JP2901370B2 - 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は交流電界の印加により
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光を呈する薄膜発
光素子の製造方法に係わり、特に、表示のコントラスト
が高められる薄膜発光素子の製造方法に関する。
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光を呈する薄膜発
光素子の製造方法に係わり、特に、表示のコントラスト
が高められる薄膜発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加すると物質が蛍光を発する現
象すなわちエロクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用し
たディスプレイに用いられる薄膜ＦＬ素子が知られてい
る。従来の薄膜ＥＬ素子の構造を図１２に示す。図に示
すように、ガラス基板１の上に透明電極２、第１絶縁体
層３、発光体層４、第２絶縁体層５、金属の背面電極６
が順次積層されており、透明電極２と背面電極６とに交
流電源７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光
がガラス基板１の前方に放射される。
象すなわちエロクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用し
たディスプレイに用いられる薄膜ＦＬ素子が知られてい
る。従来の薄膜ＥＬ素子の構造を図１２に示す。図に示
すように、ガラス基板１の上に透明電極２、第１絶縁体
層３、発光体層４、第２絶縁体層５、金属の背面電極６
が順次積層されており、透明電極２と背面電極６とに交
流電源７の電圧が印加され発光体層４が発光し、その光
がガラス基板１の前方に放射される。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記した従来のもの
においては、背面電極６としてＡｌ等の金属の電極を用
いているため外光の反射率が高く、ＥＬパネル内に侵入
した外部光が背面電極６で反射され、コントラストおよ
び表示品位の低下を招くという欠点があった。
においては、背面電極６としてＡｌ等の金属の電極を用
いているため外光の反射率が高く、ＥＬパネル内に侵入
した外部光が背面電極６で反射され、コントラストおよ
び表示品位の低下を招くという欠点があった。
【０００４】この発明は上記した点に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするところは、外部からの光が
ＥＬパネルで反射されることを防止することによりコン
トラストの高められた薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供す
ることにある。
のであって、その目的とするところは、外部からの光が
ＥＬパネルで反射されることを防止することによりコン
トラストの高められた薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の高コントラス
ト薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極
を積層し該透明電極と黒色膜からなる背面電極との間に
ＥＬ発光を呈する薄膜発光層を介在させ前記背面電極の
上に絶縁体を該絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面
黒色膜を配置し、前記背面電極と薄膜発光層の間および
前記背面黒色膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶
縁物を配置した薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶ
Ｄ法により、または、反応性雰囲気において金属あるい
は金属酸化物をターゲットに用いたリアクティブスパッ
タリングにより、背面黒色膜および背面電極を形成する
ものである。
ト薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極
を積層し該透明電極と黒色膜からなる背面電極との間に
ＥＬ発光を呈する薄膜発光層を介在させ前記背面電極の
上に絶縁体を該絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面
黒色膜を配置し、前記背面電極と薄膜発光層の間および
前記背面黒色膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶
縁物を配置した薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶ
Ｄ法により、または、反応性雰囲気において金属あるい
は金属酸化物をターゲットに用いたリアクティブスパッ
タリングにより、背面黒色膜および背面電極を形成する
ものである。
【０００６】また、前記高コントラスト薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、反応性雰囲気においてＴａをターゲ
ットに用いリアクティブスパッタリングにより前記背面
黒色膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形
成するものである。
製造方法において、反応性雰囲気においてＴａをターゲ
ットに用いリアクティブスパッタリングにより前記背面
黒色膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形
成するものである。
【０００７】さらに、この発明の高コントラスト薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体か
らなる背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する
薄膜発光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄
膜ＥＬ素子の製造方法において、前記背面電極の黒色導
体または黒色膜を反応性雰囲気においてＴａをターゲッ
トに用いたリアクティブスパッタリングによりＴａの不
完全酸化黒色膜として形成し、前記黒色絶縁膜として、
酸素分圧を大きくした反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングにより前記Ｔａの不完全酸化黒色膜よ
りさらに酸化した絶縁膜を形成するものである。
Ｌ素子の製造方法は、透明基板の上に透明電極を積層し
該透明電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体か
らなる背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する
薄膜発光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄
膜ＥＬ素子の製造方法において、前記背面電極の黒色導
体または黒色膜を反応性雰囲気においてＴａをターゲッ
トに用いたリアクティブスパッタリングによりＴａの不
完全酸化黒色膜として形成し、前記黒色絶縁膜として、
酸素分圧を大きくした反応性雰囲気においてリアクティ
ブスパッタリングにより前記Ｔａの不完全酸化黒色膜よ
りさらに酸化した絶縁膜を形成するものである。
【０００８】
【作用】リアクティブスパッタリングは、容器内に配置
されたターゲットと電極の間に直流（ＤＣ）またはラデ
ィオフリークェンシィ（ＲＦ）の電圧を印加して放電
し、ターゲットを構成する金属または金属酸化物を気化
させて被接着物に積層する。ターゲットが金属であると
き、容器内の気体に酸素を含せるることにより被接着物
に金属酸化物を積層することができ、酸素の濃度により
金属酸化物の酸化度を制御することができる。ターゲッ
トが金属酸化物であるとき、容器内雰囲気を還元性とす
ることで被接着物である金属酸化物の酸化度を制御する
ことができる。
されたターゲットと電極の間に直流（ＤＣ）またはラデ
ィオフリークェンシィ（ＲＦ）の電圧を印加して放電
し、ターゲットを構成する金属または金属酸化物を気化
させて被接着物に積層する。ターゲットが金属であると
き、容器内の気体に酸素を含せるることにより被接着物
に金属酸化物を積層することができ、酸素の濃度により
金属酸化物の酸化度を制御することができる。ターゲッ
トが金属酸化物であるとき、容器内雰囲気を還元性とす
ることで被接着物である金属酸化物の酸化度を制御する
ことができる。
【０００９】図９に純タンタルＴａのターゲットを用い
てＡｒガスとＯ２ガスの混合ガスの雰囲気でリアクティ
ブスパッタを行って形成した膜の抵抗率とＯ２分圧の関
係を示す。同様に、図１０に光透過率、反射率とＯ２分
圧の関係を示し、また、図１１に光吸収率とＯ２分圧の
関係を示す。なお、上記の光透過率、反射率、吸収率は
厚さ０．２μｍの膜を波長５００ｎｍの光で測定した値
である。図９より、Ｏ２分圧を増加するに従い抵抗率が
変化し導体から絶縁体に変化することが分かる。また、
図１０より、Ｏ２分圧が０％のときに形成される膜は波
長５００ｎｍの光を５５％反射するがＯ２分圧が８％の
ときに形成される膜は反射率が約１０％となり、このと
き吸収率は図１１より約８０％となっていることが分か
る。このように雰囲気中のＯ２分圧を変えることにより
リアクティブスパッタリングにより金属膜や黒色の絶縁
膜を形成することができ、このような黒色膜により背面
電極や背面電極の上下に配置される膜を構成することに
より、外部からの光がＥＬパネルで反射することを防止
してコントラストを高めることができる。
てＡｒガスとＯ２ガスの混合ガスの雰囲気でリアクティ
ブスパッタを行って形成した膜の抵抗率とＯ２分圧の関
係を示す。同様に、図１０に光透過率、反射率とＯ２分
圧の関係を示し、また、図１１に光吸収率とＯ２分圧の
関係を示す。なお、上記の光透過率、反射率、吸収率は
厚さ０．２μｍの膜を波長５００ｎｍの光で測定した値
である。図９より、Ｏ２分圧を増加するに従い抵抗率が
変化し導体から絶縁体に変化することが分かる。また、
図１０より、Ｏ２分圧が０％のときに形成される膜は波
長５００ｎｍの光を５５％反射するがＯ２分圧が８％の
ときに形成される膜は反射率が約１０％となり、このと
き吸収率は図１１より約８０％となっていることが分か
る。このように雰囲気中のＯ２分圧を変えることにより
リアクティブスパッタリングにより金属膜や黒色の絶縁
膜を形成することができ、このような黒色膜により背面
電極や背面電極の上下に配置される膜を構成することに
より、外部からの光がＥＬパネルで反射することを防止
してコントラストを高めることができる。
【００１０】ＣＶＤ法は気化した金属塩蒸気を水素、ア
ルゴン、反応性ガスとともに加熱した被処理物に接触さ
せ高温気相反応によって金属または金属化合物を被処理
物に積層する方法であるが、この方法によっても雰囲気
ガスの分圧を制御することにより金属膜や黒色の絶縁膜
を形成することがでる。なお、金属塩蒸気を用いるとき
は、ＣＯ２＋Ｈ２等の夫々のガス分圧を制御することに
より金属酸化物の酸化度を制御することができる。ＣＶ
Ｄ法をリアクティブスパッタリングと同様にこの発明に
用いることが可能である。
ルゴン、反応性ガスとともに加熱した被処理物に接触さ
せ高温気相反応によって金属または金属化合物を被処理
物に積層する方法であるが、この方法によっても雰囲気
ガスの分圧を制御することにより金属膜や黒色の絶縁膜
を形成することがでる。なお、金属塩蒸気を用いるとき
は、ＣＯ２＋Ｈ２等の夫々のガス分圧を制御することに
より金属酸化物の酸化度を制御することができる。ＣＶ
Ｄ法をリアクティブスパッタリングと同様にこの発明に
用いることが可能である。
【００１１】
【実施例】この発明の実施例である高コントラスト薄膜
ＥＬ素子の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は
この発明の第１の参考例を示している。図において、１
は透明基板を構成するガラス基板であり、ガラス基板１
の上に酸化錫の透明電極２、アルミナ、五酸化タンタ
ル、窒化シリコン等の第１絶縁体層３、交流電界により
ＥＬ発光を呈する発光体層４、窒化シリコン等の第２絶
縁体層５が従来周知の方法で積層されている。第２絶縁
体層５の上に酸化Ｔａ黒色導体８が積層され、透明電極
２と酸化Ｔａ黒色導体８とに交流電源７の電圧が印加さ
れ発光体層４が発光し、その光がガラス基板１の前方に
放射される。
ＥＬ素子の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は
この発明の第１の参考例を示している。図において、１
は透明基板を構成するガラス基板であり、ガラス基板１
の上に酸化錫の透明電極２、アルミナ、五酸化タンタ
ル、窒化シリコン等の第１絶縁体層３、交流電界により
ＥＬ発光を呈する発光体層４、窒化シリコン等の第２絶
縁体層５が従来周知の方法で積層されている。第２絶縁
体層５の上に酸化Ｔａ黒色導体８が積層され、透明電極
２と酸化Ｔａ黒色導体８とに交流電源７の電圧が印加さ
れ発光体層４が発光し、その光がガラス基板１の前方に
放射される。
【００１２】酸化Ｔａ黒色導体８は次の条件でリアクテ
ィブスパッタリングにより形成される。 条件 基板
温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５
０ｗ、Ｏ２分圧…８％、ガス圧…２．０×１０−３Ｔｏ
ｒｒ、時間…２０〜２５分このように形成された酸化Ｔ
ａ黒色導体８は黒色の導体であり、背面電極となるが非
発光部での外光の反射が抑制され、コントラストが向上
する。なお、黒色導体８をＣＶＤ法により形成すれば請
求項１の発明が実現される。
ィブスパッタリングにより形成される。 条件 基板
温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５
０ｗ、Ｏ２分圧…８％、ガス圧…２．０×１０−３Ｔｏ
ｒｒ、時間…２０〜２５分このように形成された酸化Ｔ
ａ黒色導体８は黒色の導体であり、背面電極となるが非
発光部での外光の反射が抑制され、コントラストが向上
する。なお、黒色導体８をＣＶＤ法により形成すれば請
求項１の発明が実現される。
【００１３】図２はこの発明の第２の参考例を示してい
る。この参考例では背面電極以外の部分は第１の参考例
と同様に形成されるが、背面電極は第１の参考例の条件
で形成された酸化Ｔａ黒色導体８の上に次の条件でス
パッタリングによりＡｌの金属背面電極６が積層され
る。
る。この参考例では背面電極以外の部分は第１の参考例
と同様に形成されるが、背面電極は第１の参考例の条件
で形成された酸化Ｔａ黒色導体８の上に次の条件でス
パッタリングによりＡｌの金属背面電極６が積層され
る。
【００１４】条件 基板温度…常温、ターゲット…Ａ
ｌ金属、ＤＣパワー…４００ｗ、ガス圧…２．０×１０
−３Ｔｏｒｒ、時間…８分 このように形成された背面電極は第１の参考例と同様に
コントラスト向上の効果があり、酸化Ｔａ黒色導体８の
電気伝導度の不足が補われる。なお、金属背面電極６は
Ａｒガスのみの雰囲気で次の条件においてスパッタリン
グによりＴａの金属膜として得ることもできる。
条件 基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦ
パワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０−３Ｔｏｒ
ｒ、時間…２０分 このように、Ｔａの金属膜を積層する場合は、酸化Ｔａ
黒色導体８を形成した後にＯ２ガスを停止するか流量を
徐々に減らして背面黒色電極が形成される。この場合連
続してスパッタリングが行え、製造時間を短縮すること
ができる。
ｌ金属、ＤＣパワー…４００ｗ、ガス圧…２．０×１０
−３Ｔｏｒｒ、時間…８分 このように形成された背面電極は第１の参考例と同様に
コントラスト向上の効果があり、酸化Ｔａ黒色導体８の
電気伝導度の不足が補われる。なお、金属背面電極６は
Ａｒガスのみの雰囲気で次の条件においてスパッタリン
グによりＴａの金属膜として得ることもできる。
条件 基板温度…常温、ターゲット…Ｔａ金属、ＲＦ
パワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０−３Ｔｏｒ
ｒ、時間…２０分 このように、Ｔａの金属膜を積層する場合は、酸化Ｔａ
黒色導体８を形成した後にＯ２ガスを停止するか流量を
徐々に減らして背面黒色電極が形成される。この場合連
続してスパッタリングが行え、製造時間を短縮すること
ができる。
【００１５】図３はこの発明の第３の参考例を示してい
る。この参考例では酸化Ｔａ黒色導体８までの部分は第
１の参考例と同様に形成されるが、酸化Ｔａ黒色導体８
の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２が積層され、絶縁体膜
９の上に背面黒色膜１０が積層される。絶縁体膜９の形
成条件は次の通りである。
る。この参考例では酸化Ｔａ黒色導体８までの部分は第
１の参考例と同様に形成されるが、酸化Ｔａ黒色導体８
の上に絶縁体膜９としてＳｉＯ２が積層され、絶縁体膜
９の上に背面黒色膜１０が積層される。絶縁体膜９の形
成条件は次の通りである。
【００１６】条件 基板温度…常温、ターゲット…Ｓ
ｉＯ２、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０
−３Ｔｏｒｒ、膜厚…１μｍ また、背面黒色膜１０は第１の参考例で示した条件で
リアクティブスパッタリングにより形成され、このよう
な黒色膜により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。なお、背面黒色膜１０はＭｎＯ
２や有機黒色物質でもよい。
ｉＯ２、ＲＦパワー…３００ｗ、ガス圧…２．０×１０
−３Ｔｏｒｒ、膜厚…１μｍ また、背面黒色膜１０は第１の参考例で示した条件で
リアクティブスパッタリングにより形成され、このよう
な黒色膜により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。なお、背面黒色膜１０はＭｎＯ
２や有機黒色物質でもよい。
【００１７】図４はこの発明の第４の参考例を示してい
る。この参考例では金属背面電極６までの部分は第２の
参考例と同様に形成されるが、酸化Ｔａ黒色導体８と金
属背面電極６の積層体である背面電極の上に絶縁体膜９
としてＳｉＯ２が積層され、絶縁体膜９の上に背面黒色
膜１０が積層される。絶縁体膜９と背面黒色膜１０の形
成条件は第３の参考例と同様である。このような背面黒
色膜１０により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。図８に図４に示す参考例の薄膜
ＥＬ素子のコントラストを示すグラフ（イ）と従来の薄
膜ＥＬ素子のコントラストを示すグラフ（ロ）とを比較
して示す。図における横軸は薄膜ＥＬ素子表面の外光に
よる照度（ルックス）であり、縦軸はコントラスト比で
ある。また、双方の薄膜ＥＬ素子には同一の交流電圧が
印加された。図から明らかなように、参考例ではコント
ラスト比が著しく向上している。
る。この参考例では金属背面電極６までの部分は第２の
参考例と同様に形成されるが、酸化Ｔａ黒色導体８と金
属背面電極６の積層体である背面電極の上に絶縁体膜９
としてＳｉＯ２が積層され、絶縁体膜９の上に背面黒色
膜１０が積層される。絶縁体膜９と背面黒色膜１０の形
成条件は第３の参考例と同様である。このような背面黒
色膜１０により背面電極の浮き上がりが防止されコント
ラストが一層向上する。図８に図４に示す参考例の薄膜
ＥＬ素子のコントラストを示すグラフ（イ）と従来の薄
膜ＥＬ素子のコントラストを示すグラフ（ロ）とを比較
して示す。図における横軸は薄膜ＥＬ素子表面の外光に
よる照度（ルックス）であり、縦軸はコントラスト比で
ある。また、双方の薄膜ＥＬ素子には同一の交流電圧が
印加された。図から明らかなように、参考例ではコント
ラスト比が著しく向上している。
【００１８】図５はこの発明の第１の実施例を示し、請
求項１および２の発明に関する。この実施例では絶縁体
膜９までの部分は第３の参考例と同様に形成されるが、
絶縁体膜９の上に絶縁体層１１が積層され、絶縁体層１
１の上に背面黒色膜１０が積層される。なお、絶縁体層
１１は第２絶縁体層５と同一の物質であり、ＥＬ素子の
駆動電圧を低くするために、アルミナ、五酸化タンタ
ル、窒化シリコン等のＳｉＯ２よりも誘電率の高いもの
が用いられている。そこで、背面電極である酸化Ｔａ黒
色導体８と背面黒色膜１０との反射率を等しくするよう
に夫々の前面に配置された第２絶縁体層５と絶縁体層１
１との屈折率を等しくして背面電極の浮き上がりが防止
されている。
求項１および２の発明に関する。この実施例では絶縁体
膜９までの部分は第３の参考例と同様に形成されるが、
絶縁体膜９の上に絶縁体層１１が積層され、絶縁体層１
１の上に背面黒色膜１０が積層される。なお、絶縁体層
１１は第２絶縁体層５と同一の物質であり、ＥＬ素子の
駆動電圧を低くするために、アルミナ、五酸化タンタ
ル、窒化シリコン等のＳｉＯ２よりも誘電率の高いもの
が用いられている。そこで、背面電極である酸化Ｔａ黒
色導体８と背面黒色膜１０との反射率を等しくするよう
に夫々の前面に配置された第２絶縁体層５と絶縁体層１
１との屈折率を等しくして背面電極の浮き上がりが防止
されている。
【００１９】図６はこの発明の第２の実施例を示し、請
求項３の発明に関する。この実施例では発光体層４まで
の部分は第３の参考例と同様に形成されるが、発光体層
４の上に黒色絶縁膜１２が積層され、黒色絶縁膜１２の
上に第２の参考例と同様の酸化Ｔａ黒色導体８と金属背
面電極６との積層体が形成される。黒色絶縁膜１２の形
成条件は次の通りである。
求項３の発明に関する。この実施例では発光体層４まで
の部分は第３の参考例と同様に形成されるが、発光体層
４の上に黒色絶縁膜１２が積層され、黒色絶縁膜１２の
上に第２の参考例と同様の酸化Ｔａ黒色導体８と金属背
面電極６との積層体が形成される。黒色絶縁膜１２の形
成条件は次の通りである。
【００２０】条件 基板温度…常温、ターゲット…
Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５０ｗ、Ｏ２分圧…１０．４
％、膜厚…０．５μｍ このような黒色絶縁膜１２により背面電極の浮き上がり
が防止されコントラストが一層向上する。なお、黒色絶
縁膜１２として、Ｐｒ−ＭｎＯ等を用いることもでき
る。
Ｔａ金属、ＲＦパワー…２５０ｗ、Ｏ２分圧…１０．４
％、膜厚…０．５μｍ このような黒色絶縁膜１２により背面電極の浮き上がり
が防止されコントラストが一層向上する。なお、黒色絶
縁膜１２として、Ｐｒ−ＭｎＯ等を用いることもでき
る。
【００２１】図７はこの発明の第３の実施例を示す。こ
の実施例では第２の実施例において、黒色絶縁膜１２と
酸化Ｔａ黒色導体８の間に絶縁体層５を介在させてい
る。絶縁体層５はアルミナ、五酸化タンタル、窒化シリ
コン等で形成され発光体層４と酸化Ｔａ黒色導体８との
間の黒色絶縁膜１２の絶縁不足を補う。
の実施例では第２の実施例において、黒色絶縁膜１２と
酸化Ｔａ黒色導体８の間に絶縁体層５を介在させてい
る。絶縁体層５はアルミナ、五酸化タンタル、窒化シリ
コン等で形成され発光体層４と酸化Ｔａ黒色導体８との
間の黒色絶縁膜１２の絶縁不足を補う。
【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、外部からの光がＥＬ
パネルで反射されることを防止することによりコントラ
ストの高められる薄膜発光素子を容易に製造することが
できる。
パネルで反射されることを防止することによりコントラ
ストの高められる薄膜発光素子を容易に製造することが
できる。
【００２３】特に、リアクティブスパッタリングの雰囲
気ガスの酸素ガス濃度を変えるだけで金属膜や黒色導体
膜や黒色絶縁体膜を積層するようにすればスパッタリン
グの回数が少なく製造工程が短縮される。
気ガスの酸素ガス濃度を変えるだけで金属膜や黒色導体
膜や黒色絶縁体膜を積層するようにすればスパッタリン
グの回数が少なく製造工程が短縮される。
【図１】この発明の第１の参考例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の参考例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図３】この発明の第３の参考例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図４】この発明の第４の参考例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図５】この発明の第１の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図６】この発明の第２の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図７】この発明の第３の実施例である高コントラスト
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す断面図である。
【図８】この発明の参考例の薄膜ＥＬ素子のコントラス
トと従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストとを比較して示
すグラフである。
トと従来の薄膜ＥＬ素子のコントラストとを比較して示
すグラフである。
【図９】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気の
Ｏ２分圧と形成膜の抵抗率の関係を示すグラフである。
Ｏ２分圧と形成膜の抵抗率の関係を示すグラフである。
【図１０】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気
のＯ２分圧と形成膜の光透過率および反射率の関係を示
すグラフである。
のＯ２分圧と形成膜の光透過率および反射率の関係を示
すグラフである。
【図１１】リアクティブスパッタリングにおける雰囲気
のＯ２分圧と形成膜の光吸収率の関係を示すグラフであ
る。
のＯ２分圧と形成膜の光吸収率の関係を示すグラフであ
る。
【図１２】従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第１絶縁体層 ４ 発光体層 ５ 第２絶縁体層 ６ 金属背面電極 ７ 交流電源 ８ 酸化Ｔａ黒色導体 ９ 絶縁体膜 １０ 背面黒色膜 １１ 絶縁体層 １２ 黒色絶縁膜
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板の上に透明電極を積層し該透明
電極と黒色膜からなる背面電極との間にＥＬ発光を呈す
る薄膜発光層を介在させ前記背面電極の上に絶縁体を該
絶縁体の上に背面電極と同一物質の背面黒色膜を配置
し、前記背面電極と薄膜発光層の間および前記背面黒色
膜と絶縁体との間に同一の物質からなる絶縁物を配置し
た薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＣＶＤ法により、
または、反応性雰囲気において金属あるいは金属酸化物
をターゲットに用いたリアクティブスパッタリングによ
り、背面黒色膜および背面電極を形成することを特徴と
する高コントラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 反応性雰囲気においてＴａをターゲット
に用いリアクティブスパッタリングにより前記背面黒色
膜と背面電極とをＴａの不完全酸化黒色膜として形成す
ることを特徴とする請求項１の高コントラスト薄膜ＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項３】 透明基板の上に透明電極を積層し該透明
電極と黒色導体または黒色膜と金属膜の積層体からなる
背面電極との間の透明電極側にＥＬ発光を呈する薄膜発
光層をまた背面電極側に黒色絶縁膜を配置した薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、前記背面電極の黒色導体また
は黒色膜を反応性雰囲気においてＴａをターゲットに用
いたリアクティブスパッタリングによりＴａの不完全酸
化黒色膜として形成し、前記黒色絶縁膜として、酸素分
圧を大きくした反応性雰囲気においてリアクティブスパ
ッタリングにより前記Ｔａの不完全酸化黒色膜よりさら
に酸化した絶縁膜を形成することを特徴とする高コント
ラスト薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103842A JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103842A JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312791A JPH04312791A (ja) | 1992-11-04 |
| JP2901370B2 true JP2901370B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14364688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3103842A Expired - Fee Related JP2901370B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901370B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116045B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-10-03 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
| US7355337B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164228B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Display panel and electronic apparatus with the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123687A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Thin film light emitting element |
| JPS59154795A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 日本電気株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6074289A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-26 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61165995A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | 松下電器産業株式会社 | Ｅｌパネル |
| JPS62232894A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-13 | 株式会社小松製作所 | 絶縁膜 |
| JPS631440U (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-07 | ||
| JPS63299093A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Ricoh Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPS6443998A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-16 | Alps Electric Co Ltd | Membranous el display element |
| JPH0214711A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Ibiden Co Ltd | 排ガス浄化装置 |
| JP2614098B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1997-05-28 | キヤノン株式会社 | 電界発光素子 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3103842A patent/JP2901370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116045B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-10-03 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
| US7355337B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04312791A (ja) | 1992-11-04 |
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