JPH09213479A - Ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09213479A JPH09213479A JP8015069A JP1506996A JPH09213479A JP H09213479 A JPH09213479 A JP H09213479A JP 8015069 A JP8015069 A JP 8015069A JP 1506996 A JP1506996 A JP 1506996A JP H09213479 A JPH09213479 A JP H09213479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- back electrode
- metal film
- metal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 121
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 121
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 33
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 257
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- YNKVVRHAQCDJQM-UHFFFAOYSA-P diazanium dinitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YNKVVRHAQCDJQM-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部光または周囲光の反射を防ぎ、高コント
ラストのＥＬ素子を提供する。 【解決手段】 ＥＬ素子の背面電極６として、Ｃｒ金属
膜６ｂとＣｒの酸化膜であるＣｒ2Ｏ3-x膜６ａとを積層
した積層膜を用いることにより、背面電極６での光吸収
効果を増加させ、外部光または周囲光の反射を抑制して
コントラストを向上させる。
ラストのＥＬ素子を提供する。 【解決手段】 ＥＬ素子の背面電極６として、Ｃｒ金属
膜６ｂとＣｒの酸化膜であるＣｒ2Ｏ3-x膜６ａとを積層
した積層膜を用いることにより、背面電極６での光吸収
効果を増加させ、外部光または周囲光の反射を抑制して
コントラストを向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＡ・ＦＡ機器等
の表示装置として用いられるＥＬ素子に関するものであ
る。
の表示装置として用いられるＥＬ素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＯＡ・ＦＡ機器等の表示装置とし
て用いられるＥＬ素子としては、例えば図７に示すよう
な３層構造のものが知られている。また、図８に、この
従来技術によるＥＬ素子の断面図を示す。
て用いられるＥＬ素子としては、例えば図７に示すよう
な３層構造のものが知られている。また、図８に、この
従来技術によるＥＬ素子の断面図を示す。
【０００３】図８に示されるように、従来のＥＬ素子
は、ガラスから成る透明基板２１上にＩＴＯ（Indium T
in Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る帯状の透明
電極２２を間隔をおいて平行にパターン形成し、この上
にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の酸化物、また
はＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜２３と、Ｚｎ
Ｓ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等から成る母材に発光中心として
Ｍｎ等を微量に添加した組成を有する発光層２４と、前
記酸化物または窒化物から成る第２絶縁膜２５とを順に
形成し、さらにこの上に、前記透明電極２と直交する方
向にＡｌから成る帯状の背面電極２６を間隔を置いて平
行にパターン形成していた。また、前記透明電極２２に
は、駆動用の信号を入力するための端子電極２７が形成
されていた。
は、ガラスから成る透明基板２１上にＩＴＯ（Indium T
in Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る帯状の透明
電極２２を間隔をおいて平行にパターン形成し、この上
にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の酸化物、また
はＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜２３と、Ｚｎ
Ｓ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等から成る母材に発光中心として
Ｍｎ等を微量に添加した組成を有する発光層２４と、前
記酸化物または窒化物から成る第２絶縁膜２５とを順に
形成し、さらにこの上に、前記透明電極２と直交する方
向にＡｌから成る帯状の背面電極２６を間隔を置いて平
行にパターン形成していた。また、前記透明電極２２に
は、駆動用の信号を入力するための端子電極２７が形成
されていた。
【０００４】このようにして製造されたＥＬ素子は、透
明電極２２及び背面電極２６に選択的に電圧を印加する
ことにより両電極２２，２６の交差部分の発光層２４を
ドット状に任意の組み合わせで発光させて、所望のドッ
トマトリクス表示を行うことができる。
明電極２２及び背面電極２６に選択的に電圧を印加する
ことにより両電極２２，２６の交差部分の発光層２４を
ドット状に任意の組み合わせで発光させて、所望のドッ
トマトリクス表示を行うことができる。
【０００５】従来から、背面電極としてＡｌを用いてい
たのは以下の理由による。ＥＬ素子の背面電極は、図９
のように１本おきに互いに反対方向へ引き出されている
ため、電極ライン先端部の輝度は電極の電気抵抗によっ
て根元部より低下し、１ラインおきに明るい部分と暗い
部分ができるいわゆる串差し状の輝度ムラが生じ表示品
位が低下する。目視でこの輝度ムラが問題とならないよ
うにするためには、前述隣接ライン間の輝度差を１０％
以下とすることが必要である。図１０は背面電極の面抵
抗値と、該背面電極の先端部における発光輝度の、根元
部の発光輝度に対する低下率を示した図である。この図
より、目視で輝度ムラが問題とならないようにさせるた
めには、前記背面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に
する必要がある。このため、背面電極としては、抵抗値
の小さな金属が用いられていた。なお、ここで言う面抵
抗とは、物質固有の抵抗値である比抵抗（Ω・ｃｍ）を
膜厚（ｃｍ）で割ったものである。
たのは以下の理由による。ＥＬ素子の背面電極は、図９
のように１本おきに互いに反対方向へ引き出されている
ため、電極ライン先端部の輝度は電極の電気抵抗によっ
て根元部より低下し、１ラインおきに明るい部分と暗い
部分ができるいわゆる串差し状の輝度ムラが生じ表示品
位が低下する。目視でこの輝度ムラが問題とならないよ
うにするためには、前述隣接ライン間の輝度差を１０％
以下とすることが必要である。図１０は背面電極の面抵
抗値と、該背面電極の先端部における発光輝度の、根元
部の発光輝度に対する低下率を示した図である。この図
より、目視で輝度ムラが問題とならないようにさせるた
めには、前記背面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に
する必要がある。このため、背面電極としては、抵抗値
の小さな金属が用いられていた。なお、ここで言う面抵
抗とは、物質固有の抵抗値である比抵抗（Ω・ｃｍ）を
膜厚（ｃｍ）で割ったものである。
【０００６】ところで、上述した構成のＥＬ素子におい
ては、構成している第１，第２絶縁膜２３，２５、及び
発光層２４の透明度が高く、また、背面電極２６として
用いられるＡｌの反射率が高いため、外部光または周囲
光が入射した場合、前記背面電極２６による反射が生
じ、発光部と非発光部とのコントラスト比が低下してし
まう。特に屋外などの明るい場所では、このコントラス
ト比の低下が顕著であり、表示装置としての品位が損な
われていた。例えば、本発明者等の実験によれば、直下
照度５００ｌｘにおいて、１２：１のコントラスト比し
か得られなかった。
ては、構成している第１，第２絶縁膜２３，２５、及び
発光層２４の透明度が高く、また、背面電極２６として
用いられるＡｌの反射率が高いため、外部光または周囲
光が入射した場合、前記背面電極２６による反射が生
じ、発光部と非発光部とのコントラスト比が低下してし
まう。特に屋外などの明るい場所では、このコントラス
ト比の低下が顕著であり、表示装置としての品位が損な
われていた。例えば、本発明者等の実験によれば、直下
照度５００ｌｘにおいて、１２：１のコントラスト比し
か得られなかった。
【０００７】このため従来より、この外部光または周囲
光の反射を抑制し、コントラスト比を向上させる目的
で、前記表示素子前面に透過率を減少させるスモーク色
のフィルタを設置したり、金属反射をカットする効果を
有する円偏向フィルタを設置することが行われていた。
光の反射を抑制し、コントラスト比を向上させる目的
で、前記表示素子前面に透過率を減少させるスモーク色
のフィルタを設置したり、金属反射をカットする効果を
有する円偏向フィルタを設置することが行われていた。
【０００８】また、特公昭６３−１５７１９号公報で
は、前記背面電極２６そのものを、二硫化モリブデンま
たはモリブデナイト等の光吸収係数の大きいもので形成
することによって、背面電極２６による外部光または周
囲光の反射を抑制することが開示されている。また、特
公昭６０−１６０７７号公報では、二硫化モリブデンま
たはモリブデナイト等の光吸収係数の大きいものとＡｌ
金属膜とを積層して背面電極２６を形成することによっ
て、背面電極２６による外部光または周囲光の反射を抑
制することが開示されている。
は、前記背面電極２６そのものを、二硫化モリブデンま
たはモリブデナイト等の光吸収係数の大きいもので形成
することによって、背面電極２６による外部光または周
囲光の反射を抑制することが開示されている。また、特
公昭６０−１６０７７号公報では、二硫化モリブデンま
たはモリブデナイト等の光吸収係数の大きいものとＡｌ
金属膜とを積層して背面電極２６を形成することによっ
て、背面電極２６による外部光または周囲光の反射を抑
制することが開示されている。
【０００９】また、特公昭６０−１６０７８号公報で
は、ＥＬ発光層と背面電極との間に、ＰｂＴｅ，ＰｂＳ
ｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＳｅ，Ｓｉ，Ｇｅ等の黒化膜を形成
し、背面電極のさらに背面側に黒色樹脂から成る黒色背
景膜を形成することによって、背面電極２６による外部
光または周囲光の反射を抑制することが開示されてい
る。
は、ＥＬ発光層と背面電極との間に、ＰｂＴｅ，ＰｂＳ
ｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＳｅ，Ｓｉ，Ｇｅ等の黒化膜を形成
し、背面電極のさらに背面側に黒色樹脂から成る黒色背
景膜を形成することによって、背面電極２６による外部
光または周囲光の反射を抑制することが開示されてい
る。
【００１０】また、特公昭５８−２０４６８号公報、特
公昭５８−２５２７０号公報、特公昭５８−２７５０６
号公報では、ＥＬ発光層と背面電極との間にＡｌ2Ｏ3-x
を形成することによって、背面電極２６による外部光ま
たは周囲光の反射を抑制することが開示されている。
公昭５８−２５２７０号公報、特公昭５８−２７５０６
号公報では、ＥＬ発光層と背面電極との間にＡｌ2Ｏ3-x
を形成することによって、背面電極２６による外部光ま
たは周囲光の反射を抑制することが開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術のうち、二硫化モリブデン、モリブデナイ
ト、及びＰｂＴｅ，ＰｂＳｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＳｅ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ等の黒化膜は、材料単体で黒色が得られるもの
の、材料の比抵抗値が高く、前述した面抵抗値を満足す
るためには１μｍ以上の厚膜が必要となり、材料コスト
・成膜コストが高くなっしまうという問題点があった。
特に、二硫化モリブデンを用いる場合は、成膜時にＨ2
Ｓ等の有毒なガスを必要としていた。
た従来技術のうち、二硫化モリブデン、モリブデナイ
ト、及びＰｂＴｅ，ＰｂＳｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＳｅ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ等の黒化膜は、材料単体で黒色が得られるもの
の、材料の比抵抗値が高く、前述した面抵抗値を満足す
るためには１μｍ以上の厚膜が必要となり、材料コスト
・成膜コストが高くなっしまうという問題点があった。
特に、二硫化モリブデンを用いる場合は、成膜時にＨ2
Ｓ等の有毒なガスを必要としていた。
【００１２】さらに、ＥＬ発光層と背面電極との間にＡ
ｌ2Ｏ3-xを形成した場合では、本発明者等の実験によれ
ば、直下照度５００ｌｘにおいてコントラスト比が２
２：１しか得られなかった。これは、Ａｌ薄膜が極めて
酸化され易い物質であるため、その酸化度の制御が難し
く、これによって光吸収スペクトルが安定せず、膜の黒
化度（色調）を再現性良く均一に得ることが難しいため
である。また、外部光または周囲光の反射を十分抑制す
るためには、Ａｌ2Ｏ3-x膜，Ａｌ金属膜の多層構造を５
層以上とする必要があり、成膜時間がかかりコストが高
くなってしまうという問題点を有している。
ｌ2Ｏ3-xを形成した場合では、本発明者等の実験によれ
ば、直下照度５００ｌｘにおいてコントラスト比が２
２：１しか得られなかった。これは、Ａｌ薄膜が極めて
酸化され易い物質であるため、その酸化度の制御が難し
く、これによって光吸収スペクトルが安定せず、膜の黒
化度（色調）を再現性良く均一に得ることが難しいため
である。また、外部光または周囲光の反射を十分抑制す
るためには、Ａｌ2Ｏ3-x膜，Ａｌ金属膜の多層構造を５
層以上とする必要があり、成膜時間がかかりコストが高
くなってしまうという問題点を有している。
【００１３】以上のように、従来技術にて背面電極を黒
色化する場合、黒化度を均一に再現性良くしかも低コス
トで実現することが困難であった。
色化する場合、黒化度を均一に再現性良くしかも低コス
トで実現することが困難であった。
【００１４】また、上述した従来技術のうち、ＥＬ素子
全面にスモーク色のフィルタ或いは円偏向フィルタを設
ける方法は、本発明者等の実験によれば、直下照度５０
０ｌｘにおいて４８：１のコントラスト比が得られたも
のの、発光部から非発光部への光の滲みが観測されるた
め鮮明な表示が得られず、コントラスト向上に最も適し
た方法とはいえない。
全面にスモーク色のフィルタ或いは円偏向フィルタを設
ける方法は、本発明者等の実験によれば、直下照度５０
０ｌｘにおいて４８：１のコントラスト比が得られたも
のの、発光部から非発光部への光の滲みが観測されるた
め鮮明な表示が得られず、コントラスト向上に最も適し
た方法とはいえない。
【００１５】本発明は上記の問題点に鑑み、背面電極の
光吸収率を均一に高くすることによって、コントラスト
の高いＥＬ素子を低コストで提供することを目的とする
ものである。
光吸収率を均一に高くすることによって、コントラスト
の高いＥＬ素子を低コストで提供することを目的とする
ものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ素子は、透
明電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベ
ルの電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記
背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜，Ｃｒ金属膜
の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とするも
のである。
明電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベ
ルの電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記
背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜，Ｃｒ金属膜
の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とするも
のである。
【００１７】さらに、前記背面電極として用いられるＣ
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することを
特徴とするものである。
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することを
特徴とするものである。
【００１８】また、本発明のＥＬ素子は、透明電極と背
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ，ＮｉまたはＭｏ
等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いるこ
とを特徴とするものである。
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ，ＮｉまたはＭｏ
等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いるこ
とを特徴とするものである。
【００１９】また、本発明のＥＬ素子は、透明電極と背
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の順に積層
して成る積層膜を用いることを特徴とするものである。
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の順に積層
して成る積層膜を用いることを特徴とするものである。
【００２０】さらに、前記背面電極として用いられるＭ
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することを特徴とするも
のである。
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することを特徴とするも
のである。
【００２１】また、本発明のＥＬ素子は、透明電極と背
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属膜とをこ
の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とするも
のである。
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属膜とをこ
の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とするも
のである。
【００２２】本発明のＥＬ素子の製造方法は、透明基板
上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成する工
程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物から成
る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上にＣｒ
またはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工程と、該
第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る第２の金
属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレジストを
塗布し、該レジストをパターニングする工程と、該レジ
ストパターンを用いて前記第２の金属膜をパターニング
する工程と、同じく該レジストパターンを用いて前記第
１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことを特徴とするものである。
上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成する工
程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物から成
る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上にＣｒ
またはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工程と、該
第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る第２の金
属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレジストを
塗布し、該レジストをパターニングする工程と、該レジ
ストパターンを用いて前記第２の金属膜をパターニング
する工程と、同じく該レジストパターンを用いて前記第
１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことを特徴とするものである。
【００２３】また、本発明のＥＬ素子の製造方法は、透
明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成
する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物
から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上
にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程と、該金
属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパターニング
する工程と、該レジストパターンを用いて前記金属膜を
パターニングする工程と、同じく該レジストパターンを
用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程と、を含
むことを特徴とするものである。
明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成
する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物
から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上
にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程と、該金
属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパターニング
する工程と、該レジストパターンを用いて前記金属膜を
パターニングする工程と、同じく該レジストパターンを
用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程と、を含
むことを特徴とするものである。
【００２４】以下、上記構成による作用を説明する。
【００２５】本発明のＥＬ素子によれば、透明電極と背
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＣｒ酸化膜，Ｃｒ金属膜の順に積層
して成る積層膜を用いることによって、外部光または周
囲光の反射を抑制することができる。
面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの電圧を
印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面電極と
して、発光層側よりＣｒ酸化膜，Ｃｒ金属膜の順に積層
して成る積層膜を用いることによって、外部光または周
囲光の反射を抑制することができる。
【００２６】さらに、前記背面電極として用いられるＣ
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することに
よって、外部光または周囲光の反射を抑制するととも
に、表示ムラを緩和させることができる。
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することに
よって、外部光または周囲光の反射を抑制するととも
に、表示ムラを緩和させることができる。
【００２７】また、本発明のＥＬ素子によれば、透明電
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ，Ｎｉまた
はＭｏ等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用
いることによって、外部光または周囲光の反射を抑制す
るとともに、表示ムラを緩和させることができる。
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ，Ｎｉまた
はＭｏ等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用
いることによって、外部光または周囲光の反射を抑制す
るとともに、表示ムラを緩和させることができる。
【００２８】また、本発明のＥＬ素子によれば、透明電
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の順
に積層して成る積層膜を用いることによって、外部光ま
たは周囲光の反射を抑制することができる。
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の順
に積層して成る積層膜を用いることによって、外部光ま
たは周囲光の反射を抑制することができる。
【００２９】さらに、前記背面電極として用いられるＭ
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することによって、外部
光または周囲光の反射を抑制するとともに、表示ムラを
緩和させることができる。
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することによって、外部
光または周囲光の反射を抑制するとともに、表示ムラを
緩和させることができる。
【００３０】また、本発明のＥＬ素子によれば、透明電
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属膜
とをこの順に積層して成る積層膜を用いることによっ
て、外部光または周囲光の反射を抑制するとともに、表
示ムラを緩和させることができる。
極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベルの
電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背面
電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属膜
とをこの順に積層して成る積層膜を用いることによっ
て、外部光または周囲光の反射を抑制するとともに、表
示ムラを緩和させることができる。
【００３１】本発明のＥＬ素子の製造方法によれば、透
明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成
する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物
から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上
にＣｒまたはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工程
と、該第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る第
２の金属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレジ
ストを塗布し、該レジストをパターニングする工程と、
該レジストパターンを用いて前記第２の金属膜をパター
ニングする工程と、同じく該レジストパターンを用いて
前記第１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニングす
る工程と、を含むことによって、異なる金属を積層して
得られる背面電極のパターニングの際に、同一のレジス
トパターンを用いているため、製造工程を簡略化するこ
とができる。
明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形成
する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物
から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜上
にＣｒまたはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工程
と、該第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る第
２の金属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレジ
ストを塗布し、該レジストをパターニングする工程と、
該レジストパターンを用いて前記第２の金属膜をパター
ニングする工程と、同じく該レジストパターンを用いて
前記第１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニングす
る工程と、を含むことによって、異なる金属を積層して
得られる背面電極のパターニングの際に、同一のレジス
トパターンを用いているため、製造工程を簡略化するこ
とができる。
【００３２】また、本発明のＥＬ素子の製造方法によれ
ば、透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜
を形成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの
酸化物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸
化膜上にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程
と、該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパタ
ーニングする工程と、該レジストパターンを用いて前記
金属膜をパターニングする工程と、同じく該レジストパ
ターンを用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことによって、異なる金属を積層して得られ
る背面電極のパターニングの際に、同一のレジストパタ
ーンを用いているため、製造工程を簡略化することがで
きる。
ば、透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜
を形成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの
酸化物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸
化膜上にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程
と、該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパタ
ーニングする工程と、該レジストパターンを用いて前記
金属膜をパターニングする工程と、同じく該レジストパ
ターンを用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことによって、異なる金属を積層して得られ
る背面電極のパターニングの際に、同一のレジストパタ
ーンを用いているため、製造工程を簡略化することがで
きる。
【００３３】
（実施の形態１）本発明の第１の実施の形態について図
１を用いて説明する。
１を用いて説明する。
【００３４】図１は本発明のＥＬ素子の断面図であり、
１は透明基板、２は透明電極、３は第１絶縁膜、４は発
光層、５は第２絶縁膜、６は背面電極、７は端子電極で
ある。以下、その製造方法について説明する。
１は透明基板、２は透明電極、３は第１絶縁膜、４は発
光層、５は第２絶縁膜、６は背面電極、７は端子電極で
ある。以下、その製造方法について説明する。
【００３５】ガラス等から成る透明基板１上にＩＴＯ
（Indium Tin Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る
帯状の透明電極２を間隔をおいて平行にパターン形成す
る。この上にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の酸
化物、またはＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜３
と、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等から成る母材に発光中
心としてＭｎ等を微量に添加した組成を有する発光層４
と、前記酸化物または窒化物から成る第２絶縁膜５とを
順に形成する。さらにこの上に光吸収膜となるＣｒ酸化
膜６ａを０．０２〜０．０７μｍの膜厚で、より好まし
くは０．０４０〜０．０４５μｍの膜厚で形成する。こ
のＣｒ酸化膜６ａは、金属Ｃｒのターゲットを、酸素
（Ｏ2）を混合・導入したＡｒガスでスパッタリング
し、ＣｒとＯとを反応させて形成されるのであるが、こ
のときのＡｒガスに導入する酸素濃度を、Ｃｒが完全に
酸化されてＣｒ2Ｏ3に変わるのに必要な最小限の酸素濃
度より低い濃度に設定し、一部のＣｒが酸欠状態で酸化
され、Ｃｒ2Ｏ3-xとなるように形成する。さらにこの上
に、金属のＣｒ膜６ｂを０．１〜０．５μｍの膜厚で形
成する。これら電極膜の上に透明電極２と直交する方向
に帯状に間隔を置いて平行となるように、背面電極６用
のフォトレジストパターン及び端子電極７用のフォトレ
ジストパターンを形成する。次に硝酸二アンモニウム・
セリウム：過塩素酸（３：１）混合液にてＣｒ金属膜６
ｂ及びＣｒ酸化膜６ａをエッチングして背面電極６及び
端子電極７とする。
（Indium Tin Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る
帯状の透明電極２を間隔をおいて平行にパターン形成す
る。この上にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の酸
化物、またはＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜３
と、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等から成る母材に発光中
心としてＭｎ等を微量に添加した組成を有する発光層４
と、前記酸化物または窒化物から成る第２絶縁膜５とを
順に形成する。さらにこの上に光吸収膜となるＣｒ酸化
膜６ａを０．０２〜０．０７μｍの膜厚で、より好まし
くは０．０４０〜０．０４５μｍの膜厚で形成する。こ
のＣｒ酸化膜６ａは、金属Ｃｒのターゲットを、酸素
（Ｏ2）を混合・導入したＡｒガスでスパッタリング
し、ＣｒとＯとを反応させて形成されるのであるが、こ
のときのＡｒガスに導入する酸素濃度を、Ｃｒが完全に
酸化されてＣｒ2Ｏ3に変わるのに必要な最小限の酸素濃
度より低い濃度に設定し、一部のＣｒが酸欠状態で酸化
され、Ｃｒ2Ｏ3-xとなるように形成する。さらにこの上
に、金属のＣｒ膜６ｂを０．１〜０．５μｍの膜厚で形
成する。これら電極膜の上に透明電極２と直交する方向
に帯状に間隔を置いて平行となるように、背面電極６用
のフォトレジストパターン及び端子電極７用のフォトレ
ジストパターンを形成する。次に硝酸二アンモニウム・
セリウム：過塩素酸（３：１）混合液にてＣｒ金属膜６
ｂ及びＣｒ酸化膜６ａをエッチングして背面電極６及び
端子電極７とする。
【００３６】本実施の形態におけるＥＬ素子では、背面
電極６としてＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒの酸化膜であるＣ
ｒ2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成
するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸
収効果が得られた。また、直下照度５００ｌｘにおい
て、６８：１のコントラスト比が得られた。
電極６としてＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒの酸化膜であるＣ
ｒ2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成
するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸
収効果が得られた。また、直下照度５００ｌｘにおい
て、６８：１のコントラスト比が得られた。
【００３７】（実施の形態２）図２は、本発明の第２の
実施の形態の構造を示すものである。上述した第１の実
施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極６のうち、
Ｃｒ膜６ｂの上にＮｉ膜６ｃを０．１〜０．５μｍの膜
厚で設けている点が異なる。これは、Ｃｒの比抵抗が１
７．０×１０-6Ω・ｃｍであり、電極材料として用いら
れる金属の中でも高い部類であるため、背面電極として
の抵抗値を下げる為である。
実施の形態の構造を示すものである。上述した第１の実
施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極６のうち、
Ｃｒ膜６ｂの上にＮｉ膜６ｃを０．１〜０．５μｍの膜
厚で設けている点が異なる。これは、Ｃｒの比抵抗が１
７．０×１０-6Ω・ｃｍであり、電極材料として用いら
れる金属の中でも高い部類であるため、背面電極として
の抵抗値を下げる為である。
【００３８】なお、前記Ｎｉ膜に替えてＡｌ膜やＭｏ膜
等の低抵抗の金属膜を０．１〜０．５μｍの膜厚で積層
しても同様の効果が得られる。
等の低抵抗の金属膜を０．１〜０．５μｍの膜厚で積層
しても同様の効果が得られる。
【００３９】これら電極膜の上に透明電極２と直交する
方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレジストパター
ンを形成する。次にリン酸：硝酸（２：１）混合液にて
Ｎｉ金属膜をエッチングして洗浄した後、連続的に硝酸
二アンモニウム・セリウム：過塩素酸（３：１）混合液
にてＣｒ金属膜１６ｂ及びＣｒ酸化膜１６ａをエッチン
グして背面電極６とする。このように、Ｎｉ金属膜６ｃ
をエッチングした後、フォトレジストパターンを除去せ
ずにＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒ酸化膜６ａのパターニング
に用いることにより、製造工程を簡略化することができ
る。
方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレジストパター
ンを形成する。次にリン酸：硝酸（２：１）混合液にて
Ｎｉ金属膜をエッチングして洗浄した後、連続的に硝酸
二アンモニウム・セリウム：過塩素酸（３：１）混合液
にてＣｒ金属膜１６ｂ及びＣｒ酸化膜１６ａをエッチン
グして背面電極６とする。このように、Ｎｉ金属膜６ｃ
をエッチングした後、フォトレジストパターンを除去せ
ずにＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒ酸化膜６ａのパターニング
に用いることにより、製造工程を簡略化することができ
る。
【００４０】本実施の形態におけるＥＬ素子では、背面
電極としてＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒの酸化膜であるＣｒ
2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成す
るよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸収
効果が得らた。また、直下照度５００ｌｘにおいて、５
０：１以上のコントラスト比が得られた。
電極としてＣｒ金属膜６ｂ及びＣｒの酸化膜であるＣｒ
2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成す
るよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸収
効果が得らた。また、直下照度５００ｌｘにおいて、５
０：１以上のコントラスト比が得られた。
【００４１】また、Ｃｒ金属膜６ｂのさらに背面側にＮ
ｉ金属膜６ｃを設けているため、背面電極の面抵抗値が
０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和すること
ができた。
ｉ金属膜６ｃを設けているため、背面電極の面抵抗値が
０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和すること
ができた。
【００４２】（実施の形態３）図３は、本発明の第３の
実施の形態の構造を示したものである。上述した第２の
実施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極６のう
ち、Ｃｒ膜６ｂが削除されており、Ｃｒ酸化膜６ａの上
に直接Ｎｉ膜６ｃが形成されている点が異なる。なお、
以下の説明において、前記Ｎｉ膜に替えてＡｌ膜やＭｏ
膜等の低抵抗の金属膜を０．１〜０．５μｍの膜厚で積
層しても同様の効果が得られる。
実施の形態の構造を示したものである。上述した第２の
実施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極６のう
ち、Ｃｒ膜６ｂが削除されており、Ｃｒ酸化膜６ａの上
に直接Ｎｉ膜６ｃが形成されている点が異なる。なお、
以下の説明において、前記Ｎｉ膜に替えてＡｌ膜やＭｏ
膜等の低抵抗の金属膜を０．１〜０．５μｍの膜厚で積
層しても同様の効果が得られる。
【００４３】本実施の形態におけるＣｒ酸化膜６ａの膜
厚、及びＮｉ膜６ｃの膜厚は、上述した第２の実施の形
態と同じく夫々０．０２〜０．０７μｍ、及び０．１〜
０．５μｍである。
厚、及びＮｉ膜６ｃの膜厚は、上述した第２の実施の形
態と同じく夫々０．０２〜０．０７μｍ、及び０．１〜
０．５μｍである。
【００４４】この電極膜の上に前述と同様に透明電極２
と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレジ
ストパターンを形成する。次にリン酸：硝酸（２：１）
混合液にてＮｉ金属膜をエッチングして洗浄した後、連
続的に硝酸二アンモニウム・セリウム：過塩素酸（３：
１）混合液にてＣｒ酸化膜６ａをエッチングして背面電
極６とする。このように、Ｎｉ金属膜６ｃをエッチング
した後、フォトレジストパターンを除去せずにＣｒ酸化
膜６ａのパターニングに用いることにより、製造工程を
簡略化することができる。
と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレジ
ストパターンを形成する。次にリン酸：硝酸（２：１）
混合液にてＮｉ金属膜をエッチングして洗浄した後、連
続的に硝酸二アンモニウム・セリウム：過塩素酸（３：
１）混合液にてＣｒ酸化膜６ａをエッチングして背面電
極６とする。このように、Ｎｉ金属膜６ｃをエッチング
した後、フォトレジストパターンを除去せずにＣｒ酸化
膜６ａのパターニングに用いることにより、製造工程を
簡略化することができる。
【００４５】本実施の形態におけるＥＬ素子では、背面
電極６としてＮｉ金属膜６ｃ及びＣｒの酸化膜であるＣ
ｒ2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成
するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸
収効果が得られた。また、直下照度５００ｌｘにおいて
５０：１以上のコントラスト比が得られた。
電極６としてＮｉ金属膜６ｃ及びＣｒの酸化膜であるＣ
ｒ2Ｏ3-x膜６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜を形成
するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易に光吸
収効果が得られた。また、直下照度５００ｌｘにおいて
５０：１以上のコントラスト比が得られた。
【００４６】また、背面電極６の面抵抗値が０．５Ω／
□以下に減少され、表示ムラを緩和することができた。
□以下に減少され、表示ムラを緩和することができた。
【００４７】（実施の形態４）本発明の第４の実施の形
態について図４を用いて説明する。
態について図４を用いて説明する。
【００４８】図４は本発明のＥＬ素子の断面図であり、
１１は透明基板、１２は透明電極、１３は第１絶縁膜、
１４は発光層、１５は第２絶縁膜、１６は背面電極、１
７は端子電極である。以下にその製造方法について説明
する。
１１は透明基板、１２は透明電極、１３は第１絶縁膜、
１４は発光層、１５は第２絶縁膜、１６は背面電極、１
７は端子電極である。以下にその製造方法について説明
する。
【００４９】ガラス等から成る透明基板１１上にＩＴＯ
（Indium Tin Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る
帯状の透明電極１２を間隔をおいて平行にパターン形成
する。この上にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の
酸化物、またはＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜
１３を形成する。この上にＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等
から成る母材に発光中心としてＭｎ等を微量に添加した
組成を有する発光層１４と、前記酸化物または窒化物か
ら成る第２絶縁膜１５とを順に形成する。さらにこの上
に光吸収膜となるＭｏ酸化膜（ＭｏＯ3-x）１６ａを
０．０２〜０．０７μｍの膜厚で形成する。このＭｏ酸
化膜１６ａは、金属Ｍｏのターゲットを酸素（Ｏ2）を
混合・導入したＡｒガスでスパッタリングしてＭｏとＯ
とを反応させて形成されるのであるが、このときのＡｒ
ガスに導入する酸素濃度を、Ｃｒが完全に酸化されてＭ
ｏＯ3に変わるのに必要な最小限の酸素濃度より低い濃
度に設定し、一部のＭｏが酸欠状態で酸化され、ＭｏＯ
3-xとなるように形成する。さらにこの上に、金属のＭ
ｏ膜１６ｂを０．１〜０．５μｍの膜厚で形成する。こ
の電極膜の上に前述と同様に透明電極１２と直交する方
向に帯状に間隔を置いて平行となるように背面電極１６
用のフォトレジストパターン及び端子電極１７用のフォ
トレジストパターンを形成する。次に例えば、リン酸：
硝酸混合液あるいはリン酸：酢酸混合液等にてＭｏ金属
１６膜ｂ及びＭｏ酸化膜１６ａをエッチングして背面電
極１６及び端子電極１７とする。
（Indium Tin Oxide：錫添加酸化インジウム）から成る
帯状の透明電極１２を間隔をおいて平行にパターン形成
する。この上にＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2もしくはＴｉＯ2等の
酸化物、またはＳｉ3Ｎ4等の窒化物から成る第１絶縁膜
１３を形成する。この上にＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳ等
から成る母材に発光中心としてＭｎ等を微量に添加した
組成を有する発光層１４と、前記酸化物または窒化物か
ら成る第２絶縁膜１５とを順に形成する。さらにこの上
に光吸収膜となるＭｏ酸化膜（ＭｏＯ3-x）１６ａを
０．０２〜０．０７μｍの膜厚で形成する。このＭｏ酸
化膜１６ａは、金属Ｍｏのターゲットを酸素（Ｏ2）を
混合・導入したＡｒガスでスパッタリングしてＭｏとＯ
とを反応させて形成されるのであるが、このときのＡｒ
ガスに導入する酸素濃度を、Ｃｒが完全に酸化されてＭ
ｏＯ3に変わるのに必要な最小限の酸素濃度より低い濃
度に設定し、一部のＭｏが酸欠状態で酸化され、ＭｏＯ
3-xとなるように形成する。さらにこの上に、金属のＭ
ｏ膜１６ｂを０．１〜０．５μｍの膜厚で形成する。こ
の電極膜の上に前述と同様に透明電極１２と直交する方
向に帯状に間隔を置いて平行となるように背面電極１６
用のフォトレジストパターン及び端子電極１７用のフォ
トレジストパターンを形成する。次に例えば、リン酸：
硝酸混合液あるいはリン酸：酢酸混合液等にてＭｏ金属
１６膜ｂ及びＭｏ酸化膜１６ａをエッチングして背面電
極１６及び端子電極１７とする。
【００５０】本実施の形態におけるＥＬ素子では、背面
電極１６としてＭｏ金属膜１６ｂ及びＭｏの酸化膜であ
るＭｏＯ3-x膜１６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜
を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易
に光吸収効果が得られた。
電極１６としてＭｏ金属膜１６ｂ及びＭｏの酸化膜であ
るＭｏＯ3-x膜１６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜
を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易
に光吸収効果が得られた。
【００５１】（実施の形態５）図５は、本発明の第５の
実施の形態の構造を示すものである。上述した第４の実
施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極１６のう
ち、Ｍｏ膜１６ｂの上にＡｌ膜１６ｃを０．１〜０．５
μｍの膜厚で設けている点が異なる。これは、Ｍｏの比
抵抗が５．６×１０-6Ω・ｃｍと高い値を示すため、背
面電極としての電気抵抗値を下げる為である。
実施の形態の構造を示すものである。上述した第４の実
施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極１６のう
ち、Ｍｏ膜１６ｂの上にＡｌ膜１６ｃを０．１〜０．５
μｍの膜厚で設けている点が異なる。これは、Ｍｏの比
抵抗が５．６×１０-6Ω・ｃｍと高い値を示すため、背
面電極としての電気抵抗値を下げる為である。
【００５２】この電極膜の上に前述と同様に透明電極１
２と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレ
ジストパターンを従来の方法で形成する。次に例えば、
市販Ａｌエッチャント（リン酸：酢酸混合液）にてＡｌ
金属膜をエッチングし洗浄した後、連続的にＭｏ金属２
６ｂ及びＭｏ酸化膜１６ａをエッチングして背面電極と
する。このように、Ａｌ金属膜１６ｃをエッチングした
後、フォトレジストパターンを除去せずにＭｏ金属膜２
６ｂ及びＭｏ酸化膜２６ａのパターニングに用いること
により、製造工程を簡略化することができる。
２と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行にフォトレ
ジストパターンを従来の方法で形成する。次に例えば、
市販Ａｌエッチャント（リン酸：酢酸混合液）にてＡｌ
金属膜をエッチングし洗浄した後、連続的にＭｏ金属２
６ｂ及びＭｏ酸化膜１６ａをエッチングして背面電極と
する。このように、Ａｌ金属膜１６ｃをエッチングした
後、フォトレジストパターンを除去せずにＭｏ金属膜２
６ｂ及びＭｏ酸化膜２６ａのパターニングに用いること
により、製造工程を簡略化することができる。
【００５３】前述Ａｌエッチャントを用いればＡｌだけ
でなく、Ｍｏもエッチング出来ることは公知であるが、
これ以外のエッチャントを用いて、ＡｌとＭｏを別のエ
ッチャントで連続的にエッチングしても同様のパターン
を形成することが出来る。
でなく、Ｍｏもエッチング出来ることは公知であるが、
これ以外のエッチャントを用いて、ＡｌとＭｏを別のエ
ッチャントで連続的にエッチングしても同様のパターン
を形成することが出来る。
【００５４】本実施の形態におけるＥＬ素子では、背面
電極１６としてＭｏ金属膜１６ｂ及びＭｏの酸化膜であ
るＭｏＯ3-x膜１６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜
を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易
に光吸収効果が得られた。
電極１６としてＭｏ金属膜１６ｂ及びＭｏの酸化膜であ
るＭｏＯ3-x膜１６ａを用いているので、Ａｌの酸化膜
を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容易
に光吸収効果が得られた。
【００５５】また、Ｍｏ金属膜１６ｂのさらに背面側に
Ａｌ金属膜１６ｃを設けているため、背面電極１６の面
抵抗値が０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和
することができた。
Ａｌ金属膜１６ｃを設けているため、背面電極１６の面
抵抗値が０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和
することができた。
【００５６】（実施の形態６）図６は、本発明の第６の
実施の形態の構造を示したものである。上述した第５の
実施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極２６のう
ち、Ｍｏ膜２６ｂが削除されており、Ｍｏ酸化膜２６ａ
の上に直接Ａｌ膜３６ｂが形成されている点が異なる。
実施の形態の構造を示したものである。上述した第５の
実施の形態とほぼ同じ構成であるが、背面電極２６のう
ち、Ｍｏ膜２６ｂが削除されており、Ｍｏ酸化膜２６ａ
の上に直接Ａｌ膜３６ｂが形成されている点が異なる。
【００５７】本実施の形態におけるＭｏ酸化膜２６ａの
膜厚、及びＡｌ膜３６ｂの膜厚は、上述した第５の実施
の形態と同じく夫々０．０２〜０．０７μｍ、及び０．
１〜０．５μｍである。この電極膜の上に前述と同様に
透明電極１２と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行
にフォトレジストパターンを形成する。次に例えば、市
販Ａｌエッチャント（リン酸：酢酸混合液）にてＡｌ金
属膜をエッチングし洗浄した後、連続的にＭｏ酸化膜１
６ａをエッチングして背面電極とする。このように、Ａ
ｌ金属膜１６ｃをエッチングした後、フォトレジストパ
ターンを除去せずにＭｏ酸化膜１６ａのパターニングに
用いることにより、製造工程を簡略化することができ
る。
膜厚、及びＡｌ膜３６ｂの膜厚は、上述した第５の実施
の形態と同じく夫々０．０２〜０．０７μｍ、及び０．
１〜０．５μｍである。この電極膜の上に前述と同様に
透明電極１２と直交する方向に帯状に間隔を置いて平行
にフォトレジストパターンを形成する。次に例えば、市
販Ａｌエッチャント（リン酸：酢酸混合液）にてＡｌ金
属膜をエッチングし洗浄した後、連続的にＭｏ酸化膜１
６ａをエッチングして背面電極とする。このように、Ａ
ｌ金属膜１６ｃをエッチングした後、フォトレジストパ
ターンを除去せずにＭｏ酸化膜１６ａのパターニングに
用いることにより、製造工程を簡略化することができ
る。
【００５８】本実施の形態においても、前述Ａｌエッチ
ャントを用いればＡｌだけでなく、Ｍｏもエッチング出
来ることは公知であるが、これ以外のエッチャントを用
いて、ＡｌとＭｏを別のエッチャントで連続的にエッチ
ングしても同様のパターンを形成することが出来る。
ャントを用いればＡｌだけでなく、Ｍｏもエッチング出
来ることは公知であるが、これ以外のエッチャントを用
いて、ＡｌとＭｏを別のエッチャントで連続的にエッチ
ングしても同様のパターンを形成することが出来る。
【００５９】上述のように作製されたＥＬ素子では、背
面電極１６としてＭｏの酸化膜であるＭｏＯ3-x膜１６
ａ及びＡｌ金属膜１６ｃを用いているので、Ａｌの酸化
膜を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容
易に光吸収効果が得られた。
面電極１６としてＭｏの酸化膜であるＭｏＯ3-x膜１６
ａ及びＡｌ金属膜１６ｃを用いているので、Ａｌの酸化
膜を形成するよりも酸化度の制御が容易であるため、容
易に光吸収効果が得られた。
【００６０】また、Ｍｏ酸化膜１６ａの背面側にＡｌ金
属膜１６ｃを設けているため、背面電極の面抵抗値が
０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和すること
ができた。
属膜１６ｃを設けているため、背面電極の面抵抗値が
０．５Ω／□以下に減少され、表示ムラを緩和すること
ができた。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＥＬ素子
においては、透明電極と背面電極との間に挟持された発
光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素子
において、前記背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化
膜，Ｃｒ金属膜の順に積層して成る積層膜を用いること
によって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コント
ラストを向上させることができるという効果を奏する。
においては、透明電極と背面電極との間に挟持された発
光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素子
において、前記背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化
膜，Ｃｒ金属膜の順に積層して成る積層膜を用いること
によって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コント
ラストを向上させることができるという効果を奏する。
【００６２】さらに、前記背面電極として用いられるＣ
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することに
よって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コントラ
ストを向上させるとともに、表示ムラを緩和させること
ができるという効果を奏する。
ｒ金属膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背
面電極の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することに
よって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コントラ
ストを向上させるとともに、表示ムラを緩和させること
ができるという効果を奏する。
【００６３】また、本発明のＥＬ素子においては、透明
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ又はＮｉ
等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いるこ
とによって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コン
トラストを向上させるとともに、表示ムラを緩和させる
ことができるという効果を奏する。また、背面電極が２
層で形成されているため、単純な構成で背面電極の黒色
化及び低抵抗化が実現でき、コストダウンを図ることが
できる。
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ又はＮｉ
等の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いるこ
とによって、外部光または周囲光の反射を抑制し、コン
トラストを向上させるとともに、表示ムラを緩和させる
ことができるという効果を奏する。また、背面電極が２
層で形成されているため、単純な構成で背面電極の黒色
化及び低抵抗化が実現でき、コストダウンを図ることが
できる。
【００６４】また、本発明のＥＬ素子においては、透明
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の
順に積層して成る積層膜を用いることによって、外部光
または周囲光の反射を抑制し、コントラストを向上させ
ることができるという効果を奏する。
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金属膜の
順に積層して成る積層膜を用いることによって、外部光
または周囲光の反射を抑制し、コントラストを向上させ
ることができるという効果を奏する。
【００６５】さらに、前記背面電極として用いられるＭ
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することによって、外部
光または周囲光の反射を抑制し、コントラストを向上さ
せるとともに、表示ムラを緩和させることができるとい
う効果を奏する。
ｏ金属膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気
抵抗の低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵
抗値を０．５Ω／□以下に低減することによって、外部
光または周囲光の反射を抑制し、コントラストを向上さ
せるとともに、表示ムラを緩和させることができるとい
う効果を奏する。
【００６６】また、本発明のＥＬ素子においては、透明
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属
膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いることによっ
て、外部光または周囲光の反射を抑制し、コントラスト
を向上させるとともに、表示ムラを緩和させることがで
きるという効果を奏する。また、背面電極が２層で形成
されているため、単純な構成で背面電極の黒色化及び低
抵抗化が実現でき、コストダウンを図ることができる。
電極と背面電極との間に挟持された発光層に所定レベル
の電圧を印加して発光させるＥＬ素子において、前記背
面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等の金属
膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いることによっ
て、外部光または周囲光の反射を抑制し、コントラスト
を向上させるとともに、表示ムラを緩和させることがで
きるという効果を奏する。また、背面電極が２層で形成
されているため、単純な構成で背面電極の黒色化及び低
抵抗化が実現でき、コストダウンを図ることができる。
【００６７】本発明のＥＬ素子の製造方法においては、
透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形
成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化
物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜
上にＣｒまたはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工
程と、該第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る
第２の金属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレ
ジストを塗布し、該レジストをパターニングする工程
と、該レジストパターンを用いて前記第２の金属膜をパ
ターニングする工程と、同じく該レジストパターンを用
いて前記第１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニン
グする工程と、を含むことによって、異なる金属を積層
して得られる背面電極のパターニングの際に、同一のレ
ジストパターンを用いているため、製造工程を簡略化す
ることができるという効果を奏する。
透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形
成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化
物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜
上にＣｒまたはＭｏから成る第１の金属膜を形成する工
程と、該第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る
第２の金属膜を形成する工程と、該第２の金属膜上にレ
ジストを塗布し、該レジストをパターニングする工程
と、該レジストパターンを用いて前記第２の金属膜をパ
ターニングする工程と、同じく該レジストパターンを用
いて前記第１の金属膜及び前記金属酸化膜をパターニン
グする工程と、を含むことによって、異なる金属を積層
して得られる背面電極のパターニングの際に、同一のレ
ジストパターンを用いているため、製造工程を簡略化す
ることができるという効果を奏する。
【００６８】また、本発明のＥＬ素子の製造方法におい
ては、透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁
膜を形成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏ
の酸化物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属
酸化膜上にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程
と、該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパタ
ーニングする工程と、該レジストパターンを用いて前記
金属膜をパターニングする工程と、同じく該レジストパ
ターンを用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことによって、異なる金属を積層して得られ
る背面電極のパターニングの際に、同一のレジストパタ
ーンを用いているため、製造工程を簡略化することがで
きるという効果を奏する。
ては、透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁
膜を形成する工程と、該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏ
の酸化物から成る金属酸化膜を形成する工程と、該金属
酸化膜上にＡｌ，Ｎｉ等から成る金属膜を形成する工程
と、該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパタ
ーニングする工程と、該レジストパターンを用いて前記
金属膜をパターニングする工程と、同じく該レジストパ
ターンを用いて前記金属酸化膜をパターニングする工程
と、を含むことによって、異なる金属を積層して得られ
る背面電極のパターニングの際に、同一のレジストパタ
ーンを用いているため、製造工程を簡略化することがで
きるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態を示す図である。
【図６】本発明の第６の実施の形態を示す図である。
【図７】従来技術によるＥＬ素子の構造を示す図であ
る。
る。
【図８】従来技術によるＥＬ素子の断面図である。
【図９】ＥＬ素子の背面電極の取り出し例を示す図であ
る。
る。
【図１０】背面電極の電極抵抗と、電極根元と先端との
発光輝度差との関係を示す図である。
発光輝度差との関係を示す図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第１絶縁膜 ４ 発光層 ５ 第２絶縁膜 ６ 背面電極 ７ 端子電極 ６ａ Ｃｒ酸化膜 ６ｂ Ｃｒ金属膜 ６ｃ Ｎｉ金属膜 ７ａ Ｃｒ酸化膜 ７ｂ Ｃｒ金属膜 ７ｃ Ｎｉ金属膜 １１ ガラス基板 １２ 透明電極 １３ 第１絶縁膜 １４ 発光層 １５ 第２絶縁膜 １６ 背面電極 １７ 端子電極 １６ａ Ｍｏ酸化膜 １６ｂ Ｍｏ金属膜 １６ｃ Ａｌ金属膜 １７ａ Ｍｏ酸化膜 １７ｂ Ｍｏ金属膜 １７ｃ Ａｌ金属膜
Claims (8)
- 【請求項１】 透明電極と背面電極との間に挟持された
発光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素
子において、 前記背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜，Ｃｒ金
属膜の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とす
るＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記背面電極として用いられるＣｒ金属
膜よりもさらに背面側に、Ｃｒ金属膜よりも電気抵抗の
低いＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属膜を積層し、該背面電極
の面抵抗値を０．５Ω／□以下に低減することを特徴と
する請求項１記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】 透明電極と背面電極との間に挟持された
発光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素
子において、 前記背面電極として、発光層側よりＣｒ酸化膜とＡｌ，
ＮｉまたはＭｏ等の金属膜とをこの順に積層して成る積
層膜を用いることを特徴とするＥＬ素子。 - 【請求項４】 透明電極と背面電極との間に挟持された
発光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素
子において、 前記背面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜，Ｍｏ金
属膜の順に積層して成る積層膜を用いることを特徴とす
るＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記背面電極として用いられるＭｏ金属
膜よりもさらに背面側に、Ｍｏ金属膜よりも電気抵抗の
低いＡｌ等の金属膜を積層し、該背面電極の面抵抗値を
０．５Ω／□以下に低減することを特徴とする請求項４
記載のＥＬ素子。 - 【請求項６】 透明電極と背面電極との間に挟持された
発光層に所定レベルの電圧を印加して発光させるＥＬ素
子において、 前記背面電極として、発光層側よりＭｏ酸化膜とＡｌ等
の金属膜とをこの順に積層して成る積層膜を用いること
を特徴とするＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記請求項２、５記載のＥＬ素子の製造
方法において、 透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形
成する工程と、 該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物から成る金属
酸化膜を形成する工程と、 該金属酸化膜上にＣｒまたはＭｏから成る第１の金属膜
を形成する工程と、 該第１の金属膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る第２の
金属膜を形成する工程と、 該第２の金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパ
ターニングする工程と、 該レジストパターンを用いて前記第２の金属膜をパター
ニングする工程と、 同じく該レジストパターンを用いて前記第１の金属膜及
び前記金属酸化膜をパターニングする工程と、 を含むことを特徴とするＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記請求項３、６記載のＥＬ素子の製造
方法において、 透明基板上に第１絶縁膜、ＥＬ発光層、第２絶縁膜を形
成する工程と、 該第２絶縁膜上にＣｒまたはＭｏの酸化物から成る金属
酸化膜を形成する工程と、 該金属酸化膜上にＡｌ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成る金属膜を
形成する工程と、 該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストをパターニ
ングする工程と、 該レジストパターンを用いて前記金属膜をパターニング
する工程と、 同じく該レジストパターンを用いて前記金属酸化膜をパ
ターニングする工程と、 を含むことを特徴とするＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8015069A JPH09213479A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US08/780,177 US5820996A (en) | 1996-01-31 | 1996-12-26 | Electroluminescence device and method of manufacturing same |
| DE69704287T DE69704287T2 (de) | 1996-01-31 | 1997-01-30 | Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| EP97300604A EP0788297B1 (en) | 1996-01-31 | 1997-01-30 | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8015069A JPH09213479A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213479A true JPH09213479A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11878570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8015069A Pending JPH09213479A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5820996A (ja) |
| EP (1) | EP0788297B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09213479A (ja) |
| DE (1) | DE69704287T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216976A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| KR100388271B1 (ko) * | 2000-10-14 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2004158442A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Asahi Glass Co Ltd | 積層体、配線付き基体、有機ｅｌ表示素子、有機ｅｌ表示素子の接続端子及びそれらの製造方法 |
| JP2013165068A (ja) * | 2013-04-15 | 2013-08-22 | Sony Corp | 上面発光型発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3472432B2 (ja) | 1997-03-28 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 表示装置用反射防止膜及びその製造方法、並びにｅｌ素子 |
| JP2002516459A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | フェド コーポレイション | 有機発光ダイオード素子のための改良された電極構造体 |
| JP2001043977A (ja) * | 1999-05-27 | 2001-02-16 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
| JP4472073B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US7169461B2 (en) * | 2002-10-17 | 2007-01-30 | Asahi Glass Company, Limited | Laminate, a substrate with wires, an organic EL display element, a connection terminal for the organic EL display element and a method for producing each |
| JP2004158321A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US20050200274A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Asashi Glass Company, Limited | Laminate for forming substrate with wires, such substrate with wires, and method for forming it |
| KR100759562B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이 장치용 섀시 조립체 및 이를 구비한 디스플레이장치 |
| US8053971B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
| WO2009049408A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Electroluminescent nixels and elements with wrap around electrical contacts |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435475B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1979-11-02 | ||
| JPS5820468B2 (ja) | 1978-02-09 | 1983-04-23 | シャープ株式会社 | 黒化電極構造 |
| JPS5827506B2 (ja) | 1978-06-02 | 1983-06-09 | シャープ株式会社 | 黒化電極構造 |
| JPS5825270B2 (ja) | 1978-03-28 | 1983-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
| JPS5746493A (en) | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
| JPS6016077B2 (ja) | 1980-09-01 | 1985-04-23 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの電極構造 |
| JPS6016078B2 (ja) | 1980-09-17 | 1985-04-23 | シャープ株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS5825270A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5827506A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | 畑 賢一郎 | 貯金箱 |
| GB2104444B (en) * | 1981-08-21 | 1985-01-09 | Glaverbel | Composite mirror panels |
| JPS5855508A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-04-01 | Nippon Steel Corp | 高炉々壁耐火物構造 |
| JPS6016078A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Sony Corp | 映像信号の再生装置 |
| JPS61211997A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6315719A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Toyota Motor Corp | 射出成形金型のウエルド発生防止装置 |
| US5359261A (en) * | 1990-12-28 | 1994-10-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display |
| JPH05121171A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | 光プリンタヘツド |
| JPH05315076A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-11-26 | Toshiba Corp | 端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法 |
| JP2605555B2 (ja) * | 1992-09-14 | 1997-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 無機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0696862A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 無機薄膜ｅｌ素子 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP8015069A patent/JPH09213479A/ja active Pending
- 1996-12-26 US US08/780,177 patent/US5820996A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-30 DE DE69704287T patent/DE69704287T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-30 EP EP97300604A patent/EP0788297B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388271B1 (ko) * | 2000-10-14 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2002216976A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2004158442A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Asahi Glass Co Ltd | 積層体、配線付き基体、有機ｅｌ表示素子、有機ｅｌ表示素子の接続端子及びそれらの製造方法 |
| JP2013165068A (ja) * | 2013-04-15 | 2013-08-22 | Sony Corp | 上面発光型発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5820996A (en) | 1998-10-13 |
| DE69704287D1 (de) | 2001-04-26 |
| EP0788297B1 (en) | 2001-03-21 |
| EP0788297A1 (en) | 1997-08-06 |
| DE69704287T2 (de) | 2001-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09213479A (ja) | Ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| US5400047A (en) | High brightness thin film electroluminescent display with low OHM electrodes | |
| RU2129344C1 (ru) | Люминесцентная индикаторная панель, видимая при солнечном свете (варианты) | |
| US5521465A (en) | Sunlight viewable thin film electroluminscent display having darkened metal electrodes | |
| JP2011170058A (ja) | ブラックマトリックス、及びその製造方法とそれを用いた画像表示装置 | |
| US5445898A (en) | Sunlight viewable thin film electroluminescent display | |
| JPH01134895A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JP2680730B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH1140369A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2568837B2 (ja) | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 | |
| JP3960022B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH0334292A (ja) | 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ | |
| JPS61151996A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JPH0460317B2 (ja) | ||
| JPH11185972A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH08185978A (ja) | Ｅｌ表示器とその製造方法 | |
| JPH0460318B2 (ja) | ||
| JP2000012239A (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
| JPH02230693A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPH11185970A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63298990A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH07106067A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS61142693A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| JP2003077411A (ja) | 背面電極を備えた蛍光発光管 |