JPS5928036B2 - 薄膜el素子 - Google Patents

薄膜el素子

Info

Publication number
JPS5928036B2
JPS5928036B2 JP49106979A JP10697974A JPS5928036B2 JP S5928036 B2 JPS5928036 B2 JP S5928036B2 JP 49106979 A JP49106979 A JP 49106979A JP 10697974 A JP10697974 A JP 10697974A JP S5928036 B2 JPS5928036 B2 JP S5928036B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
transparent electrode
glass substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP49106979A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5133579A (en
Inventor
博 岸下
幹郎 竹田
良亘 柿原
勝 吉田
順 川口
豊 山内
敏夫 猪口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP49106979A priority Critical patent/JPS5928036B2/ja
Publication of JPS5133579A publication Critical patent/JPS5133579A/ja
Publication of JPS5928036B2 publication Critical patent/JPS5928036B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜EL層を第1、第2の絶縁層でサンドイ
ッチ状に挾持したいわゆる二重絶縁構造5 の多層薄膜
EL素子に係り、特に薄膜EL層の発光を外部へ有効に
とり出し輝度向上と共に色相向上をはかつた薄膜EL素
子に関する。
第1図は本発明者等がすでに提案しているZnS:Mn
系二重絶縁構造薄膜EL素子の断面図で、・o ガラス
基板1上にsno2やIn2o2などの透明電極2を形
成し、更に第1絶縁体層3、ZnSを発光母体とし発光
中心を造ろ活性物質としてMnをドープしたEL層4、
第2絶縁体層5及びAι等の背面電極6を、この順に真
空蒸着して形成して・5いろ。
この構造の素子に、透明電極2及び背面電極6から適当
な交流電界を印加すると、上記EL層4は励起されて発
光し、第1絶縁体層3、透明電極2及びガラス基板1を
介して外部に導出され、種0 種に利用されろ。
ところがこの素子の各層は極めて薄く、従つて素子のE
Lスペクトルを測定すると発光中心によろスペクトルが
各層によろ光反射の干渉効果に依つて変形を受けている
事がしばしば観測される。一例としてZnS発光母体V
CTbF35Mnを共にドープしたものをEL層4とし
て用いた素子のELスペクトルを、第2図の曲線Aで示
す。尚曲線Bは素子本来のスペクトルを示す。第′1−
2図より明かな様に素子の発光スペクトルは、上記干渉
効果に依り大きく変化するが、その様子は各層の膜厚、
種類に依つて異りさまざまな様相を呈する。
特に発光ビーク波長において干渉効果に依り発光強度が
最小になる様な場合、素子としての実質輝度は著るしく
低下する。またさらに発光の色相を本来のものとは著ろ
しく相違させることになる。今第1図に示す素子の各層
の屈折率を通常用いられている材料で示すと、ガラス基
板1は〜1.5、ZnO2、In2O3透明電極2は〜
1.9、Si3N4、Y2O8、Ta2O5等の第1、
第2絶縁層3、5は2〜3、ZnSEL層4は〜24程
度であつて、従つてガラス基板1と透明電極2または透
明電極2と第1絶縁層3間の界面での屈折率変化が最も
大きく、ここで界面反射が起り易い。
実際第2図に示したスペクトル変化は、At電極(背面
電極5)面と、ガラス基板1、透明電極2の界面の反射
による膜中での光の干渉によるものとしてうまく説明さ
れる。At電極面と、ガラス基板、透明電極間界面との
間の距離をdとすると干渉の結果外部へ出る光の強度が
最小になるのはを満足する波長入に於いてである。
第2図のスペクトルを示す素子の場合、d=22500
A(透明〜電極2の層厚4250A1第1絶縁層3の層
厚005500A.,EL層4の層厚7500A第2絶
縁 層厚5250A)であり、従つてλ=5294A(N=
17)、6000A(N=15)692300A(N=
13)、8181A(N−11)の波長で、強度が最小
になる。
これは第2図の曲線Aで示すスペクトルに一致しており
、従つて第2図のスペクトル変化が、このような光反射
の干渉効果に依るものであることが容易に理解されよう
。本発明は二重絶縁構造薄膜EL素子の、このような干
渉効果を取り除き、素子本来の発光スペクトルを持つ上
記EL素子を得るために為されたもので・以下に実施例
をあげて本発明を詳細に説明する。今屈折率がnlとN
2である両物質問に、屈折率がn=1K「W7であり層
厚をケ4(λ:利用している光の波長)である物質を挿
入すると、この界面に於ける反射率は、波長入において
零になることが知られている。
本発明の原理を利用したものであり、各層間の特に屈折
率変化の大きい界面に、反射率を零にする反射防止膜を
設けて、上記反射光の干渉効果を取り除くようにしてい
る。第3図は本発明一実施例素子の断面図であり、7は
ガラス基板1と透明電極2間に設けられた第1挿入層、
8は透明電極2と第1絶縁層3間に設けられた第2挿入
層を示し、両者は上記反射防止膜として働くものである
。従つて第1、第2挿入層7,8を設けない時の素子d
が、上記d=22500A(各層厚及び層の材質も同じ
ものとする)である場合、第1挿入層7としては屈折率
〜1.7層厚1750A(この素子は本米第2図の曲線
Bに示すように、7000Aにビーク値を持つスペクト
ルを示す)ものを、一方第2挿入層8としては屈折率〜
22、層厚1750Aのものを用いる事に依つて、各層
界面に於ける反射は、波長7000Aの光に対して零と
なり、第2図の曲線Bに示すような素子本来の発光スペ
クトルが得られる。第1、第2挿入層7.8の例として
は、SiO(1.8〜1.9)、SlO2(1.5)、
SiO,SiO2混合物(1.5〜1.9)、CeO2
(2.4〜2.5)、TiO2(2.5)、ZrO2(
2.2)、ZnS..MgF2混合物(1.5〜1.9
)などがある。また第1挿入層7としては、屈折率の条
件さえ満足すれば大抵の材料が使用可能であるが、第2
挿入層8としては、EL発光電界の耐圧もかねそなえた
絶縁材料かまたは透明電極の一部として働く透明抵抗材
料である必要がある。尚上記実施例では、発光母体とし
てZnS多結晶薄膜を用いているが他の材料でも本発明
を実施できることは勿論であり、この場合第1及び第2
挿入層の材料、層厚等は上記の公式に基づいて適宜変化
させる必要がある。また素子に依つては第1、第2の2
個の挿入層を必ずしも必要とはせず・要するに本発明の
挿入層は屈折率の差が大きい2層間に於いて設けられば
よい。以上実施例をあげて詳述した様に、本発明に依れ
ば、二重絶縁構造の多層薄膜EL素子に於いて隣接する
2層間の屈折率の変化の大きい界面に、EL光に対する
反射防止膜を挿入する事に依り、界面反射をなくし膜中
での光の干渉を最小にせしめ、EL光を本米のスペクト
ルのままで有効に外部に取り出して発光輝度を向上させ
ることができ、またガラス基板上に形成された透明電極
で給電手段の構成された薄膜EL素子に於いてEL発光
に最も弊害を与えるガラス基板と透明電極間の界面から
のEL発光の反射光が効果的に防止されるため、得られ
る発光色はスペクトルに歪が少なくなり、色相が純化さ
れる。
従つて表示画面等を構成する手段として非常に有用な装
置であり、更に挿人される反射防止膜は直接EL層と接
触することがなく、EL素子を構成する二重絶縁構造の
外部に設けられるため、EL発光特性を損なうことなく
有効に内部発光の界面反射を防止することができろ。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薄膜EL素子の断面図、第2図はEL素
子の発光スペクトル図、第3図は本発明一実施例素子の
断面図である。 2・・・透明電極、3,5・・・第1、第2絶縁層、4
・・・EL層、6・・・背面電極層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電圧印加によりEL発光を呈する薄膜EL層の両主
    面に絶縁層を被覆し、表示用ガラス基板上に形成された
    透明電極と該透明電極に対向する背面電極間で前記絶縁
    層を介して前記薄膜EL層に電圧を印加する給電定段が
    構成された薄膜EL素子に於いて、前記ガラス基板と前
    記透明電極間に透明薄膜状の挿入層を介設し、該挿入層
    は前記ガラス基板の屈折率と前記透明電極の屈折率の中
    間範囲の値を有する屈折率に設定され、前記ガラス基板
    界面からのEL発光の反射を軽減することによりEL発
    光のスペクトルを純化したことを特徴とする薄膜EL素
    子。
JP49106979A 1974-09-13 1974-09-13 薄膜el素子 Expired JPS5928036B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49106979A JPS5928036B2 (ja) 1974-09-13 1974-09-13 薄膜el素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49106979A JPS5928036B2 (ja) 1974-09-13 1974-09-13 薄膜el素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5133579A JPS5133579A (en) 1976-03-22
JPS5928036B2 true JPS5928036B2 (ja) 1984-07-10

Family

ID=14447384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP49106979A Expired JPS5928036B2 (ja) 1974-09-13 1974-09-13 薄膜el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5928036B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5823191A (ja) * 1981-07-31 1983-02-10 シャープ株式会社 薄膜el素子
JPH0634390B2 (ja) * 1986-05-21 1994-05-02 日産自動車株式会社 El表示装置
JP2553696B2 (ja) * 1989-03-24 1996-11-13 松下電器産業株式会社 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
CN103403910A (zh) * 2011-03-22 2013-11-20 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其导电基底

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4918032A (ja) * 1972-06-09 1974-02-18

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4918032A (ja) * 1972-06-09 1974-02-18

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5133579A (en) 1976-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2553696B2 (ja) 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
US5554911A (en) Light-emitting elements
US4774435A (en) Thin film electroluminescent device
US5504389A (en) Black electrode TFEL display
JPH01220394A (ja) 高輝度el素子
JPS60180093A (ja) 薄膜el素子
US6541911B1 (en) Multi-color emission dispersion type electroluminescence lamp
JPS5928036B2 (ja) 薄膜el素子
JPS6240836B2 (ja)
JP2689661B2 (ja) 光干渉フィルタを含む薄膜エレクトロルミネセンス装置
JPH053081A (ja) 面発光装置
JPH08162069A (ja) 平面型蛍光ランプ
JPH01315992A (ja) 薄膜el素子
JPH07130471A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPS59133584A (ja) 多色el表示装置
JP2583994B2 (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス装置
JPH01149397A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPS59157996A (ja) El発光素子
JPS62202492A (ja) 薄膜el素子
JPH01146288A (ja) 多色薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH11283745A (ja) El表示装置
JPH01109695A (ja) 自己発光型表示装置
JPH0778689A (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子
JPH01194292A (ja) エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JPH05266979A (ja) 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子