JPH06163157A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH06163157A JPH06163157A JP4312497A JP31249792A JPH06163157A JP H06163157 A JPH06163157 A JP H06163157A JP 4312497 A JP4312497 A JP 4312497A JP 31249792 A JP31249792 A JP 31249792A JP H06163157 A JPH06163157 A JP H06163157A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
- C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜ＥＬ素子の発光層が、発光中心として最適
の濃度のMnを含有するZnＳからなるように、スパッタリ
ング法を用いて成膜する。 【構成】スパッタリング法により、成膜される発光層中
のMn濃度はターゲツト中のMn濃度より高くなるとの認識
に基づき、最適Mn濃度より低いMn濃度のZnＳ：MnＳター
ゲツトを用いる。あるいはターゲツト表面のMn濃度を、
ターゲツト表面に露出するMnとZnＳの面積比によって調
整する。そのようなターゲツトはモザイクターゲツトで
も、ZnＳ基体上にMnペレットを置いたターゲツトでもよ
い。さらに、ZnＳターゲツトとZnＳ：MnＳターゲツトを
用い、それぞれに供給する放電電力比を調整することに
より、形成される発光層中のMn濃度を所望の値にするこ
ともできる。
の濃度のMnを含有するZnＳからなるように、スパッタリ
ング法を用いて成膜する。 【構成】スパッタリング法により、成膜される発光層中
のMn濃度はターゲツト中のMn濃度より高くなるとの認識
に基づき、最適Mn濃度より低いMn濃度のZnＳ：MnＳター
ゲツトを用いる。あるいはターゲツト表面のMn濃度を、
ターゲツト表面に露出するMnとZnＳの面積比によって調
整する。そのようなターゲツトはモザイクターゲツトで
も、ZnＳ基体上にMnペレットを置いたターゲツトでもよ
い。さらに、ZnＳターゲツトとZnＳ：MnＳターゲツトを
用い、それぞれに供給する放電電力比を調整することに
より、形成される発光層中のMn濃度を所望の値にするこ
ともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光中心としてマンガ
ン (Mn) を添加した硫化亜鉛 (ZnＳ) よりなる発光層を
有する薄膜ＥＬ (エレクトロルミネセンス) 素子の製造
方法に関する。
ン (Mn) を添加した硫化亜鉛 (ZnＳ) よりなる発光層を
有する薄膜ＥＬ (エレクトロルミネセンス) 素子の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、高解像度および大容量表示が可能
な平面型表示素子として全固体素子である薄膜ＥＬ素子
が注目されている。薄膜ＥＬ素子は、一般に図１に示す
ように、ガラス基板１上に透明電極２、第一の絶縁層
３、ＥＬ発光層４、第二の絶縁層５および裏面電極６を
積層した２重絶縁構造をしている。この中でＥＬ素子の
発光層は、硫化亜鉛 (ZnＳ) を母材とし、その中に少量
の発光中心 (Mn) を添加した材料で形成されている。そ
して、透明電極２と裏面電極６の間に電源７により交流
電界を印加することにより発光する。薄膜ＥＬ素子で、
70cd／ｍ2 以上の実用的な発光輝度を得るためには、発
光層４中の発光中心材料に最適濃度が存在し、Mnの濃度
は硫化亜鉛に対し約0.５wt％ (0.４〜0.６wt) が望まし
い。
な平面型表示素子として全固体素子である薄膜ＥＬ素子
が注目されている。薄膜ＥＬ素子は、一般に図１に示す
ように、ガラス基板１上に透明電極２、第一の絶縁層
３、ＥＬ発光層４、第二の絶縁層５および裏面電極６を
積層した２重絶縁構造をしている。この中でＥＬ素子の
発光層は、硫化亜鉛 (ZnＳ) を母材とし、その中に少量
の発光中心 (Mn) を添加した材料で形成されている。そ
して、透明電極２と裏面電極６の間に電源７により交流
電界を印加することにより発光する。薄膜ＥＬ素子で、
70cd／ｍ2 以上の実用的な発光輝度を得るためには、発
光層４中の発光中心材料に最適濃度が存在し、Mnの濃度
は硫化亜鉛に対し約0.５wt％ (0.４〜0.６wt) が望まし
い。
【０００３】現在このようなＥＬ素子の発光層の成膜方
法には、真空蒸着法、ＣＶＤ法の一つであるＡＬＥ法
(原子層結晶成長法) およびスパッタリング法などが検
討されてきた。この中で、スパッタリング法は、大面積
で均一な膜が成膜でき、さらに成膜速度が非常に速いた
め生産性に優れた方法である。
法には、真空蒸着法、ＣＶＤ法の一つであるＡＬＥ法
(原子層結晶成長法) およびスパッタリング法などが検
討されてきた。この中で、スパッタリング法は、大面積
で均一な膜が成膜でき、さらに成膜速度が非常に速いた
め生産性に優れた方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ZnＳにMnを混
合したターゲツトを用いてスパッタリング法で発光層を
成膜する場合、ＯnoによるActa Polytechnica Scandina
via 、Applied PhysicsSeries No.170 (5th Internatio
nal Workshop on Electroluminecense)pp41〜48所載の
文献に記載されているように、発光輝度が低いという問
題点があった。発明者らは、構成元素である亜鉛 (Zn)
、硫黄 (Ｓ) 、マンガン (Mn) のスパッタ率、蒸気圧
などの物理的特性が異なるために、成膜した膜の組成が
ターゲツトの組成と大きく異なることがその原因である
ことを見出した。
合したターゲツトを用いてスパッタリング法で発光層を
成膜する場合、ＯnoによるActa Polytechnica Scandina
via 、Applied PhysicsSeries No.170 (5th Internatio
nal Workshop on Electroluminecense)pp41〜48所載の
文献に記載されているように、発光輝度が低いという問
題点があった。発明者らは、構成元素である亜鉛 (Zn)
、硫黄 (Ｓ) 、マンガン (Mn) のスパッタ率、蒸気圧
などの物理的特性が異なるために、成膜した膜の組成が
ターゲツトの組成と大きく異なることがその原因である
ことを見出した。
【０００５】さらに、薄膜中のMn濃度は成膜時の基板温
度に大きく依存し、図２に示すように基板温度が高くな
るにしたがって薄膜中のMn濃度も増加してしまう傾向に
ある。また、ZnＳとMnの混合ターゲツトのMn濃度より薄
膜中のMn濃度の方が大きくなる。そのほか、スパッタガ
ス中に硫黄を含む化合物ガスを添加してすることにより
硫黄を補給し高輝度の得られる発光層を得る方法もある
が、この場合でも上記の問題に変わりはない。これは、
硫黄は蒸気圧が高く膜中より離脱しやすい元素であり、
硫黄を含む化合物ガスを成膜中に供給することは発光層
中の硫黄欠陥を少なくすることに効果があるものの、薄
膜中の亜鉛とマンガンとの比率には影響しないためであ
る。
度に大きく依存し、図２に示すように基板温度が高くな
るにしたがって薄膜中のMn濃度も増加してしまう傾向に
ある。また、ZnＳとMnの混合ターゲツトのMn濃度より薄
膜中のMn濃度の方が大きくなる。そのほか、スパッタガ
ス中に硫黄を含む化合物ガスを添加してすることにより
硫黄を補給し高輝度の得られる発光層を得る方法もある
が、この場合でも上記の問題に変わりはない。これは、
硫黄は蒸気圧が高く膜中より離脱しやすい元素であり、
硫黄を含む化合物ガスを成膜中に供給することは発光層
中の硫黄欠陥を少なくすることに効果があるものの、薄
膜中の亜鉛とマンガンとの比率には影響しないためであ
る。
【０００６】それゆえ、希望するＥＬ発光層の膜組成と
同一の組成を有するターゲツトを用いる通常のスパッタ
リング法では、0.５wt％付近が最適とされる所望のMn濃
度が得られなかった。本発明の目的は、所望のMn濃度を
もつZnＳからなる発光層を成膜できる薄膜ＥＬ素子の製
造方法を提供することにある。
同一の組成を有するターゲツトを用いる通常のスパッタ
リング法では、0.５wt％付近が最適とされる所望のMn濃
度が得られなかった。本発明の目的は、所望のMn濃度を
もつZnＳからなる発光層を成膜できる薄膜ＥＬ素子の製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、発光中心と
してのMnを添加したZnＳよりなる発光層をスパッタリン
グ法で成膜する際に、所望の発光層中のMn濃度より低い
濃度のMnを含有するZnＳよりなるターゲツトを使用する
ものとする。あるいは、換算されたMn量のZnＳ量に対す
る割合が所望の発光層中のMn濃度より低くなるような面
積比でMn系材料とZnＳとが表面に露出するターゲツトを
使用するものとする。その場合、マンガン系材料がZnＳ
基体の表面に埋め込まれても、ZnＳ基体の表面上に別個
の素体として載置されてもよい。さらにまた、零を含み
得る異なる濃度のMnを含有するZnＳよりなる複数のター
ゲツトを使用し、各ターゲツトに対してそれぞれ供給さ
れる放電電力比を調整して発光層中にMn濃度を制御する
ものとする。以上のうちで、ZnＳにMnをマンガンの形で
添加することも、マンガン化合物の形で添加することも
よい。また、マンガン系材料がマンガンであっても、マ
ンガン化合物であってもよい。
めに、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、発光中心と
してのMnを添加したZnＳよりなる発光層をスパッタリン
グ法で成膜する際に、所望の発光層中のMn濃度より低い
濃度のMnを含有するZnＳよりなるターゲツトを使用する
ものとする。あるいは、換算されたMn量のZnＳ量に対す
る割合が所望の発光層中のMn濃度より低くなるような面
積比でMn系材料とZnＳとが表面に露出するターゲツトを
使用するものとする。その場合、マンガン系材料がZnＳ
基体の表面に埋め込まれても、ZnＳ基体の表面上に別個
の素体として載置されてもよい。さらにまた、零を含み
得る異なる濃度のMnを含有するZnＳよりなる複数のター
ゲツトを使用し、各ターゲツトに対してそれぞれ供給さ
れる放電電力比を調整して発光層中にMn濃度を制御する
ものとする。以上のうちで、ZnＳにMnをマンガンの形で
添加することも、マンガン化合物の形で添加することも
よい。また、マンガン系材料がマンガンであっても、マ
ンガン化合物であってもよい。
【０００８】
【作用】Mnを含有するZnＳからなるターゲツトを用いて
スパッタリングする場合に発光層の所望のMn濃度より低
いMn濃度のターゲツトを用いれば、スパッタリングの際
のMn濃度の上昇により所望のMn濃度の発光層を得ること
ができる。あるいは、ターゲツトの表面にMnもしくはMn
化合物とZnＳとを露出させ、その面積比を調整してター
ゲツト面でのMn量を発光層の所望のMn濃度より低くする
ことによっても所望のMn濃度の発光層を得ることができ
る。さらに、異なる濃度のMnを含有する複数のZnＳ：Mn
ターゲツトを用い、各ターゲツトに供給する放電電力を
異なる値にすれば、所望のMn濃度の発光層を得られるよ
うに制御することができる。
スパッタリングする場合に発光層の所望のMn濃度より低
いMn濃度のターゲツトを用いれば、スパッタリングの際
のMn濃度の上昇により所望のMn濃度の発光層を得ること
ができる。あるいは、ターゲツトの表面にMnもしくはMn
化合物とZnＳとを露出させ、その面積比を調整してター
ゲツト面でのMn量を発光層の所望のMn濃度より低くする
ことによっても所望のMn濃度の発光層を得ることができ
る。さらに、異なる濃度のMnを含有する複数のZnＳ：Mn
ターゲツトを用い、各ターゲツトに供給する放電電力を
異なる値にすれば、所望のMn濃度の発光層を得られるよ
うに制御することができる。
【０００９】
【実施例】図３は本発明の一実施例に用いるスパッタリ
ング装置である。図において、反応室11内にターゲツト
12を被着した陰極13と基板１を設置した陽極14とが対向
している。陰極13は、マッチング回路15を介して13.56M
HzのＲＦ電源16に接続されている。また基板１には、こ
こでは図示しないが、図１の構造のうち1700Åの厚さの
ＩＴＯよりなる透明電極２、4000Åの厚さの酸化珪素、
五酸化タンタルの多層膜よりなる第一絶縁層３が積層さ
れている。本発明の一実施例における発光層４の成膜
は、硫化亜鉛に硫化マンガンを添加し、Mn濃度として0.
３wt％となるよう調整し、焼結したターゲツト12を用い
て行った。スパッタリングガスはガス導入口17より硫黄
を含む化合物ガスとして硫化水素を５％添加したアルゴ
ンガスを反応室11内に導入した。スパッタリング条件と
しては、ガス圧力５〜20ｍTorr、基板温度300 ℃、放電
電力は２〜５Ｗ／cm2 となるように調整し、膜厚は0.６
〜1.０μｍの範囲に調整している。こうして得られたＥ
Ｌ素子発光層は、膜中のMn濃度も0.４〜0.６wt％と最適
Mn濃度が再現性よく得られるため、その上に4000Åの厚
さの酸化珪素、五酸化タンタルの多層膜よりなる第二絶
縁層５、厚さ7000Åのアルミニウムあるいはニッケルよ
りなる背面電極６を順次積層することにより発光輝度の
高い薄膜ＥＬ素子が得られた。なお、ターゲツト中への
Mnの添加は、MnＳのほかに純Mn、あるいはMnＦ2 、MnCL
2 等の化合物を用いることができる。また、スパッタリ
ングガスに純アルゴンガスを用いることもできる。
ング装置である。図において、反応室11内にターゲツト
12を被着した陰極13と基板１を設置した陽極14とが対向
している。陰極13は、マッチング回路15を介して13.56M
HzのＲＦ電源16に接続されている。また基板１には、こ
こでは図示しないが、図１の構造のうち1700Åの厚さの
ＩＴＯよりなる透明電極２、4000Åの厚さの酸化珪素、
五酸化タンタルの多層膜よりなる第一絶縁層３が積層さ
れている。本発明の一実施例における発光層４の成膜
は、硫化亜鉛に硫化マンガンを添加し、Mn濃度として0.
３wt％となるよう調整し、焼結したターゲツト12を用い
て行った。スパッタリングガスはガス導入口17より硫黄
を含む化合物ガスとして硫化水素を５％添加したアルゴ
ンガスを反応室11内に導入した。スパッタリング条件と
しては、ガス圧力５〜20ｍTorr、基板温度300 ℃、放電
電力は２〜５Ｗ／cm2 となるように調整し、膜厚は0.６
〜1.０μｍの範囲に調整している。こうして得られたＥ
Ｌ素子発光層は、膜中のMn濃度も0.４〜0.６wt％と最適
Mn濃度が再現性よく得られるため、その上に4000Åの厚
さの酸化珪素、五酸化タンタルの多層膜よりなる第二絶
縁層５、厚さ7000Åのアルミニウムあるいはニッケルよ
りなる背面電極６を順次積層することにより発光輝度の
高い薄膜ＥＬ素子が得られた。なお、ターゲツト中への
Mnの添加は、MnＳのほかに純Mn、あるいはMnＦ2 、MnCL
2 等の化合物を用いることができる。また、スパッタリ
ングガスに純アルゴンガスを用いることもできる。
【００１０】別の実施例では、同じ装置を用い、ZnＳか
らなるターゲツトの表面上にMnＳのペレットを載置し、
露出面積においてMnに換算した面積とZnＳの面積との比
を、0.３wt％程度のMn濃度に対応するようににした。そ
して上記の実施例と同様の条件で成膜した結果、0.４〜
0.６wt％と最適Mn濃度がえられた。このようなターゲツ
トでは、ターゲツト表面におけるMn濃度の微調整が容易
であり、どのような基板温度に対しても最適Mn濃度を含
有する発光層の作成が可能である。MnＳのかわりにMnを
用いることもできる。また、ZnＳとMnあるいはMn化合物
とを適当な面積比で配置したモザイクターゲツトを用い
てもよい。
らなるターゲツトの表面上にMnＳのペレットを載置し、
露出面積においてMnに換算した面積とZnＳの面積との比
を、0.３wt％程度のMn濃度に対応するようににした。そ
して上記の実施例と同様の条件で成膜した結果、0.４〜
0.６wt％と最適Mn濃度がえられた。このようなターゲツ
トでは、ターゲツト表面におけるMn濃度の微調整が容易
であり、どのような基板温度に対しても最適Mn濃度を含
有する発光層の作成が可能である。MnＳのかわりにMnを
用いることもできる。また、ZnＳとMnあるいはMn化合物
とを適当な面積比で配置したモザイクターゲツトを用い
てもよい。
【００１１】図４は共スパッタリングにより発光層を成
膜する実施例に用いるスパッタリング装置であり、図３
と共通の部分には同一の符号が付されている。この場合
は、陽極14に基板回転機構18が連結され、陰極は13.23
の２個でそれぞれがマッチング回路15、25を介してＲＦ
電源16、26に接続されている。一方の陰極23上には、Mn
を含まないZnＳターゲツト22を、他方の陰極13上には、
硫化亜鉛に硫化マンガンを添加し、0.５wt％のMn濃度を
もつターゲツト12を取り付け、上記の両実施例と同様の
成膜条件で、放電電力は両陰極13、23ともに２Ｗ／cm2
とした。これにより、0.４〜0.６wt％の最適Mn濃度をも
つ発光層が再現性よく得られ、発光輝度の高い薄膜ＥＬ
素子を製造できた。さらに、ZnＳ：MnＳターゲツト12の
Mn濃度を0.５wt％より高め、その代わりに電源16から陰
極13に供給する放電電力を２Ｗ／cm2 より低くすること
により、あるいは0.５wt％より低いMn濃度のターゲツト
を用い、陰極13への供給電力を２Ｗ／cm2 より高くする
ことにより、やはり最適Mn濃度の発光層を成膜すること
ができた。このように、発光層中のMn濃度の制御は二つ
のターゲツトの放電電力比を変えるだけでできるため、
発光層中の最適Mn濃度の達成、および維持、管理が容易
である。なお、上の実施例では、二つのターゲツトの内
の一方に純ZnＳターゲツトを用いたが、Mn濃度の異なる
二つのZnＳ：MnＳあるいはZnＳ：Mnターゲツトを用いて
もよい。また、前記の各実施例においても、二つの濃度
の異なるZnＳ：MnＳあるいはZnＳ：Mnターゲツトを用
い、図４の装置を用いて成膜することも可能であり、各
ターゲツトに対する放電電力の調整と併せてより精度の
よい発光層中のMn濃度の制御が可能である。
膜する実施例に用いるスパッタリング装置であり、図３
と共通の部分には同一の符号が付されている。この場合
は、陽極14に基板回転機構18が連結され、陰極は13.23
の２個でそれぞれがマッチング回路15、25を介してＲＦ
電源16、26に接続されている。一方の陰極23上には、Mn
を含まないZnＳターゲツト22を、他方の陰極13上には、
硫化亜鉛に硫化マンガンを添加し、0.５wt％のMn濃度を
もつターゲツト12を取り付け、上記の両実施例と同様の
成膜条件で、放電電力は両陰極13、23ともに２Ｗ／cm2
とした。これにより、0.４〜0.６wt％の最適Mn濃度をも
つ発光層が再現性よく得られ、発光輝度の高い薄膜ＥＬ
素子を製造できた。さらに、ZnＳ：MnＳターゲツト12の
Mn濃度を0.５wt％より高め、その代わりに電源16から陰
極13に供給する放電電力を２Ｗ／cm2 より低くすること
により、あるいは0.５wt％より低いMn濃度のターゲツト
を用い、陰極13への供給電力を２Ｗ／cm2 より高くする
ことにより、やはり最適Mn濃度の発光層を成膜すること
ができた。このように、発光層中のMn濃度の制御は二つ
のターゲツトの放電電力比を変えるだけでできるため、
発光層中の最適Mn濃度の達成、および維持、管理が容易
である。なお、上の実施例では、二つのターゲツトの内
の一方に純ZnＳターゲツトを用いたが、Mn濃度の異なる
二つのZnＳ：MnＳあるいはZnＳ：Mnターゲツトを用いて
もよい。また、前記の各実施例においても、二つの濃度
の異なるZnＳ：MnＳあるいはZnＳ：Mnターゲツトを用
い、図４の装置を用いて成膜することも可能であり、各
ターゲツトに対する放電電力の調整と併せてより精度の
よい発光層中のMn濃度の制御が可能である。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリングの際の
ターゲツト中のMn濃度を最適Mn濃度より低く設定するこ
とにより、あるいはMn濃度の低いZnＳターゲツトと共ス
パッタリングして発光層中のMn濃度を高めることによ
り、さらにはその場合の各ターゲツトへの供給電力を制
御することにより、発光層中において最適Mn濃度が実現
できる。このため再現性よく高発光輝度が得られるＥＬ
発光層を有する薄膜ＥＬ素子の製造が可能になった。
ターゲツト中のMn濃度を最適Mn濃度より低く設定するこ
とにより、あるいはMn濃度の低いZnＳターゲツトと共ス
パッタリングして発光層中のMn濃度を高めることによ
り、さらにはその場合の各ターゲツトへの供給電力を制
御することにより、発光層中において最適Mn濃度が実現
できる。このため再現性よく高発光輝度が得られるＥＬ
発光層を有する薄膜ＥＬ素子の製造が可能になった。
【図１】本発明によって製造される薄膜ＥＬ素子の断面
図
図
【図２】ZnＳ：Mnターゲツトを用いて成膜した発光層中
のMn濃度のターゲツトのMn濃度に対する比と基板温度と
の関係線図
のMn濃度のターゲツトのMn濃度に対する比と基板温度と
の関係線図
【図３】本発明の一実施例に関するスパッタリング装置
の断面図
の断面図
【図４】本発明の別の実施例に用いるスパッタリング装
置の断面図
置の断面図
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二絶縁層 ６ 裏面電極 １１ 反応室 １２ ターゲツト １３ 陰極 １４ 陽極 ２２ ターゲツト ２３ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 一喜 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】発光中心としてのマンガンを添加した硫化
亜鉛よりなる発光層をスパッタリング法で成膜する際
に、所望の発光層中のマンガン濃度より低い濃度のマン
ガンを含有する硫化亜鉛よりなるターゲツトを使用する
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】発光中心としてのマンガンを添加した硫化
亜鉛よりなる発光層をスパッタリング法で成膜する際
に、換算されたマンガン量の硫化亜鉛量を加えた量に対
する割合が所望の発光層中のマンガン濃度より低くなる
ような面積比でマンガン系材料と硫化亜鉛とが表面に露
出するターゲツトを使用することを特徴とする薄膜ＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項３】マンガン系材料が硫化亜鉛基体の表面に埋
め込まれた請求項２記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項４】マンガン系材料が硫化亜鉛基体の表面上に
別個の素体として載置された請求項２記載の薄膜ＥＬ素
子の製造方法。 - 【請求項５】発光中心としてのマンガンを添加した硫化
亜鉛よりなる発光層をスパッタリング法で成膜する際
に、零を含み得る異なる濃度のマンガンを含有する硫化
亜鉛よりなる複数のターゲツトを使用し、各ターゲツト
に対してそれぞれ供給される放電電力比を調整して発光
層中にマンガン濃度を制御することを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項６】硫化亜鉛にマンガンをマンガンの形で添加
する請求項１あるいは５記載の薄膜ＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項７】硫化亜鉛にマンガンをマンガン化合物の形
で添加する請求項１あるいは５記載の薄膜ＥＬ素子の製
造方法。 - 【請求項８】マンガン系材料がマンガンである請求項
２、３あるいは４記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項９】マンガン系材料がマンガン化合物である請
求項２、３あるいは４記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項10】含有するマンガン濃度が0.４wt％以下のタ
ーゲツトを使用する請求項１記載の薄膜ＥＬ素子の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4312497A JPH06163157A (ja) | 1992-09-24 | 1992-11-24 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| GB9319432A GB2271022B (en) | 1992-09-24 | 1993-09-21 | A method for manufacturing a thin-film EL device |
| DE19934332209 DE4332209A1 (de) | 1992-09-24 | 1993-09-22 | Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Vorrichtung |
| US08/257,630 US5518432A (en) | 1992-09-24 | 1994-06-07 | Method for manufacturing thin-film EL device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25334592 | 1992-09-24 | ||
| JP4-253345 | 1992-09-24 | ||
| JP4312497A JPH06163157A (ja) | 1992-09-24 | 1992-11-24 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163157A true JPH06163157A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=26541152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4312497A Pending JPH06163157A (ja) | 1992-09-24 | 1992-11-24 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
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|---|---|
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| DE (1) | DE4332209A1 (ja) |
| GB (1) | GB2271022B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4896208A (en) * | 1986-12-02 | 1990-01-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for reading and digitally editing multiple images |
| US7282123B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-10-16 | Ifire Technology Corp. | Composite sputter target and phosphor deposition method |
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| DE10338897A1 (de) * | 2003-08-23 | 2005-03-17 | Volkswagen Ag | Beleuchtbares Funktionselement für ein Kraftfahrzeug |
| DE10359123B4 (de) | 2003-12-17 | 2022-01-20 | Volkswagen Ag | Kraftfahrzeug mit einer an sichtbaren Flächen angeordneten Innenraumverkleidung |
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| DE102004013820A1 (de) * | 2004-03-20 | 2005-10-06 | Volkswagen Ag | Kunststoffbauteil für ein Kraftfahrzeug |
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-
1992
- 1992-11-24 JP JP4312497A patent/JPH06163157A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-21 GB GB9319432A patent/GB2271022B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-22 DE DE19934332209 patent/DE4332209A1/de not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| US4896208A (en) * | 1986-12-02 | 1990-01-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for reading and digitally editing multiple images |
| US7282123B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-10-16 | Ifire Technology Corp. | Composite sputter target and phosphor deposition method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2271022B (en) | 1995-09-13 |
| DE4332209A1 (de) | 1994-03-31 |
| GB9319432D0 (en) | 1993-11-03 |
| GB2271022A (en) | 1994-03-30 |
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