JP6175948B2 - グラフェンの製造方法 - Google Patents
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(M1)物質Aの層を、炭素原料ガス雰囲気で加熱することで固溶体層を形成する方法。
(M3)物質Aの層と炭素含有層とを積層し、加熱することで固溶体層を形成する方法。
<実施例1>
1.グラフェンの製造
図1A〜1Cに基き、グラフェンの製造方法を説明する。まず、図1Aに示す基板1を用意する。この基板1は、シリコンから成る本体3の表面に二酸化ケイ素層5を形成したものである。二酸化ケイ素層5の膜厚は300nmである。
メタン:1at%
アルゴン99at%
また、加熱時における温度と圧力は、それぞれ、1000℃、10Paである。この工程において、Niと、飽和固溶量の炭素とを含む固溶体から成る固溶体層11が形成される。
グラフェン層13をラマン分光法で分析する。Gバンド(1580cm−1付近)、2Dバンド(2700cm−1付近)のピーク強度比から、グラフェンであることが確認できる。
また、グラフェン層13を電子顕微鏡で観察し、膜厚を計測する。その膜厚は、グラフェン層13製造条件(Niの層7の膜厚、固溶体層11における、加熱時と冷却時での炭素の飽和固溶量の差(既知の値))から予測される量とよく一致する。すなわち、グラフェン層13の膜厚制御性が良好である。
<実施例2>
1.グラフェンの製造
図2A〜2Dに基き、グラフェンの製造方法を説明する。まず、前記実施例1と同様の基板1を用意する。図2Aに示すように、基板1上に、ALD法により、Niの層7を形成する。Niの層7の膜厚は40nmである。
グラフェン層13を前記実施例1と同様の方法で評価すると、前記実施例1と略同様の結果が得られる。
<実施例3>
1.グラフェンの製造
図3A〜3Cに基き、グラフェンの製造方法を説明する。まず、前記実施例1と同様の基板1を用意する。図3Aに示すように、基板1上に、ALD法により、固溶体層11を形成する。固溶体層11は、Niと炭素とを含む固溶体から成る。固溶体層11の膜厚は数十〜数百nmである。固溶体層11の形成においては、Ni(acac)2と還元剤(H2)とを含む原料ガスを用いる。また、成膜時の温度、圧力は、300℃、10Paとする。
グラフェン層13を前記実施例1と同様の方法で評価すると、前記実施例1と略同様の結果が得られる。
<実施例4>
1.グラフェンの製造
図4A〜4Cに基き、グラフェンの製造方法を説明する。まず、前記実施例1と同様の基板1を用意する。図4Aに示すように、基板1上に、ALD法により、Niの層7と、炭素含有層17とを順次積層する。Niの層7の膜厚は40nmである。炭素含有層17はPETから成る層であり、その膜厚は7nmである。
グラフェン層13を前記実施例1と同様の方法で評価すると、前記実施例1と略同様の結果が得られる。
<実施例5>
1.グラフェンの製造
図5A〜5Cに基き、グラフェンの製造方法を説明する。まず、前記実施例1と同様の基板1を用意する。図5Aに示すように、基板1上に、ALD法により、炭素含有層17と、Niの層7とを順次積層する。炭素含有層17はPETから成る層であり、その膜厚は7nmである。Niの層7の膜厚は40nmである。
グラフェン層13を前記実施例1と同様の方法で評価すると、前記実施例1と略同様の結果が得られる。
例えば、前記実施例1〜5において、基板として、シリコンから成る本体の表面に窒化ホウ素の層を形成したものを用いても略同様の効果を得られる。
また、前記実施例1〜5における構成の全部又は一部を適宜組み合わせても良い。
Claims (7)
- 物質Aの層(7)を成膜し、その物質Aの層を炭素原料ガス(9)雰囲気で加熱することで、前記物質A及び炭素を含む固溶体から成る固溶体層(11)を基板(1)上に形成し、
前記固溶体層の形成後、その表面の炭素(15)を除去し、
前記固溶体層を冷却して前記固溶体層から炭素を析出させ、グラフェン(13)を形成することを特徴とするグラフェンの製造方法。 - 前記固溶体層(11)が飽和固溶量の炭素を含むことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンの製造方法。
- 物質Aの層と、有機物で構成され、原子層堆積法により成膜された炭素含有層(17)とが積層するように成膜し、加熱することで、物質A及び飽和固溶量の炭素を含む固溶体から成る固溶体層(11)を基板(1)上に形成し、
前記固溶体層を冷却して前記固溶体層から炭素を析出させ、グラフェン(13)を形成することを特徴とするグラフェンの製造方法。 - 物質Aの層と、無機-有機物で構成される炭素含有層(17)とが積層するように成膜し、加熱することで、前記物質A及び炭素を含む固溶体から成る固溶体層(11)を基板(1)上に形成し、
前記固溶体層を冷却して前記固溶体層から炭素を析出させ、グラフェン(13)を形成することを特徴とするグラフェンの製造方法。 - 前記固溶体層(11)が飽和固溶量の炭素を含むことを特徴とする請求項4に記載のグラフェンの製造方法。
- 原子層堆積法により前記炭素含有層を成膜することを特徴とする請求項4又は5に記載のグラフェンの製造方法。
- 前記固溶体層の形成後、その表面の炭素(15)を除去することを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載のグラフェンの製造方法。
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