DE4332209A1

DE4332209A1 - Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Vorrichtung

Info

Publication number: DE4332209A1
Application number: DE19934332209
Authority: DE
Inventors: Hisato Katou; Tomoyuki Kasashima; Kazoyoshi Shibata; Harutaka Taniguchi
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1992-09-24
Filing date: 1993-09-22
Publication date: 1994-03-31
Also published as: GB2271022B; GB2271022A; JPH06163157A; GB9319432D0

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Elektrolumineszenz-(EL)-Vorrichtung mit einer Licht emittierenden Schicht, die aus Zinksulfid (ZnS) mit einem Zusatz von Mangan (Mn) als dem Licht emittierenden Kern besteht.

Stand der Technik

In der letzten Zeit fand eine Dünnschicht-EL-Vorrichtung Beach tung, die aus einem völlig festen Element als einem flachen An zeigelement besteht, das eine hohe Auflösung und eine Anzeige mit hoher Leistungsfähigkeit bereitstellen kann.

Eine Dünnschicht-EL-Vorrichtung weist eine zweifach isolierte Struktur auf, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, in der auf ein Glassubstrat eine transparente Elektrode 2, eine erste Isola tionsschicht 3, eine Licht emittierende EL-Schicht 4, eine zweite Isolationsschicht 5 und eine Rückelektrode 6 laminiert sind. Unter diesen Komponenten ist die Licht emittierende Schicht für die EL-Vorrichtung mit einem Material gebildet, bei dem Zinksulfid (ZnS) als das Basismaterial verwendet ist, dem eine geringe Menge eines Licht emittierenden Kerns (Mn) zu gegeben ist. Das Licht wird mittels des Anlegens eines elektri schen Wechselfeldes über die transparente Elektrode 2 und die Rückelektrode 6 unter Verwendung einer Energiequelle 7 emit tiert. Um mit der Dünnschicht-(EL)-Vorrichtung in der Praxis eine Lichtemissionsluminanz von 70 cd/m² oder mehr zu erreichen, ist erwünscht, daß eine optimale Konzentration des Licht emit tierenden Kernmaterials in der Licht emittierenden Schicht 4 herrscht, und daß die Mn-Konzentration bei etwa 0.5 Gew.-% (0.4 bis 0.6) gegenüber dem Zinksulfid liegt.

Unter den Verfahren zur Bildung einer Licht emittierenden Schicht in einer EL-Vorrichtung sind das Vakuumabscheidungs verfahren, das Atomschichtkristallzüchtungsverfahren (das ALE-Verfahren), ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren und das Sputter-Verfahren zu nennen. Von diesen ist das Sputter- Verfahren eine hervorragende Methode mit hoher Produktivität, da es geeignet ist, gleichmäßige Schichten auf einer großen Fläche zu bilden, und eine sehr hohe Schichtbildungsgeschwindigkeit aufweist.

Aufgabe der Erfindung

Allerdings trat bei der Bildung einer Licht emittierenden Schicht mittels des Sputter-Verfahrens unter Verwendung eines Targets aus ZnS gemischt mit Mn das Problem auf, daß die Licht emissionsluminanz gering war, was in dem Aufsatz von Ono in Acta Polytechnica Scandinavia, Applied Physics Series No. 170 (5th International Workshop on Electroluminescence), S. 41-48 beschrieben ist. Die Erfinder haben herausgefunden, daß das Problem dadurch verursacht wurde, daß sich die Zusammensetzung der gebildeten Schicht stark von der Zusammensetzung für das Target unterschied, da Zink (Zn), Schwefel (S) und Mangan (Mn) als Bestandteile unterschiedliche physikalische Eigenschaften, wie Sputter-Raten und Dampfdrücke aufweisen.

Darüberhinaus hängt die Mn-Konzentration in der Dünnschicht weitgehend von der Substrattemperatur während der Schichtbil dungsprozesse ab, wobei sich tendenziell wie in Fig. 2 zeigt, daß die Mn-Konzentration in der Dünnschicht zunimmt, wenn die Substrattemperatur ansteigt. Darüberhinaus wird die Mn-Konzen tration in der Dünnschicht höher als die Mn-Konzentration in dem ZnS-Mn-Gemisch-Target.

In anderen Fällen läßt sich ein Verfahren verwenden, das eine Licht emittierende Schicht mit hoher Luminanz durch die Zufuhr von Schwefel erhalten kann, indem ein Schwefel enthaltendes Mischgas zu dem Sputter-Gas gegeben wird. Allerdings bleibt das obengenannte Problem auch in diesem Fall unverändert. Dies liegt daran, daß Schwefel ein Element mit hohem Dampfdruck ist und leicht von einer Schicht dissoziiert, und obwohl die Zufuhr eines Schwefel enthaltenden Mischgases wirksam für die Redu zierung von Schwefeldefekten in der Licht emittierenden Schicht sein kann, bleibt das Verhältnis von Zink und Mangan in der Dünnschicht davon unberührt.

Aus diesen Gründen konnte das übliche Sputter-Verfahren unter Verwendung eines Targets mit der gleichen Zusammensetzung wie die Schichtzusammensetzung in der gewünschten EL-Lichtemissions schicht nicht eine gewünschte Mn-Konzentration erreichen, deren optimaler Wert bei etwa 0,5 Gew.-% liegt.

Das Ziel der vorliegenden Erfindung liegt darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung bereitzu stellen, bei der eine Licht emittierende Schicht mit ZnS und einer gewünschten Mn-Konzentration hergestellt werden kann.

Erfindungsgemäße Lösung

Um das obengenannte Ziel zu erreichen, verwendet das Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung bei der Bildung der aus ZnS mit einem Zusatz von Mn als dem Licht emittierenden Kern bestehenden, Licht emittierenden Schicht unter Verwendung eines Sputter- Verfahrens ein Target, das aus ZnS mit Mn in einer geringeren Konzentration als die Mn-Konzentration in der gewünschten, Licht emittierenden Schicht besteht. Oder das Verfahren verwendet alternativ ein Target, auf dem ein Material auf der Basis von Mangan und ZnS in einem solchen Flächenverhältnis exponiert sind, daß das Verhältnis einer umgewandelten Mn-Menge zu einer ZnS-Menge eine niedrigere Konzentration als die Mn-Konzentration in der gewünschten, Licht emittierenden Schicht ist. In diesem Fall kann das Material auf der Basis von Mangan entweder in eine ZnS-Basissubstanz eingebettet sein oder als getrennte Substanz auf der Oberfläche der ZnS-Basissubstanz angeordnet sein. Darüberhinaus soll das Verfahren mehrere Targets verwenden, die aus ZnS mit Mn in unterschiedlichen Konzentrationen bestehen, die Null umfassen können, und die Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht über die Einstellung des Verhältnisses der den Targets zugeführten Entladungsleistung kontrollieren. Bei diesen Verfahren kann Mn dem ZnS in Form von Mangan oder in Form von Manganverbindungen zugegeben werden. Darüberhinaus kann das Material auf der Basis von Mangan durch Mangan oder durch Mangan-Verbindungen gebildet sein.

Falls ein Target mit einer geringeren Mn-Konzentration als die gewünschte Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht beim Sputtern des Materials unter Verwendung eines Targets aus ZnS mit Mn verwendet wird, dann kann als Ergebnis des Ansteigens der Mn-Konzentration während des Sputter-Verfahrens eine Licht emittierende Schicht mit der gewünschten Mn-Konzentration erhal ten werden. Oder aber eine Licht emittierende Schicht mit der gewünschten Mn-Konzentration kann dadurch erhalten werden, daß Mn oder die Mn-Verbindungen und ZnS an der Oberfläche des Tar gets exponiert werden und ihr Flächenverhältnis so eingestellt wird, daß die Menge des Mn an der Targetoberfläche unter die gewünschte Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht reduziert wird. Falls darüberhinaus mehrere ZnSMn-Targets mit Mn in unterschiedlichen Konzentrationen verwendet werden und die jedem Target zugeführte Entladungsleistung auf unterschiedliche Werte eingestellt wird, dann kann die Konzentration so gesteuert werden, daß eine Licht emittierende Schicht mit der gewünschten Mn-Konzentration erhalten wird.

Fig. 3 zeigt eine für eine Ausführungsform der vorliegenden Er findung verwendete Sputter-Anlage. In der Figur sind eine mit einem Target 12 beschichtete Kathode 13 und eine an einem Sub strat 1 angeordnete Anode 14 in einer Reaktionskammer 11 einan der gegenüber installiert. Die Kathode 13 ist über eine Anpaß schaltung 15 mit einer HF-Energieversorgung 16 mit 13,56 MHz verbunden. Auf das Substrat 1 sind eine Elektrode 2 mit einem Indiumzinnoxid mit einer Dicke von 170 nm (1700 Å) und eine erste Isolationsschicht 3 mit einer Dicke von 400 nm (4000 Å) mit einer Mehrlagenschicht aus Siliciumoxid und Tantalpentoxid laminiert, wenn auch diese Teile in der Figur nicht gezeigt sind.

In einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird eine Licht emittierende Schicht 4 mittels eines Sintertargets aus Zinksul fid mit Mangansulfidzusatz gebildet, der so eingestellt ist, daß das Target eine Mn-Konzentration von 0,3% aufweist, also eine geringere Konzentration als die in der Licht emittierenden Schicht 4 gewünschte Mn-Konzentration. Als Sputter-Gas wurde Ar gon mit einem Zusatz von 5% Schwefelwasserstoff als Mischgas mit Schwefelgehalt durch einen Gaseinlaß 17 in die Reaktionskam mer 11 eingeleitet. Die Sputter-Bedingungen umfaßten einen Gas druck von 0,665 bis 2,66 Pa (5 bis 20 mTorr), eine Substrattem peratur von 300°C, eine auf zwischen 2 und 5 W/cm² eingestellte Entladungsleistung sowie eine Schichtdicke von 0,6 bis 1,0 µm. Die so erhaltene Licht emittierende Schicht für die EL-Vorrich tung kann die optimale Mn-Konzentration von 0,4-0,6 Gew.-% in der Schicht gut reproduzieren. Demnach wurde eine Dünnschicht- EL-Vorrichtung mit hoher Lichtemissionsluminanz erhalten, indem sequentiell auf die Licht emittierende Schicht eine zweite Iso lationsschicht 5 mit einer Dicke von 400 nm (4000 Å) und mit einer Mehrlagenschicht aus Siliciumoxid und Tantalpentoxid sowie die Rückelektrode 6 aus Aluminium oder Nickel auf eine Dicke von 700 nm (7000 Å) laminiert wird. Bei der Zugabe von Mn zu dem Target können außer MnS reines Mn oder Verbindungen wie MnF₂, MnCl₂ und andere verwendet werden. Als Sputter-Gas kann auch reines Argon verwendet werden.

Bei einer zweiten Ausführungsform wurde die gleiche Anlage mit auf die Oberfläche des ZnS-Targets gesetzten MnS-Pellets oder Mn-Pellets verwendet, wie Fig. 5 a) und b) in Draufsicht und Querschnitt zeigt, so daß das Verhältnis der Fläche des in Mn umgewandelten MnS bzw. des Mn der Pellets 42 zur Fläche des ZnS-Targets 41 in dem exponierten Bereich einer Mn-Konzentration von etwa 0,3 Gew.-% entspricht.

Die exponierte ZnS-Fläche ist dabei um die (sehr geringe) Fläche der auf ihr liegenden MnS- bzw. Mn-Pellets kleiner. Die expo nierte Fläche des Mn, das aus MnS durch Umwandlung entstand, wird angenähert aus dem Gewichtsverhältnis Mn : S im daraus gemischten Pellet bestimmt, da sie nicht unmittelbar meßbar ist.

Das Sputtern kann insbesondere bipolar erfolgen.

Als Ergebnis der Bildung einer Schicht unter den gleichen Be dingungen wie bei der obengenannten ersten Ausführungsform wurde eine optimale Mn-Konzentration von 0,4 bis 0,6 Gew.-% erreicht. Bei einem solchen Target kann die Feineinstellung der Mn-Konzen tration an der Target-Oberfläche leicht durchgeführt werden, und eine Licht emittierende Schicht mit der optimalen Mn-Konzentra tion kann bei jeder Substrattemperatur hergestellt werden.

Man kann auch ein Mosaiktarget wie in Fig. 6 in Draufsicht ge zeigt verwenden, auf dem ZnS-Bereiche 51 und Bereiche 52 aus Mn oder Mn-Verbindungen in einem geeigneten Flächenverhältnis ange ordnet sind.

Das Verhältnis der Fläche des MnS zur Fläche des ZnS wird im Hinblick auf die Konzentration von Mn in den MnS-Pellets oder die Konzentration von Mn in den im Mosaik verwendeten Verbin dungen so eingestellt, daß die gesamte exponierte Fläche eine Mn-Konzentration von vorzugsweise 0,3% aufweist, also weniger als die Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht, die vorzugsweise 0,4 bis 0,6% beträgt, ebenso wie es bei der ersten Ausführungsform der Fall ist.

Die in Fig. 3 gezeigte Apparatur wird auch für das Mosaiktarget verwendet. Beispielsweise wurden ZnS-Bereiche 51 und ZnS : Mn-Be reiche 52 mit einem Mn-Gehalt von etwa 0,5 Gew.-% abwechselnd angeordnet. Als Sputter-Gas wurde Argon mit 10% Schwefelwasser stoffgehalt vom Gaseinlaß 17 her in die Reaktionskammer 11 ein geleitet. Das Sputtern wurde bei einem Gasdruck von 1,33 Pa (10 mTorr), einer Substrattemperatur von 300°C und einer auf zwischen 2 und 5 W/cm² eingestellten Entladungsleistung durch geführt. Man erhält so eine Licht emittierende ZnS : Mn-Schicht mit einer optimalen Mn-Konzentration von 0,4 bis 0,6 Gew.-%. Schwefelwasserstoff wird verwendet, um die Licht emittierende Luminanz zu verbessern, da er leicht verdampft.

Falls statt des üblichen bipolaren Sputterns das ebenfalls übliche Magnetron-Sputtern angewandt wird, hat die vom Sput tern betroffene Fläche des Targets eine Ringform und es muß zur Berechnung der Flächenverhältnisse wie oben angegeben nur die Fläche dieser ringförmigen Sputterfläche in Betracht gezogen werden.

Fig. 4 zeigt eine Sputter-Anlage, die bei einer Ausführungsform verwendet wurde, bei der eine Licht emittierende Schicht mittels gemeinsamen Sputterns (Co-Sputtern) gebildet wird. Die mit Fig. 3 gemeinsamen Teile erhielten die gleichen Bezugsziffern. In die sem Fall ist ein Substratdrehmechanismus 18 mit der Anode 14 verbunden, und die Kathode besteht aus zwei Kathoden 13 und 23, die über Anpaßschaltungen 15 und 25 mit HF-Energieversorgungen 16 bzw. 26 verbunden sind. An einer der Kathoden 23 ist ein ZnS- Target 22 befestigt, das kein Mn enthält, und an der anderen Kathode 13 ist ein Target 12 aus Zinksulfid mit einem Zusatz von Mangansulfid sowie mit einer Mn-Konzentration von 0,5% Gew.-% befestigt, wobei die Entladungsleistung von 2 W/cm² für beide Kathoden 13 und 23 unter den gleichen Bedingungen wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform verwendet wurde. Im Ergebnis wurde eine Licht emittierende Schicht mit der optimalen Mn-Kon zentration von 0,4% bis 0,6% bei guter Reproduzierbarkeit er halten, und eine Dünnschicht-EL- Vorrichtung mit hoher Licht emissionsluminanz wurde hergestellt. Darüberhinaus war es auch möglich, eine Licht emittierende Schicht mit der optimalen Mn-Konzentration dadurch zu erreichen, daß die Mn-Konzentration in dem ZnSMn-Target auf mehr als 0,5 Gew.-% erhöht und dagegen die von der Energieversorgung 16 an die Kathode 13 gelieferte Entladungsleistung auf weniger als 2 W/cm² reduziert wurde, oder indem die der Kathode 13 zugeführte Energie auf mehr als 2 W/cm² erhöht wurde, indem ein Target mit einer Mn-Konzentration von weniger als 0,5% Gew.-% verwendet wurde. Die Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht kann also dadurch kontrol liert werden, daß einfach das Verhältnis der Entladungsleistung bei den zwei Targets verändert wird; daher kann in der Licht emittierenden Schicht eine optimale Mn-Konzentration erreicht, aufrechterhalten und leicht kontrolliert werden. Während in den oben beschriebenen Ausführungsformen in einem der beiden Targets ein reines ZnS-Target verwendet wurde, kann entweder ein ZnSMnS- Target oder ZnSMn-Target mit unterschiedlichen Mn-Konzentratio nen verwendet werden. Bei jeder Ausführungsform kann die Schicht entweder durch die Verwendung eines ZnSMnS-Targets oder eines ZnSMn-Targets mit unterschiedlichen Mn-Konzentrationen sowie durch die Verwendung der in Fig. 4 gezeigten Anlage gebildet werden, wobei die Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht mit hoher Genauigkeit kontrolliert und gleichzeitig die Entladungsleistung für jedes Target eingestellt werden kann.

Beispielsweise wurde die in Fig. 4 gezeigte Sputter-Anlage auch in einer weiteren Ausführungsform verwendet, wodurch eine Licht emittierende Schicht durch Sputtern gebildet wird. In diesem Fall ist an einer der Kathoden 23 ein ZnS : Mn-Target 22 mit einer Mn-Konzentration von 1,0 Gew.-% befestigt, und an der anderen Kathode 13 ein ZnS : Mn-Target 12 mit einer Mn-Konzentration von 0,1 Gew.-% befestigt. Als Sputtergas wurde Argon mit 10% Schwe felwasserstoffgehalt von einem Gaseinlaß 17 in die Reaktions kammer 11 eingeleitet. Das Sputtern wurde bei einem Druck von 1,33 Pa (10 mTorr), einer Substrattemperatur von 250°C, einer Substrat-Drehgeschwindigkeit von 30 UpM durchgeführt und die Entladungsleistung wurde auf 1 W/cm² für das ZnS : Mn-Target 22 und 4 W/cm² für das ZnS : Mn-Target 12 eingestellt. Als Ergebnis erhielt man eine Licht emittierende Schicht mit der optimalen Mn-Konzentration von 0,4 bis 0,6 Gew.-%. Man kann also selbst bei Verwendung eines Targets mit höherer Mn-Konzentration als eine optimale Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht eine Licht emittierende Schicht mit der optimalen Kon zentration erhalten, indem man das erwähnte Target mit einem Target mit einer niedrigen Mn-Konzentration kombiniert.

Allgemein gilt bei dieser Ausführungsform für den Fall, daß zwei Targets mit verschiedenen Mn-Konzentrationen verwendet werden, daß die Konzentration an umgewandeltem Mn insgesamt geringer als 0,5 Gew.-% sein muß. In diesem Fall ist die umgewandelte Mn-Kon zentration für ein Target nicht der einfache geometrische Durch schnitt, sondern ein gewogener Durchschnitt unter Berücksichti gung der an jedes Target angelegten Entladungsleistung. Man muß also bei dieser Ausführungsform nicht nur das Verhältnis von Fläche (oder Gewicht) wie in der ersten oder zweiten Ausfüh rungsform berücksichtigen, sondern auch das Verhältnis der Ent ladungsleistungen. Wenn beispielsweise die Entladungsleistung auf 2 W/cm² für das ZnS-Target A und 2 W/cm² für das ZnS : Mn-Tar get B eingestellt wird, die beide eine Mn-Konzentration von 0,5 Gew.-% aufweisen, gilt:

In einem weiteren Beispiel, wo die Entladungsleistung auf 1 W/cm² für ein ZnS : Mn-Target mit einer Mn-Konzentration von 1,0 Gew.-% und auf 4 W/cm² für ein ZnS : Mn-Target mit einer Mn-Konzentration von 0,1 Gew.-% eingestellt wird, gilt:

Umgewandelte Mn-Konzentration =

Wirkungen der Erfindung

Nach der vorliegenden Erfindung kann in einer Licht emittie renden Schicht eine optimale Mn-Konzentration realisiert werden, indem die Mn-Konzentration in einem Target während eines Sput ter-Verfahrens niedriger als die optimale Mn-Konzentration ein gestellt wird, oder indem die Mn-Konzentration in der Licht emittierenden Schicht dadurch erhöht wird, daß das Target zu sammen mit einem ZnS-Target mit niedriger Mn-Konzentration ge sputtert und darüberhinaus die in den obengenannten Fällen jedem Target zugeführte Energie kontrolliert wird. Diese Verfahren er möglichten die Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung mit einer EL-Lichtemissionsschicht, die eine hohe Lichtemissions luminanz bei hoher Reproduzierbarkeit liefert.

Figurenbeschreibung

Fig. 1 Ein Querschnitt einer nach der vorliegenden Erfindung hergestellten Dünnschicht-EL-Vorrichtung.

Fig. 2 Eine Kurve der Beziehung zwischen dem Verhältnis der Mn-Konzentration in einer unter Verwendung eines ZnSMn- Targets gebildeten Licht emittierenden Schicht zu der Mn-Konzentration in einem Target und der Substrattempe ratur.

Fig. 3 Ein Querschnitt einer bei einer Ausführungsform der vor liegenden Erfindung verwendeten Sputter-Anlage.

Fig. 4 Ein Querschnitt einer bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendeten Sputter-Anlage.

Fig. 5a) Eine Draufsicht (schematisch) eines ZnS-Targets mit aufgesetzten MnS- oder Mn-Pellets
b) Ein Querschnitt des Targets von a)

Fig. 6 Eine Draufsicht eines Mosaiktargets.

Bezugszeichenliste

1 Glassubstrat
2 Transparente Elektrode
3 Erste Isolationsschicht
4 Licht emittierende Schicht
5 Zweite Isolationsschicht
6 Rückelektrode
11 Reaktionskammer
12 Target
13 Kathode
14 Anode
15 Anpaßschaltung
16 HF-Energieversorgung
17 Gaszufuhr
18 Substratdrehmechanismus
22 Target
23 Kathode
25 Anpaßschaltung
26 HF-Energieversorgung
41 ZnS-Target
42 MnS- oder Mn-Pellets

Claims

1 . Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Bildung der aus Zinksulfid mit einem Zusatz von Mangan als dem Licht emittierenden Kern be stehenden, Licht emittierenden Schicht unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens ein Target verwendet wird, das aus Zinksulfid mit Mangan in einer geringeren Konzentration als die Mangankon zentration in der gewünschten, Licht emittierenden Lage besteht.

2. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Bildung der aus Zinksulfid mit einem Zusatz von Mangan als dem Licht emittierenden Kern bestehenden, Licht emittierenden Schicht unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens ein Target verwendet wird, an dem Zinksulfid und ein Material auf der Basis von Mangan in einem solchen Flächenverhältnis exponiert sind, daß das Verhältnis der umge wandelten Manganmenge zur Zinksulfidmenge eine niedrigere Man gankonzentration als die Mangankonzentration in der Licht emit tierenden Schicht ergibt.

3. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 2, bei dem das Material auf der Basis von Mangan in eine Zinksulfid-Basissubstanz eingebettet ist.

4. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 2, bei dem das Material auf der Basis von Mangan als getrennte Substanz an der Oberfläche der Zinksulfid- Basissubstanz angeordnet ist.

5. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Bildung der Licht emittie renden Schicht aus Zinksulfid mit einem Zusatz von Mangan als dem Licht emittierenden Kern unter Verwendung eines Sputter- Verfahrens mehrere Targets verwendet werden, die Mangan in unterschiedlichen Konzentrationen enthalten, die Null umfassen können, und die Mangankonzentration in der Licht emittierenden Schicht über die Einstellung des Verhältnisses der den Targets zugeführten Entladungsleistungen kontrolliert wird.

6 Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 5, bei welchem Mangan dem Zinksulfid in Form von Mangan zugegeben ist.

7. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 5, bei welchem Mangan dem Zinksulfid in Form von Manganverbindungen zugegeben ist.

8. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, bei welchem das Material auf der Basis von Mangan Mangan ist.

9. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, bei welchem das Material auf der Ba sis von Mangan Manganverbindungen sind.

10. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-EL-Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welchem ein Target verwendet wird, das Mangan in einer Konzentration von 0,4 Gew. -% oder weniger enthält.