JPH0666155B2 - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
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- JPH0666155B2 JPH0666155B2 JP60082868A JP8286885A JPH0666155B2 JP H0666155 B2 JPH0666155 B2 JP H0666155B2 JP 60082868 A JP60082868 A JP 60082868A JP 8286885 A JP8286885 A JP 8286885A JP H0666155 B2 JPH0666155 B2 JP H0666155B2
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は薄膜ＥＬ（Electro-Luminescence）素子など
の電極形成方法に関し、特に微細に分割された多数のリ
フトオフ法を用いて形成する方法に関する。
の電極形成方法に関し、特に微細に分割された多数のリ
フトオフ法を用いて形成する方法に関する。
従来の技術 たとえば、従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表
示装置としては、Ｘ−Ｙマトリックス表示装置が知られ
ている。この装置は電場発光層の両面に水平平行電極群
と垂直平行電極群とを互いに直交するように配置し、そ
れぞれの電極群に接続された給電線により切換装置を通
して信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層（以
下、ＥＬ発光層と略称する。）を発光させ（この交点の
発光部分面を絵素と称する。）、発光絵素の組合せによ
って文字記号，図形等を表示させるものである。ここで
用いられる固体映像表示板は、通常ガラスなどの透光性
基板上に透明平行電極群を形成し、その上にＥＬ発光層
および発光制御層を順次積層し、さらにその上に背面平
行電極群を下層の透明平行電極群に直交する配置で積層
して形成する。各電極群には給電群への接続のために引
出し端子が設けられている。一般に透明平行電極群とし
ては平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより
形成される。これに直交し、対向する背面平行電極群と
してはアルミニウムが真空蒸着などにより形成される。
この背面平行電極のパターン形成には従来メタルマスク
法が最も簡単な方法として用いられてきたが、このメタ
ルマスク法はＥＬパネルの電極などのようにパターンが
大面積化、微細化した場合にはマスクの加工精度やマス
クと基板との密着性などの問題で限界があった。
示装置としては、Ｘ−Ｙマトリックス表示装置が知られ
ている。この装置は電場発光層の両面に水平平行電極群
と垂直平行電極群とを互いに直交するように配置し、そ
れぞれの電極群に接続された給電線により切換装置を通
して信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層（以
下、ＥＬ発光層と略称する。）を発光させ（この交点の
発光部分面を絵素と称する。）、発光絵素の組合せによ
って文字記号，図形等を表示させるものである。ここで
用いられる固体映像表示板は、通常ガラスなどの透光性
基板上に透明平行電極群を形成し、その上にＥＬ発光層
および発光制御層を順次積層し、さらにその上に背面平
行電極群を下層の透明平行電極群に直交する配置で積層
して形成する。各電極群には給電群への接続のために引
出し端子が設けられている。一般に透明平行電極群とし
ては平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより
形成される。これに直交し、対向する背面平行電極群と
してはアルミニウムが真空蒸着などにより形成される。
この背面平行電極のパターン形成には従来メタルマスク
法が最も簡単な方法として用いられてきたが、このメタ
ルマスク法はＥＬパネルの電極などのようにパターンが
大面積化、微細化した場合にはマスクの加工精度やマス
クと基板との密着性などの問題で限界があった。
発明が解決しようとする問題点 前述のような欠点を改善する方法として、メタルマスク
を用いない電極パターンの形成法が考案されており、主
なものとしてはケミカルエッチ法とリフトオフ法があ
る。ケミカルエッチ法は、まず基板全面に電極膜を形成
し、その後でホトレジストを塗布して電極のパターンを
露光し不要部をケミカルにエッチングして除去するもの
である。したがって電極膜を真空蒸着にて形成するとき
に基板温度を十分高くすることができ、低抵抗で付着力
の大きい電極の形成が可能であるが、膜のピンホール等
の欠陥があると他の構成膜もエッチングしてしまうとい
う欠点があった。リフトオフ法は、まず基板に電極形成
のためのパターンをあらかじめホトレジストにて形成し
ておき、しかる後に電極膜を全面形成し、その後不要部
とホトレジストを除去するものである。この場合は膜の
ピンホール等の欠陥とは無関係に電極のパターン形成が
できるが、真空蒸着にて電極を形成する場合、ホトレジ
ストの耐熱温度（通常１００℃以下）以上に基板温度を
高くするとレジスト膜の変形や硬化が発生しパターンが
乱れる。したがって電極膜の付着力や抵抗値の点で問題
があった。
を用いない電極パターンの形成法が考案されており、主
なものとしてはケミカルエッチ法とリフトオフ法があ
る。ケミカルエッチ法は、まず基板全面に電極膜を形成
し、その後でホトレジストを塗布して電極のパターンを
露光し不要部をケミカルにエッチングして除去するもの
である。したがって電極膜を真空蒸着にて形成するとき
に基板温度を十分高くすることができ、低抵抗で付着力
の大きい電極の形成が可能であるが、膜のピンホール等
の欠陥があると他の構成膜もエッチングしてしまうとい
う欠点があった。リフトオフ法は、まず基板に電極形成
のためのパターンをあらかじめホトレジストにて形成し
ておき、しかる後に電極膜を全面形成し、その後不要部
とホトレジストを除去するものである。この場合は膜の
ピンホール等の欠陥とは無関係に電極のパターン形成が
できるが、真空蒸着にて電極を形成する場合、ホトレジ
ストの耐熱温度（通常１００℃以下）以上に基板温度を
高くするとレジスト膜の変形や硬化が発生しパターンが
乱れる。したがって電極膜の付着力や抵抗値の点で問題
があった。
そこで本発明は従来のリフトオフ法を用いて形成した電
極より抵抗が低く、付着強度の大きい電極を形成する方
法を提供することを目的とする。
極より抵抗が低く、付着強度の大きい電極を形成する方
法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、電極形成のための
パターンがあらかじめホトレジストにより形成されてい
る基板に、基板温度が室温から１００℃以下にて蒸着に
より金属膜を形成し、さらにその上に基板温度を１５０
℃から４００℃以下にて蒸着より金属膜を形成し、しか
る後に前記ホトレジストを除去する。
パターンがあらかじめホトレジストにより形成されてい
る基板に、基板温度が室温から１００℃以下にて蒸着に
より金属膜を形成し、さらにその上に基板温度を１５０
℃から４００℃以下にて蒸着より金属膜を形成し、しか
る後に前記ホトレジストを除去する。
作用 本発明は上記した構成により、電極形成のためのパター
ンがあらかじめホトレジストにて形成されている基板
に、ホトレジストの耐熱温度を越えない室温から１００
℃以下の基板温度にて蒸着により金属膜を形成し、つぎ
に金属板の抵抗が下がるように基板温度を１５０℃から
４００℃以下にして再度重ねて金属膜を蒸着することに
より、パターンの乱れがなくしかも従来より低抵抗、高
付着力の電極を実現することができる。
ンがあらかじめホトレジストにて形成されている基板
に、ホトレジストの耐熱温度を越えない室温から１００
℃以下の基板温度にて蒸着により金属膜を形成し、つぎ
に金属板の抵抗が下がるように基板温度を１５０℃から
４００℃以下にして再度重ねて金属膜を蒸着することに
より、パターンの乱れがなくしかも従来より低抵抗、高
付着力の電極を実現することができる。
実施例 第１図，第２図は、本発明にかかる電極の形成方法を用
いた薄膜ＥＬ素子の製造における一実施例を示したもの
である。本発明にかかる電極の形成方法を用いた薄膜Ｅ
Ｌ素子は以下のようにして製造される。縦１２０mm、横
２２０mm、厚さ２mmの透明なガラス基板１上に電子ビー
ム蒸着法にて厚さ３０００ÅのＩＴＯ膜を基板全面に形
成する。その後写真食刻法にて透明電極２をパターン形
成する。その上に厚さ５０００Åの酸化イットリウム膜
３、厚さ４０００Åのマンガン付活硫化亜鉛膜４、厚さ
５０００Åの酸化イットリウム膜５の各層の膜を電子ビ
ーム蒸着法にて順次積層して形成する。その後ホトレジ
ストを全面に塗布し、背面電極のパターンを露光し、背
面電極部のみが酸化イットリウム膜５に形成されるよう
不要なホトレジストを除去してレジスト膜６を形成す
る。この基板を真空蒸着装置（図面は省略）内にセット
し基板温度を室温として電子ビーム蒸着法にて第１のア
ルミニウム膜７を厚さ１０００Å形成した。さらにひき
つづいて基板温度が２００℃になるように蒸着面の方向
よりランプで加熱を行ない電子ビーム蒸着法にて第２の
アルミニウム膜８を形成した。この後レジスト膜６を除
去することによりアルミニウムの背面電極が完成し、薄
膜ＥＬ素子が製造された。このようにして形成されたア
ルミニウムの背面電極の抵抗を基板温度室温で同じ電子
ビーム蒸着法で形成した厚さ２０００Åの電極の抵抗と
比べると約半分に下がっており、しかも付着強度も大で
あった。またホトレジストの乱れによる電極のパターン
の乱れもなく通常のリフトオフの手法がそのまま使用で
きた。
いた薄膜ＥＬ素子の製造における一実施例を示したもの
である。本発明にかかる電極の形成方法を用いた薄膜Ｅ
Ｌ素子は以下のようにして製造される。縦１２０mm、横
２２０mm、厚さ２mmの透明なガラス基板１上に電子ビー
ム蒸着法にて厚さ３０００ÅのＩＴＯ膜を基板全面に形
成する。その後写真食刻法にて透明電極２をパターン形
成する。その上に厚さ５０００Åの酸化イットリウム膜
３、厚さ４０００Åのマンガン付活硫化亜鉛膜４、厚さ
５０００Åの酸化イットリウム膜５の各層の膜を電子ビ
ーム蒸着法にて順次積層して形成する。その後ホトレジ
ストを全面に塗布し、背面電極のパターンを露光し、背
面電極部のみが酸化イットリウム膜５に形成されるよう
不要なホトレジストを除去してレジスト膜６を形成す
る。この基板を真空蒸着装置（図面は省略）内にセット
し基板温度を室温として電子ビーム蒸着法にて第１のア
ルミニウム膜７を厚さ１０００Å形成した。さらにひき
つづいて基板温度が２００℃になるように蒸着面の方向
よりランプで加熱を行ない電子ビーム蒸着法にて第２の
アルミニウム膜８を形成した。この後レジスト膜６を除
去することによりアルミニウムの背面電極が完成し、薄
膜ＥＬ素子が製造された。このようにして形成されたア
ルミニウムの背面電極の抵抗を基板温度室温で同じ電子
ビーム蒸着法で形成した厚さ２０００Åの電極の抵抗と
比べると約半分に下がっており、しかも付着強度も大で
あった。またホトレジストの乱れによる電極のパターン
の乱れもなく通常のリフトオフの手法がそのまま使用で
きた。
本実施例では基板を加熱するのにランプを用いて蒸着面
方向から加熱したが、これは第１のアルミニウム膜が赤
外反射膜として作用するためレジスト膜の温度上昇を押
えるためである。したがってランプ以外の熱源でも効果
は同じであるが、蒸着面の反対側から加熱を行なった場
合は若干効果は小さくなる。また電極の材料はアルミニ
ウムに限るものではないことは明らかであり、他にAu,A
g,Cr,Niなどが考えられる。
方向から加熱したが、これは第１のアルミニウム膜が赤
外反射膜として作用するためレジスト膜の温度上昇を押
えるためである。したがってランプ以外の熱源でも効果
は同じであるが、蒸着面の反対側から加熱を行なった場
合は若干効果は小さくなる。また電極の材料はアルミニ
ウムに限るものではないことは明らかであり、他にAu,A
g,Cr,Niなどが考えられる。
第１，第２のアルミニウム膜の厚さの比もとくに限定さ
れるものではないが、第１の膜が厚い程熱しゃへいの効
果は大であり、第２の膜が厚い程抵抗値降下の効果は大
きい。またアルミニウムの蒸着には電子ビーム蒸着法を
用いたが、他の方法たとえば抵抗加熱法でも全く同じ効
果であることは言うまでもなく、薄膜ＥＬ素子以外の表
示素子などの電極の形成にも何らさしつかえなく使用で
きる。
れるものではないが、第１の膜が厚い程熱しゃへいの効
果は大であり、第２の膜が厚い程抵抗値降下の効果は大
きい。またアルミニウムの蒸着には電子ビーム蒸着法を
用いたが、他の方法たとえば抵抗加熱法でも全く同じ効
果であることは言うまでもなく、薄膜ＥＬ素子以外の表
示素子などの電極の形成にも何らさしつかえなく使用で
きる。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、きわめて簡易
な構成で微細で低抵抗かつ付着強度の大きい電極を形成
することができ、実用的にきわめて有用である。
な構成で微細で低抵抗かつ付着強度の大きい電極を形成
することができ、実用的にきわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例における電極の形成方法を説
明するための平面図、第２図はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３，５……酸化イ
ットリウム膜、４……マンガン付活硫化亜鉛膜、６……
レジスト膜、７……第１のアルミニウム膜、８……第２
のアルミニウム膜。
明するための平面図、第２図はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３，５……酸化イ
ットリウム膜、４……マンガン付活硫化亜鉛膜、６……
レジスト膜、７……第１のアルミニウム膜、８……第２
のアルミニウム膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松岡 富造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阿部 惇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−154107（ＪＰ，Ａ) 特公 昭46−34548（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (2)
- 【請求項１】電極形成のためのパターンがあらかじめホ
トレジストにより形成されている基板に、基板温度が室
温から１００℃以下にて蒸着により金属膜を形成し、さ
らにその上に基板温度を１５０℃から４００℃以下にて
蒸着により金属膜を形成し、しかるのちに前記ホトレジ
ストを除去する工程を含む電極の形成方法。 - 【請求項２】基板の加熱が、前記基板の蒸着面方向より
行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082868A JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082868A JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241925A JPS61241925A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0666155B2 true JPH0666155B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=13786289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082868A Expired - Fee Related JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666155B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69319993T2 (de) * | 1992-09-22 | 1998-12-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Methode zur Herstellung eines Metallkontaktes |
| JP7232502B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2023-03-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 微細金属バンプの形成方法及び微細金属バンプ |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP60082868A patent/JPH0666155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61241925A (ja) | 1986-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |