JPH01166484A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜ＥＬパネルに関するものであシ、さらに詳しく
は、薄膜ＥＬパネルの外部導出電極の構造に関するもの
である。

従来の技術 従来よりミ場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
てＸ−Ｙマトリックス表示装置が知られている。この装
置は、電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電
極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極
群に接続された給電線に依り切シ替え装置をとうして信
号を加えて、画電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ
発光体層と略称する）を発光させ（この交点の発光部分
面を絵素と称する）、発光した絵素の組み合わせに依っ
て文字記号、図形などを表示させるものである。

ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常、ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群（
透明電極群）を形成し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発
光体層、第２誘電体層を順次積層し、さらにその上に背
面電極群を下層の透明電極群に直交する配置で積層して
形成する。−般に透明電極としては平滑なガラス基板上
に酸化錫や鍋温化酸化インジウム（以下ＩＴＯと略する
）を被着し、所望の形状にパタニングするなどにより形
成される。これに直交し、対向する背面電極としてはＡ
１などの金属膜が真空蒸着などにより形成される。

そして、一般にＥＬ発光体層が湿度により劣下するため
その保護としてカバーを透光性基板に接着剤により接着
する。

また、第３図に示すように透明電極１や背面電極２に外
部駆動回路を接続する場合、それぞれの電極の端部に一
部が重畳されるように、Ａ１やＮｉの二層膜からなる外
部導出室４ｉ３を形成し、この外部導出電極３に７レキ
シプルリードをはんだ付けする方法（特開昭５７−８９
４８１号公報、特開昭５９−２７４９７号公報）や、外
部導出電極３と外部駆動回路を直接圧接により接続する
方法がある。直接圧接方式の場合は、外部導出電極３の
接触面（最上面）に用いることのできる金属は限られて
おり、ＡｕやＰｄのように酸化被膜を作りにくい材料で
あるかもしくは、ＩＴＯのように安定した材料でなけれ
ばならない。

発明が解決しようとする問題点 直接圧接方式の場合は、信頼性の面から外部導出電極の
材料としては、一般にＡｕやＰｄなどの貴金属を用いて
いるが、それらの金属は非常に高価なものでありコスト
アップにつながるという問題があり、ＩＴＯの場合は、
抵抗率が金属に比べて１〜２桁も大きく、その配線抵抗
が問題となる、また、カバーと透光性基板との接着部分
に接着強度が弱い材料（Ａ１など）が来るとカバーの接
着時に剥離してしまうという問題がある。本発明の目的
は、前記問題点を解決し、背面電極の外部導出電極の材
料として、透明電極と同じ成分であるＩＴＯ膜を最上面
に形成することにより高信頼性の接続を実現し、ＩＴＯ
の抵抗の高さを下地層に金属層を形成することにより解
決し、かつ低コストの薄膜ＥＬパネルを提供する事にあ
る。

問題点を解決するための手段 本発明によれば、透光性基板上に、透明電極、第１誘電
体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、および背面電極を
順次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、背面電極の外
部導出電極が、少なくとも２層からなる多層膜より形成
されておシかつ前記面電極と外部導出電極との接続をカ
バーと透光性基板との接着部分に触れないようにカバー
の内側で行うことにより前記問題を解決できる。

作　　用 薄膜ＥＬ素子の背面電極の外部導出電極の最上層に、透
明電極と同じ材質であるＩＴＯを用いることができるの
で素子作成時の工程が簡素化される、さらに、背面電極
と外部導出電極との接続がカバーの内側で行われるので
カバーと透光性基板との接着部分での信頼性が向上する
。

実施例 第１図は、本発明にかかる薄膜ＥＬパネルの断面構造を
、第２図は平面図を示す。第１図において、４は、透光
性基板であシ、１は、透明電極である。その上に、第１
誘電体層５、ＥＬ発光体層６、第２誘電体層７、そして
、背面電極２が形成されており、ＥＬ発光体層６を保護
するためにカバー８が透光性基板４に接着されている。

９が、接着部である。１ｏは、最上層膜であり、１１は
低抵抗膜である。それぞれ外部導出電極３の最上層およ
びその下層に形成されている。

次に、具体的な例を示す。透光性基板４は、ガラス基板
であり、コーニング７ｏ５９ガラスを用いた。なお透光
性基板４の大きさは２４０ｍｗｘ１８Ｏｆｆで厚さは２
．４ｆｆである。透光性基板４上に、真空蒸着法により
基板温度２ｏｏ℃でＮｉ膜を３００ｎｍ形成した。形成
領域は、有効表示部以外の部分でかつ背面電極２の外部
導出部分のみである。そののち直流スパッタリング法に
よりガス圧ｑ８Ｐａ（アルゴン対酸素の分圧比５：４）
で厚さ６００　ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。このときの
ＩＴＯ膜の抵抗率は２．２　Ｘ　１０−’Ω・１であっ
た。その後積層膜をフォトリソグラフィの技術によりス
トライプ状に加工した。パターン間隔３００μｍで、２
３０μｍ幅のパターンを形成した。このようにして、ス
トライプ状の透明電極１と背面電極２の外部導出電極３
を同時に形成した。その上にチタン酸ジルコン酸ストロ
ンチウム〔５ｒ（Ｔｉｘｚｒｌ−ｘ）ｏ３〕を基板温度
４ｏｏ℃でスパッタリングすることにより、厚さ８００
ｎｍの酸化物誘電体膜を第１誘電体層５として形成した
。さらにその上に共蒸着法により、基板温度２００℃で
、厚さ５００ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥ
Ｌ発光体層６を形成した。真空中で４５ｏ℃で、１時間
熱処理の後、その上にタンタル酸バリウム（ＢａＴａ２
０６）焼結体を、基板温度１５０℃でスパッタリングす
る事により厚さ２００ｎｍの酸化物誘電体膜を第２誘電
体層７として形成した。最後にその上に厚さ１５０ｎｍ
のＡ１を真空蒸着した、形成領域は、有効表示部よりも
大きな領域でかつカバー８と透光性基板４との接着部９
にかからない領域である。このようにして形成した蒸着
膜をフォトリソグラフィ技術により、透明電極１とは直
交する方向にストイブ状にし背面電極２とした。さらに
、カバー８を透光性基板４に接着した。カバー８は、コ
ーニング７ｏ５９ガラスを用いた。なお、カバー８の大
きさは２２０ｍｘ１６０１ＩＮで厚さは２．４ｍｍであ
る。

このようにして本発明の薄膜ＥＬパネルを完成した。

なお本実施例では、外部導出電極の下地の層としてＮ１
膜を用いたがこれに限定されるものではな（Ｃｕなどの
抵抗率の低い金属であればよい。

また、各積層膜の作成方法もスパッタリング法や真空蒸
着法だけに限定されるものではない。

発明の効果 以上のように本発明によれば、背面電極の外部導出電極
を多層膜構造にし最上層に透明電極と同じ材質であるＩ
ＴＯを用いる、さらにＩＴＯの抵抗率が高いので配線抵
抗を下げるために下層の膜に抵抗率の低い金属膜を用い
る、そして、外部導出電極をカバーと透光性基板の接着
部分よりもさらに内側まで形成された構造になっている
。この構造により、直接圧接方式において高信頼性の接
続を得ることができ、さらにＩＴＯの膜強度が大きいの
でカバーと透光性基板との接着部分の信頼性も向上する
、しかも外部導出電極と透明電極とを同時に形成できる
ので工程が簡素化される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる薄膜ＥＬパネルの構成を示す断
面図、第２図は同平面図、第３図は従来１・・・・・・
透明電極、２・・・・・・背面電極、３・・・・・・外
部導出電極、４・・・・・・透光性基板、５・・・・・
・第１誘電体層、６・・・・・・ＥＬ発光体層、７・・
・・・・第２誘電体層、８・・・・・・カバー、９・・
・・・・接着部、１ｏ・・・・・・最上層膜、１１・・
・・・・低抵抗膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名菓、
。　　　　　　　　３−涜都七〇′に′第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　透光性基板上に、透明電極、第１誘電体層、ＥＬ発光
   体層、第２誘電体層、および背面電極を順次積層してな
   る薄膜ＥＬ素子と、前記薄膜ＥＬ素子を覆うように透光
   性基板に接着されたカバーからなる薄膜ＥＬパネルにお
   いて、前記背面電極と前記背面電極の外部導出電極との
   接続部分が前記カバーと前記透光性基板の接着部分に触
   れずかつ前記カバーの内側に存在しており、かつ前記外
   部導出電極が少なくとも２層からなる多層膜より形成さ
   れており前記多層膜の最上層が前記透明電極と同一成分
   であり前記多層膜の下層の膜の少なくとも１層が前記最
   上層の膜の抵抗率よりも低い抵抗率を有する膜であるこ
   とを特徴とする薄膜ＥＬパネル。