JP2568837B2 - 耐熱性黒色電極およびその製造方法 - Google Patents
耐熱性黒色電極およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、螢光表示管（以下、VFDと略称する）の配
線電極や薄膜EL表示素子の背面電極などに用いて好適な
耐熱性黒色電極およびその製造方法に関するものであ
る。
線電極や薄膜EL表示素子の背面電極などに用いて好適な
耐熱性黒色電極およびその製造方法に関するものであ
る。
電気の良導体であるAlは、VFDの配線・電極材料や薄
膜EL表示素子の背面電極材料として広く用いられてい
る。しかし、Al電極の表面は光の反射率が極めて高いの
で、これを用いた前記表示素子においては、表示面に外
光の反射によるギラツキを生じ易いという欠点がある。
このAl電極の欠点を改善するものとして、近年これらの
素子においては黒色電極の採用が試みられている。この
とき、黒色電極の材料としては、C,AsSe,SiGeあるいはA
l,In,Cr,Mn,Meなどの酸化物膜が提案されている。
膜EL表示素子の背面電極材料として広く用いられてい
る。しかし、Al電極の表面は光の反射率が極めて高いの
で、これを用いた前記表示素子においては、表示面に外
光の反射によるギラツキを生じ易いという欠点がある。
このAl電極の欠点を改善するものとして、近年これらの
素子においては黒色電極の採用が試みられている。この
とき、黒色電極の材料としては、C,AsSe,SiGeあるいはA
l,In,Cr,Mn,Meなどの酸化物膜が提案されている。
しかしながら、これらの黒色材料とAl電極を積層した
黒色電極は、付着力が弱く、また耐熱性に乏しい。しか
も、エツチングによるパターニングが難しく、製造工程
が繁雑になる等の欠点があつた。
黒色電極は、付着力が弱く、また耐熱性に乏しい。しか
も、エツチングによるパターニングが難しく、製造工程
が繁雑になる等の欠点があつた。
本発明は上記した従来の欠点に鑑み、表示素子、特に
電子による螢光体の励起面の反対側（基板側）から見る
タイプのVFDにおける表示面のギラツキを低減して、そ
の表示品位を向上させるためになされもので、VFDなど
の製造工程における熱処理に耐え得る耐熱性の高い、か
つパターニング性の良好な黒色電極およびその製造方法
を提供することを目的とするものである。
電子による螢光体の励起面の反対側（基板側）から見る
タイプのVFDにおける表示面のギラツキを低減して、そ
の表示品位を向上させるためになされもので、VFDなど
の製造工程における熱処理に耐え得る耐熱性の高い、か
つパターニング性の良好な黒色電極およびその製造方法
を提供することを目的とするものである。
本発明に係る黒色電極は、透光性絶縁基板上に、耐熱
性金属の中にAlの酸化物を含んだ黒色薄膜を形成したう
え、その上にAl薄膜を積層してこれら２層薄膜から構成
してなるものである。
性金属の中にAlの酸化物を含んだ黒色薄膜を形成したう
え、その上にAl薄膜を積層してこれら２層薄膜から構成
してなるものである。
また、透光性絶縁基板上に、耐熱性金属の酸化物の中
にAlを含んだ黒色薄膜を形成したうえ、その上にAl薄膜
を積層してこれら２層薄膜から構成してなるものであ
る。
にAlを含んだ黒色薄膜を形成したうえ、その上にAl薄膜
を積層してこれら２層薄膜から構成してなるものであ
る。
また、耐熱性金属およびその酸化物は、Ti,Cr,Mn,Zr,
Mo,Wのうち少なくとも１つまたはその酸化物のうち少な
くとも１つを主なる構成材料とするものである。
Mo,Wのうち少なくとも１つまたはその酸化物のうち少な
くとも１つを主なる構成材料とするものである。
また、耐熱性金属板とAlの酸化物とからなる複合ター
ゲットを用いてガスでスパッタを行って、透光性絶縁基
板上に耐熱性金属の中にAlの酸化物を含んだ黒色薄膜を
形成し、続いて、Alからなるターゲットを用いてガスで
スパッタを行って、前記黒色薄膜上にAl薄膜を形成する
ものである。
ゲットを用いてガスでスパッタを行って、透光性絶縁基
板上に耐熱性金属の中にAlの酸化物を含んだ黒色薄膜を
形成し、続いて、Alからなるターゲットを用いてガスで
スパッタを行って、前記黒色薄膜上にAl薄膜を形成する
ものである。
したがつて、本発明においては、黒色薄膜とAl薄膜と
の付着力に優れ、VFDなどの表示素子の熱工程（空気
中、580℃）に耐え得る耐熱性を有し、しかも従来と同
じAlのエツチヤントで良好なパターニングを行うことが
できる。
の付着力に優れ、VFDなどの表示素子の熱工程（空気
中、580℃）に耐え得る耐熱性を有し、しかも従来と同
じAlのエツチヤントで良好なパターニングを行うことが
できる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳述する。
実施例1. 第１図は本発明の一実施例を示す主要断面図であり、
ここでは、基板側から発光を観察するタイプのVFD用ガ
ラス基板上に本発明による黒色電極を作製した場合を示
す。すなわち、この実施例ではスパツタリング用のター
ゲツトとして、第２図に示すようなAl板１にMo酸化物２
を埋め込んだ複合ターゲツト３を用い、上記VFD用ガラ
ス基板11上に通常のスパツタ法にて膜厚約500ÅのMoOx:
Al黒色薄膜12を形成した。このとき、複合ターゲツト３
表面のMo酸化物２の占有面積は約50％であり、スパツタ
ガスにはArを用いた。
ここでは、基板側から発光を観察するタイプのVFD用ガ
ラス基板上に本発明による黒色電極を作製した場合を示
す。すなわち、この実施例ではスパツタリング用のター
ゲツトとして、第２図に示すようなAl板１にMo酸化物２
を埋め込んだ複合ターゲツト３を用い、上記VFD用ガラ
ス基板11上に通常のスパツタ法にて膜厚約500ÅのMoOx:
Al黒色薄膜12を形成した。このとき、複合ターゲツト３
表面のMo酸化物２の占有面積は約50％であり、スパツタ
ガスにはArを用いた。
次いで、このMoOx:Al黒色薄膜12の上に、従来と同じA
lスパツタ工程で、1.5μｍ厚のAl薄膜13を積層形成し
て、これら２層薄膜からなる黒色電極14を構成する。し
かる後、この黒色電極付き基板を従来と同じVFD製造工
程に流して、VFDを製造したところ、前記黒色電極14の
反射率は約５〜10％であり、従来の黒色電極で生じてい
た熱工程での電極の白色化，剥がれ，導通不良，エツチ
ング不良などは全く発生しなかつた。
lスパツタ工程で、1.5μｍ厚のAl薄膜13を積層形成し
て、これら２層薄膜からなる黒色電極14を構成する。し
かる後、この黒色電極付き基板を従来と同じVFD製造工
程に流して、VFDを製造したところ、前記黒色電極14の
反射率は約５〜10％であり、従来の黒色電極で生じてい
た熱工程での電極の白色化，剥がれ，導通不良，エツチ
ング不良などは全く発生しなかつた。
実施例2. 次に、Mo板上にAl酸化物の小片を面積比で約40％置い
た複合ターゲツトを用いて、Arガスでスパツタして約50
0ÅのAl2O3:Mo黒色薄膜を形成した。続いて、その上にA
lをターゲツトとしてArガスでスパツタし、1.5μｍのAl
薄膜を積層して黒色電極を形成した。この電極を従来と
同じリン酸系Alエツチヤントでパターニングしたとこ
ろ、従来の黒色電極で発生していた膜の剥がれ、電極パ
ターンの乱れなどはなく、反射率は５〜10％であつた。
た複合ターゲツトを用いて、Arガスでスパツタして約50
0ÅのAl2O3:Mo黒色薄膜を形成した。続いて、その上にA
lをターゲツトとしてArガスでスパツタし、1.5μｍのAl
薄膜を積層して黒色電極を形成した。この電極を従来と
同じリン酸系Alエツチヤントでパターニングしたとこ
ろ、従来の黒色電極で発生していた膜の剥がれ、電極パ
ターンの乱れなどはなく、反射率は５〜10％であつた。
なお、発明者らの実験によれば、本発明で用いる黒色
薄膜は、複合ターゲツトにAl,Al酸化物,MoおよびMo酸化
物のうち少くとも１つを含ませることにより、リン酸系
Alエツチヤントでエツチングが可能であり、従来のパタ
ーニング工程を変更する必要はなく、また、Ti,Cr,Mn,Z
r,Mo,W,Siおよびこれらの酸化物のうち少くとも１つを
含ませることにより、耐熱性の優れた黒色電極が作製で
きた。
薄膜は、複合ターゲツトにAl,Al酸化物,MoおよびMo酸化
物のうち少くとも１つを含ませることにより、リン酸系
Alエツチヤントでエツチングが可能であり、従来のパタ
ーニング工程を変更する必要はなく、また、Ti,Cr,Mn,Z
r,Mo,W,Siおよびこれらの酸化物のうち少くとも１つを
含ませることにより、耐熱性の優れた黒色電極が作製で
きた。
以上説明したように本発明によれば、VFDなどの表示
素子の製造工程における熱処理に耐え得る耐熱性の高
い、しかもパターニング性に優れた黒色電極が得られ
る。したがつて、本発明による黒色電極を配線電極に用
いることにより、表示品位の優れた螢光体の電子励起面
の反対側から見るタイプのVFDを安価に提供することが
できると共に、そのVFD以外の他の表示素子、例えば薄
膜EL表示素子の背面電極に用いた場合にも同様の効果を
得ることができる。
素子の製造工程における熱処理に耐え得る耐熱性の高
い、しかもパターニング性に優れた黒色電極が得られ
る。したがつて、本発明による黒色電極を配線電極に用
いることにより、表示品位の優れた螢光体の電子励起面
の反対側から見るタイプのVFDを安価に提供することが
できると共に、そのVFD以外の他の表示素子、例えば薄
膜EL表示素子の背面電極に用いた場合にも同様の効果を
得ることができる。
第１図は本発明による黒色電極の一実施例を示す主要断
面図、第２図は上記実施例において用いた複合ターゲツ
トの一例を示す平面図である。 １……Al板、２……Mo酸化物、３……複合ターゲツト、
11……ガラス基板、12……MoOx:Al黒色薄膜、13……Al
薄膜、14……黒色電極。
面図、第２図は上記実施例において用いた複合ターゲツ
トの一例を示す平面図である。 １……Al板、２……Mo酸化物、３……複合ターゲツト、
11……ガラス基板、12……MoOx:Al黒色薄膜、13……Al
薄膜、14……黒色電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下条 徳英 伊勢市上野町字和田700番地 伊勢電子 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−115137（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−50862（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−213245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−97238（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に、耐熱性金属の中にAl
の酸化物を含んだ黒色薄膜を形成したうえ、その上にAl
薄膜を積層してこれら２層薄膜から構成してなることを
特徴とする耐熱性黒色電極。 - 【請求項２】耐熱性金属は、Ti,Cr,Mn,Zr,Mo,Wのうち少
なくとも１つを主なる構成材料とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の耐熱性黒色電極。 - 【請求項３】透光性絶縁基板上に、耐熱性金属の酸化物
の中にAlを含んだ黒色薄膜を形成したうえ、その上にAl
薄膜を積層してこれら２層薄膜から構成してなることを
特徴とする耐熱性黒色電極。 - 【請求項４】耐熱性金属の酸化物は、Ti,Cr,Mn,Zr,Mo,W
の酸化物のうち少なくとも１つを主なる構成材料とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の耐熱性黒
色電極。 - 【請求項５】耐熱性金属板とAlの酸化物とからなる複合
ターゲットを用いてガスでスパッタを行って、透光性絶
縁基板上に耐熱性金属の中にAlの酸化物を含んだ黒色薄
膜を形成し、続いて、Alからなるターゲットを用いてガ
スでスパッタを行って、前記黒色薄膜上にAl薄膜を形成
することを特徴とする耐熱性黒色電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074449A JP2568837B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074449A JP2568837B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241846A JPS63241846A (ja) | 1988-10-07 |
| JP2568837B2 true JP2568837B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=13547556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074449A Expired - Fee Related JP2568837B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568837B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015071505A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法及び製造装置 |
| JP6652740B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2020-02-26 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板の製造方法 |
| CN107833934B (zh) * | 2017-12-11 | 2023-12-19 | 浙江宝利特新能源股份有限公司 | 一种用于光伏组件的膜及光伏组件和制备方法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62074449A patent/JP2568837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63241846A (ja) | 1988-10-07 |
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