JPS6016077B2 - 薄膜ｅｌパネルの電極構造 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの電極構造Info
- Publication number
- JPS6016077B2 JPS6016077B2 JP55121424A JP12142480A JPS6016077B2 JP S6016077 B2 JPS6016077 B2 JP S6016077B2 JP 55121424 A JP55121424 A JP 55121424A JP 12142480 A JP12142480 A JP 12142480A JP S6016077 B2 JPS6016077 B2 JP S6016077B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- panel
- film
- light
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電極の構造を改良することにより、表示パネ
ル面のＥＬ発光輝度を不均一にすることなく表示コント
ラストの増強を図った薄膜ェレクトロルミネッセント（
以下薄膜ＥＬと略す）パネルに関するものである。
ル面のＥＬ発光輝度を不均一にすることなく表示コント
ラストの増強を図った薄膜ェレクトロルミネッセント（
以下薄膜ＥＬと略す）パネルに関するものである。
この種の薄膜ＥＬとして第１図の断面図に示す如くＥＬ
発光層が絶縁膜にサンドウィッチされた構造のものが開
発されている。
発光層が絶縁膜にサンドウィッチされた構造のものが開
発されている。
即ち第１図において、１はガラス基板で、該ガラス基板
１上には一方の電極となる透明電極２が設けられ、該透
明電極２上に第１絶縁層３を介してＥＬ発光薄膜４が蒸
着等によって積層されている。該ＥＬ発光薄膜３は硫化
亜鉛（ＺｎＳ）を母体材料として発光中心となる光学的
に活性なマンガン（Ｍｈ）や弗化テルビウムが添加され
てなる。積層された上記ＥＬ発光薄膜４の他方の面には
第２絶縁層５が上記第１絶縁層と同様に蒸着等によって
形成され、該第２絶縁層５上にもう一方の電極が背面電
極としてＮ黍着によって設けられ、上記透明電極２との
間で所定レベルのＡＣ電源が接続されてＥＬ発光薄膜４
が発光する。上記機造の薄膜ＥＬパネルは上述のように
背面電極としてＡＩ蒸着薄膜が用いられている。
１上には一方の電極となる透明電極２が設けられ、該透
明電極２上に第１絶縁層３を介してＥＬ発光薄膜４が蒸
着等によって積層されている。該ＥＬ発光薄膜３は硫化
亜鉛（ＺｎＳ）を母体材料として発光中心となる光学的
に活性なマンガン（Ｍｈ）や弗化テルビウムが添加され
てなる。積層された上記ＥＬ発光薄膜４の他方の面には
第２絶縁層５が上記第１絶縁層と同様に蒸着等によって
形成され、該第２絶縁層５上にもう一方の電極が背面電
極としてＮ黍着によって設けられ、上記透明電極２との
間で所定レベルのＡＣ電源が接続されてＥＬ発光薄膜４
が発光する。上記機造の薄膜ＥＬパネルは上述のように
背面電極としてＡＩ蒸着薄膜が用いられている。
そのためＥＬ発光によって各種の情報を表示させた場合
につぎのような問題の生じる操れがあった。即ち薄膜Ｅ
Ｌパネルを構成している第１及び第２絶縁膜、更に硫化
亜鉛ＥＬ発光薄膜４は全て可視光城であるため、外部光
又は周囲光力ミＥＬパネルに入射した場合「第２図中の
実線で示す如くＡＩ背面電極６による反射が生じ、Ｅリ
発光薄薮面の発光部と非発光部との間におけるコントラ
スト比が低下し、ディスプレイ装置としての表示品質が
著しく損われる。また第２図中破線で示すようにガラス
基板面と山背面電極面がそれぞれＥＬ発光に対して反射
面となり、これがガラス基板内におけるＥＬ光の全反射
を増強し、パネルの表示面‘と出てくるＥＬ光を著しく
減少させることになり、表示を見難にく〈する結果にな
っていた。上記のような問題点を解決するために、ＡＩ
背面電極に代えて可視城の光吸収係数が大きい二硫化モ
リブデン又はモリブデナィトで背面電極を設けることが
試みられている。
につぎのような問題の生じる操れがあった。即ち薄膜Ｅ
Ｌパネルを構成している第１及び第２絶縁膜、更に硫化
亜鉛ＥＬ発光薄膜４は全て可視光城であるため、外部光
又は周囲光力ミＥＬパネルに入射した場合「第２図中の
実線で示す如くＡＩ背面電極６による反射が生じ、Ｅリ
発光薄薮面の発光部と非発光部との間におけるコントラ
スト比が低下し、ディスプレイ装置としての表示品質が
著しく損われる。また第２図中破線で示すようにガラス
基板面と山背面電極面がそれぞれＥＬ発光に対して反射
面となり、これがガラス基板内におけるＥＬ光の全反射
を増強し、パネルの表示面‘と出てくるＥＬ光を著しく
減少させることになり、表示を見難にく〈する結果にな
っていた。上記のような問題点を解決するために、ＡＩ
背面電極に代えて可視城の光吸収係数が大きい二硫化モ
リブデン又はモリブデナィトで背面電極を設けることが
試みられている。
即ち第３図に示す如く背面電極７が黒色の二硫化モリブ
デン（ＭｏＳ２‐ｘ）で形成される。
デン（ＭｏＳ２‐ｘ）で形成される。
ここで二硫化モリブデン（ＭｏＳ２〜）の電極的特性は
、ＣＬＩＭＡＸＭＯＬＹＢＤＥＮＵＭ ＣＯＭＰＡＮＹ
、ＮＹ、ＵＳＡのＣＨＥＮＯＣＡＬ ＤＡＴＡ ＳＥＲ
ＩＥＳ；ＦＥＢＲＵＡＲＹＩ９６２によれば次の通りで
、光学的には黒色で可視城の光に対して大きな吸収率を
示す性質をもっている。導電率：４〜０．００９（０ｈ
ｍ−弧）‐１ホール係数：３５〜３０００地／ｃｏ山ｏ
ｍｂ電子移動度：１び地′ｖｏｌｔ−ｓｅｃ、室温Ｍｏ
Ｓ２Ｎ薄膜は主として反応性スパッタリングにより生成
される。
、ＣＬＩＭＡＸＭＯＬＹＢＤＥＮＵＭ ＣＯＭＰＡＮＹ
、ＮＹ、ＵＳＡのＣＨＥＮＯＣＡＬ ＤＡＴＡ ＳＥＲ
ＩＥＳ；ＦＥＢＲＵＡＲＹＩ９６２によれば次の通りで
、光学的には黒色で可視城の光に対して大きな吸収率を
示す性質をもっている。導電率：４〜０．００９（０ｈ
ｍ−弧）‐１ホール係数：３５〜３０００地／ｃｏ山ｏ
ｍｂ電子移動度：１び地′ｖｏｌｔ−ｓｅｃ、室温Ｍｏ
Ｓ２Ｎ薄膜は主として反応性スパッタリングにより生成
される。
即ち、高純度のＭｏＳ２‐ｘ粉末を厚さ５肋程度の板状
に加圧成形しこれをスパッタ用ターゲットとして、アル
ゴンガスに微量の硫化水素（日ぶ）ガスを混合した反応
ガスを用い、この反応ガスを高周波電界で放電させてイ
オン化し、この活性化されたイオンでＭｏＳ２‐ｘター
ゲットを衝撃してＭｏとＳ原子をそれぞれパッタし、Ｍ
ｏＳ２へ膜を生成する。アルゴンガスに混合する徴量の
硫化水素（日ぶ）ガスはＭｏＳ２Ｔ膜の組成づれ（主に
Ｓ原子が不足する）を制御しＭｏＳ２〜膜の比抵抗が最
少となるようにコントロールすることを目的として添加
される。即ち、ＭｏＳ２‐ｘのｘの値をＭｏＳ２へ膜生
成の過程でアルゴンガスと硫化水素（弦Ｓ）ガスの混合
比を変化させることによりＥＬ黒化電極としての黒化度
と最適抵抗値になるように決定することが必要である。
第４図にアルゴンガス中の日夕ガス量を横軸として、日
２Ｓ量（分子％）を変化させたときのＭｏＳ２へ膜の面
抵抗の変化を示し、日２Ｓガス量によってＭｏＳ２‐ｘ
の面抵抗が大中に変化することが判かる。
に加圧成形しこれをスパッタ用ターゲットとして、アル
ゴンガスに微量の硫化水素（日ぶ）ガスを混合した反応
ガスを用い、この反応ガスを高周波電界で放電させてイ
オン化し、この活性化されたイオンでＭｏＳ２‐ｘター
ゲットを衝撃してＭｏとＳ原子をそれぞれパッタし、Ｍ
ｏＳ２へ膜を生成する。アルゴンガスに混合する徴量の
硫化水素（日ぶ）ガスはＭｏＳ２Ｔ膜の組成づれ（主に
Ｓ原子が不足する）を制御しＭｏＳ２〜膜の比抵抗が最
少となるようにコントロールすることを目的として添加
される。即ち、ＭｏＳ２‐ｘのｘの値をＭｏＳ２へ膜生
成の過程でアルゴンガスと硫化水素（弦Ｓ）ガスの混合
比を変化させることによりＥＬ黒化電極としての黒化度
と最適抵抗値になるように決定することが必要である。
第４図にアルゴンガス中の日夕ガス量を横軸として、日
２Ｓ量（分子％）を変化させたときのＭｏＳ２へ膜の面
抵抗の変化を示し、日２Ｓガス量によってＭｏＳ２‐ｘ
の面抵抗が大中に変化することが判かる。
しかし、上記の方法によって生成される黒化電極として
の抵抗値の最小値の限界は３００／口であり、大面積、
高分解能のＸ‐‐Ｙマトリックス型薄膜ＥＬディスプレ
イパネルの電極としては充分とはいえなかった。
の抵抗値の最小値の限界は３００／口であり、大面積、
高分解能のＸ‐‐Ｙマトリックス型薄膜ＥＬディスプレ
イパネルの電極としては充分とはいえなかった。
即ち第５図の×一Ｙマトリックス型薄膜ＥＬパネルの等
価回路図を用いて説明すれば、二硫化モリブデン（Ｍｏ
Ｓ２‐ｘ）からなる背面電極素線の電気抵抗が高く、電
圧供給端子から遠ざかるにつれて線抵抗が増加し（Ｒ．
＜Ｒ２＜Ｒ３）、ＣＲ時定数も連続的に変化し（Ｒ，Ｃ
．＜Ｒ２Ｃ２＜Ｒ３Ｃ３）、これらの効果が原因となっ
てディスプレイ面内でのＥＬ発光輝度が不均一になると
いう欠点があった。本発明は上記欠点を除去して、ＥＬ
発光輝度の不均一化を招くことなく表示コントラストの
改善を図ることができる背面電極をもった薄膜ＥＬパネ
ルを提供する。
価回路図を用いて説明すれば、二硫化モリブデン（Ｍｏ
Ｓ２‐ｘ）からなる背面電極素線の電気抵抗が高く、電
圧供給端子から遠ざかるにつれて線抵抗が増加し（Ｒ．
＜Ｒ２＜Ｒ３）、ＣＲ時定数も連続的に変化し（Ｒ，Ｃ
．＜Ｒ２Ｃ２＜Ｒ３Ｃ３）、これらの効果が原因となっ
てディスプレイ面内でのＥＬ発光輝度が不均一になると
いう欠点があった。本発明は上記欠点を除去して、ＥＬ
発光輝度の不均一化を招くことなく表示コントラストの
改善を図ることができる背面電極をもった薄膜ＥＬパネ
ルを提供する。
次に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。第６図は
本発明による薄膜由Ｌパネルの断面構造を示しており、
第３図と異なる部分は背面電極で、上記第３図の薄膜Ｅ
Ｌパネルと同様に、第２絶縁層５上にまずＭｏＳ２‐ｘ
からなる黒化電極８が形成されて表示コントラストの改
善が図られているが、更に該ＭｏＳ２‐ｘ黒化電極８上
に、比抵抗の低い金属薄膜９が積層されている。
本発明による薄膜由Ｌパネルの断面構造を示しており、
第３図と異なる部分は背面電極で、上記第３図の薄膜Ｅ
Ｌパネルと同様に、第２絶縁層５上にまずＭｏＳ２‐ｘ
からなる黒化電極８が形成されて表示コントラストの改
善が図られているが、更に該ＭｏＳ２‐ｘ黒化電極８上
に、比抵抗の低い金属薄膜９が積層されている。
即ちＡＩ等の金属がスパッタリング或いは真空蒸着法等
の従来公知の際生成技術によって形成され、背面電極の
抵抗値の低減が図られている。上誌金属膜９を設けるこ
とにより背面電極の線抵抗の低減が図られ、たとえ面積
をもつディスプレイパネルであってもＥＬ薄膜発光層に
印加される鰭圧の不均一化を防ぐことができる。
の従来公知の際生成技術によって形成され、背面電極の
抵抗値の低減が図られている。上誌金属膜９を設けるこ
とにより背面電極の線抵抗の低減が図られ、たとえ面積
をもつディスプレイパネルであってもＥＬ薄膜発光層に
印加される鰭圧の不均一化を防ぐことができる。
上記実施例は背面電極のＥＬ薄膜発光層側を二硫化モリ
ブデン（ＭｏＳ２Ｔ）膜で形成した場合を挙げたが、そ
の他光学的及び電気的に類似の特性を示すモリブデナイ
トを用いても実施することができる。
ブデン（ＭｏＳ２Ｔ）膜で形成した場合を挙げたが、そ
の他光学的及び電気的に類似の特性を示すモリブデナイ
トを用いても実施することができる。
以上本発明によれば、ＥＬ薄膜発光層側に光吸収係数の
大きい導体を設け、該導体に重ねて抵抗値の低い金属膜
を形成して背面電極を設けるため、上記導体によって表
示コントラストの改善を図ることができると共に、その
際に金属膜を設けることにより背面電極の線抵抗の低減
を図り、パネル面での発光輝度不均一化を防ぐことがで
き、表示品質の高い薄膜ＥＬパネルを得ることができる
。
大きい導体を設け、該導体に重ねて抵抗値の低い金属膜
を形成して背面電極を設けるため、上記導体によって表
示コントラストの改善を図ることができると共に、その
際に金属膜を設けることにより背面電極の線抵抗の低減
を図り、パネル面での発光輝度不均一化を防ぐことがで
き、表示品質の高い薄膜ＥＬパネルを得ることができる
。
第１図は従来装置の断面図、第２図は従来装置の光反射
効果を説明するための図、第３図は改良型の薄膜ＥＬパ
ネルを示す断面図、第４図は二硫化モリブデン生成工程
中の日２Ｓ量と面積抵抗との関係を示す図、第５図は×
−Ｙマトリックスパネルの等価回路図、第６図は本発明
による実施例を示す断面図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３：第１絶縁膜、４：
ＺｎＳ発光薄膜、５：第２絶縁膜、７：二硫化モリブデ
ン背面電極、８：Ｎ電極。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
効果を説明するための図、第３図は改良型の薄膜ＥＬパ
ネルを示す断面図、第４図は二硫化モリブデン生成工程
中の日２Ｓ量と面積抵抗との関係を示す図、第５図は×
−Ｙマトリックスパネルの等価回路図、第６図は本発明
による実施例を示す断面図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３：第１絶縁膜、４：
ＺｎＳ発光薄膜、５：第２絶縁膜、７：二硫化モリブデ
ン背面電極、８：Ｎ電極。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 透明電極と背面電極間に挾持された薄膜発光層に所
定レベルの電圧を印加して発光させる薄膜ＥＬパネルに
おいて、背面電極を、薄膜発光層側に二硫化モリブテン
又はモリブデナイトからなる可視域の光吸収係数が大き
い導体を設け、該導体上に電気抵抗の低いアルミニウム
等の金属膜を設けて形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ
パネルの電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55121424A JPS6016077B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 薄膜ｅｌパネルの電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55121424A JPS6016077B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 薄膜ｅｌパネルの電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5746494A JPS5746494A (en) | 1982-03-16 |
| JPS6016077B2 true JPS6016077B2 (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=14810795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55121424A Expired JPS6016077B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 薄膜ｅｌパネルの電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016077B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0123337Y2 (ja) * | 1985-03-27 | 1989-07-18 | ||
| EP0788297A1 (en) | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201392A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | アルプス電気株式会社 | 分散型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 |
| JPS59219895A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | ホ↓−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6012297U (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-28 | 伊勢電子工業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS6074289A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-26 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS60193295A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP3169628B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
-
1980
- 1980-09-01 JP JP55121424A patent/JPS6016077B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0123337Y2 (ja) * | 1985-03-27 | 1989-07-18 | ||
| EP0788297A1 (en) | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5746494A (en) | 1982-03-16 |
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