JPS63298990A

JPS63298990A - 薄膜ｅｌ素子

Info

Publication number: JPS63298990A
Application number: JP62131556A
Authority: JP
Inventors: Koji Matsunaga; 浩二松永; Yosuke Fujita; 洋介藤田; Atsushi Abe; 阿部　惇
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1987-05-29
Filing date: 1987-05-29
Publication date: 1988-12-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、キャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜ＥＬ素子に関するものである。

（従来の技術）従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
て、Ｘ−Ｙマトリックス表示装置が知られている。この
装置は、電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行
電極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電
極群に接続された給電線により切り替え装置を通して信
号を加えて、両電極の交点部分の電場発光層（以下、Ｅ
Ｌ発光体層と略す）を発光させ（この交点の発光部分面
を絵素と称す）、発光した絵素の組み合わせによって文
字記号９図形などを表示させるものである。

ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常、ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群を
形成し、その上に第１誘電体層。

ＥＬ発光体層、第２誘電体層を順次積層し、さらにその
上に背面電極群を下層の透明電極群に直交する配置で積
層して形成する。一般に透明平行電極としては、平滑な
ガラス基板上に酸化錫や錫添加インジウム（以下、ＩＴ
Ｏと略す）を被着し、所望の形状にバタンニングするな
どにより形成される。これに直交し、対向する背面電極
としては、アルミニュームなどの金属膜が真空蒸着など
により形成される。

透明平行電極群の取出電極としては、第３図に示すよう
に、透明電極１（ＩＴＯ膜）上に金属膜２（ＡｕやＮｉ
など）を形成し、外部回路と半田付けや異力性導電ゴム
を用いて圧接したりして接続する。

３は透光性基板であり、透光性基板３上の透明電極１の
上に、さらに第１誘電体層４９発光体層５゜第２誘電体
層６．そして背面電極７が形成されている。

ところが、取出電極と外部回路を直接圧接により接続す
る直接圧接方式の場合は、ＩＴＯ電極に直接接続するこ
とができる。

（発明が解決しようとする問題点）ＩＴＯ電極を用いる直接圧接方式の場合は、■ＴＯ自身
が高温高湿度の環境下で変化しにくいため、Ａｕやｐｔ
などの貴金属以外の金属に比べて接続の信頼性が高い。

しかし、ＩＴＯは抵抗率が大きいため、有効表示部分以
外の取出部分の配線抵抗が無視できないぐらい大きくな
る。配線抵抗値を下げるため、ＩＴＯ膜上に金属膜を形
成する方法もあるが、ここで用いることができるのはＡ
ｕやｐｔなどで、非常に高価になる欠点があった。

本発明の目的は、従来の欠点を解消し、透明電極の端部
をそのまま取出電極として用いる場合でも、取出部分の
配線抵抗値を下げ、ＥＬ索子への充電を十分に行うこと
ができ、かつ原価の安い薄膜ＥＬ素子を提供することで
ある。

（問題点を解決するための手段）本発明の薄膜ＥＬ素子は、透光性基板上に、透明電極、
第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、および背
面電極を順次積層してなる薄膜−ＥＬ素子において、透
明電極と透光性基板の間で、かつ有効表示部以外の部分
に、透明電極より抵抗率の低い電極層を形成したもので
ある。

（作　用）薄膜ＥＬ素子の透明電極の取出電極部分の透明電極の下
に、透明電極より抵抗率の低い層を形成することにより
、取出部分の配線抵抗値を安価な材料を用いることによ
り下げることができる。

（実施例）本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。

第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の断面図であり、第２図
は同平面図である６同図において、第３図に示した従来
例と同じ部分については同一符号を付し、その説明を省
略する。

第１図および第２図において、８は低抵抗膜で、透光性
基板３の有効表示部以外の部分に形成されている。

具体的な実施例を示す。透光性基板３はガラス基板であ
り、コーニング７０５９ガラスを用いた。なお、透光性
基板３の大きさは２４０＋ｎｍ　Ｘ　１８０ｒｒｎで、
厚さは２．４ｎ＋ｍである。透光性基板３上に低抵抗膜
８として、ＥＢ蒸発法で基板加熱温度２００℃で厚さ３
００ΩｍのＮｉ膜を形成した。ただし、形成領域は有効
表示部以外の取出部分だけである。次に、直流スパッタ
リング法により、ガス圧０．８Ｐａ（アルゴン対酸素の
分圧比５：４）で厚さ６００ΩｍのＩＴＯＴｌＯ２成し
た。このとき、ＩＴＯＴｌＯ２抗率は２．２　Ｘ　１０
−’Ω・■であった。そののち、積層膜をフォトリング
ラフィの技術によりストライプ状に加工した。パターン
間隔３００μｍで２３０μｍ幅のパターンを形成した。

エツチングは、塩化第二鉄の塩酸水溶液でＩＴＯＩ摸１
のエツチングを行ったのち、硫酸の水溶液でＮｉのエツ
チングを行った。このようにして、ストライプ状のＩＴ
ＯＴｌＯ２成した。

その上にチタンジルコン酸ストロンチウム（Ｓｒ（Ｔｉ
ＸＺｒ、、）０３）を基板温度４００℃でスパッタリン
グすることにより、厚さ６００Ωｍの酸化物誘電体膜４
を形成した。その上に共蒸着法により、基板温度２００
℃で、厚さ５００Ωｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からな
るＥＬ発光体層５を形成した。真空中で４５０℃で１時
間熱処理ののち、その上にタンタル酸バリウム（ＢａＴ
ａｚＯｓ）焼結体を基板温度１５０℃でスパッタリング
することにより、厚さ２００Ωｍの酸化物誘電体層６を
形成した。最後に、その上に厚さ１５０ΩｍのＡｎを真
空蒸着し、フォトリソグラフィ技術により、透明電極１
とは直交する方向にストライプ状の背面電極７を形成し
、薄膜ＥＬ素子を完成した。

このようにして作成したＥＬディスプレイの透明電極の
１ラインあたりの配線抵抗値は、有効表示部だけで２３
００Ωであり、取出部分が２００Ωである。ところが、
取出部分もＩＴＯ膜だけで形成すると３２０Ωにもなり
、電気的な損失が大きくなる。

また、低抵抗膜の材料として、ＡＱやＣｕなどの金属を
用いると、さらに取出部分の抵抗値を下げることができ
、電気的な損失を小さくすることができる。

（発明の効果）本発明によれば、透明電極の取出部分の抵抗値を安価な
金属材料を用いることで小さくすることができ、しかも
高信頼性の接続を得ることができ、その実用上の効果は
大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の断面
図、第２図は同平面図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の
断面図である。１・・・透明電極（ＩＴｏ膜）、　３・・・透光性基板
、　４・・・第１誘電体層、　５・・・発光体層、６・
・・第２誘電体層、　７・・・背面電極、　８・・・低
抵抗膜。第１図１　・・　　シぎ′　９月　嘆乞　極３゛途ｔｑｖ茶板４・第１宵屯忰層５・・庇旭伴冶６・・猶２諸電ｊキ會７・・・質面宅腫８・−イφく、嵐）六巳）事ミ第２図１　・・・　　會　ｐ月電壇広３゛遵り惺岑核７・・・背面電極８・・・代感嵐脹第３図１・・・左明電片２・・・奮為棟３・・・迦旭化終後４・・・第１誇電李奪５・・・兇糺俸碧６゛°゛第２彬電キ７°°゛宵釦電極

Claims

【特許請求の範囲】

　透光性基板上に、透明電極，第１誘電体層，ＥＬ発光
体層，第２誘電体層，および背面電極を順次積層してな
る薄膜ＥＬ素子において、前記透明電極と透光性基板の
間で、かつ有効表示部以外の部分に、前記透明電極より
抵抗率の低い電極層を形成したことを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子。