanostructures on SiO2/Si (1 1 1) substrates | |
Gu et al. | The preparation of high quality oriented diamond thin films via low temperature and hydrogen ion etched nucleation | |
Todorovska et al. | Spray-pyrolysis deposition of LaMnO3 and La1− xCaxMnO3 thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151103 |