JPH04312791A - 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH04312791A JPH04312791A JP3103842A JP10384291A JPH04312791A JP H04312791 A JPH04312791 A JP H04312791A JP 3103842 A JP3103842 A JP 3103842A JP 10384291 A JP10384291 A JP 10384291A JP H04312791 A JPH04312791 A JP H04312791A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 96
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 29
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 44
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 DC power...400w Substances 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は交流電界の印加により
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光を呈する薄膜発
光素子の製造方法に係わり、特に、表示のコントラスト
が高められる薄膜発光素子の製造方法に関する。
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光を呈する薄膜発
光素子の製造方法に係わり、特に、表示のコントラスト
が高められる薄膜発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加すると物質が蛍光を発する現
象すなわちエロクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用し
たディスプレイに用いられる薄膜ＦＬ素子が知られてい
る。従来の薄膜ＥＬ素子の構造を図１２に示す。図に示
すように、ガラス基板１の上に透明電極２、第１絶縁体
層３、発光体層４、第２絶縁体層５、金属の背面電極６
が順次積層されており、透明電極２と背面電極６とに交
流電源７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光
がガラス基板１の前方に放射される。
象すなわちエロクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用し
たディスプレイに用いられる薄膜ＦＬ素子が知られてい
る。従来の薄膜ＥＬ素子の構造を図１２に示す。図に示
すように、ガラス基板１の上に透明電極２、第１絶縁体
層３、発光体層４、第２絶縁体層５、金属の背面電極６
が順次積層されており、透明電極２と背面電極６とに交
流電源７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光
がガラス基板１の前方に放射される。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記した従来のもの
においては、背面電極６としてＡｌ等の金属の電極を用
いているため外光の反射率が高く、ＥＬパネル内に侵入
した外部光が背面電極６で反射され、コントラストおよ
び表示品位の低下を招くという欠点があった。
においては、背面電極６としてＡｌ等の金属の電極を用
いているため外光の反射率が高く、ＥＬパネル内に侵入
した外部光が背面電極６で反射され、コントラストおよ
び表示品位の低下を招くという欠点があった。
【０００４】この発明は上記した点に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするところは、外部からの光が
ＥＬパネルで反射されることを防止することによりコン
トラストの高められた薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供す
ることにある。
のであって、その目的とするところは、外部からの光が
ＥＬパネルで反射されることを防止することによりコン
トラストの高められた薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の高コントラス
ト薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極
を積層し該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈す
る薄膜発光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法にお
いて、反応性雰囲気において金属または金属酸化物をタ
ーゲットに用いリアクティブスパッタリングにより金属
の不完全酸化黒色膜として背面電極を形成するものであ
る。
ト薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極
を積層し該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈す
る薄膜発光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法にお
いて、反応性雰囲気において金属または金属酸化物をタ
ーゲットに用いリアクティブスパッタリングにより金属
の不完全酸化黒色膜として背面電極を形成するものであ
る。
【０００６】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｃ
ＶＤ法により金属の不完全酸化黒色膜として背面電極を
形成するものである。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｃ
ＶＤ法により金属の不完全酸化黒色膜として背面電極を
形成するものである。
【０００７】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔ
ａをターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングにより背面電極をＴａの不完全酸化黒
色膜として形成するものである。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔ
ａをターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングにより背面電極をＴａの不完全酸化黒
色膜として形成するものである。
【０００８】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔ
ａをターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングによりＴａの不完全酸化黒色膜を積層
しその上に金属膜を積層して背面電極を形成するもので
ある。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔ
ａをターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングによりＴａの不完全酸化黒色膜を積層
しその上に金属膜を積層して背面電極を形成するもので
ある。
【０００９】また、前記高コントラスト薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、前記背面電極の上に低誘電率高抵抗
の絶縁体膜を形成し、Ｔａをターゲットに用い反応性雰
囲気においてリアクティブスパッタリングにより前記絶
縁体膜の上にＴａの不完全酸化黒色膜を積層するもので
ある。
製造方法において、前記背面電極の上に低誘電率高抵抗
の絶縁体膜を形成し、Ｔａをターゲットに用い反応性雰
囲気においてリアクティブスパッタリングにより前記絶
縁体膜の上にＴａの不完全酸化黒色膜を積層するもので
ある。
【００１０】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色膜からなる背面電極との間にＥＬ発光
を呈する薄膜発光層を介在させ前記背面電極の上に絶縁
体を該絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面黒色膜を
配置し、前記背面電極と薄膜発光層の間および前記背面
黒色膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶縁物を配
置した薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法によ
り、または、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸
化物をターゲットに用いたリアクティブスパッタリング
により、背面黒色膜および背面電極を形成するものであ
る。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色膜からなる背面電極との間にＥＬ発光
を呈する薄膜発光層を介在させ前記背面電極の上に絶縁
体を該絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面黒色膜を
配置し、前記背面電極と薄膜発光層の間および前記背面
黒色膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶縁物を配
置した薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法によ
り、または、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸
化物をターゲットに用いたリアクティブスパッタリング
により、背面黒色膜および背面電極を形成するものであ
る。
【００１１】また、前記高コントラスト薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、反応性雰囲気においてＴａをターゲ
ットに用いリアクティブスパッタリングにより前記背面
黒色膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形
成するものである。
製造方法において、反応性雰囲気においてＴａをターゲ
ットに用いリアクティブスパッタリングにより前記背面
黒色膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形
成するものである。
【００１２】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体か
らなる背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する
薄膜発光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄
膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法により、また
は、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸化物をタ
ーゲットに用いたリアクティブスパッタリングにより、
黒色膜、黒色導体および黒色絶縁膜を形成するものであ
る。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体か
らなる背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する
薄膜発光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄
膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法により、また
は、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸化物をタ
ーゲットに用いたリアクティブスパッタリングにより、
黒色膜、黒色導体および黒色絶縁膜を形成するものであ
る。
【００１３】また、前記高コントラスト薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、前記背面電極の黒色導体または黒色
膜を反応性雰囲気においてＴａをターゲットに用いたリ
アクティブスパッタリングによりＴａの不完全酸化黒色
膜として形成し、前記黒色絶縁膜として、強化された反
応性雰囲気においてリアクティブスパッタリングにより
前記Ｔａの不完全酸化黒色膜よりさらに酸化した絶縁膜
を形成することを特徴とするものである。
製造方法において、前記背面電極の黒色導体または黒色
膜を反応性雰囲気においてＴａをターゲットに用いたリ
アクティブスパッタリングによりＴａの不完全酸化黒色
膜として形成し、前記黒色絶縁膜として、強化された反
応性雰囲気においてリアクティブスパッタリングにより
前記Ｔａの不完全酸化黒色膜よりさらに酸化した絶縁膜
を形成することを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】リアクティブスパッタリングは、容器内に配置
されたターゲットと電極の間に直流（ＤＣ）またはラデ
ィオフリークェンシィ（ＲＦ）の電圧を印加して放電し
、ターゲットを構成する金属または金属酸化物を気化さ
せて被接着物に積層する。ターゲットが金属であるとき
、容器内の気体に酸素を含せるることにより被接着物に
金属酸化物を積層することができ、酸素の濃度により金
属酸化物の酸化度を制御することができる。ターゲット
が金属酸化物であるとき、容器内雰囲気を還元性とする
ことで被接着物である金属酸化物の酸化度を制御するこ
とができる。 図９に純タンタルＴａのターゲットを
用いてＡｒガスとＯ２ ガスの混合ガスの雰囲気でリア
クティブスパッタを行って形成した膜の抵抗率とＯ２
分圧の関係を示す。同様に、図１０に光透過率、反射率
とＯ２ 分圧の関係を示し、また、図１１に光吸収率と
Ｏ２ 分圧の関係を示す。なお、上記の光透過率、反射
率、吸収率は厚さ０．２μｍの膜を波長５００ｎｍの光
で測定した値である。図９より、Ｏ２ 分圧を増加する
に従い抵抗率が変化し導体から絶縁体に変化することが
分かる。また、図１０より、Ｏ２ 分圧が０％のときに
形成される膜は波長５００ｎｍの光を５５％反射するが
Ｏ２ 分圧が８％のときに形成される膜は反射率が約１
０％となり、このとき吸収率は図１１より約８０％とな
っていることが分かる。このように雰囲気中のＯ２ 分
圧を変えることによりリアクティブスパッタリングによ
り金属膜や黒色の絶縁膜を形成することができ、このよ
うな黒色膜により背面電極や背面電極の上下に配置され
る膜を構成することにより、外部からの光がＥＬパネル
で反射することを防止してコントラストを高めることが
できる。
されたターゲットと電極の間に直流（ＤＣ）またはラデ
ィオフリークェンシィ（ＲＦ）の電圧を印加して放電し
、ターゲットを構成する金属または金属酸化物を気化さ
せて被接着物に積層する。ターゲットが金属であるとき
、容器内の気体に酸素を含せるることにより被接着物に
金属酸化物を積層することができ、酸素の濃度により金
属酸化物の酸化度を制御することができる。ターゲット
が金属酸化物であるとき、容器内雰囲気を還元性とする
ことで被接着物である金属酸化物の酸化度を制御するこ
とができる。 図９に純タンタルＴａのターゲットを
用いてＡｒガスとＯ２ ガスの混合ガスの雰囲気でリア
クティブスパッタを行って形成した膜の抵抗率とＯ２
分圧の関係を示す。同様に、図１０に光透過率、反射率
とＯ２ 分圧の関係を示し、また、図１１に光吸収率と
Ｏ２ 分圧の関係を示す。なお、上記の光透過率、反射
率、吸収率は厚さ０．２μｍの膜を波長５００ｎｍの光
で測定した値である。図９より、Ｏ２ 分圧を増加する
に従い抵抗率が変化し導体から絶縁体に変化することが
分かる。また、図１０より、Ｏ２ 分圧が０％のときに
形成される膜は波長５００ｎｍの光を５５％反射するが
Ｏ２ 分圧が８％のときに形成される膜は反射率が約１
０％となり、このとき吸収率は図１１より約８０％とな
っていることが分かる。このように雰囲気中のＯ２ 分
圧を変えることによりリアクティブスパッタリングによ
り金属膜や黒色の絶縁膜を形成することができ、このよ
うな黒色膜により背面電極や背面電極の上下に配置され
る膜を構成することにより、外部からの光がＥＬパネル
で反射することを防止してコントラストを高めることが
できる。
【００１５】ＣＶＤ法は気化した金属塩蒸気を水素、ア
ルゴン、反応性ガスとともに加熱した被処理物に接触さ
せ高温気相反応によって金属または金属化合物を被処理
物に積層する方法であるが、この方法によっても雰囲気
ガスの分圧を制御することにより金属膜や黒色の絶縁膜
を形成することがでる。なお、金属塩蒸気を用いるとき
は、ＣＯ２ ＋Ｈ２ 等の夫々のガス分圧を制御するこ
とにより金属酸化物の酸化度を制御することができる。 ＣＶＤ法をリアクティブスパッタリングと同様にこの発
明に用いることが可能である。
ルゴン、反応性ガスとともに加熱した被処理物に接触さ
せ高温気相反応によって金属または金属化合物を被処理
物に積層する方法であるが、この方法によっても雰囲気
ガスの分圧を制御することにより金属膜や黒色の絶縁膜
を形成することがでる。なお、金属塩蒸気を用いるとき
は、ＣＯ２ ＋Ｈ２ 等の夫々のガス分圧を制御するこ
とにより金属酸化物の酸化度を制御することができる。 ＣＶＤ法をリアクティブスパッタリングと同様にこの発
明に用いることが可能である。
【００１６】
【実施例】この発明の実施例である高コントラスト薄膜
ＥＬ素子の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は
この発明の第１の実施例を示し、請求項３の発明に関す
る。図において、１は透明基板を構成するガラス基板で
あり、ガラス基板１の上に酸化錫の透明電極２、アルミ
ナ、五酸化タンタル、窒化シリコン等の第１絶縁体層３
、交流電界によりＥＬ発光を呈する発光体層４、窒化シ
リコン等の第２絶縁体層５が従来周知の方法で積層され
ている。第２絶縁体層５の上に酸化Ｔａ黒色導体８が積
層され、透明電極２と酸化Ｔａ黒色導体８とに交流電源
７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光がガラ
ス基板１の前方に放射される。
ＥＬ素子の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は
この発明の第１の実施例を示し、請求項３の発明に関す
る。図において、１は透明基板を構成するガラス基板で
あり、ガラス基板１の上に酸化錫の透明電極２、アルミ
ナ、五酸化タンタル、窒化シリコン等の第１絶縁体層３
、交流電界によりＥＬ発光を呈する発光体層４、窒化シ
リコン等の第２絶縁体層５が従来周知の方法で積層され
ている。第２絶縁体層５の上に酸化Ｔａ黒色導体８が積
層され、透明電極２と酸化Ｔａ黒色導体８とに交流電源
７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光がガラ
ス基板１の前方に放射される。
【００１７】酸化Ｔａ黒色導体８は次の条件でリアクテ
ィブスパッタリングにより形成される。 条件■
基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦパワー…
２５０ｗ、Ｏ２ 分圧…８％、ガス圧…２．０×１０−
３Ｔｏｒｒ 、時間…２０〜２５分 このように形成された酸化Ｔａ黒色導体８は黒色の導体
であり、背面電極となるが非発光部での外光の反射が抑
制され、コントラストが向上する。
ィブスパッタリングにより形成される。 条件■
基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦパワー…
２５０ｗ、Ｏ２ 分圧…８％、ガス圧…２．０×１０−
３Ｔｏｒｒ 、時間…２０〜２５分 このように形成された酸化Ｔａ黒色導体８は黒色の導体
であり、背面電極となるが非発光部での外光の反射が抑
制され、コントラストが向上する。
【００１８】図２はこの発明の第２の実施例を示し、請
求項４の発明に関する。この実施例では背面電極以外の
部分は第１の実施例と同様に形成されるが、背面電極は
第１の実施例の条件■で形成された酸化Ｔａ黒色導体８
の上に次の条件でスパッタリングによりＡｌの金属背面
電極６が積層される。
求項４の発明に関する。この実施例では背面電極以外の
部分は第１の実施例と同様に形成されるが、背面電極は
第１の実施例の条件■で形成された酸化Ｔａ黒色導体８
の上に次の条件でスパッタリングによりＡｌの金属背面
電極６が積層される。
【００１９】条件■ 基板温度…常温、ターゲット…
Ａｌ金属、ＤＣパワー…４００ｗ、ガス圧…２．０×１
０−３Ｔｏｒｒ 、時間…８分 このように形成された背面電極は第１の実施例と同様に
コントラスト向上の効果があり、酸化Ｔａ黒色導体８の
電気伝導度の不足が補われる。なお、金属背面電極６は
Ａｒガスのみの雰囲気で次の条件においてスパッタリン
グによりＴａの金属膜として得ることもできる。
条件■ 基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金
属、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０−３
Ｔｏｒｒ 、時間…２０分 このように、Ｔａの金属膜を積層する場合は、酸化Ｔａ
黒色導体８を形成した後にＯ２ ガスを停止するか流量
を徐々に減らして背面黒色電極が形成される。この場合
連続してスパッタリングが行え、製造時間を短縮するこ
とができる。
Ａｌ金属、ＤＣパワー…４００ｗ、ガス圧…２．０×１
０−３Ｔｏｒｒ 、時間…８分 このように形成された背面電極は第１の実施例と同様に
コントラスト向上の効果があり、酸化Ｔａ黒色導体８の
電気伝導度の不足が補われる。なお、金属背面電極６は
Ａｒガスのみの雰囲気で次の条件においてスパッタリン
グによりＴａの金属膜として得ることもできる。
条件■ 基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金
属、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０−３
Ｔｏｒｒ 、時間…２０分 このように、Ｔａの金属膜を積層する場合は、酸化Ｔａ
黒色導体８を形成した後にＯ２ ガスを停止するか流量
を徐々に減らして背面黒色電極が形成される。この場合
連続してスパッタリングが行え、製造時間を短縮するこ
とができる。
【００２０】図３はこの発明の第３の実施例を示し、請
求項５の発明に関する。この実施例では酸化Ｔａ黒色導
体８までの部分は第１の実施例と同様に形成されるが、
酸化Ｔａ黒色導体８の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２
が積層され、絶縁体膜９の上に背面黒色膜１０が積層さ
れる。絶縁体膜９の形成条件は次の通りである。
求項５の発明に関する。この実施例では酸化Ｔａ黒色導
体８までの部分は第１の実施例と同様に形成されるが、
酸化Ｔａ黒色導体８の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２
が積層され、絶縁体膜９の上に背面黒色膜１０が積層さ
れる。絶縁体膜９の形成条件は次の通りである。
【００２１】条件■ 基板温度…常温、ターゲット…
ＳｉＯ２ 、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×
１０−３Ｔｏｒｒ 、膜厚…１μｍ また、背面黒色膜１０は第１の実施例で示した条件■で
リアクティブスパッタリングにより形成され、このよう
な黒色膜により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。なお、背面黒色膜１０はＭｎＯ
２ や有機黒色物質でもよい。
ＳｉＯ２ 、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×
１０−３Ｔｏｒｒ 、膜厚…１μｍ また、背面黒色膜１０は第１の実施例で示した条件■で
リアクティブスパッタリングにより形成され、このよう
な黒色膜により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。なお、背面黒色膜１０はＭｎＯ
２ や有機黒色物質でもよい。
【００２２】図４はこの発明の第４の実施例を示し、請
求項５の発明に関する。この実施例では金属背面電極６
までの部分は第２の実施例と同様に形成されるが、酸化
Ｔａ黒色導体８と金属背面電極６の積層体である背面電
極の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２ が積層され、絶縁
体膜９の上に背面黒色膜１０が積層される。絶縁体膜９
と背面黒色膜１０の形成条件は第３の実施例と同様であ
る。このような背面黒色膜１０により背面電極の浮き上
がりが防止されコントラストが一層向上する。図８に図
４に示す実施例の薄膜ＥＬ素子のコントラストを示すグ
ラフ（イ）と従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストを示す
グラフ（ロ）とを比較して示す。図における横軸は薄膜
ＥＬ素子表面の外光による照度（ルックス）であり、縦
軸はコントラスト比である。また、双方の薄膜ＥＬ素子
には同一の交流電圧が印加された。図から明らかなよう
に、実施例ではコントラスト比が著しく向上している。
求項５の発明に関する。この実施例では金属背面電極６
までの部分は第２の実施例と同様に形成されるが、酸化
Ｔａ黒色導体８と金属背面電極６の積層体である背面電
極の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２ が積層され、絶縁
体膜９の上に背面黒色膜１０が積層される。絶縁体膜９
と背面黒色膜１０の形成条件は第３の実施例と同様であ
る。このような背面黒色膜１０により背面電極の浮き上
がりが防止されコントラストが一層向上する。図８に図
４に示す実施例の薄膜ＥＬ素子のコントラストを示すグ
ラフ（イ）と従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストを示す
グラフ（ロ）とを比較して示す。図における横軸は薄膜
ＥＬ素子表面の外光による照度（ルックス）であり、縦
軸はコントラスト比である。また、双方の薄膜ＥＬ素子
には同一の交流電圧が印加された。図から明らかなよう
に、実施例ではコントラスト比が著しく向上している。
【００２３】図５はこの発明の第５の実施例を示し、請
求項７の発明に関する。この実施例では絶縁体膜９まで
の部分は第３の実施例と同様に形成されるが、絶縁体膜
９の上に絶縁体層１１が積層され、絶縁体層１１の上に
背面黒色膜１０が積層される。なお、絶縁体層１１は第
２絶縁体層５と同一の物質であり、ＥＬ素子の駆動電圧
を低くするために、アルミナ、五酸化タンタル、窒化シ
リコン等のＳｉＯ２ よりも誘電率の高いものが用いら
れている。そこで、背面電極である酸化Ｔａ黒色導体８
と背面黒色膜１０との反射率を等しくするように夫々の
前面に配置された第２絶縁体層５と絶縁体層１１との屈
折率を等しくして背面電極の浮き上がりが防止されてい
る。
求項７の発明に関する。この実施例では絶縁体膜９まで
の部分は第３の実施例と同様に形成されるが、絶縁体膜
９の上に絶縁体層１１が積層され、絶縁体層１１の上に
背面黒色膜１０が積層される。なお、絶縁体層１１は第
２絶縁体層５と同一の物質であり、ＥＬ素子の駆動電圧
を低くするために、アルミナ、五酸化タンタル、窒化シ
リコン等のＳｉＯ２ よりも誘電率の高いものが用いら
れている。そこで、背面電極である酸化Ｔａ黒色導体８
と背面黒色膜１０との反射率を等しくするように夫々の
前面に配置された第２絶縁体層５と絶縁体層１１との屈
折率を等しくして背面電極の浮き上がりが防止されてい
る。
【００２４】図６はこの発明の第６の実施例を示し、請
求項８の発明に関する。この実施例では発光体層４まで
の部分は第３の実施例と同様に形成されるが、発光体層
４の上に黒色絶縁膜１２が積層され、黒色絶縁膜１２の
上に第２の実施例と同様の酸化Ｔａ黒色導体８と金属背
面電極６との積層体が形成される。黒色絶縁膜１２の形
成条件は次の通りである。
求項８の発明に関する。この実施例では発光体層４まで
の部分は第３の実施例と同様に形成されるが、発光体層
４の上に黒色絶縁膜１２が積層され、黒色絶縁膜１２の
上に第２の実施例と同様の酸化Ｔａ黒色導体８と金属背
面電極６との積層体が形成される。黒色絶縁膜１２の形
成条件は次の通りである。
【００２５】条件■ 基板温度…常温、ターゲッ
ト…Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５０ｗ、Ｏ２ 分圧…１
０．４％、膜厚…０．５μｍ このような黒色絶縁膜１２により背面電極の浮き上がり
が防止されコントラストが一層向上する。なお、黒色絶
縁膜１２として、Ｐｒ−ＭｎＯ等を用いることもできる
。
ト…Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５０ｗ、Ｏ２ 分圧…１
０．４％、膜厚…０．５μｍ このような黒色絶縁膜１２により背面電極の浮き上がり
が防止されコントラストが一層向上する。なお、黒色絶
縁膜１２として、Ｐｒ−ＭｎＯ等を用いることもできる
。
【００２６】図７はこの発明の第７の実施例を示す。こ
の実施例では第６の実施例において、黒色絶縁膜１２と
酸化Ｔａ黒色導体８の間に絶縁体層５を介在させている
。絶縁体層５はアルミナ、五酸化タンタル、窒化シリコ
ン等で形成され発光体層４と酸化Ｔａ黒色導体８との間
の黒色絶縁膜１２の絶縁不足を補う。
の実施例では第６の実施例において、黒色絶縁膜１２と
酸化Ｔａ黒色導体８の間に絶縁体層５を介在させている
。絶縁体層５はアルミナ、五酸化タンタル、窒化シリコ
ン等で形成され発光体層４と酸化Ｔａ黒色導体８との間
の黒色絶縁膜１２の絶縁不足を補う。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、外部からの光がＥＬ
パネルで反射されることを防止することによりコントラ
ストの高められる薄膜発光素子を容易に製造することが
できる。 特に、リアクティブスパッタリングの雰囲
気ガスの酸素ガス濃度を変えるだけで金属膜や黒色導体
膜や黒色絶縁体膜を積層するようにすればスパッタリン
グの回数が少なく製造工程が短縮される。
パネルで反射されることを防止することによりコントラ
ストの高められる薄膜発光素子を容易に製造することが
できる。 特に、リアクティブスパッタリングの雰囲
気ガスの酸素ガス濃度を変えるだけで金属膜や黒色導体
膜や黒色絶縁体膜を積層するようにすればスパッタリン
グの回数が少なく製造工程が短縮される。
【図１】この発明の第１の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図４】この発明の第４の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図５】この発明の第５の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図６】この発明の第６の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図７】この発明の第７の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図８】この発明の実施例の薄膜ＥＬ素子のコントラス
トと従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストとを比較して示
すグラフである。
トと従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストとを比較して示
すグラフである。
【図９】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気の
Ｏ２ 分圧と形成膜の抵抗率の関係を示すグラフである
。
Ｏ２ 分圧と形成膜の抵抗率の関係を示すグラフである
。
【図１０】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気
のＯ２ 分圧と形成膜の光透過率および反射率の関係を
示すグラフである。
のＯ２ 分圧と形成膜の光透過率および反射率の関係を
示すグラフである。
【図１１】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気
のＯ２ 分圧と形成膜の光吸収率の関係を示すグラフで
ある。
のＯ２ 分圧と形成膜の光吸収率の関係を示すグラフで
ある。
【図１２】従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ 第１絶縁体層
４ 発光体層
５ 第２絶縁体層
６ 金属背面電極
７ 交流電源
８ 酸化Ｔａ黒色導体
９ 絶縁体膜
１０ 背面黒色膜
１１ 絶縁体層
１２ 黒色絶縁膜
Claims (9)
- 【請求項１】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発光層
を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、反応性
雰囲気において金属または金属酸化物をターゲットに用
いリアクティブスパッタリングにより金属の不完全酸化
黒色膜として背面電極を形成することを特徴とする高コ
ントラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発光層
を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ
法により金属の不完全酸化黒色膜として背面電極を形成
することを特徴とする高コントラスト薄膜ＥＬ素子の製
造方法。 - 【請求項３】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発光層
を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔａを
ターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティブス
パッタリングにより背面電極をＴａの不完全酸化黒色膜
として形成することを特徴とする高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項４】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と背面電極との間にＥＬ発光を呈する薄膜発光層
を介在させた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、Ｔａを
ターゲットに用い反応性雰囲気においてリアクティブス
パッタリングによりＴａの不完全酸化黒色膜を積層しそ
の上に金属膜を積層して背面電極を形成することを特徴
とする高コントラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記背面電極の上に低誘電率高抵抗の
絶縁体膜を形成し、Ｔａをターゲットに用い反応性雰囲
気においてリアクティブスパッタリングにより前記絶縁
体膜の上にＴａの不完全酸化黒色膜を積層することを特
徴とする請求項３または４の高コントラスト薄膜ＥＬ素
子の製造方法。 - 【請求項６】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と黒色膜からなる背面電極との間にＥＬ発光を呈
する薄膜発光層を介在させ前記背面電極の上に絶縁体を
該絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面黒色膜を配置
し、前記背面電極と薄膜発光層の間および前記背面黒色
膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶縁物を配置し
た薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法により、
または、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸化物
をターゲットに用いたリアクティブスパッタリングによ
り、背面黒色膜および背面電極を形成することを特徴と
する高コントラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項７】 反応性雰囲気においてＴａをターゲッ
トに用いリアクティブスパッタリングにより前記背面黒
色膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形成
することを特徴とする請求項６の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項８】 透明基板の上に透明電極を積層し該透
明電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体からな
る背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する薄膜
発光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、ＣＶＤ法により、または、
反応性雰囲気において金属あるいは金属酸化物をターゲ
ットに用いたリアクティブスパッタリングにより、黒色
膜、黒色導体および黒色絶縁膜を形成することを特徴と
する高コントラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記背面電極の黒色導体または黒色膜
を反応性雰囲気においてＴａをターゲットに用いたリア
クティブスパッタリングによりＴａの不完全酸化黒色膜
として形成し、前記黒色絶縁膜として、強化された反応
性雰囲気においてリアクティブスパッタリングにより前
記Ｔａの不完全酸化黒色膜よりさらに酸化した絶縁膜を
形成することを特徴とする請求項８の高コントラスト薄
膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103842A JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103842A JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312791A true JPH04312791A (ja) | 1992-11-04 |
| JP2901370B2 JP2901370B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14364688
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3103842A Expired - Fee Related JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901370B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164228B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Display panel and electronic apparatus with the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3705282B2 (ja) | 2002-10-03 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法 |
| US7355337B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
Citations (10)
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| JPS6074289A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-26 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61165995A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | 松下電器産業株式会社 | Ｅｌパネル |
| JPS62232894A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-13 | 株式会社小松製作所 | 絶縁膜 |
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| JPS63299093A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Ricoh Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPS6443998A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-16 | Alps Electric Co Ltd | Membranous el display element |
| JPH0214711A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Ibiden Co Ltd | 排ガス浄化装置 |
| JPH02173619A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Canon Inc | 電界発光素子 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3103842A patent/JP2901370B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US7164228B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Display panel and electronic apparatus with the same |
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|---|---|
| JP2901370B2 (ja) | 1999-06-07 |
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