TWI614359B - 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法 - Google Patents

形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI614359B
TWI614359B TW105124057A TW105124057A TWI614359B TW I614359 B TWI614359 B TW I614359B TW 105124057 A TW105124057 A TW 105124057A TW 105124057 A TW105124057 A TW 105124057A TW I614359 B TWI614359 B TW I614359B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering
target
substrate
aluminum
during
Prior art date
Application number
TW105124057A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201742937A (zh
Inventor
Jun Wang
Boyu Dong
Bingliang Guo
Yujie Geng
Huaichao Ma
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of TW201742937A publication Critical patent/TW201742937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI614359B publication Critical patent/TWI614359B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明揭示一種形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法，利用於主濺射進行之前先進行兩次具有不同製程參數的預濺射，藉此達到穩定靶材狀況的效果。本發明之形成薄膜的方法可於基板上形成氮化鋁薄膜，而此氮化鋁薄膜可用於電子裝置中位於基板與氮化鎵層之間的緩衝層，藉此改善氮化鋁以及氮化鎵層的成膜品質並達到提升電子裝置效能之目的。

Description

形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法
本發明係關於一種半導體製程，尤指一種形成薄膜的方法與形成氮化鋁薄膜的方法。
物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)濺射製程已廣泛用於現今的半導體積體電路、發光二極體(light emitting diode，LED)、太陽能電池及顯示器等製程中。在PVD濺射設備的腔室中，通常係利用高功率直流電源連接至靶材，通過加載功率將腔室內的工作氣體激發為電漿(plasma)，並吸引電漿中的離子轟擊靶材，藉此使靶材的材料被濺射下來而沉積在晶圓等基板上。不同的應用領域通常對濺射功率、濺射速率等製程參數的要求也有所不同，但基本上對於提升成膜品質、成膜厚度均勻性以及增加設備產能的努力方向卻是非常明確的。
為解決上述技術問題，本發明提供一種形成薄膜的方法與形成氮化鋁薄膜的方法，以濺射方式形成氮化鋁薄膜，並於主濺射之前分別進行兩次具有不同製程參數的預濺射，藉此達到穩定成膜製程以及改善成膜厚度均勻性之目的。
本發明之一些實施例提供一種形成薄膜的方法，包括下列步驟。首先，將一基板置放於一承載底座上。然後，利用設置一靶材進行第一預濺射。於第一預濺射之後，利用靶材進行第二預濺射。於第 一預濺射以及第二預濺射進行時一遮蔽盤係位於靶材與承載底座之間。於第二預濺射之後，將遮蔽盤移開，利用靶材對基板進行主濺射，以於基板上形成薄膜，其中第一預濺射與第二預濺射具有不同的製程參數。
本發明之一些實施例提供一種形成氮化鋁薄膜的方法，包括下列步驟。首先，將一基板置放於一承載底座上。然後，利用一含鋁靶材進行第一預濺射。於第一預濺射之後，利用含鋁靶材進行第二預濺射。於第一預濺射以及第二預濺射進行時一遮蔽盤係位於含鋁靶材與承載底座之間。於第二預濺射之後，將遮蔽盤移開，利用含鋁靶材對基板進行主濺射，以於基板上形成氮化鋁薄膜，其中第一預濺射與第二預濺射具有不同的製程參數。
在本發明之形成薄膜的方法中，於進行主濺射之前先利用同一靶材進行兩次製程參數不同的預濺射，藉此可穩定靶材的狀況，且可補償以相同濺射製程參數操作時間較久時對於成膜厚度均勻性的負面影響，故可達到改善成膜品質以及提升成膜厚度均勻性等效果。
20‧‧‧濺射裝置
21‧‧‧腔室
21S‧‧‧內壁
22‧‧‧承載底座
23‧‧‧托盤
24‧‧‧遮蔽盤
25‧‧‧遮蔽盤庫
26‧‧‧隔熱環
27‧‧‧覆蓋環
28A‧‧‧下端蓋
28B‧‧‧上端蓋
29‧‧‧磁控管
30‧‧‧電子裝置
31‧‧‧基板
32‧‧‧氮化鋁緩衝層
33‧‧‧氮化鎵層
33N‧‧‧N型摻雜氮化鎵層
33P‧‧‧P型摻雜氮化鎵層
34‧‧‧量子井層
100‧‧‧方法
110、121、122、130、140‧‧‧步驟
SR‧‧‧濺射流程
T‧‧‧靶材
圖1為本發明一些實施例之形成薄膜的方法的流程示意圖；圖2A為本發明一些實施例之形成薄膜的方法示意圖；圖2B為本發明一些實施例之形成薄膜的方法示意圖；圖2C為本發明一些實施例之形成薄膜的方法示意圖；以及圖3為本發明一些實施例之電子裝置的示意圖。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖對本發明提供之形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法進行說明。應當理解，此處所描述之具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。
在本發明之形成薄膜的方法中，在進行主濺射之前係先利用同一靶材進行兩次預濺射，使靶材的狀況可於主濺射之前趨於穩定。此外，由於兩次的預濺射具有不同的製程參數，故可補償以相同濺射製程參數操作時間較久時對於成膜厚度均勻性的負面影響，故可改善成膜品質並提升成膜厚度均勻性。
本發明之方法所形成之氮化鋁薄膜具有較佳的品質，對於後續形成於氮化鋁薄膜上的氮化鎵層的磊晶品質亦有所提升。氮化鋁薄膜與氮化鎵層可應用於電子裝置例如發光二極體裝置中，成膜品質提升之氮化鎵層可用以提升電子裝置之電性表現，而厚度均勻性提升之氮化鋁薄膜亦對電子裝置的量產產品穩定性有正面的幫助。
圖1為本發明一些實施例之形成薄膜的方法的流程示意圖，如圖1所示，本發明一些實施例提供一種形成薄膜的方法100，而方法100包括複數道步驟。首先，進行一濺射流程SR，濺射流程SR包括下列之步驟110、步驟121、步驟122、步驟130以及步驟140。在步驟110處，將一基板置放於一承載底座上。在步驟121處，利用設置一靶材進行一第一預濺射。在步驟122處，於第一預濺射之後，利用該靶材進行一第二預濺射。在步驟130處，將遮蔽盤移開並利用靶材對基板進行一主濺射，以於基板上形成一薄膜。在步驟140處，將形成有薄膜之基板載出。
上述之方法100僅為示例，而本發明並不以方法100之內容為限，其他需要的額外步驟亦可於方法100之前、之後或/及其中進行，而方法100中所述之步驟亦可於其他實施例中被取代、刪除或改變其順序。此外，本說明書中所使用之"步驟"一詞並不限於單一動作，此"步驟"一詞可包括單一個動作、操作或手法，或者可為由多個動作、操作或/及手法所組成之集合。並且，本發明中，每一次濺射流程SR對一批次的基板進行加工以在該批次的各基板的表面形成薄膜，其 中，所謂一批次的基板，指的是每一次濺射流程所處理的全部基板，其可以是一個基板，也可以是多個基板。
圖2A至圖2C為本發明一些實施例之形成薄膜的方法示意圖。如圖2A以及圖1所示，本發明一些實施例提供一種形成薄膜的方法100，而方法100包括複數道步驟。首先，提供一濺射裝置20。濺射裝置20包括一腔室21、一承載底座22以及一遮蔽盤24。在一些實施例中，濺射裝置20可更包括存放遮蔽盤24的遮蔽盤庫25、隔熱環26、覆蓋環27、下端蓋28A、上端蓋28B以及磁控管29，遮蔽盤庫25穿透腔室21的內壁21S而與腔室21的內部環境連通，但並不以此為限。在本發明的其他實施例中，亦可視需要於濺射裝置20之內或/及之外設置其他需要之部件。在一些實施例中，濺射裝置20可包括磁控濺射裝置例如射頻磁控濺射裝置、反應式磁控濺射裝置等，用以提升濺射成膜的沉積速率以及均勻性，但並不以此為限。然後，進行一濺射流程SR，濺射流程SR包括步驟110、步驟121、步驟122、步驟130以及步驟140。在步驟110處，將基板31載入腔室21內，並置放於承載底座22上。在一些實施例中，可先將一個或多個基板31置放於一托盤23上，再將置放有基板31的托盤23藉由例如機械手臂載入腔室21內並置放於承載底座22上。在另外一些實施例中，亦可不透過托盤23而直接將基板31置放於承載底座22上。
在一些實施例中，基板31可為藍寶石基板、碳化矽(SiC)或其它適合之材質所形成之基板，例如半導體基板、絕緣層覆矽(SOI)基板、玻璃基板或陶瓷基板，而托盤23可由例如碳化矽(SiC)或鉬所製成，但並不以此為限。
然後，如圖2B以及圖1所示，在步驟121處，利用設置於腔室21內之一靶材T進行一第一預濺射，而第一預濺射時遮蔽盤24係位於靶材T與承載底座22之間。在一些實施例中，遮蔽盤24在未進行第一預 濺射時可先放置於遮蔽盤庫25中，而要進行第一預濺射之前，遮蔽盤24係自遮蔽盤庫25移至腔室21中並位於靶材T與基板31之間再進行第一預濺射，且在第一預濺射進行時遮蔽盤24亦係位於靶材T與基板31之間，藉此避免靶材T的材料通過第一預濺射形成在基板31上。接著，在步驟122處，於第一預濺射之後，利用靶材T進行一第二預濺射，而第二預濺射時遮蔽盤24係位於靶材T與承載底座22之間。在一些實施例中，在第二預濺射進行時，遮蔽盤24亦係位於靶材T與基板31之間，藉此避免靶材T的材料通過第二預濺射形成在基板31上。換句話說，遮蔽盤24可被視為一擋板，用以阻擋第一預濺射以及第二預濺射以避免基板31被影響。在一些實施例中，第一預濺射與第二預濺射係於基板31載入腔室21內之後進行，且第一預濺射與第二預濺射進行時遮蔽盤24係位於靶材T與基板31之間以及靶材T與承載底座22之間，但並不以此限。在一些其他實施例中，亦可於基板31載入腔室21內之前即先進行上述之第一預濺射與第二預濺射。值得說明的是，第一預濺射與第二預濺射具有不同的製程參數，藉此可穩定腔室21內的狀況以及靶材T的狀況，且可補償以相同濺射製程參數操作時間較久時對於成膜厚度均勻性的負面影響，故可達到改善成膜品質以及提升成膜厚度均勻性等效果。
舉例來說，進行第一預濺射時通入腔室21內之氣體可不同於進行第二預濺射時通入腔室21之氣體，但並不以此為限。在本發明之一些其他實施例中，亦可視需要調整其他的製程參數例如對靶材T加載電源的功率大小而使得第一預濺射與第二預濺射具有不同的製程參數。舉例來說，第二預濺射時通入腔室21內之氣體可與第一預濺射時通入腔室21內之氣體不同，但第二預濺射時通入腔室21內之氣體可與後續進行主濺射時通入腔室21內之氣體相同，但並不以此為限。在一些實施例中，進行第一預濺射時對靶材T加載之濺射功率可不同於進 行第二預濺射時對靶材T加載之濺射功率，例如第二預濺射時對靶材T加載之濺射功率可小於進行第一預濺射時對靶材T加載之濺射功率，但並不以此為限。此外，當第一預濺射與第二預濺射所通入腔室21中的氣體不同時，於第一預濺射之後以及第二預濺射之前較佳係未對靶材T加載電源，也就是說於第一預濺射之後以及第二預濺射之前於腔室21內較佳為一斷輝(即腔室21內不起輝)的狀態，藉以確保第一預濺射與第二預濺射個別的製程狀況，但並不以此為限。在一些其他實施例中，亦可視需要以不斷輝的方式連續進行第一預濺射與第二預濺射。
之後，如圖2C以及圖1所示，在步驟130處，將遮蔽盤24移開並利用靶材T對基板31進行一主濺射，以於基板31上形成一薄膜。主濺射與第一預濺射或/及第二預濺射之製程參數至少部分相同，藉此使腔室21內的狀況於主濺射進行之前即趨於穩定，但並不以此為限。舉例來說，在一些實施例中，進行第一預濺射時對靶材T加載之濺射功率可與進行主濺射時對靶材T加載之濺射功率相同，而第二預濺射時通入腔室21內之氣體可與進行主濺射時通入腔室21內之氣體相同，但並不以此為限。
在一些實施例中，形成薄膜的方法100可用以形成非金屬薄膜、金屬薄膜或金屬化合物薄膜。舉例來說，當要於基板31上形成之薄膜為氮化鋁(AlN)時，靶材T可為含鋁靶材例如純鋁靶材或氮化鋁靶材，而上述之方法100則可視為一形成氮化鋁薄膜的方法。
當方法100係用以形成氮化鋁薄膜時，係於基板31載入腔室21之後，利用設置於腔室21內之含鋁靶材(也就是靶材T)進行第一預濺射與第二預濺射(例如圖2B所示之狀況)，其中於第一預濺射與第二預濺射進行時遮蔽盤24係位於含鋁靶材(也就是靶材T)與基板31之間；而於第二預濺射之後，將遮蔽盤24移開並利用含鋁靶材(也就是靶材T) 對基板31進行主濺射，以於基板上形成氮化鋁薄膜(例如圖2C所示之狀況)。此外，在形成氮化鋁薄膜時，上述之主濺射可包括於腔室21內通入含氮氣體、含氧氣體以及惰性氣體例如氬(argon，Ar)，並使由惰性氣體產生之離子(例如Ar離子)撞擊含鋁靶材(也就是靶材T)，以於基板31上形成氮化鋁薄膜，而此氮化鋁薄膜則包括氧摻入之氮化鋁薄膜。舉例來說，於主濺射時，通入含氮氣體例如氮氣的流量範圍可介於30至300每分鐘標準毫升(standard cubic centimeter per minute，sccm)之間，且較佳可介於100sccm至220sccm之間；通入惰性氣體例如氬氣的流量範圍可介於15sccm至100sccm之間，且較佳可介於20sccm至70sccm之間；通入含氧氣體例如氧氣的流量範圍可介於0.5sccm至10sccm之間，且較佳可介於0.5sccm至5sccm之間，但並不以此為限。此外，於主濺射時，對靶材T加載之濺射功率可包括一功率範圍介於2500瓦至4000瓦的脈衝直流電源，且功率範圍較佳可介於2800瓦至3500瓦之間，但並不以此為限。
在一些實施例中，第一預濺射亦可包括於腔室21內通入含氮氣體以及惰性氣體例如氬而不通入含氧氣體，並使由惰性氣體產生之離子撞擊含鋁靶材(也就是靶材T)，藉此達到清洗靶材T之效果例如除去至少部分之因為先前製程而於靶材T表面所形成之氮化鋁。舉例來說，於第一預濺射時，通入含氮氣體例如氮氣的流量範圍可介於30sccm至200sccm之間，且較佳可介於50sccm至150sccm之間；通入惰性氣體例如氬氣的流量範圍可介於15sccm至100sccm之間，且較佳可介於20sccm至70sccm之間，但並不以此為限。此外，於第一預濺射時，對靶材T加載之濺射功率可介於2500瓦至4000瓦之間，且較佳可介於2800瓦至3500瓦之間，但並不以此為限。
在一些實施例中，第二預濺射可包括於腔室21內通入含氮氣體、含氧氣體以及惰性氣體例如氬，並使由惰性氣體產生之離子撞擊 含鋁靶材(也就是靶材T)，藉此對經過第一預濺射清洗後之靶材T表面進行修飾，使得靶材T表面處於氧摻入之氮化鋁(亦可視為氮氧化鋁，AlON)的狀態。舉例來說，於第二預濺射時，通入含氮氣體例如氮氣的流量範圍可介於30sccm至300sccm之間，且較佳可介於100sccm至220sccm之間；通入惰性氣體例如氬氣的流量範圍可介於15sccm至100sccm之間，且較佳可介於20sccm至70sccm之間；通入含氧氣體例如氧氣的流量範圍可介於0.5sccm至10sccm之間，且較佳可介於0.5sccm至5sccm之間，但並不以此為限。此外，於第二預濺射時，對靶材T加載之濺射功率可介於200瓦至4000瓦之間，且較佳可介於500瓦至1500瓦之間，但並不以此為限。
在一些實施例中，可於第二預濺射之後以及主濺射之前停止對靶材T加載電源功率，也就是於第二預濺射之後以及主濺射之前可不對靶材T加載電源，而待基板31移至製程位要進行主濺射時再對靶材T加載電源功率以起輝，藉此可增加靶材T的使用壽命，但並不以此為限。換句話說，上述之方法100可更包括將基板31於腔室21中移至製程位之後進行主濺射(如圖2C所示之狀況)，以及對靶材T加載電源以進行主濺射，其中於第二預濺射之後以及將基板31移至製程位之前係未對靶材T加載電源。
然後，在步驟140處，將形成有薄膜(例如上述之氮化鋁薄膜)之基板31移出腔室21，而完成一次上述之濺射流程SR。換句話說，在一些實施例中，一次的濺射流程SR係指將置放有一個或多個基板31(即，一批次的基板31)的托盤23載入腔室21後，進行第一預濺射、第二預濺射以及對托盤23上的一個或多個基板31(即，一批次的基板31)進行主濺射形成薄膜後將托盤23移出腔室21之流程。藉由本發明之方法使用具有不同製程參數之第一預濺射與第二預濺射，可穩定腔室21內的狀況以及靶材T的狀況，並可補償以相同濺射製程參數操作 時間較久時對於成膜厚度均勻性的負面影響，故可達到改善成膜品質以及提升成膜厚度均勻性等效果。舉例來說，請參考下列表1與表2。表1為一對照實施例之方法(預濺射與主濺射具有相同製程參數)形成氮化鋁薄膜之厚度狀況，且每一次濺射流程係對托盤上置放之五片基板(即，每一批次的基板包含五片基板31)進行主濺射；而表2為以上述之方法100(進行兩次具有不同製程參數之預濺射)形成氮化鋁薄膜之厚度狀況，且每一次濺射流程亦係對托盤上置放之五片基板(即，每一批次的基板包含五片基板31)進行主濺射。由表1與表2的結果可知，若預濺射的製程參數與主濺射的製程參數相同，不論是單片的基板上所形成之氮化鋁薄膜之厚度不均勻性或是同一盤的五片基板(即，同一批次的基板)上之氮化鋁薄膜之厚度不均勻性均明顯差於以本發明之方法(進行兩次具有不同製程參數之預濺射)所形成氮化鋁薄膜。此外，連續進行本發明的上述濺射流程20次，其結果顯示：對於每一批次的基板而言，每個基板均具有很好的膜厚均勻性，且不同的基板之間的膜厚均勻性也很好；並且，對於不同批次的基板而言，不同批次之間的膜厚均勻性亦得到改善。換句話說，利用本發明之形成薄膜之方法，可有效地改善成膜厚度均勻性。
Figure TWI614359BD00001
Figure TWI614359BD00002
Figure TWI614359BD00003
此外，請參閱圖1、圖2C與圖3，圖3為本發明一些實施例之電子裝置的示意圖。如圖1、圖2C與圖3所示，在一些實施例中，形成氮化鋁薄膜的方法100可用於形成電子裝置30例如氮化鎵基發光二極體裝置(GaN基LED)中的氮化鋁緩衝層32。在一些實施例中，電子裝置30可包括基板31、氮化鋁緩衝層32以及氮化鎵層33。氮化鋁緩衝層32係位於基板31上，而氮化鎵層33係位於氮化鋁緩衝層32上。氮化鋁緩衝層32可由上述之方法100形成於基板31上，而氮化鎵層33則可形成於氮化鋁緩衝層32上。由於氮化鋁緩衝層32與基板31(例如藍寶石基 板)之間的晶格失配(lattice mismatch)以及熱失配(thermal mismatch)程度相對較小，故氮化鋁緩衝層32可用以改善後續於氮化鋁緩衝層32上以磊晶方式形成之氮化鎵層33的品質，進而達到提升電子裝置30性能表現的效果。舉例來說，電子裝置30可包括發光二極體裝置或其他適合之半導體電子裝置，而當電子裝置30為氮化鎵基發光二極體裝置時，電子裝置30可更包括一量子井層34形成於氮化鎵層33，此時氮化鎵層33可經處理而成為一N型摻雜氮化鎵層33N，而量子井層34上可再形成一P型摻雜氮化鎵層33P，但並不以此為限。於形成氮化鋁緩衝層32之主濺射時通入氧氣可改善後續於氮化鋁緩衝層32上形成之氮化鎵層33的成膜品質，而電子裝置30的各種電性表現可獲得改善。
綜上所述，本發明之形成薄膜的方法係於主濺射之前先於欲進行主濺射之同一腔室中，利用同一靶材進行兩次製程參數不同的預濺射，藉此達到穩定腔室內以及靶材之狀況的效果，且另一方面亦可補償以相同濺射製程參數操作時間較久時對於成膜厚度均勻性的負面影響，故可在改善成膜品質的同時達到改善成膜厚度均勻性之效果。當本發明之形成薄膜的方法用於形成氮化鋁薄膜時，由於氮化鋁薄膜的成膜品質以及厚度均勻性均有所改善，故對於後續形成於氮化鋁薄膜上的氮化鎵層的磊晶品質亦有所提升。
前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本申請案揭示內容之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本申請案揭示內容作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施方式具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本申請案揭示內容的精神與範圍，以及熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本申請案揭示內容之精神與範圍。
100‧‧‧方法
110、121、122、130、140‧‧‧步驟
SR‧‧‧濺射流程

Claims (22)

  1. 一種形成薄膜的方法，包括：將一基板置放於一承載底座上；以一靶材進行一第一預濺射；於該第一預濺射之後，利用該靶材進行一第二預濺射，其中於該第一預濺射以及該第二預濺射進行時一遮蔽盤係位於該靶材與該基板之間；於該第二預濺射之後，將該遮蔽盤移開；以及利用該靶材對該基板進行一主濺射，以於該基板上形成一薄膜，其中該第一預濺射與該第二預濺射具有不同的製程參數。
  2. 如請求項1所述之方法，其中進行該第一預濺射時所通入之氣體不同於進行該第二預濺射時所通入之氣體。
  3. 如請求項1所述之方法，其中進行該第二預濺射時所通入之氣體與進行該主濺射時所通入之氣體相同。
  4. 如請求項1所述之方法，其中進行該第一預濺射時對該靶材加載之濺射功率不同於進行該第二預濺射時對該靶材加載之濺射功率。
  5. 如請求項4所述之方法，其中進行該第二預濺射時對該靶材加載之該濺射功率小於進行該第一預濺射時對該靶材加載之該濺射功率。
  6. 如請求項4所述之方法，其中進行該第一預濺射時對該靶材加載之該濺射功率與進行該主濺射時對該靶材加載之濺射功率相同。
  7. 如請求項1所述之方法，其中於該第一預濺射之後以及該第二預 濺射之前係未對該靶材加載電源。
  8. 如請求項1所述之方法，其中於該第二預濺射之後以及該主濺射之前係未對該靶材加載電源。
  9. 如請求項8所述之方法，更包括：將該基板移至一製程位之後進行該主濺射；以及對該靶材加載電源以進行該主濺射，其中於該第二預濺射之後以及將該基板移至該製程位之前係未對該靶材加載電源。
  10. 一種形成氮化鋁薄膜的方法，包括：將一基板置放於一承載底座上；利用一含鋁靶材進行一第一預濺射；於該第一預濺射之後，利用該含鋁靶材進行一第二預濺射，其中於該第一預濺射以及該第二預濺射進行時一遮蔽盤係位於該含鋁靶材與該基板之間；於該第二預濺射之後，將該遮蔽盤移開；以及利用該含鋁靶材對該基板進行一主濺射，以於該基板上形成一氮化鋁薄膜，其中該第一預濺射與該第二預濺射具有不同的製程參數。
  11. 如請求項10所述之方法，其中進行該第一預濺射所通入之氣體不同於進行該第二預濺射時所通入之氣體。
  12. 如請求項10所述之方法，其中進行該第一預濺射時所通入之氣體包括含氮氣體以及惰性氣體。
  13. 如請求項10所述之方法，其中進行該第二預濺射時所通入之氣體包括含氮氣體、含氧氣體以及惰性氣體。
  14. 如請求項10所述之方法，其中進行該第二預濺射時所通入之氣體與進行該主濺射時所通入之氣體相同。
  15. 如請求項10所述之方法，其中進行該第一預濺射時對該含鋁靶 材加載之濺射功率不同於進行該第二預濺射時對該含鋁靶材加載之濺射功率。
  16. 如請求項15所述之方法，其中進行該第二預濺射時對該含鋁靶材加載之該濺射功率小於進行該第一預濺射時對該含鋁靶材加載之該濺射功率。
  17. 如請求項15所述之方法，其中進行該第一預濺射時對該含鋁靶材加載之該濺射功率與進行該主濺射時對該含鋁靶材加載之濺射功率相同。
  18. 如請求項15所述之方法，其中進行該第一預濺射時對該含鋁靶材加載之該濺射功率係介於2500瓦至4000瓦之間。
  19. 如請求項15所述之方法，其中進行該第二預濺射時對該含鋁靶材加載之該濺射功率係介於200瓦至4000瓦之間。
  20. 如請求項10所述之方法，其中於該第一預濺射之後以及該第二預濺射之前係未對該含鋁靶材加載電源。
  21. 如請求項10所述之方法，其中於該第二預濺射之後以及該主濺射之前係未對該含鋁靶材加載電源。
  22. 如請求項21所述之方法，更包括：將該基板移至一製程位之後進行該主濺射；以及對該含鋁靶材加載電源以進行該主濺射，其中於該第二預濺射之後以及將該基板移至該製程位之前係未對該含鋁靶材加載電源。
TW105124057A 2016-06-12 2016-07-29 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法 TWI614359B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610409464.7A CN107488828B (zh) 2016-06-12 2016-06-12 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201742937A TW201742937A (zh) 2017-12-16
TWI614359B true TWI614359B (zh) 2018-02-11

Family

ID=60641946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105124057A TWI614359B (zh) 2016-06-12 2016-07-29 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10640862B2 (zh)
KR (1) KR102010168B1 (zh)
CN (1) CN107488828B (zh)
MY (1) MY184359A (zh)
SG (1) SG11201810601PA (zh)
TW (1) TWI614359B (zh)
WO (1) WO2017215146A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110408905B (zh) * 2018-04-28 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 溅射方法
WO2020197894A1 (en) 2019-03-22 2020-10-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for deposition of multilayer device with superconductive film
WO2020197892A1 (en) * 2019-03-22 2020-10-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for deposition of metal nitrides
TWI780579B (zh) 2020-02-03 2022-10-11 美商應用材料股份有限公司 具有整合化氮化鋁晶種或波導層的超導奈米線單光子偵測器
TWI753759B (zh) 2020-02-03 2022-01-21 美商應用材料股份有限公司 具有整合化氮化鋁種晶或波導層的超導奈米線單光子偵測器
KR102430218B1 (ko) * 2020-10-20 2022-08-11 한국전자기술연구원 AlN(질화알루미늄) 박막 증착 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286202A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2001176962A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Seiko Epson Corp 半導体装置及び製造方法
JP2001308010A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
CN102251215A (zh) * 2011-07-06 2011-11-23 西南民族大学 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
TW201419574A (zh) * 2012-11-02 2014-05-16 Fitilite S Pte Ltd 半導體裝置及其製造方法以及發光二極體用之基板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0465803A (ja) * 1990-07-06 1992-03-02 Clarion Co Ltd 酸化物誘電体薄膜作成方法
JP2581300B2 (ja) * 1990-10-24 1997-02-12 日本電気株式会社 誘電体膜の製造方法
US5256266A (en) * 1991-10-31 1993-10-26 Read-Rite Corporation Alumina material useful with thin film heads
DE69526748T2 (de) * 1994-02-25 2002-09-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrat für aluminium-nitrid dünne Film und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2848480B2 (ja) * 1994-03-30 1999-01-20 株式会社デンソー 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2718471B2 (ja) 1996-02-26 1998-02-25 工業技術院長 酸化ニオブエレクトロクロミック材料の製造方法
JPH11269642A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Advanced Display Inc 薄膜の形成方法および装置
CN103103483A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 一种带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统
CN104862659B (zh) * 2015-05-22 2017-09-26 电子科技大学 一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286202A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2001176962A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Seiko Epson Corp 半導体装置及び製造方法
JP2001308010A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
CN102251215A (zh) * 2011-07-06 2011-11-23 西南民族大学 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
TW201419574A (zh) * 2012-11-02 2014-05-16 Fitilite S Pte Ltd 半導體裝置及其製造方法以及發光二極體用之基板

Also Published As

Publication number Publication date
MY184359A (en) 2021-04-01
CN107488828A (zh) 2017-12-19
US10640862B2 (en) 2020-05-05
WO2017215146A1 (zh) 2017-12-21
US20180230586A1 (en) 2018-08-16
KR102010168B1 (ko) 2019-08-12
SG11201810601PA (en) 2018-12-28
CN107488828B (zh) 2020-01-03
KR20180010210A (ko) 2018-01-30
TW201742937A (zh) 2017-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI614359B (zh) 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法
CN107492490B (zh) 半导体设备的成膜方法、氮化铝成膜方法以及电子装置
US11575071B2 (en) Oxygen controlled PVD ALN buffer for GAN-based optoelectronic and electronic devices
JP6001194B2 (ja) 窒化物半導体層の成膜方法及び半導体装置の製造方法
TWI575772B (zh) 沉積iii族氮化物半導體薄膜的方法
CN112771647B (zh) 氮化物半导体膜的形成方法
US10643843B2 (en) Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus
JP2020050963A (ja) 窒化ガリウム系膜ならびにその製造方法
TWI620829B (zh) Film forming method of semiconductor device and aluminum nitride film forming method of semiconductor device
JP2008260974A (ja) Ｇａスパッタターゲットの製造方法
JP5730326B2 (ja) Ｉｎ金属酸化物膜の形成方法
JP2019149429A (ja) 成膜方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
US11600496B2 (en) In-situ p-type activation of III-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition
CN114651084B (zh) 层叠膜结构体和其制造方法
JP2016141830A (ja) 成膜方法及び発光ダイオードの製造方法
JP2009070845A (ja) 化合物半導体デバイスおよびその製造方法