JPH0246695A - 薄膜エレクトロルミネセンス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜エレクトロルミネセンス装置に関し、特
に、ＯＡ機器の情報端末に用いられる薄型平板デイスプ
レィへの利用等に適している。

従来の技術 薄膜エレクトロルミネセンス（以下薄ｇＥＬと略す）装
置を用いたデイスプレィとして以下に示すような構成が
提案されている。第２図は、発光体層６の両側に誘電体
層４．６を設け、さらにそれを透明電極２と背面電極７
で挟み込んだ構造をしている。発光体層５として緑色発
光するＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆｌ　　黄橙色発光するＺｎＳ：
　Ｍｎを用いた薄膜ＥＬデイスプレィがある。いづれも
、発光の取出は、透明電極が設けられた側のガラスの面
より行なっており、発光中心より放出される光強度の約
１０％以下しか取り出せていない。

これは、フレネルの法則に従っており、蛍光体層内の発
光中心より放出される光が発光体層と誘電体層あるいは
透明電極層の界面で反射してしまう量が９０％以上ある
ことを表している。言い換えれば、発光波長に対する全
反射角が約２５度と大変狭いためである。

一方、幅広い発光波長を持つ光源の波長選択を行なうた
めにファプリー・ベロー型干渉計を用いることが知られ
ている。このファプリｍ−ベロー型干渉計は、第３図に
示すように２枚の反射鏡８を平行に配置し、この面間隔
をＬとし、反射鏡内の波数をｑとするときの光の干渉条
件であるＬ　ｅ　ｑ＝に・π　（πは円周率） という条件を満足する光だけがこの干渉計を透過する。

但し、Ｋは、正の整数である。実際には反射鏡の反射率
Ｒが大きくなると第４図のように光のスペクトルの半値
幅は、狭くなることがわかっている。これに関しては霜
田光−著レーザー物理入門（１９８３年４月２２日、合
波書店発行）の６１頁から５６頁に記載されている。

またさらに、この干渉計の中にレーザー媒体を挿入する
とレーザー共振器となることも知られている。

発明が解決しようとする課題 第２図に示した薄膜ＥＬ装置では、製法が容易である利
点を有し、輝度−電圧特性が急に立ち上がる性質を利用
してマトリックス型の電極構造を持つ薄膜ＥＬデイスプ
レィが実用化されている。

一方、この薄膜ＥＬ装置の発光色は、蛍光体層にＺｎＳ
：　Ｍｎを用いた黄橙色とＺｎＳ：　Ｔｂを用いた緑色
しか実用化されていない。３原色を持つ薄膜ＥＬ表示装
置を製造しようとするには、赤色と青色の発光色を持ち
発光効率の高い蛍光体層用材料が必要であるが実用化で
きるまでには至っていないのが現状である。発光効率の
向上が非常に１大きな問題点である。

課題を解決するための手段 蛍光体層の少なくとも一方の側に、誘電体層が設けられ
、少なくとも一方が光透過性を有する電極層により蛍光
体層と誘電体層の積層構造体に電圧が印加されるように
構成されるとともに、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電
体層の積層構造体の両側に蛍光体層より放射される発光
波長λに対してＲ１とＲ２の反射率をもつ反射鏡層を設
け、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構造体
の発光波長λに対する屈折率ｎと膜厚ｄとの間にｄ＝：
に＠　ｎφλ／２ （Ｋは、１以上の正の整数） なる関係を満足するように反射鏡層を設ける。

作用 上記構成によれば、薄膜ＥＬ装置内にファプリｍ−ペロ
ー光干渉計と同様の作用をする手段を設けたことになり
、蛍光体層より自然放出される光がこの干渉計により方
向が薄膜層面に対して垂直方向に揃えられて取り出せる
。従って、蛍光体層内の発光中心から放出される所望の
発光波長の光を効率良く表示面から取り出せるので、発
光効率が１０倍以上の赤・青・緑の３原色が得られる。

実施例１ 本発明の一実施例を図に基づいて説明する。

第１図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
基本構成断面図である。

ガラス基板１の上にｒＴＯ透明電極２を成膜し、その上
に反射鏡層３を成膜し、さらに誘電率ε１、膜厚ｄ１の
第１誘電体層４を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ３の
蛍光体層５を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２誘電
体層６を順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を兼ね
た背面電極７を形成する。ここで第１誘電体層と蛍光体
層と第２誘電体層の積層体の蛍光体層の発光波長に対す
る屈折率ｎは、エリプソメータによって測定した。

この積層体の総模厚ｄは、 ｄ＝ｄｌ＋ｄ２　＋　ｄ３　　　　・　・　・　拳　（
１）で表されるが、このときに蛍光体層の発光波長λと
屈折率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立
するようにそれぞれ決定する。

ｄ＝に・ｎ・λ／２　・・・・（２） ここでＫは、１以上の正の整数である。

この第１図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の
電圧−輝度特性は、第５図のようになり、蛍光体層から
の輝度を発光面より効率的に取り出せることができるこ
とが確かめられた。

さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：　Ｍｎのほ
かに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎＳ
：Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐ、　　主な発光波
長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣ　ａ　Ｓ　：　Ｅ
　ｕｔ　　あるいはＺ　ｎ　Ｓ　：　Ｓ　ｍｓ４８０ｎ
ｍ近傍で青色発光するＳ　ｒ　Ｓ：　Ｃｅｓ　　あるい
はＺｎＳ：　Ｔｍを用いた。また、６第１．２誘電体層
としては、酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化
アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタ
ン酸ストロンチウム膜で代表されるペロプスカイト形酸
化物誘電体膜を用いた。第１表に本発明に用いた誘電体
膜の特性を示した。

また、実施した本発明の誘電体層と蛍光体層の組合せと
、積層−構造体の総膜厚ｄの決定は、第２表に示すよう
な発光波長λと、エリプソメータにより決定された誘電
体層と蛍光体層の積層構造体における発光波長に対する
屈折率ｎの値から、第２式に従って行われた。

（以下余白） 第１表 アモルファスのチタン酸バリウム。

第２表 に＝１の場合の総膜厚ｄの値 （単位ｎｍ） 第２表（続き） 本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることを確認した。

第６図、第７図、第８図に、それぞれ蛍光体層にＺｎ　
Ｓ：　Ｔｂ＋　　Ｆ％　　Ｚｎ　３：　Ｓｍ１Ｓ　ｒ　
Ｓ：　Ｃｅを用いて製造した薄膜ＥＬ装置の発光スペク
トルを示した。本発明によれば、反射＆１層を持たない
従来の薄ＪＩＩＥＬ装置に較べて５ないし１５倍の発光
効率の増加とともに所望の発光色選択でき緑・赤・青の
３原色に発光する薄膜ＥＬ装置が得られることが明らか
になった。

また、反射鏡層の反射率は０．　７以上のときに発光効
率の増加が顕著に現われた。さらに、ふたつの反射鏡層
の反射率は発光を取り出す側の方を低く設定した。なお
、発光の取り出し面は、ガラス基板面側と背面電極側の
２面があるが、ガラス基板面側は、蛍光体層から放出さ
れた光は反射鏡を透過した後に透明電極とガラス基板を
透過するために、ガラス基板と外の空気の層との屈折率
の違いから、ガラス基板から空気層に出ていかない光と
吸収される光が一部ある。一方、背面電極側は空気層に
直接放出されるのでこの方が発光輝度は大きくなる。

実施例２ 本発明の他の実施例を図に基づいて説明する。

第９図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
基本構成断面図である。

ガラス基板１１の上にＩＴＯ透明電極１２を成膜し、そ
の上に、誘電率ε１、膜厚ｄ１の第１誘電体層１３を成
膜し、さらに反射鏡層１４を成膜する。次に、この上に
膜厚ｄ３の蛍光体層１５を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ
２の第２誘電体層工６を順に積層し、その上に反射鏡層
と電極層を兼ねた背面電極１７を形成する。ここで蛍光
体層と第２誘電体層の積層体の蛍光体層の発光波長に対
する屈折率ｎは、エリプソメータによって測定した。

この積層体の総膜厚ｄは ｄ＝ｄ２＋ｄ３　　　・・・・（３） で表されるが、このときに蛍光体層の発光波長λと屈折
率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立する
ようにそれぞれ決定する。

ｄ＝に＠ｎ・λ／２　・・・・（４） ここでＫは、１以上の正の整数である。

この第９図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の
電圧−輝度特性は、第１０図のようになり、蛍光体層か
らの輝度を発光面より効率的に取り出せることができる
ことが確かめられた。

さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：　Ｍｎのほ
かに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎＳ
：Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐｌ　　主な発光波
長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣ　ａ　Ｓ　：　Ｅ
　ｕｌ　　あるいはＺｎＳ：ＳＳｍ１４８０ｎ近傍で青
色発光するＳ　ｒ　３：　Ｃｅｌ　　あるいはＺｎＳ：
　Ｔｍを用いた。また、各第１．２誘電体層としては、
酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウ
ム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロ
ンチウム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体
膜を用いた。第１表に本発明に用いた誘電体膜の特性を
示した。

また、実施した本発明の誘電体層と蛍光体層の組合せと
総膜厚ｄの決定は、第２表に示すような発光波長λとエ
リプソメータにより決定された誘電体層と蛍光体層の積
層体における発光波長に対する屈折率ｎの値から、第４
式に従って行われた。

本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることを確認した。第１１図、第１２
図、第１３図にそれぞれ蛍光体層にＺｎＳ：　Ｔｂｓ　
　Ｆｓ　　ＺｎＳ：　Ｓｍ１ＳｒＳ：　Ｃｅを用いて製
造した薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した。本発明
によれば、反射鏡層を持たない従来の薄膜ＥＬ装置に較
べて５ないし１５倍の発光効率の増加とともに所望の発
光色選択でき緑・赤・青の３原色に発光する薄膜ＥＬ装
置が得られることが明らかになった。また、反射鏡層の
反射率は０．　７以上のときに発光効率の増加が顕著に
現われた。さらに、ふたつの反射鏡層の反射率は発光を
取り出す側の方を低く設定した。なお、この実施例の構
成では、背面電極側から光を取り出した方が輝度が高か
った。

実施例３ 本発明の更に他の実施例を図に基づいて説明する。

第１４図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の基本構成断面図である。

ガラス基板２１の上に反射鏡層と電極層を兼ねた金属電
極２２を成膜し、その上に、誘電率ε１、膜厚ｄ１の第
１誘電体層２３を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ３の
蛍光体層２４を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２誘
電体層２５を順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を
兼ねた背面電極２６を形成する。ここで第１誘電体層と
蛍光体層と第２誘電体層の積層体の蛍光体層の発光波長
に対する屈折率ｎは、エリプソメータによって測定した
。

この積層体の総膜厚ｄは ｄ＝ｄｌ＋ｄ２＋ｄ３　　・・・・（５）で表されるが
、このときに蛍光体層の発光波長λと屈折率ｎと総膜厚
ｄとの間に次に示すような関係が成立するようにそれぞ
れ決定する。

ｄ＝Ｋ　ｅ　ｎ　＠λ／２　−−−−（８）ここでＫは
、１以上の正の整数である。

この第１４図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置
の電圧−輝度特性は、第１５図のようになり、蛍光体層
からの輝度を発光面より効率的に取り出せることができ
ることが確かめられた。

さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎ３：　Ｍｎのほ
かに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎＳ
：Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐ、　　主な発光波
長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣ　ａ　Ｓ　：　Ｅ
　ｕＮ　　あるいはＺｎＳ：ＳＳｍ１４８０ｎ近傍で青
色発光するＳｒＳ：Ｃｅ１　あるいはＺｎＳ：　Ｔｍを
用いた。また、各第１．２誘電体層としては、酸化イツ
トリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜、酸
化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロンチウム
膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体膜を用い
た。第３表に本発明に用いた誘電体膜の特性を示した。

第３表 寡は、アモルファスのチタン酸バリウム。

また、実施した本発明の誘電体層と蛍光体層の組合せと
積層構造体の総膜厚ｄの決定は第４表に示すような発光
波長λとエリプソメータにより決定された誘電体層と蛍
光体層の積層構造体における発光波長に対する屈折率ｎ
の値から第８式に従って行われた。

（以下余白） 第４表 に＝１の場合の総膜厚ｄの値 （単位は、ｎｍ） 第４表 （続き） 本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることを確認した。第１６図、第１７
図、第１８図にそれぞれ蛍光体層にＺｎＳ：　Ｔｂｙ　
　Ｆｌ　ＺｎＳ：　Ｓｍｘ　　ＳｒＳ：　Ｃｅを用いて
製造した薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した。本発
明によれば、反射鏡層を持たない従来の薄１１ＥＬ装置
に較べて５ないし１５倍の発光効率の増加とともに所望
の発光色選択でき緑・赤・青の３原色に発光する薄膜Ｅ
Ｌ装置が得られることが明らかになった。また、反射鏡
層の反射率は０．７以上のときに発光効率の増加が顕著
に現われた。さらに、ふたつの反射鏡層の反射率は発光
を取り出す画の方を低く設定した。なお、この実施例の
構成では、背面電極側から光を取り出した方が輝度が高
かった。

実施例４ 本発明の更に他の実施例を図に基づいて説明する。

第１９図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の基本構成断面図である。

ガラス基板３１の上にＩＴＯ透明電極３２を成膜し、そ
の上に、誘電率ε１、膜厚ｄ１の第１跣電体層３３を成
膜し、さらに反射鏡層３４を成膜する。次に、この上に
膜厚ｄ３の蛍光体Ｂ３５を成膜し、その上に、反射鏡層
３６、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２誘電体層３７を順に
積層し、その上に背面電極３８を形成する。ここで反射
鏡に挟まれた蛍光体層における蛍光体層の発光波長に対
する屈折率ｎは、エリプソメータによって測定した。

このときに蛍光体層の発光波長λと屈折率ｎと膜厚ｄ３
との間に次に示すような関係が成立するようにそれぞれ
決定する。

ｄ３＝に＊ｎ＊λ／２　−−−−（７）ここでＫは、１
以上の正の整数である。

この第１９図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置
の電圧−輝度特性は、第２０図のようになり、蛍光体層
からの輝度を発光面より効率的に取り出せることができ
ることが確かめられた。

さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８〜Ｏｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：　Ｍｎの
ほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺ　
ｎ　Ｓ　：　Ｔ　ｂ＋　　ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐ
、　　主な発光波長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣ
　ａ　Ｓ　：　Ｅ　ｕｌ　　あるいはＺ　ｎ　Ｓ　：　
Ｓ　ｆｆｈ４８０ｎｍ近傍で青色発光するＳｒＳ：Ｃｅ
ｘ　　あるいはＺｎＳ：Ｔｍを用いた。また、各第１．
２誘電体層としては、酸化イツトリウム膜、酸化タンタ
ル膜、酸化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素
膜や、チタン酸ストロンチウム膜で代表されるペロブス
カイト形酸化物誘電体膜を用いた。第５表に本発明に用
いた誘電体膜の特性を示した。

（以下余白） 第５表 また、実施した本発明の蛍光体層の膜厚ｄ３の決定は第
６表に示すような発光波長λとエリプソメータにより決
定された誘電体層と蛍光体層の積層構造体における発光
波長に対する屈折率ｎの値から第７式に従って行われた
。

本は、アモルファスのチタン酸バリウム。

第６表　Ｋ＝１の場合の膜厚ｄ３の値 （単位は、ｎｍ） 第６表の続き 本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることを確認した。

第２１図、第２２図、第２３図にそれぞれ蛍光体層にＺ
ｎＳ：　Ｔｂ＊　　Ｆ％　　ＺｎＳ：　Ｓｍ１　ＳｒＳ
：Ｃｅを用いて製造した薄膜ＥＬ装置の発光スペクトル
を示した。本発明によれば、反射鏡層を持たない従来の
薄膜ＥＬ装置に較べて５ないし１５倍の発光効率の増加
とともに所望の発光色選択でき緑φ赤・青の３原色に発
光する薄膜ＥＬ装置が得られることが明らかになった。

また、反射鏡層の反射率は０．７以上のときに発光効率
の増加が顕著に現われた。さらに、ふたつの反射鏡層の
反射率は発光を取り出す側の方を低く設定した。なお、
この実施例の構成では、背面電極側から光を取り出した
方が輝度が高かった。

実施例５ 本発明の更に他の実施例を図に基づいて説明する。

第２４図は、本発明のエレクトロルミネセンス装置の基
本構成断面図である。

ガラス基板４１の上に電極と兼ねた反射鏡層４２を成膜
する。次に、この上に膜厚ｄ３の蛍光体層４３を成模し
、その上に、反射鏡層４４を兼ねた背面電極４５を形成
する。ここで反射鏡に挟まれた蛍光体層における蛍光体
層の発光波長に対する屈折率ｎは、エリプソメータによ
って測定した。

このときに蛍光体層の発光波長λと屈折率ｎと膜厚ｄ３
との間に次に示すような関係が成立するようにそれぞれ
決定する。

ｄ３＝に＊ｎ＊λ／２　−−−−　（７）ここでＫは、
１以上の正の整数である。

この第２４図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置
の電圧−輝度特性は、第２５図のようになり、蛍光体層
からの輝度を発光面より効率的に取り出せることができ
ることが確かめられた。

さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：　Ｍｎのほ
かに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎＳ
：Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐｌ　　主な発光波
長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣ　ａ　Ｓ　：　Ｅ
　０％　　あるいはＺｎＳ：ＳＳｍ１４８０ｎ近傍で青
色発光するＳ　ｒ　Ｓ　：　Ｃｅｌ　　あるいはＺｎＳ
：　Ｔｍを用いた。また、分散型粉末ＥＬ装置も用いた
。

また、実施した本発明の蛍光体層の膜厚ｄ３の決定は第
７表に示すような発光波長λとエリプソメータにより決
定された発光波長に対する屈折率ｎの値から第７式に従
って行われた。

（以下余白） 第７表 に＝１の場合の膜厚ｄ３の値 （単位はｓ　　ｎｍ） 第７表の続き 本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率のＥＬ装
置が製造できることを確認した。

また、反射鏡層の反射率は０．７以上のときに発光効率
の増加が顕著に現われた。さらに、ふたつの反射鏡層の
反射率は発光を取り出す側の方を低く設定した。なお、
この実施例の構成では、背面電極側から光を取り出した
方が輝度が高かった。

発明の効果 本発明によれば、高い発光効率で所望の発光波長で発光
する薄膜エレクトロルミネセンス装置ができ、ＯＡ機器
用端末、テレビジョン用画像表示装置としてのフルカラ
ーフラットデイスプレィが実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセン
ス装置の基本構成断面図、第２図は、従来例である薄膜
ＥＬ素子の断面構造図、第３図は、ファブリ−・ペロー
型干渉計を示す図、第４図は、ファプリー・ペロー型干
渉計の動作原理を示す図、第５図は、本発明の一実施例
の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示す図、第６図は、
本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
発光スベクトルを示す図、第７図は、本発明の一実施例
のＷｊＭエレクトロルミネセンス装置の発光スペクトル
を示す図、第８図は、本発明の一実施例の薄膜エレクト
ロルミネセンス装置の発光スペクトルを示す図、第９図
は、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装
置の基本構成断面図、第１０図は、本発明の一実施例の
薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示す図、第１１図は、
本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
発光スペクトルを示す図、第１２図は、本発明の一実施
例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトル
を示す図、第１３図は、本発明の一実施例の薄膜エレク
トロルミネセンス装置の発光スペクトルを示す図、第１
４図は、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセン
ス装置の基本構成断面図、第１５図は、本発明の一実施
例の薄膜ＥＬ装置の輝１度−電圧特性を示す図、第１６
図は、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス
装置の発光スペクトルを示す図、第１７図は、本発明の
一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペ
クトルを示す図、第１８図は、本発明の一実施例の薄膜
エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示す図
、第１９図は、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミ
ネセンス装置の基本構成断面図、第２０図は、本発明の
一実施例の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示す図、第
２１図は、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセ
ンス装置の発光スペクトルを示す図、第２２図は、本発
明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光
スペクトルを示す図、第２３図は、本発明の一実施例の
薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示
す図、第２４図は、本発明の一実施例のエレクトロルミ
ネセンス装置の基本構成断面図、第２５図は、本発明の
一実施例のＥＬ表装置輝度−電圧特性を示す図である。 ■・・・・ガラス基板、２・・・・透明電極、３・・・
・反射鏡層、４・・・・第１誘電体層、５・・・・蛍光
体層、６・・・・第２誘電体層、７・・・・反射鏡層を
兼ねた背面電極。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名１図 、駆動用１＊ 名　２１２１ クヘＩ カラス幕仮 第 図 ｔ（ｍｌ 気 間 隙 Ｉｂ）　Ｔ！を明部体間− 冥 図 印 記 電 圧 第 図 （α） ＤＩＪは１甲９尺【Ｉ反引１Ｆ 区 粟ｒｔｅ永可梗 碍碇腺妃河擲（Ｊ緘繁勺） ５δ 篇 図 駈Ｕ用電源 奨賞嫁厭切鰹 第１０図 印 加 電 圧 即 款 膏 坂 創 笥 即 に 謝 填 燭 廻 早 寂 蛛 嶽 剃 廻 （＠ｉｌ！！２　軒ミノ 第１４図 ＲＩ用電源 偽１５図 印 酊電圧 浮撃Ｉ４終（戯（転）訃帽 夜ぜ駅駅領ス 櫻廿配ギ題癖 第１９図 駆動側電源 典廿牟般ｆｆ！、躯 第２０図 θ 印加電工 襄（牢ν渠粥輔ｍｌ卦旦） 区 兵鞍隊−制便 礒２４因 ｗ−ｗＪ用電源

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極層
   により、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構
   造体に電圧が印加されるように構成されるとともに、前
   記蛍光体層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層構造
   体の両側に、蛍光体層より放射される発光波長λに対し
   て０．７以上１未満の反射率をもつ反射鏡層を設け、前
   記蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構造体の
   前記発光波長λに対する屈折率ｎと膜厚ｄとの間に、 ｄ＝Ｋｌｎ．λ／２ （Ｋは、１以上の正の整数゛） なる関係を満足するように構成したことを特徴とする薄
   膜エレクトロルミネセンス装置。
2. （２）電極層が反射鏡層の反射率を持つことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネセ
   ンス装置。