JPS6132393A - 薄膜直流（ｄｃ）作動エレクトロルミネツセント デイバイス - Google Patents
薄膜直流（ｄｃ）作動エレクトロルミネツセント デイバイスInfo
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- JPS6132393A JPS6132393A JP11331385A JP11331385A JPS6132393A JP S6132393 A JPS6132393 A JP S6132393A JP 11331385 A JP11331385 A JP 11331385A JP 11331385 A JP11331385 A JP 11331385A JP S6132393 A JPS6132393 A JP S6132393A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electroluminescent device
- film
- layer
- light
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直流（ＤＣ）作動薄膜エレクトロルミネッセン
ト ディバイスに関する。
ト ディバイスに関する。
薄膜エレクトロルミネッセント ディバイスは多くの用
途を有している。これらのディバイスの普通使用には平
坦パネル ビデイオ ディスプレイ、情報ディスプレイ
、広告ディスプレイおよび類似使用がある。
途を有している。これらのディバイスの普通使用には平
坦パネル ビデイオ ディスプレイ、情報ディスプレイ
、広告ディスプレイおよび類似使用がある。
一般に、これらのエレクトロルミネッセントディスプレ
イは、ＤＣにより作動するディスプレイは低い作動電圧
のために簡単な構造であるけれども、ＡＣ作動である。
イは、ＤＣにより作動するディスプレイは低い作動電圧
のために簡単な構造であるけれども、ＡＣ作動である。
しかしながら、現在利用、されているＤＣ作動エレクト
ロルミネッセントディバイスには種々の問題がある。
ロルミネッセントディバイスには種々の問題がある。
主な問題としてはＤ（３作動ディバイスはその発光層に
生ずる電気的ひずみにより破壊劣化を生ずる傾向がある
ことである。これらのＤＣ作動ディバイスＥこよる他の
問題は不均質な光放射を示すことである。
生ずる電気的ひずみにより破壊劣化を生ずる傾向がある
ことである。これらのＤＣ作動ディバイスＥこよる他の
問題は不均質な光放射を示すことである。
かかるＤｏ作動エレクトロルミネッセント ディバイス
の１例としては英国特許ｉ １，３００．ｆｉ４８号明
細書に記載されているディバイスがある。この英国特許
明細書の８５図に示されているように、ディバイスは例
えば酸化錫または酸化インジウムのフィルムの透明電極
と銅またはアルミニウムグラファイトの如き不透明電極
との間に介在する発光層からなる。この英国特許におけ
る発光体としてはマンガン活性硫化亜鉛、セレン化亜鉛
または硫化亜鉛とセレン化亜鉛の混合物が用いられてい
る。ＤＣｉ電極に作用させた際に、エレクトロルミネッ
センスを生じ、この発光は透明電極を介して見ることが
できる。電極の適当な設計によつ、て、任意の所望配置
の発光を生ずるようにすることができる。上記英国特許
のエレクトロルミネッセント ディバイスの出力は最初
は満足するが−すみやかに悪くなり、このために寿命が
短くて満足するものでなくなる。
の１例としては英国特許ｉ １，３００．ｆｉ４８号明
細書に記載されているディバイスがある。この英国特許
明細書の８５図に示されているように、ディバイスは例
えば酸化錫または酸化インジウムのフィルムの透明電極
と銅またはアルミニウムグラファイトの如き不透明電極
との間に介在する発光層からなる。この英国特許におけ
る発光体としてはマンガン活性硫化亜鉛、セレン化亜鉛
または硫化亜鉛とセレン化亜鉛の混合物が用いられてい
る。ＤＣｉ電極に作用させた際に、エレクトロルミネッ
センスを生じ、この発光は透明電極を介して見ることが
できる。電極の適当な設計によつ、て、任意の所望配置
の発光を生ずるようにすることができる。上記英国特許
のエレクトロルミネッセント ディバイスの出力は最初
は満足するが−すみやかに悪くなり、このために寿命が
短くて満足するものでなくなる。
寿命の改良されたエレクトロルミネッセントディバイス
は英国特許第４，３４２，９４５号明細書に記載されて
いる。この英国特許明細書に記載されているディバイス
において、誘電体層、例えば１８０ ｎｍ厚さの酸化イ
ツトリウムＮを電極と発光フィルムごの間に配置してい
る。酸化イットリ゛ウムは発光フィルムの劣化全防止す
る作用をするから、層の厚さがそれを貫通するトンネル
にキャリヤーを通さなければ、ディバイスはＤＣの作用
によって作動しない。更に、しばしば生ずる発光は十分
に高いレベルではない。
は英国特許第４，３４２，９４５号明細書に記載されて
いる。この英国特許明細書に記載されているディバイス
において、誘電体層、例えば１８０ ｎｍ厚さの酸化イ
ツトリウムＮを電極と発光フィルムごの間に配置してい
る。酸化イットリ゛ウムは発光フィルムの劣化全防止す
る作用をするから、層の厚さがそれを貫通するトンネル
にキャリヤーを通さなければ、ディバイスはＤＣの作用
によって作動しない。更に、しばしば生ずる発光は十分
に高いレベルではない。
本発明の目的は改良されたＤＣで作動できる薄いエレク
トロルミネッセント デイノ（イス全提供することであ
る０ 本発明のＤＣ作動薄膜エレクトロルミネツセン・ト デ
ィバイスは２個の電極の間に堆積した式ＺｎＳ、ｘＳｅ
ｘ： Ｍｎ （式において０．２ ＜ ｘ ＜ ０．８
の要件ｔ″満たす）の薄いマグネシウム活性スルホセレ
ン酸ＩＩＦ鉛発光体からな９、一方の電極全透明にして
発光フィルムから発光するように借成するＯ他方の電極
は発光フィルムからの発光を反射させる。更に、本発明
においては、反射電極と発光フィルムとの間に約５〜１
５ ｎｍの厚さの酸化イツトリウム薄膜を介挿する０本
発明のエレクトロルミネッセント ディバイスの作動は
、一般に約８０〜】００ボルトのＤｏ電圧を電極間に通
す必要がある。一般に、従来技術に君けるＤｏエレクト
ロルミネッセント ディバイスに２いて生ずるより大き
い７０度（ｍａｇｎｉｔｕｃｉｅ ）および著しく高い
空間均一性を有する発ブ０を生ずる。更番こ、本発明の
エレクトロルミネッセント ディバイスの使用寿命は従
来のディバイスの使用寿命よシ著しく長いこおを確めた
。
トロルミネッセント デイノ（イス全提供することであ
る０ 本発明のＤＣ作動薄膜エレクトロルミネツセン・ト デ
ィバイスは２個の電極の間に堆積した式ＺｎＳ、ｘＳｅ
ｘ： Ｍｎ （式において０．２ ＜ ｘ ＜ ０．８
の要件ｔ″満たす）の薄いマグネシウム活性スルホセレ
ン酸ＩＩＦ鉛発光体からな９、一方の電極全透明にして
発光フィルムから発光するように借成するＯ他方の電極
は発光フィルムからの発光を反射させる。更に、本発明
においては、反射電極と発光フィルムとの間に約５〜１
５ ｎｍの厚さの酸化イツトリウム薄膜を介挿する０本
発明のエレクトロルミネッセント ディバイスの作動は
、一般に約８０〜】００ボルトのＤｏ電圧を電極間に通
す必要がある。一般に、従来技術に君けるＤｏエレクト
ロルミネッセント ディバイスに２いて生ずるより大き
い７０度（ｍａｇｎｉｔｕｃｉｅ ）および著しく高い
空間均一性を有する発ブ０を生ずる。更番こ、本発明の
エレクトロルミネッセント ディバイスの使用寿命は従
来のディバイスの使用寿命よシ著しく長いこおを確めた
。
次に、本発明ｋ ｆＡ’ｉ例図面について説明するＱ］
６０ ｎｍ厚さの酸化インジウム層全ガラス基体・１
上に熱的に蒸発させて透明電極３を形成する。
６０ ｎｍ厚さの酸化インジウム層全ガラス基体・１
上に熱的に蒸発させて透明電極３を形成する。
次いで、６００ ｎｍ厚さのＺｎ５ｏ、、Ｓｅｏ、、
： Ｉｎ 発光層５ｔ−上記酸化インジウム層８の自
由表面上に熱堆積（ｔｈｅ、ｒｍａｌ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ） ｆｃ ｊ： ツて堆積する。
： Ｉｎ 発光層５ｔ−上記酸化インジウム層８の自
由表面上に熱堆積（ｔｈｅ、ｒｍａｌ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ） ｆｃ ｊ： ツて堆積する。
次いで、７７−５ｎ厚さの酸化イツ） ＩＪウム層７金
上記発元層すの自由表面に電子ビーム蒸発によって堆積
する。次いで、同様ｆこして更に酸化イツトリウム’ｔ
”７．５ｎｍ厚さの上記酸化イツトリウムＪ脅７の自由
表面の選足位置に堆積して７５ ｎｍ厚さの電気接触区
域９を形成する。
上記発元層すの自由表面に電子ビーム蒸発によって堆積
する。次いで、同様ｆこして更に酸化イツトリウム’ｔ
”７．５ｎｍ厚さの上記酸化イツトリウムＪ脅７の自由
表面の選足位置に堆積して７５ ｎｍ厚さの電気接触区
域９を形成する。
次いで、アルミニウムの５００ ｎｍ厚さの反射゛金Ｐ
Ａ電極層１１を７．５ｎｍ厚さの酸化イツトリウム層７
′ｊ６よび接触区域９の自由表面に熱堆積によって堆積
する。
Ａ電極層１１を７．５ｎｍ厚さの酸化イツトリウム層７
′ｊ６よび接触区域９の自由表面に熱堆積によって堆積
する。
次いで、５０〜６０ボルトのＤＣ電圧を透明電極３と陽
極Ａとして作用する金属？を極層１１を有する金ｌＡ電
極層１１との間に供給する。
極Ａとして作用する金属？を極層１１を有する金ｌＡ電
極層１１との間に供給する。
ディバイスは単極パル、ｘ、 （ｕｎｉｐｏｌａｒ ｐ
ｕｌｓｅｓ ）才たは連続直流を用いて駆動する。ディ
バイスからｆｉ ８．３ ｎｍ ｌこぢいて最大を有す
る黄−オレンジ色、発光が放射される。これらの条件下
で、ピーク発光は１２００ｆＬ（４１］、０ニド）であ
り、また平均発ブＣは６００ ｆＬ （２０１１１’ｌ
ニド）であった。
ｕｌｓｅｓ ）才たは連続直流を用いて駆動する。ディ
バイスからｆｉ ８．３ ｎｍ ｌこぢいて最大を有す
る黄−オレンジ色、発光が放射される。これらの条件下
で、ピーク発光は１２００ｆＬ（４１］、０ニド）であ
り、また平均発ブＣは６００ ｆＬ （２０１１１’ｌ
ニド）であった。
ディバイスを連続的にＤＣ駆動作動した場合の寿命は５
０時間以上であった。
０時間以上であった。
本発明を上述する特定の例ぢよび添付図面について記載
したが、本発明は不明＃Ｉ書および特許請求の範囲を逸
脱しないかぎシ、当業者により種々変更を加えることが
できる。
したが、本発明は不明＃Ｉ書および特許請求の範囲を逸
脱しないかぎシ、当業者により種々変更を加えることが
できる。
図面は本発明の薄膜直流（ＤＯ）作動エレクトロルミネ
ッセント ディバイスの１部の断面図である０ １・・・ガラス基体
ッセント ディバイスの１部の断面図である０ １・・・ガラス基体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２個の電極の間に堆積した式ＺｎＳ＿１＿−＿ｘ
Ｓｅ＿ｘ：Ｍｎ（式において０．２＜ｘ＜０．８の要件
を満たす）のマグネシウム活性スルホセレン酸亜鉛の薄
い発光フイルムから構成し、一方の電極を透明にして前
記発光層から発元させ、前記発光フイルムと該発光フイ
ルムからの発光を反射させる他方の電極との間に５〜１
５ｎｍ厚さの酸化イツトリウム層を堆積して構成したこ
とを特徴とする薄膜直流（ＤＣ）作動エレクトロルミネ
ツセントデイバイス。 ２ 酸化イツトリウム層を前記発元フイルムからの発
光を反射する前記電極に対向する前記薄い発光フイルム
の表面上に堆積した特許請求の範囲第１項記載のエレク
トロルミネツセントデイバイス。 ３ ｘ＝０．５とする特許請求の範囲第１または２項
記載のエレクトロルミネツセントデイ バイス。 ４ 反射電極をアルミニウム電極とした特許請求の範
囲第１，２または３項記載のエレクトロルミネツセント
デイバイス。 ５ 透明電極を三二酸化インジウム電極とした特許請
求の範囲第１，２，３または４項記載のエレクトロルミ
ネツセントデイバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61585384A | 1984-05-31 | 1984-05-31 | |
| US615853 | 1984-05-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132393A true JPS6132393A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=24467076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11331385A Pending JPS6132393A (ja) | 1984-05-31 | 1985-05-28 | 薄膜直流（ｄｃ）作動エレクトロルミネツセント デイバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0163351B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6132393A (ja) |
| CA (1) | CA1256972A (ja) |
| DE (1) | DE3562436D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038897U (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-28 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09245969A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型エレクトロ・ルミネセンス素子およびそれを用いた照光式スイッチユニット |
| JP4192494B2 (ja) | 2002-05-14 | 2008-12-10 | カシオ計算機株式会社 | 発光パネル |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1300548A (en) * | 1969-01-28 | 1972-12-20 | Mini Of Technology | Improvements in or relating to electroluminescent devices |
| GB1481047A (en) * | 1973-07-05 | 1977-07-27 | Sharp Kk | Electroluminescent element |
| GB1571620A (en) * | 1976-10-29 | 1980-07-16 | Secr Defence | Electroluminescent phosphor panels |
| US4342945A (en) * | 1980-05-20 | 1982-08-03 | Rockwell International Corporation | Electroluminescent thin film device |
-
1985
- 1985-05-22 DE DE8585200819T patent/DE3562436D1/de not_active Expired
- 1985-05-22 EP EP19850200819 patent/EP0163351B1/en not_active Expired
- 1985-05-28 JP JP11331385A patent/JPS6132393A/ja active Pending
- 1985-05-30 CA CA000482868A patent/CA1256972A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038897U (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0163351A1 (en) | 1985-12-04 |
| EP0163351B1 (en) | 1988-04-27 |
| CA1256972A (en) | 1989-07-04 |
| DE3562436D1 (en) | 1988-06-01 |
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