JPS6074289A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPS6074289A JPS6074289A JP58171997A JP17199783A JPS6074289A JP S6074289 A JPS6074289 A JP S6074289A JP 58171997 A JP58171997 A JP 58171997A JP 17199783 A JP17199783 A JP 17199783A JP S6074289 A JPS6074289 A JP S6074289A
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- light
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、]]1ンビー1−タ出力表示☆;11末賎そ
の他種々の表示装置に文字、2弓、静中画像、動画像等
の表示手段として利用されるi59 U!、! 、’I
1−/り1〜11ルミネセンス素子(以下1薄膜tE
+−索了(とい−)、。
の他種々の表示装置に文字、2弓、静中画像、動画像等
の表示手段として利用されるi59 U!、! 、’I
1−/り1〜11ルミネセンス素子(以下1薄膜tE
+−索了(とい−)、。
)に関りる。
この薄膜「1−索子の基本)I11汐d;L、第′1図
に小されるJ:うに、ガラス基板1」−に酸化インソ・
″ツノ、(+ 117−03> 、酸化スズ(Sl(0
2)舌の透Iり目9電性の透明電極2 及び酸化イツト
リウL (Y>、Op>、二酸化チタン(−I’i 0
2 > 、ノフルミづ(△Qzo3)、窒化シリ−1ン
(815N4) 、二酸化シリ゛−1ン(、(+ 10
2)等からなる第1誘電体層3かスパッタ文は電子ビー
ム蒸首法等にJ:り順次積層され、次に、第1誘電体F
73十には711S:Mn焼結ペレ・ントを電子ビーム
熱着づることにJ:す1f1られる釣1!r!光光層4
が積層されている。なお、蒸111川の7 IT y>
Mnn焼結ベンツ1には活性物質となる〜111が1−
1的に応じた濃度に設定されIこベレン1−が使用さ1
′)イ)、。
に小されるJ:うに、ガラス基板1」−に酸化インソ・
″ツノ、(+ 117−03> 、酸化スズ(Sl(0
2)舌の透Iり目9電性の透明電極2 及び酸化イツト
リウL (Y>、Op>、二酸化チタン(−I’i 0
2 > 、ノフルミづ(△Qzo3)、窒化シリ−1ン
(815N4) 、二酸化シリ゛−1ン(、(+ 10
2)等からなる第1誘電体層3かスパッタ文は電子ビー
ム蒸首法等にJ:り順次積層され、次に、第1誘電体F
73十には711S:Mn焼結ペレ・ントを電子ビーム
熱着づることにJ:す1f1られる釣1!r!光光層4
が積層されている。なお、蒸111川の7 IT y>
Mnn焼結ベンツ1には活性物質となる〜111が1−
1的に応じた濃度に設定されIこベレン1−が使用さ1
′)イ)、。
次に、薄膜発光層4上には第1誘電体層33と回4X。
の物賀からなる第2誘電′体層5、及びΔg舌から成る
背面型(かGが順次積層されている。そしく、透明電子
^2ど背面電極6は交流電源7に接続され、この薄nt
tr−E L索子が駆動される。この交流電圧の印加に
J、す、薄膜発光層4の両側の第1誘電体層J3、第2
誘電体層5間に誘起された゛市Wが簿膜光光層4内に発
生し、伝導帯に励起され、かつ加速されて充分な−[ネ
ルキーを冑だ電子か直接M11発光レンタ−をし11起
し、その励起されたtvl n発光pンターが基底状態
に戻る際に黄色を呈しC光光りる、。
背面型(かGが順次積層されている。そしく、透明電子
^2ど背面電極6は交流電源7に接続され、この薄nt
tr−E L索子が駆動される。この交流電圧の印加に
J、す、薄膜発光層4の両側の第1誘電体層J3、第2
誘電体層5間に誘起された゛市Wが簿膜光光層4内に発
生し、伝導帯に励起され、かつ加速されて充分な−[ネ
ルキーを冑だ電子か直接M11発光レンタ−をし11起
し、その励起されたtvl n発光pンターが基底状態
に戻る際に黄色を呈しC光光りる、。
しかし、このよう<r F+Tj膜「1−素子は、第1
誘電体層3、薄膜発光層4及び第2誘電体層1うがi’
iJ視域(充分に透明で、あるために、明るい環境士(
lJガラス早根板1通して素子内に侵入した外部光か、
高い反Q・I率l!:有り−る△Q等の背面型1jj
6の表面(>′i 2 Ll電体層5と接する側ンて゛
反射され、その結果、表示板内の発光部と非発光部との
明暗の]ントラストの低下をII′lき、表示品位を署
しく損ね’(Ll、う欠点があ−)だ。
誘電体層3、薄膜発光層4及び第2誘電体層1うがi’
iJ視域(充分に透明で、あるために、明るい環境士(
lJガラス早根板1通して素子内に侵入した外部光か、
高い反Q・I率l!:有り−る△Q等の背面型1jj
6の表面(>′i 2 Ll電体層5と接する側ンて゛
反射され、その結果、表示板内の発光部と非発光部との
明暗の]ントラストの低下をII′lき、表示品位を署
しく損ね’(Ll、う欠点があ−)だ。
このよ−うな欠員を除去し、−jン1〜ラストの向1を
図っIこ博++b> t’g +−素素子して第2図(
・ニ小り、」、うに、第2誘電体層5)と背面型(函(
5との間にイ・完全酸化アルミニウム層ε3を多段積層
した〕〕σ)が提案され−Cいる(特公昭5L−204
(i8) 、、 シかし41′がら、1記捏案に従って
、不完全酸化7フルミニウム層ε3を2〜・5層に偵1
閃しても、1I17面電棒(うどのシ1−面(の反射帯
i:L i /l % −、28%もあることから、明
るい環境j・では未メピ]ントラストの歎【て不充分C
ifリー) /= 、イしで、更に反Q(率を小さくす
るには、背面型Nj 6の八ρの酸化度を高くしたり、
での多FQ層を多くしな(jればイfらないために、1
1(抗か高く本−〇)、ひい−(−(ik発光電;1−
を高くし一’C発尤効・今・′の低H; <、、 1(
(<欠点があつ/、:。
図っIこ博++b> t’g +−素素子して第2図(
・ニ小り、」、うに、第2誘電体層5)と背面型(函(
5との間にイ・完全酸化アルミニウム層ε3を多段積層
した〕〕σ)が提案され−Cいる(特公昭5L−204
(i8) 、、 シかし41′がら、1記捏案に従って
、不完全酸化7フルミニウム層ε3を2〜・5層に偵1
閃しても、1I17面電棒(うどのシ1−面(の反射帯
i:L i /l % −、28%もあることから、明
るい環境j・では未メピ]ントラストの歎【て不充分C
ifリー) /= 、イしで、更に反Q(率を小さくす
るには、背面型Nj 6の八ρの酸化度を高くしたり、
での多FQ層を多くしな(jればイfらないために、1
1(抗か高く本−〇)、ひい−(−(ik発光電;1−
を高くし一’C発尤効・今・′の低H; <、、 1(
(<欠点があつ/、:。
本発明は、I−開欠点を除去りるためにイ1され!、−
bのてあり、薄膜1モ1−素子の背面電極の一部として
、外部光に対し光吸収ダノ果か:!”! < 、か)発
光1・11刊を109ことのない、インジ・クム、スス
、ノ′ンfEシ又はこれIうの混合物を主成分とりる不
ブ4.全酸化物薄膜を形成づること(1口より、表示部
とJ1表示部どの明1rHの]ン1〜ラストを高くした
新規イjlIJな薄119 Eし索子を提供づることを
目的とυる。
bのてあり、薄膜1モ1−素子の背面電極の一部として
、外部光に対し光吸収ダノ果か:!”! < 、か)発
光1・11刊を109ことのない、インジ・クム、スス
、ノ′ンfEシ又はこれIうの混合物を主成分とりる不
ブ4.全酸化物薄膜を形成づること(1口より、表示部
とJ1表示部どの明1rHの]ン1〜ラストを高くした
新規イjlIJな薄119 Eし索子を提供づることを
目的とυる。
以上、本発明を実施例図面を参照して訂細に説明する。
第3図は、透明電極と背面電極とをそれぞれ帯状にして
!JJLいに伯楽づる如く複数本配列された、い4つゆ
る71〜リツクス電極+M造タイプの本発明の一実施例
による薄膜[(−素子を示づ丑部414成ff1i面図
である。本例の薄膜1三l−素子IJ1.7+1t〕′
ルカリガラス((株)保谷硝子製:1−E−30)から
なるガラス2:を板1上に、スズ酸化物を混入した酸化
イシジウL、からなる透明導電性の透明電極2と、酸化
イン1−リウムからなる第1誘電体層33と、活性物質
どじ−(0,1へ・2重量%のMllを添加(〕た7n
Sか(しなる薄119発光層4と、酸化イソ1〜リウ1
\からなる第2講電体1iS′i5とが真空蒸着法によ
り順次積IP1され、更に、第2誘電体層5+に、背面
電極9の一部どし゛(、スズを含むインジウムを主成分
とりる不完全酸化物1r49a (In2Qx −)−
3n Ov、〈0でx <3.0<y <2))とアル
ミニウムからなる金属電極9 bとか史学7A 4’f
法(、−より11(”1次4(′(層され(い信この不
完全酸化物層9 r+ Lll、I O−5iorrに
真空排気された駅間内ζ、酸化ススわ)未(10重量%
)を混入lノた酸化インジウノ、粉末(り1)重量%)
ヲヘIノツh HA l、:成型L/ k&”< ’
114/I A:’11をnl:・、不足の状態で電子
’tjv ’c加熱蒸6さくLイ)こと(ご1、す1!
Vられ、人きな光吸収能を右りる1、この光吸11\!
Ill:をη−1ね11づるlこめに、真空装置6内
IJ1 t) −” l o T’ r稈庭の分圧をイ
1りる微!Dの酸素ガス−\ゝ) !:ll気を心入・
jること(五右9)+である。
!JJLいに伯楽づる如く複数本配列された、い4つゆ
る71〜リツクス電極+M造タイプの本発明の一実施例
による薄膜[(−素子を示づ丑部414成ff1i面図
である。本例の薄膜1三l−素子IJ1.7+1t〕′
ルカリガラス((株)保谷硝子製:1−E−30)から
なるガラス2:を板1上に、スズ酸化物を混入した酸化
イシジウL、からなる透明導電性の透明電極2と、酸化
イン1−リウムからなる第1誘電体層33と、活性物質
どじ−(0,1へ・2重量%のMllを添加(〕た7n
Sか(しなる薄119発光層4と、酸化イソ1〜リウ1
\からなる第2講電体1iS′i5とが真空蒸着法によ
り順次積IP1され、更に、第2誘電体層5+に、背面
電極9の一部どし゛(、スズを含むインジウムを主成分
とりる不完全酸化物1r49a (In2Qx −)−
3n Ov、〈0でx <3.0<y <2))とアル
ミニウムからなる金属電極9 bとか史学7A 4’f
法(、−より11(”1次4(′(層され(い信この不
完全酸化物層9 r+ Lll、I O−5iorrに
真空排気された駅間内ζ、酸化ススわ)未(10重量%
)を混入lノた酸化インジウノ、粉末(り1)重量%)
ヲヘIノツh HA l、:成型L/ k&”< ’
114/I A:’11をnl:・、不足の状態で電子
’tjv ’c加熱蒸6さくLイ)こと(ご1、す1!
Vられ、人きな光吸収能を右りる1、この光吸11\!
Ill:をη−1ね11づるlこめに、真空装置6内
IJ1 t) −” l o T’ r稈庭の分圧をイ
1りる微!Dの酸素ガス−\ゝ) !:ll気を心入・
jること(五右9)+である。
本例の、“ぷIら)1ヨl素子の動作は、)へ明ft’
i、 t’T! 2 ’!、:、 −+”1面電極9ど
の間に交流電f「を叩1)(しすること(JJ、す、第
1図に示した薄膜(−1−累fのfil作と同4〕;、
A^Il’J光光層4が励起されC1■−発光し、この
11介光がカラス基板1を通してタト部t= ;V+出
される1、こO)際、ガラス塁根1側より入(fil
した91部の人身・1)し【、1、ススを含むインジウ
11の不完全醇化物f+’i!lε1(、:(!りいて
光分に吸収される1、このスズを含む一インジウl\の
不λ:全酸イヒ1勿1i’?19i11.j′)い(、
(p 1勺のI’tt 117 A′11が1.4(−
あり、甲均の消東係数1((屈111”v・″の11ノ
素成分)が0.5であることから、第2誘電体層5との
界面に43 tJる反射帯の実測値は、1〜5%Cあっ
て、極めC有効な光吸収効果を得ている。また、このス
ズを含むインジウムの不完全酸化物層9aの比抵抗は、
成膜時の醸索導入最A\)カラス基板1の〃I庶等の条
件により彩管を受(−)るか、酸素尋入吊を少なくし、
温度を上げるに従っC,でれそれ比抵抗が小さくなる傾
向を有し、10・〜10−3Ωcmの範囲の値を1qる
。したかっC1このススを含・むインジウムの不完全酸
化物層9 aは良好イ1導電性をイ〒していることから
、その背後に位1F1りる全屈電極91)と共に複合層
を形成して、背面電極9どしてのtilt能を充分に宋
し−Cいる。ぞしく、このススを含むインジウムの不完
全酸化物層9aの膜厚についCは、光吸収効果を(Eす
るために200人以−L ’rあることが望ましく、そ
の119jワの上限は、電極にお(〕る電力損失及び成
膜時間等の各増大1lfi向をと虞しく1μjメ下であ
ることが望ましい、。
i、 t’T! 2 ’!、:、 −+”1面電極9ど
の間に交流電f「を叩1)(しすること(JJ、す、第
1図に示した薄膜(−1−累fのfil作と同4〕;、
A^Il’J光光層4が励起されC1■−発光し、この
11介光がカラス基板1を通してタト部t= ;V+出
される1、こO)際、ガラス塁根1側より入(fil
した91部の人身・1)し【、1、ススを含むインジウ
11の不完全醇化物f+’i!lε1(、:(!りいて
光分に吸収される1、このスズを含む一インジウl\の
不λ:全酸イヒ1勿1i’?19i11.j′)い(、
(p 1勺のI’tt 117 A′11が1.4(−
あり、甲均の消東係数1((屈111”v・″の11ノ
素成分)が0.5であることから、第2誘電体層5との
界面に43 tJる反射帯の実測値は、1〜5%Cあっ
て、極めC有効な光吸収効果を得ている。また、このス
ズを含むインジウムの不完全酸化物層9aの比抵抗は、
成膜時の醸索導入最A\)カラス基板1の〃I庶等の条
件により彩管を受(−)るか、酸素尋入吊を少なくし、
温度を上げるに従っC,でれそれ比抵抗が小さくなる傾
向を有し、10・〜10−3Ωcmの範囲の値を1qる
。したかっC1このススを含・むインジウムの不完全酸
化物層9 aは良好イ1導電性をイ〒していることから
、その背後に位1F1りる全屈電極91)と共に複合層
を形成して、背面電極9どしてのtilt能を充分に宋
し−Cいる。ぞしく、このススを含むインジウムの不完
全酸化物層9aの膜厚についCは、光吸収効果を(Eす
るために200人以−L ’rあることが望ましく、そ
の119jワの上限は、電極にお(〕る電力損失及び成
膜時間等の各増大1lfi向をと虞しく1μjメ下であ
ることが望ましい、。
W! 4図及び第5図は、本発明の他の実施例Cあり、
透明゛dテ極2、第1誘電体層3、薄膜発光層4及び第
2誘電体層[5かで4′lぞれ)にjΔ過1’l −(
−Ll)Klことから、刀うス基扱1側Jミリ人q・1
した外部)にの−)も背面の非電極部(1′1面電極5
)が被覆ご4走(いイ、−い、TJなわ!う露出さ1)
、くいる第?試゛、11体層!−11ノ)部分)より1
(万ニ透過りる光合1.Vk ll’i! ;”: l
iり’;+’) II!N 1. l索子を示り、1 先づ゛第4図は、黒(!2Ciビ1縁1!l (!イj
(lるイ])幾fi=i脂(二月束1丁製 51Q
67 i32等)叉(よj(1,1ff+、酸化物(醇
化士すノーj′ン等)から4rる光1嚇収物10を一音
l自1小極9の全表ii’iiに被覆している。
透明゛dテ極2、第1誘電体層3、薄膜発光層4及び第
2誘電体層[5かで4′lぞれ)にjΔ過1’l −(
−Ll)Klことから、刀うス基扱1側Jミリ人q・1
した外部)にの−)も背面の非電極部(1′1面電極5
)が被覆ご4走(いイ、−い、TJなわ!う露出さ1)
、くいる第?試゛、11体層!−11ノ)部分)より1
(万ニ透過りる光合1.Vk ll’i! ;”: l
iり’;+’) II!N 1. l索子を示り、1 先づ゛第4図は、黒(!2Ciビ1縁1!l (!イj
(lるイ])幾fi=i脂(二月束1丁製 51Q
67 i32等)叉(よj(1,1ff+、酸化物(醇
化士すノーj′ン等)から4rる光1嚇収物10を一音
l自1小極9の全表ii’iiに被覆している。
次に第5)図は、背面型(^よの後)′ノ側に黒色処即
した右は樹脂、([■、紙、カラス(長文は6〕属(t
)9からなる光吸11ソ吻11を配設しCいる1、この
光吸収物11は本体ケース(図小ぜi1゛)に取り(;
J +)’7.−)れイン1、い1ノ“4′1の実施例
し背面型14弓)q)1て2ツノ側に光!y☆11v。
した右は樹脂、([■、紙、カラス(長文は6〕属(t
)9からなる光吸11ソ吻11を配設しCいる1、この
光吸収物11は本体ケース(図小ぜi1゛)に取り(;
J +)’7.−)れイン1、い1ノ“4′1の実施例
し背面型14弓)q)1て2ツノ側に光!y☆11v。
++A1o、++を配設しくいることか1)、i11+
’ 1liiの非?fi 74部よりの)六過光を吸収
しく、カラスJ、t flj 1側の人示二]ン1ヘラ
ス]〜を一度向トさせることがCさる。1木発明の背面
電極9)の一部をtM成りる小完全酸化物層9aの累月
としC、インジウム及びラスの各酸化物を使用したが、
その他酸化アンチ七ンを代替物又はljW人物どして使
用しでもよいし、更に、酸化物に限定でることなくイン
ジウム、スズ又はアンチモンの各金属を単独又は混合し
く使用してbよい1.特に実施例以外では、アン′J−
上ンを含むスズを主成分とづる素材、インジウム素材、
スズ素4才等の不完全酸化物層が好適である。。
’ 1liiの非?fi 74部よりの)六過光を吸収
しく、カラスJ、t flj 1側の人示二]ン1ヘラ
ス]〜を一度向トさせることがCさる。1木発明の背面
電極9)の一部をtM成りる小完全酸化物層9aの累月
としC、インジウム及びラスの各酸化物を使用したが、
その他酸化アンチ七ンを代替物又はljW人物どして使
用しでもよいし、更に、酸化物に限定でることなくイン
ジウム、スズ又はアンチモンの各金属を単独又は混合し
く使用してbよい1.特に実施例以外では、アン′J−
上ンを含むスズを主成分とづる素材、インジウム素材、
スズ素4才等の不完全酸化物層が好適である。。
次に、金属電極ミ〕bとlノーCアルミニ・クムを使用
しIこが、その他にインジウム、スズ、ニッケル等の金
属を使用してもよい。
しIこが、その他にインジウム、スズ、ニッケル等の金
属を使用してもよい。
次に、カラスjit板1はガラス拐を使用したが、その
信実質的に透光性な樹脂フィルム等の逍)に性1、を板
てあれIJ J: < 、第1誘電体層2及び第53誘
電体層4はjtに酸化イソ1〜リウムを使用したが、比
誘電率が高く、絶縁耐圧の高い、l”i02.△Q20
3、S IB N4. Sl 02等の物質ひあれば同
種の層(−あっても、又は異種の層てあつ−(もよく、
更に異種の物質を多層重ねCもよい。また、薄膜発光層
4は1ylnを添加したZnSを使用したか、その他C
II 、 i)d 、△Q、[31゛等又は希土類元素
を添;叫した7n S、7n Sc 、7n C(l
S’Jでil’+ ’l) (もj;い。
信実質的に透光性な樹脂フィルム等の逍)に性1、を板
てあれIJ J: < 、第1誘電体層2及び第53誘
電体層4はjtに酸化イソ1〜リウムを使用したが、比
誘電率が高く、絶縁耐圧の高い、l”i02.△Q20
3、S IB N4. Sl 02等の物質ひあれば同
種の層(−あっても、又は異種の層てあつ−(もよく、
更に異種の物質を多層重ねCもよい。また、薄膜発光層
4は1ylnを添加したZnSを使用したか、その他C
II 、 i)d 、△Q、[31゛等又は希土類元素
を添;叫した7n S、7n Sc 、7n C(l
S’Jでil’+ ’l) (もj;い。
次に、以上の層膜の成nし)方法としく jji 7;
IIに:’?’I法を使用【ノたが、その他に、スバ・
ンタリング法、(−:V l)法、イΔンプレーjイン
グ法等不使用しCしJ、い。
IIに:’?’I法を使用【ノたが、その他に、スバ・
ンタリング法、(−:V l)法、イΔンプレーjイン
グ法等不使用しCしJ、い。
以上のとよタリ、本発明にJ:れ(31、インジウ11
、スズ、アンチL)又はこれらの11へ合物を主成分、
!りる一囮の不完全酸化物層が、従来の不完全酸化アル
ミニウムを多段積層したものよりも、格「月、二人ぎな
光吸収効果を秦りることがら、外部光を充分に吸収()
、更に、光吸11ン物を背面電極の後’h 4(−配設
し・ていることから、透過光4()介1分に吸1′y、
l。
、スズ、アンチL)又はこれらの11へ合物を主成分、
!りる一囮の不完全酸化物層が、従来の不完全酸化アル
ミニウムを多段積層したものよりも、格「月、二人ぎな
光吸収効果を秦りることがら、外部光を充分に吸収()
、更に、光吸11ン物を背面電極の後’h 4(−配設
し・ていることから、透過光4()介1分に吸1′y、
l。
(、非st光部からの反射光をはとんど無視−Cさ・る
稈まで減少さけ、表示部と非表示部にa3リイ)明11
f1のコン1−ラストの高い薄膜1三1素イが実現−4
・さイ)。
稈まで減少さけ、表示部と非表示部にa3リイ)明11
f1のコン1−ラストの高い薄膜1三1素イが実現−4
・さイ)。
また、本発明にcする不完全酸化物層が比較的大i\な
導電1(1を右りることかrう、電力の10失を少イ「
くし、印加電圧が薄j!’!発光層に有効に(’I川し
く、光行効率の高い[l−素子が実現(・さる。
導電1(1を右りることかrう、電力の10失を少イ「
くし、印加電圧が薄j!’!発光層に有効に(’I川し
く、光行効率の高い[l−素子が実現(・さる。
第′1図は従来の薄111 E L素子の要部構成を、
示づ断面図、第2図は多段(?i層の不完全酸化アルミ
ニラl\を使用した従来の薄膜F1−素子の要部構成を
示1断面図、並びに第3図は本発明の一実施例である薄
膜[L素子の要部構成を承り断面図、第1図及びダ)5
図iJそれぞれ本発明の他の一実施例Cある薄ll6)
[L素子の要部構成を示り一断面図(−ある。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・第1
誘電イ木層、4・・・薄膜発光層、5・・・)〕2誘電
体層、9・・・背面電極、9a ・・・スズを添加した
インジウl)を主成分どじた不完全酸化物層、 10.
N・・・光吸収物 第1図 第3図 第6図 第2図 1/′1 第4図 丁 続 補 正 flj (自発) 1.j;イ′1の表示 昭和58イ「1・1訂願第17
1997月2、発明の名称 薄膜E1−素子 3、補正を“リ−る者 事件どの関係 特許出斯1人 住所 東京都新宿区西新宿1丁口13番12舅〒 16
0Tl三 l−03(34+1) +221ボ \7
ガラス 名称“ 株式会社 保 谷 硝 子 (1) 明細iりの「発明のiiT細41β2明Jの欄
5、ン山i1:の内容 「第4図の実施例−1ど?ili it lる、。 (2) 明細書8頁11行に[第5)図−1とある4!
[第5図の実施例1ど補if、 Jる。1(3) 明細
書8 ’、t′、’l l 8t’、71.11−・展
1とイ19るろ1一層1ど補j1する。。 (/l) 明細書9頁131j・〜・141]に1第1
誘電体E’i2及び第3誘雷体層4]どある41第1誘
電体層3及び第2誘電体層;)1と捕11−する、。 (5) 明細↑1.’H1頁19?−J・〜・2o(j
に1光tiωj(ξ1とあるを[発光効:t71どン市
il−1,する、。 以1
示づ断面図、第2図は多段(?i層の不完全酸化アルミ
ニラl\を使用した従来の薄膜F1−素子の要部構成を
示1断面図、並びに第3図は本発明の一実施例である薄
膜[L素子の要部構成を承り断面図、第1図及びダ)5
図iJそれぞれ本発明の他の一実施例Cある薄ll6)
[L素子の要部構成を示り一断面図(−ある。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・第1
誘電イ木層、4・・・薄膜発光層、5・・・)〕2誘電
体層、9・・・背面電極、9a ・・・スズを添加した
インジウl)を主成分どじた不完全酸化物層、 10.
N・・・光吸収物 第1図 第3図 第6図 第2図 1/′1 第4図 丁 続 補 正 flj (自発) 1.j;イ′1の表示 昭和58イ「1・1訂願第17
1997月2、発明の名称 薄膜E1−素子 3、補正を“リ−る者 事件どの関係 特許出斯1人 住所 東京都新宿区西新宿1丁口13番12舅〒 16
0Tl三 l−03(34+1) +221ボ \7
ガラス 名称“ 株式会社 保 谷 硝 子 (1) 明細iりの「発明のiiT細41β2明Jの欄
5、ン山i1:の内容 「第4図の実施例−1ど?ili it lる、。 (2) 明細書8頁11行に[第5)図−1とある4!
[第5図の実施例1ど補if、 Jる。1(3) 明細
書8 ’、t′、’l l 8t’、71.11−・展
1とイ19るろ1一層1ど補j1する。。 (/l) 明細書9頁131j・〜・141]に1第1
誘電体E’i2及び第3誘雷体層4]どある41第1誘
電体層3及び第2誘電体層;)1と捕11−する、。 (5) 明細↑1.’H1頁19?−J・〜・2o(j
に1光tiωj(ξ1とあるを[発光効:t71どン市
il−1,する、。 以1
Claims (3)
- (1) 透明電極と背面電極との間に′8R膜発光層を
右りる薄膜E l−素子においC1前記背面電極が前記
薄nシ)発光層側からインジウム、スズ、アン1[ン又
(、Lこれらの混合物を主成分どりる不完全酸化物薄膜
と金属薄膜との複合層を形成していることを特徴どする
簿膜E L素子。 - (2)1’!i訂請求の範囲第1項に43いて、前記不
完全酸化物薄膜の厚さが200Å以上11ノ以下C゛あ
ること4Fj徴とりる薄1bi E l−素子。 - (3) 透明電極と背面電極との間に薄膜光光層をイi
’Iるa?膜にI−i子においC1前記背面電極が前記
薄膜発光層側からインジウム、スズ、アンチしン又はこ
れらの混合物を主成分どする不完全酸化物’A9膜ど金
属11FJどの複合層を形成し、かつ前記背面電極の後
方に光吸収物を配設していることをIY徴どづる薄膜[
三1−素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58171997A JPS6074289A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58171997A JPS6074289A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6074289A true JPS6074289A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=15933609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58171997A Pending JPS6074289A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6074289A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04312791A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-04 | Kenwood Corp | 高コントラスト薄膜el素子の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5746494A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
JPS57119496A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Suwa Seikosha Kk | Electroluminescence panel |
JPS57123687A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Thin film light emitting element |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58171997A patent/JPS6074289A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5746494A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
JPS57119496A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Suwa Seikosha Kk | Electroluminescence panel |
JPS57123687A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Thin film light emitting element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04312791A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-04 | Kenwood Corp | 高コントラスト薄膜el素子の製造方法 |
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